JP5850984B2 - 荷電粒子装置内の試料を撮像する方法 - Google Patents
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Description
− 排気可能な試料チャンバ、
− 電子ビーム軸に沿って微細集束電子ビームを生成する、静電浸漬レンズを有する対物レンズを備える電子ビーム鏡筒、
− イオンビーム軸に沿って微細集束イオンビームを生成する集束イオンビーム鏡筒、
− 前記試料を保持する手段を備える伝導面を有して、前記伝導面が前記電子ビーム軸に対して垂直となる第1傾斜角度と、前記伝導面が前記イオンビーム軸に対して垂直となる第2傾斜角度との間で前記伝導面を傾斜させることが可能な試料マニピュレータ、
を有し、
前記集束イオンビーム鏡筒と前記電子ビーム鏡筒は前記試料チャンバに載置され、前記電子ビーム軸と前記イオンビーム軸はある交差位置で交差する。
− 前記試料マニピュレータの伝導面上に前記試料を載置する段階、
− 前記電子ビーム鏡筒によって微細集束電子ビームを前記試料へ案内する段階、
− 前記集束イオンビーム鏡筒によってイオンビームを前記試料へ案内する段階、
を有する。
− 試料の傾斜及び前記電子鏡筒の静電レンズの励起の結果生じるビームシフトが補償されうる。
− 両鏡筒の色収差が補償されうる。
− 図3Aはレンズ内SE検出器を用いて得られたスズの球体の像を示している。
− 図3Bはレンズ内BSE検出器を用いて得られたスズの球体の像を示している。
− 図3Cは、試料台が52°傾斜したときにレンズ内SE検出器を用いて得られたスズの球体の像を示している。
− 図3Dは、試料台が52°傾斜したときにレンズ内BSE検出器を用いて得られたスズの球体の像を示している。
− 図3Eは、試料台が52°傾斜し、かつ、台に234Vのバイアス電圧が印加されたときにレンズ内SE検出器を用いて得られたスズの球体の像を示している。
− 図3Fは、試料台が52°傾斜しかつ、台に234Vのバイアス電圧が印加されたときにレンズ内BSE検出器を用いて得られたスズの球体の像を示している。
101 電子ビーム鏡筒
102 イオンビーム鏡筒
103 試料チャンバ
104 試料
105 台
106 交差位置
110 電子源
112 電子ビーム
114 電子光学収束レンズ
116 対物レンズ
118 偏向コイル
120 イオン源
122 イオンビーム
124 イオン光学収束レンズ
126 対物レンズ
128 偏向器
130 システム制御装置
134 電源
140 電子検出器
141 筐体内検出器
142 気体注入系(GIS)
143 調節可能バルブ
144 ニードル
145 マイクロマニピュレータ
146 先端部
202 電極
204 接地電極
206 コイル
208 電極
210 電極
212 電極
Claims (9)
- 荷電粒子装置内の試料を撮像する方法であって、前記荷電粒子装置は、
排気可能な試料チャンバ、
電子ビーム軸に沿って微細集束電子ビームを生成する、静電浸漬レンズを有する対物レンズを備える電子ビーム鏡筒、
イオンビーム軸に沿って微細集束イオンビームを生成する集束イオンビーム鏡筒、
前記試料を保持する手段を備える伝導面を有して、前記伝導面が前記電子ビーム軸に対して垂直となる第1傾斜角度と、前記伝導面が前記イオンビーム軸に対して垂直となる第2傾斜角度との間で前記伝導面を傾斜させることが可能な試料マニピュレータ、
を有し、
前記集束イオンビーム鏡筒と前記電子ビーム鏡筒は前記試料チャンバに載置され、前記電子ビーム軸と前記イオンビーム軸はある交差位置で交差し、
当該方法は、
前記試料マニピュレータの伝導面上に前記試料を載置する段階、
前記電子ビーム鏡筒によって微細集束電子ビームを前記試料へ案内する段階、
前記集束イオンビーム鏡筒によってイオンビームを前記試料へ案内する段階、
を有し、
前記電子ビーム鏡筒と前記集束イオンビーム鏡筒の各々が前記交差位置に最も近い電極を有し、
前記電極は共通の電位に接続され、かつ、
前記試料が載置される伝導面は前記電極に対して傾斜角に依存してバイアス印加され、その結果、前記イオンビームと前記電子ビームは、横方向色収差を示すことなく前記交差位置で交差し、かつ、前記ビームの交差はいずれの傾斜位置についても同一の試料位置で起こる、
ことを特徴とする方法。 - 前記傾斜角に依存するバイアスは、前記面が前記電子ビーム軸に対して垂直である場合にはゼロである、請求項1に記載の方法。
- 前記第1傾斜角度と前記第2傾斜角度の差は45°乃至60°である、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記試料チャンバが、前記試料及び前記電極に対してバイアス印加可能な1つ以上の電気伝導性部材を有する、請求項1乃至3のうちのいずれか一項に記載の方法。
- 前記1つ以上の電気伝導性部材のうちの少なくとも1つが、前記試料及び前記電極に対して位置設定可能である、請求項4に記載の方法。
- 前記1つ以上の電気伝導性部材が、気体注入系、2次電子検出器、後方散乱電子検出器、荷電粒子検出器、X線検出器、又はカメラからなる群から選ばれる部材を含む、請求項4又は5に記載の方法。
- 前記電子ビーム鏡筒が筐体内荷電粒子検出器を有する、請求項1乃至6のうちのいずれか一項に記載の方法。
- 前記筐体内荷電粒子検出器がレンズ内荷電粒子検出器である、請求項7に記載の方法。
- 前記筐体内荷電粒子検出器が、2次電子と後方散乱電子を識別するように構成される、請求項7又は8に記載の方法。
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