JP5829458B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
すなわち、従来の装置は、処理液を温調する際には、内槽に基板及びリフタが浸漬されていない状態で処理液をポンプで循環できるように、内槽から外槽へ処理液が溢れるだけの量の処理液を供給しておく必要がある。リフタを基板とともに内槽の処理液に浸漬させると、リフタと基板の容積分の処理液が外槽へ溢れるが、これを貯留できるように外槽が構成されている。つまり、基板の処理前における処理液の温調時には、処理において実質的に不要な量の処理液をも循環させつつ温調を行っている。したがって、処理液の使用量が多くなるという問題がある。
すなわち、請求項1に記載の発明は、処理液に基板を浸漬させて基板に対して処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留する内槽と、前記内槽から溢れる処理液を回収する外槽と、前記内槽の上方に相当する待機位置と、前記内槽の内部に相当する処理位置とにわたって基板とともに移動するリフタと、前記内槽と前記外槽とを連通接続し、前記外槽内の処理液を前記内槽に循環させるための循環配管と、前記リフタが待機位置に位置した非処理状態で前記内槽の上縁より下方の高さ位置から前記外槽へ処理液を流通させて前記循環配管を介して処理液の循環を行わせる循環制御手段と、を備えていることを特徴とするものである。
図1は、実施例1に係る基板処理装置の概略構成を示す全体図である。
図5に示すように、複数枚の基板Wが支持部29に起立姿勢で支持された状態で、リフタ27が内槽3の上方に相当する待機位置に位置している。このとき、内槽3と、外槽5と、循環配管15とには、複数枚の基板Wとリフタ27とが処理位置に移動した際に、内槽3の上縁から処理液が溢れる量の処理液が貯留されているものとする。そして、制御部37は、開閉弁35を開放するとともに、循環ポンプ17を作動させ、インラインヒータ19によって処理液を処理温度に温調する。内槽3の処理液面は、内槽3の上縁よりも下方に位置しているが、開閉弁35を開放しているので、内槽3の処理液は循環流通管33を通して外槽5に流入する。したがって、処理液は、内槽3と、外槽5と、循環配管15とを通って循環し、処理温度への温調が行われる。
処理液の温度が処理温度に達すると、図6に示すように、制御部37は昇降駆動部30を操作して、リフタ27を複数枚の基板Wごと待機位置から処理位置へ下降させる。その際には、開閉弁35を閉止する。すると、内槽3の内部に位置するリフタ27及び支持部29と、複数枚の基板Wとの容積分だけ内槽3の処理液面が上昇し、内槽3の上縁から外槽5に処理液が溢れることになる。したがって、処理状態でも処理液が循環配管15を通って循環する。この状態をレシピに応じた時間だけ維持することにより、複数枚の基板Wに対してレシピに応じた処理が行われる。
図7は、実施例2に係る基板処理装置の概略構成を示す全体図である。なお、上述した実施例1と同じ構成については、同符号を付すことで詳細な説明については省略する。
図8に示すように、複数枚の基板Wが支持部29に起立姿勢で支持された状態で、リフタ27が待機位置に位置している。このとき、内槽3Aと、外槽5と、循環配管15とには、複数枚の基板Wとリフタ27とが処理位置に移動した際に、内槽3Aの上縁から処理液が溢れ出る量の処理液が貯留されている。制御部37は、槽昇降駆動部51を操作して上部内槽3uを下部内槽3dから上昇させ、分割面49に隙間gを形成させる。さらに、制御部37は、循環ポンプ17を作動させ、インラインヒータ19によって処理液を処理温度に温調する。上部内槽3uと下部内槽3dとの間には、隙間gが形成されているので、内槽3A内の処理液は、下部内槽3dの上縁の全周を超えて外槽5に流入する。したがって、処理液は、内槽3Aと、外槽5と、循環配管15とを通って循環し、処理温度への温調が行われる。
処理液の温度が処理温度に達すると、図9に示すように、制御部37は槽昇降駆動部51を操作して、リフタ27を複数枚の基板Wごと待機位置から処理位置へ下降させる。その際には、槽昇降駆動部51を操作して、上部内槽3uを下部内槽3dに対して下降させ、分割面49を液密な状態としておく。すると、内槽3Aの内部に位置するリフタ27及び支持部29と、複数枚の基板Wとの容積分だけ内槽3Aの処理液面が上昇し、内槽3Aの上縁から外槽5に処理液が溢れ出る。したがって、処理状態でも処理液が循環配管15を通って循環する。これをレシピに応じた時間だけ維持して、複数枚の基板Wに対する処理を行う。
図10は、実施例3に係る基板処理装置の概略構成を示す全体図である。なお、上述した実施例1と同じ構成については、同符号を付すことで詳細な説明については省略する。
図11では図示省略してあるが、複数枚の基板Wが支持部29に起立姿勢で支持された状態で、リフタ27が待機位置に位置している。このとき、内槽3と、外槽5と、循環配管15とには、複数枚の基板Wとリフタ27とが処理位置に移動した際に、内槽3の上縁から処理液が溢れ出る量の処理液が貯留されている。また、オートカバー53は閉止された状態である。制御部37は、ベローズ駆動部57を操作してベローズ55を伸長させる。さらに、制御部37は、循環ポンプ17を作動させ、インラインヒータ19によって処理液を処理温度に温調する。したがって、処理液は、内槽3と、外槽5と、循環配管15とを通って循環し、処理温度への温調が行われる。
処理液の温度が処理温度に到達すると、制御部37は、ベローズ駆動部57を操作して、ベローズ55を収縮させる。そして、図12に示すように、制御部37はオートカバー53を一旦開放し、昇降駆動部30を操作して、リフタ27を複数枚の基板Wごと待機位置から処理位置へ下降させる。その後、制御部37は、オートカバー53を閉止する。内槽3の処理位置に位置するリフタ27及び支持部29と、複数枚の基板Wとの容積分だけ内槽3の処理液面が上昇し、内槽3の上縁から外槽5に処理液が溢れる。したがって、処理状態において、処理液が循環配管15を通って循環する。これを所定時間だけ維持して、複数枚の基板Wに対して処理液による処理を行う。
図13は、実施例4に係る基板処理装置の概略構成を示す全体図である。なお、上述した実施例1と同じ構成については、同符号を付すことで詳細な説明については省略する。
図14では、図示省略してあるが、複数枚の基板Wがリフタ27に指示された状態で待機位置にある。このとき、内槽3と、外槽5と、循環配管15とには、複数枚の基板Wとリフタ27とが処理位置に移動した際に、内槽3の上縁から処理液が溢れるような量の処理液が貯留されている。制御部37は、ベローズ駆動部57を操作してベローズ55Aを伸長させる。そして、制御部37は、循環ポンプ17を作動させ、インラインヒータ19によって処理液を処理温度に温調する。したがって、処理液は、内槽3と、外槽5と、循環配管15を通って循環し、処理温度への温調が行われる。
処理液の温度が処理温度に達すると、制御部37は、ベローズ駆動部57を操作して、ベローズ55Aを収縮させる。そして、図15に示すように、制御部37は、リフタ27を複数枚の基板Wごと処理位置に移動させる。すると、内槽3の処理位置に位置するリフタ27及び支持部29と、複数枚の基板Wとの容積分だけ内槽3の処理液面が上昇し、内槽3の上縁から外槽5に処理液が溢れる。したがって、処理状態において、処理液が循環配管15を通って循環する。これを所定時間だけ維持して、複数枚の基板Wに対して処理液による処理を行う。
図16は、実施例5に係る基板処理装置の概略構成を示す全体図である。なお、上述した実施例1と同じ構成については、同符号を付すことで詳細な説明については省略する。
図17は、実施例6に係る基板処理装置の概略構成を示す全体図である。なお、上述した実施例1と同じ構成については、同符号を付すことで詳細な説明については省略する。
槽循環量(内槽+外槽+循環配管) …… 50リットル
基板+リフタ 6リットル
槽循環量(内槽+外槽+循環配管) …… 150リットル
基板+リフタ 20リットル
3 … 内槽
5 … 外槽
7 … 注入管
15 … 循環配管
17 … 循環ポンプ
19 … インラインヒータ
27 … リフタ
30 … 昇降駆動部
33 … 循環流通管
37 … 制御部
39 … ハウジング
41 … ピストン
43 … 先端部
Claims (11)
- 処理液に基板を浸漬させて基板に対して処理を行う基板処理装置において、
処理液を貯留する内槽と、
前記内槽から溢れる処理液を回収する外槽と、
前記内槽の上方に相当する待機位置と、前記内槽の内部に相当する処理位置とにわたって基板とともに移動するリフタと、
前記内槽と前記外槽とを連通接続し、前記外槽内の処理液を前記内槽に循環させるための循環配管と、
前記リフタが待機位置に位置した非処理状態で前記内槽の上縁より下方の高さ位置から前記外槽へ処理液を流通させて前記循環配管を介して処理液の循環を行わせる循環制御手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記内槽の側壁に配設され、前記内槽の側壁における上縁よりも下方の高さ位置に配設された開閉弁を備え、
前記循環制御手段は、非処理循環状態では、前記開閉弁を開放し、処理状態では、前記開閉弁を閉止することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2に記載の基板処理装置において、
前記開閉弁は、処理状態から非処理状態になったときの前記内槽の液面高さに設けられていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2または3に記載の基板処理装置において、
前記開閉弁は、開放時に退出し、閉止時に突出するピストンを備え、閉止時に前記ピストンの先端部が前記内槽の内壁面に一致する位置にまで突出することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記内槽は、上縁を含む上部内槽と、底面を含む下部内槽とを備え、
前記上部内槽または前記下部内槽を昇降させる昇降手段を備え、
前記循環制御手段は、非処理循環状態では、前記昇降手段を操作して前記上部内槽と前記下部内槽との間に隙間を形成し、処理状態では、前記上部内槽と前記下部内槽とを密着させることを特徴とする基板処理装置。 - 処理液に基板を浸漬させて基板に対して処理を行う基板処理装置において、
処理液を貯留する内槽と、
前記内槽から溢れる処理液を回収する外槽と、
前記内槽の上方に相当する待機位置と、前記内槽の内部に相当する処理位置とにわたって基板とともに移動するリフタと、
前記内槽と前記外槽とを連通接続し、前記外槽内の処理液を前記内槽に循環させるための循環配管と、
前記リフタが待機位置に位置した非処理状態で前記内槽の処理液面を上昇させて前記内槽の上縁から前記外槽へ処理液を流通させて前記循環配管を介して処理液の循環を行わせる循環制御手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項6に記載の基板処理装置において、
前記内槽及び前記外槽の上部に配設され、非処理循環状態では閉止され、非処理状態から処理状態に移行する際に開閉されるオートカバーと、
前記オートカバーの下面に配設され、前記内槽の処理液中と、前記内槽の処理液面上とにわたって伸縮自在の伸縮部材とを備え、
前記循環制御手段は、非処理循環状態では前記伸縮部材を伸長させ、処理状態では前記伸縮部材を収縮させることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項6に記載の基板処理装置において、
前記内槽の底部に配設され、底部側と処理液面側とにわたって伸縮自在の伸縮部材を備え、
前記循環制御手段は、非処理循環状態では前記伸縮部材を伸長させ、処理状態では前記伸縮部材を収縮させることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項6に記載の基板処理装置において、
前記内槽の外部と、前記内槽の内部とにわたって移動可能なダミーブロックを備え、
前記循環制御手段は、非処理循環状態では前記ダミーブロックを前記内槽の内部に移動させ、処理状態では前記ダミーブロックを前記内槽の外部に移動させることを特徴とする基板処理装置。 - 処理液に基板を浸漬させて基板に対して処理を行う基板処理装置において、
処理液を貯留する内槽と、
前記内槽から溢れる処理液を回収する外槽と、
前記内槽の上方に相当する待機位置と、前記内槽の内部に相当する処理位置とにわたって基板とともに移動するリフタと、
前記内槽と前記外槽とを連通接続し、前記外槽内の処理液を前記内槽に循環させるための循環配管と、
前記内槽と前記外槽とを連通接続し、前記内槽内の処理液を前記外槽に循環させるための非処理循環配管と、
前記リフタが待機位置に位置した非処理状態で前記被処理循環配管により前記内槽から前記外槽へ処理液を流通させて前記循環配管を介して処理液の循環を行わせる循環制御手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項6から10のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記内槽の内部に気泡を供給する気泡供給手段を備え、
前記循環制御手段は、非処理循環状態では前記気泡供給手段により気泡を供給させ、処理状態では前記気泡供給手段からの気泡の供給を停止させることを特徴とする基板処理装置。
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