JP5826828B2 - 表示用基板、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、およびそれらの製造方法 - Google Patents
表示用基板、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、およびそれらの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5826828B2 JP5826828B2 JP2013507640A JP2013507640A JP5826828B2 JP 5826828 B2 JP5826828 B2 JP 5826828B2 JP 2013507640 A JP2013507640 A JP 2013507640A JP 2013507640 A JP2013507640 A JP 2013507640A JP 5826828 B2 JP5826828 B2 JP 5826828B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting layer
- current efficiency
- sub
- pixel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 191
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 37
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 250
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 226
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 60
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 663
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 92
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 87
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 73
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 73
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 description 61
- 239000000463 material Substances 0.000 description 36
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 28
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 27
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 26
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 22
- 230000008859 change Effects 0.000 description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 16
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 16
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 15
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 14
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 12
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 12
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 8
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 7
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 6
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 4
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 3
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Chemical compound C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N Triphenylene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 2
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- GBROPGWFBFCKAG-UHFFFAOYSA-N picene Chemical compound C1=CC2=C3C=CC=CC3=CC=C2C2=C1C1=CC=CC=C1C=C2 GBROPGWFBFCKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 2
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 2
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical compound N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 1,2-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC=C1N GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APQXWKHOGQFGTB-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-9h-carbazole Chemical class C12=CC=CC=C2NC2=C1C=CC=C2C=C APQXWKHOGQFGTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWNCDHYYJATYOG-UHFFFAOYSA-N 2-phenylquinoxaline Chemical class C1=CC=CC=C1C1=CN=C(C=CC=C2)C2=N1 QWNCDHYYJATYOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001136782 Alca Species 0.000 description 1
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGQBAQHNKOWRLL-UHFFFAOYSA-N [Eu].C(C1=CC=CC=C1)(=O)C(C(C1=CC=CC=C1)=O)C1=C(C(=NC2=C3N=CC=CC3=CC=C12)C(C(C1=CC=CC=C1)=O)C(C1=CC=CC=C1)=O)C(C(C1=CC=CC=C1)=O)C(C1=CC=CC=C1)=O Chemical compound [Eu].C(C1=CC=CC=C1)(=O)C(C(C1=CC=CC=C1)=O)C1=C(C(=NC2=C3N=CC=CC3=CC=C12)C(C(C1=CC=CC=C1)=O)C(C1=CC=CC=C1)=O)C(C(C1=CC=CC=C1)=O)C(C1=CC=CC=C1)=O XGQBAQHNKOWRLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SQFPKRNUGBRTAR-UHFFFAOYSA-N acephenanthrylene Chemical group C1=CC(C=C2)=C3C2=CC2=CC=CC=C2C3=C1 SQFPKRNUGBRTAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001448 anilines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- -1 azatriphenylene Chemical compound 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000005326 engraved glass Substances 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- NRZWYNLTFLDQQX-UHFFFAOYSA-N p-tert-Amylphenol Chemical compound CCC(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 NRZWYNLTFLDQQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Chemical class 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003967 siloles Chemical class 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
- H05B33/145—Arrangements of the electroluminescent material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
本実施の形態について図1〜図10に基づいて説明すれば、以下の通りである。
図4は、本実施の形態にかかる有機EL表示装置1の構成例を示す断面図である。
図1は、本実施の形態にかかる有機EL表示装置1における各画素を構成するサブ画素配列を、上記有機EL表示装置1におけるTFT基板10の1画素領域におけるサブ画素領域の配列として模式的に示す図である。
図3に示すように、有機EL素子20は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第1電極21、有機EL層、第2電極26が、この順に積層されている。
従来は、有機EL表示装置1を構成する1つの画素が、赤(R)、緑(G)、青(B)の配列パターンで配列されていた。
絶縁基板11上には、各サブ画素2R(1)・2G・2R(2)・2Bに対応して、それぞれTFT12を含むサブ画素駆動回路が設けられている。
図6は、本実施の形態で用いられる蒸着装置150の要部の概略構成を示す斜視図である。
図7は、有機EL表示装置1の製造工程を工程順に示すフローチャートである。
以下に、蒸着装置150を用いて発光層23R(1)・23G・23R(2)・23Bの塗り分け形成を行う方法について具体的に説明する。
次に、本実施の形態にかかる有機EL表示装置1におけるサブ画素配列による効果について、TFT基板10における各発光層2R(1)・2G・2R(2)・2Bの蒸着膜パターンの位置ずれと混色との関係から説明する。
以下に、電流効率差と混色の影響との関係について、計算式を用いて説明する。
次に、上記したように各サブ画素2R(1)・2G・2R(2)・2Bを配列したときに蒸着パターンの位置ずれが発生した場合の各サブ画素2R(1)・2G・2R(2)・2Bでの光の挙動について具体的に説明する。
なお、本実施の形態においては、上記したように、カラー表示を行うための最小構成単位の画素がRGBの3原色からなる3色のサブ画素からなり、1つの画素における各色のサブ画素の配列、言い換えれば、TFT基板10の1画素領域における各サブ画素領域における発光層の発光色の並び順を、R/G/R/Bとした場合について説明した。
本実施の形態では、前記したように、各サブ画素2R(1)・2G・2R(2)・2Bに対応して、それぞれ、TFT12を含むサブ画素駆動回路が設けられている場合を例に挙げて説明した。
本実施の形態について主に図11〜図15に基づいて説明すれば、以下の通りである。
図11は、本実施の形態にかかるサブ画素配列の一例を模式的に示す図である。図11は、3色のサブ画素で1つの画素2を構成する場合のサブ画素の配置例を示している。
ここで、図11に示すようにサブ画素を二次元的に配列して1画素を構成する場合の蒸着方式について説明する。
次に、本実施の形態におけるサブ画素配列について説明する。
なお、本実施の形態でも、1画素を3原色のサブ画素で構成する場合を例に挙げて説明したが、本実施の形態はこれに限定されるものではない。すなわち、1つの画素におけるサブ画素の色数は、3色に限らず、4色以上でもよい。
本実施の形態について主に図9の(a)〜(h)および図16の(a)〜(d)に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施の形態では、主に前記実施の形態1、2との相違点(特に実施の形態1との相違点)について説明するものとし、実施の形態1・2で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
まず、最大の電流効率を有する発光層と最小の電流効率を有する発光層との間に、その中間の電流効率を有する発光層を形成する場合について、図9の(a)〜(h)に示すように、1画素がサブ画素2R(1)・2G・2R(2)・2Bで構成されている場合を例に挙げて説明する。
なお、本実施の形態は、上記したように最大の電流効率を有する発光層と最小の電流効率を有する発光層との間に、その中間の電流効率を有する発光層を形成する場合に限定されるものではない。
本実施の形態について主に図17および図18に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施の形態では、主に前記実施の形態1〜3との相違点について説明するものとし、実施の形態1〜3で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
以上のように、上記各実施の形態にかかる表示用基板は、蒸着膜からなる発光層をそれぞれ有する少なくとも3色の発光領域をサブ画素領域として含む複数の画素領域を有し、隣り合う2つの発光領域は、各色の発光領域の発光層で同一の輝度の光を発生させたときに最大の電流効率を有する色の発光層の発光領域と最小の電流効率を有する色の発光層の発光領域との組み合わせ以外の組み合わせの発光領域である。
2 画素
2R・2R(1)・2R(2)・2G・2B・2B(1)・2B(2) サブ画素
10 TFT基板(表示用基板)
11 絶縁基板
12 TFT(薄膜トランジスタ)
13 層間絶縁膜
13a コンタクトホール
14 配線
14G ゲート線
14S ソース線
14V 電源配線
15 エッジカバー
15R・15R(1)・15R(2) 露出部
15G 露出部
15B・15B(1)・15B(2) 露出部
15r・15g・15r・15b 非発光領域
20 有機EL素子
21 第1電極
22 正孔注入層兼正孔輸送層
22A 正孔注入層
23R・23R(1)・23R(2) 発光層
23G 発光層
23B・23B(1)・23B(2) 発光層
24 電子輸送層
25 電子注入層
26 第2電極
28B(1)・28R・28B(2)・28G 正孔輸送層
30 接着層
40 封止基板
102 マスク
102a 開口部
103 蒸着源
103a 射出口
150 蒸着装置
200 被成膜基板
300 制限板
301 開口部
302 蒸着源
303 マスク
304 開口部
500 マスクユニット
600 真空チャンバ
Claims (7)
- 陽極をパターン形成する陽極形成工程と、陰極を形成する陰極形成工程とを備えるとともに、
陽極形成工程と陰極形成工程との間に、蒸着膜からなる少なくとも3色の発光層を同一平面内に色ごとに順に形成する発光層形成工程とを備え、
隣り合う2つの発光領域のうち一方の上記発光領域の上記蒸着膜の一部が、他方の上記発光領域の上記蒸着膜の領域に形成され、さらに、上記蒸着膜の重なりにおいて、各色の発光領域の発光層で同一の輝度の光を発生させたときに電流効率がより小さい色の発光層が、上記陽極側により近く、
上記発光層形成工程では、上記少なくとも3色の発光層を、各色の発光領域の発光層で同一の輝度の光を発生させたときに電流効率が最も大きい色の発光層と電流効率が最も小さい色の発光層との間に、上記電流効率が最も大きい色の発光層の電流効率と電流効率が最も小さい色の発光層の電流効率との間の大きさの電流効率を有する色の発光層が少なくとも一つ位置するように形成し、
上記少なくとも3色の上記発光層の発光領域は、一次元方向に配列されており、隣り合う発光領域における各発光層が、上記少なくとも3色の上記発光層における電流効率の順番において隣り合う各発光層になるように上記少なくとも3色の上記発光層を形成し、
同色の上記蒸着膜が、上記蒸着膜が蒸着される表示用基板の移動方向において、上記表示用基板の一端部から他端部に亘ってストライプ状に形成されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。 - 上記少なくとも3色の発光層は、上記電流効率が大きい順に緑、赤、青の発光層であり、隣り合う各発光層が、赤、緑、赤、青の発光層の順に並ぶことを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
- 蒸着膜からなる発光層をそれぞれ有する少なくとも3色の発光領域をサブ画素領域として含む複数の画素領域を有し、
隣り合う2つの発光領域は、各色の発光領域の発光層で同一の輝度の光を発生させたときに最大の電流効率を有する色の発光層の発光領域と最小の電流効率を有する色の発光層の発光領域との組み合わせ以外の組み合わせの発光領域であり、
各色の発光層の発光領域は、二次元方向に配列されているとともに、一次元方向に隣り合う発光領域における発光層間の電流効率の差および上記一次元方向に直交する方向に隣り合う発光領域における発光層間の電流効率の差がそれぞれ最小となるように配列されており、
上記発光層および発光領域の少なくとも一方は八角形状であり、
隣り合う2つの上記発光領域のうち一方の上記発光領域の上記蒸着膜の一部が、他方の上記発光領域の上記蒸着膜の領域に形成されており、
上記少なくとも3色の発光層は、上記電流効率が大きい順に緑、赤、青の発光層であることを特徴とする表示用基板。 - 各発光領域に薄膜トランジスタが設けられていることを特徴とする請求項3に記載の表示用基板。
- 同一平面内に、発光領域に対応した膜厚が異なる蒸着膜パターンが少なくとも3列設けられており、
同一平面内において隣り合う2つの蒸着膜パターンは、最大の膜厚を有する蒸着膜パターンと最小の膜厚を有する蒸着膜パターンとの組み合わせ以外の組み合わせの蒸着膜パターンであり、
隣り合う2つの上記発光領域のうち一方の上記発光領域の上記蒸着膜パターンの一部が、他方の上記発光領域の上記蒸着膜パターンの領域に形成されていることを特徴とする表示用基板。 - 請求項3〜5の何れか1項に記載の表示用基板を備えていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
- 蒸着膜からなる発光層をそれぞれ有する少なくとも3色の発光領域をサブ画素領域として含む複数の画素領域を有する表示用基板の製造方法であって、
各色の発光領域の発光層で同一の輝度の光を発生させたときに電流効率が最も大きい色の発光層と電流効率が最も小さい色の発光層との間に、上記電流効率が最も大きい色の発光層の電流効率と電流効率が最も小さい色の発光層の電流効率との間の大きさの電流効率を有する色の発光層を少なくとも一つ形成し、
隣り合う2つの上記発光領域のうち一方の上記発光領域の上記蒸着膜の一部を、他方の上記発光領域の上記蒸着膜の領域に形成し、
上記少なくとも3色の発光層の発光領域は、二次元方向に配列されており、一次元方向に隣り合う発光領域における各発光層および上記一次元方向に直交する方向に隣り合う発光領域における各発光層が、上記少なくとも3色の上記発光層における電流効率の順番において隣り合う各光層にそれぞれなるように上記少なくとも3色の発光層を形成し、
上記少なくとも3色の発光層は、上記電流効率が大きい順に緑、赤、青の発光層であることを特徴とする表示用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013507640A JP5826828B2 (ja) | 2011-03-31 | 2012-03-27 | 表示用基板、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、およびそれらの製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011081173 | 2011-03-31 | ||
JP2011081173 | 2011-03-31 | ||
JP2013507640A JP5826828B2 (ja) | 2011-03-31 | 2012-03-27 | 表示用基板、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、およびそれらの製造方法 |
PCT/JP2012/058009 WO2012133458A1 (ja) | 2011-03-31 | 2012-03-27 | 表示用基板、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、およびそれらの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2012133458A1 JPWO2012133458A1 (ja) | 2014-07-28 |
JP5826828B2 true JP5826828B2 (ja) | 2015-12-02 |
Family
ID=46931170
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013507640A Active JP5826828B2 (ja) | 2011-03-31 | 2012-03-27 | 表示用基板、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、およびそれらの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9299946B2 (ja) |
JP (1) | JP5826828B2 (ja) |
CN (1) | CN103477713B (ja) |
TW (1) | TWI522005B (ja) |
WO (1) | WO2012133458A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6076683B2 (ja) * | 2012-10-17 | 2017-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
US10109684B2 (en) | 2014-07-28 | 2018-10-23 | Shanghai Tianma AM-OLED Co., Ltd. | Pixel element structure, array structure and display device |
CN104157673B (zh) * | 2014-07-28 | 2018-06-08 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种像素单元结构、阵列结构及显示装置 |
WO2017045136A1 (en) * | 2015-09-15 | 2017-03-23 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Organic light-emitting pixel, display panel and display apparatus containing the same, and method for forming the same |
CN107275360B (zh) | 2016-04-01 | 2020-10-16 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
WO2018179528A1 (ja) * | 2017-03-27 | 2018-10-04 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
US20180365175A1 (en) * | 2017-06-19 | 2018-12-20 | Lenovo (Singapore) Pte. Ltd. | Systems and methods to transmit i/o between devices based on voice input |
KR102679757B1 (ko) * | 2018-12-13 | 2024-06-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시 장치 |
CN110600519B (zh) * | 2019-09-19 | 2022-05-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN111599938B (zh) * | 2020-05-25 | 2022-09-06 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板和显示装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1167454A (ja) * | 1997-08-27 | 1999-03-09 | Futaba Corp | マルチカラー有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
JP2004079538A (ja) * | 2002-08-20 | 2004-03-11 | Eastman Kodak Co | 有機発光ダイオードカラー表示装置 |
WO2006019025A1 (ja) * | 2004-08-19 | 2006-02-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | 多原色表示装置及び液晶表示装置 |
JP2006309182A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-11-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置、およびそれを用いた電子機器 |
JP2007234241A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機el素子 |
JP2009187730A (ja) * | 2008-02-05 | 2009-08-20 | Seiko Epson Corp | 発光装置及び電子機器 |
JP2010186582A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Canon Inc | 有機el表示装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1012380A (ja) | 1996-06-25 | 1998-01-16 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 多色発光装置およびその製造方法 |
JPH10102237A (ja) | 1996-09-25 | 1998-04-21 | Casio Comput Co Ltd | 電極形成方法 |
JP3019095B1 (ja) | 1998-12-22 | 2000-03-13 | 日本電気株式会社 | 有機薄膜elデバイスの製造方法 |
JP2004103530A (ja) * | 2002-09-13 | 2004-04-02 | Rohm Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンスディスプレイ素子 |
US8866707B2 (en) | 2005-03-31 | 2014-10-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, and apparatus using the display device having a polygonal pixel electrode |
KR100780223B1 (ko) * | 2006-01-10 | 2007-11-27 | 삼성전기주식회사 | 색 얼룩 향상을 위한 led 면 광원 및 이를 구비하는lcd 백라이트 유닛 |
JP2010140648A (ja) * | 2008-12-09 | 2010-06-24 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
-
2012
- 2012-03-27 US US14/008,535 patent/US9299946B2/en active Active
- 2012-03-27 WO PCT/JP2012/058009 patent/WO2012133458A1/ja active Application Filing
- 2012-03-27 JP JP2013507640A patent/JP5826828B2/ja active Active
- 2012-03-27 CN CN201280015935.6A patent/CN103477713B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-03-30 TW TW101111577A patent/TWI522005B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1167454A (ja) * | 1997-08-27 | 1999-03-09 | Futaba Corp | マルチカラー有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
JP2004079538A (ja) * | 2002-08-20 | 2004-03-11 | Eastman Kodak Co | 有機発光ダイオードカラー表示装置 |
WO2006019025A1 (ja) * | 2004-08-19 | 2006-02-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | 多原色表示装置及び液晶表示装置 |
JP2006309182A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-11-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置、およびそれを用いた電子機器 |
JP2007234241A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機el素子 |
JP2009187730A (ja) * | 2008-02-05 | 2009-08-20 | Seiko Epson Corp | 発光装置及び電子機器 |
JP2010186582A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Canon Inc | 有機el表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2012133458A1 (ja) | 2012-10-04 |
JPWO2012133458A1 (ja) | 2014-07-28 |
CN103477713B (zh) | 2016-08-24 |
CN103477713A (zh) | 2013-12-25 |
TWI522005B (zh) | 2016-02-11 |
US20140014985A1 (en) | 2014-01-16 |
US9299946B2 (en) | 2016-03-29 |
TW201251504A (en) | 2012-12-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5826828B2 (ja) | 表示用基板、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、およびそれらの製造方法 | |
JP5766239B2 (ja) | 蒸着装置及び蒸着方法 | |
JP5312697B2 (ja) | 蒸着装置及び蒸着方法 | |
TWI496902B (zh) | 被成膜基板、有機el顯示裝置 | |
KR101548841B1 (ko) | 피성막 기판, 유기 el 표시 장치 및 증착 방법 | |
KR101309936B1 (ko) | 증착 방법, 증착막 및 유기 전기발광 표시 장치의 제조 방법 | |
JP5330608B2 (ja) | 蒸着装置、蒸着方法、並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 | |
JP6199967B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
JP6567349B2 (ja) | 蒸着方法及び蒸着装置 | |
JPWO2012099011A1 (ja) | 被成膜基板および有機el表示装置 | |
KR101399729B1 (ko) | 피성막 기판, 유기 el 표시 장치 | |
US9614155B2 (en) | Vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and method for producing organic electroluminescent element | |
JP5718362B2 (ja) | 蒸着装置、蒸着方法、並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 | |
US20160036008A1 (en) | Method of manufacturing film formation substrate, and method of manufacturing organic electroluminescent display device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140729 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140918 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150203 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150403 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150915 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151014 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5826828 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |