JP5823759B2 - 電子デバイスパッケージの製造方法、電子デバイスパッケージ及び発振器 - Google Patents
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Description
また、蓋基板42における凹部が形成された面に成膜される金属膜49の膜厚を厚くして、反りを抑えるという対策を採用したりしている。しかし金属膜49の膜厚を厚くしてしまうと、金属膜49とベース基板41との接合強度が低下してしまうという課題がある。
本発明に係る電子デバイスパッケージの製造方法によれば、第一の金属膜が蓋基板の反りを補正する役目を果たし、ベース基板と蓋基板との接合を安定して行うことができる。
また、前記第二の金属膜が前記蓋基板よりも線膨張係数の小さい材料からなることを特徴とする。
これにより、蓋基板の反りの補正を容易に行うことができる。
また、前記第一の金属膜及び第二の金属膜の膜厚が、200Å〜2000Åの範囲に設定されていることを特徴とする。
これにより、金属膜形成の安定性を維持しつつ、接合強度を確保することができる。
また、本発明に係る電子デバイスパッケージは、ベース基板と、一方の面に凹部が形成され、前記一方の面上に第二の金属膜が形成されるとともに、前記第二の金属膜を介して前記ベース基板と接合し、前記ベース基板との間にキャビティを形成する蓋基板と、前記蓋基板の他方の面上に形成され、前記蓋基板及び前記第二の金属膜より線膨張係数が大きい第一の金属膜と、前記キャビティ内に収納されるとともに、前記ベース基板上に実装される電子デバイスと、を備えることを特徴とする。
本発明に係る電子デバイスパッケージの製造方法によれば、第一の金属膜が蓋基板の反りを補正する役目を果たし、ベース基板と蓋基板との接合を安定して行うことができる。
これにより、蓋基板の反りの補正を容易に行うことができる。
また、本発明に係る発振器は、前記電子デバイスが圧電振動片である本発明に係る電子デバイスパッケージと、前記電子デバイスパッケージが発振子として電気的に接続される集積回路と、を備えることを特徴とする。
そして、図4(F)に示すように、電子デバイス4をベース基板2上に実装する(S30)。図4ではワイヤ8を用いたワイヤボンディングで配線9と電子デバイス4とを接続しているが、必ずしもこの工法に限定されるわけではなく、フリップチップボンディングや半田接合など、電気の導通が確保される接続工法であればいずれでも良い。
しかし、蓋基板におけるベース基板に接合される面とは反対の面に第一の金属膜が形成されているため、製品の識別番号をこの金属膜に刻印することができるという効果がある。
2…ベース基板
3…リッド基板
4…電子デバイス
5…キャビティ
6…第一の金属膜(反り防止)
7…第二の金属膜(接合膜)
8…ワイヤ
9…配線
10…貫通電極
11…外部電極
21…負電極板
22…正電極板
Claims (10)
- ベース基板と、前記ベース基板に対向させた状態で前記ベース基板に接合される蓋基板と、前記ベース基板と前記蓋基板との間に複数形成されたキャビティ内のそれぞれに収納されるとともに前記ベース基板上に実装された電子デバイスと、を備えた電子デバイスパッケージの製造方法において、
前記蓋基板の一方の面に前記キャビティとなる凹部を形成する工程と、
前記蓋基板の他方の面に前記蓋基板より線膨張係数が大きい第一の金属膜を形成する工程と、
前記蓋基板の一方の面に前記第一の金属膜より線膨張係数が小さい第二の金属膜を形成する工程と、
前記第一の金属膜を形成する工程と前記第二の金属膜を形成する工程の後に、前記ベース基板と前記蓋基板とを前記第二の金属膜を介して接合する工程と、
前記接合を行った後、個別の電子デバイスパッケージに切断する工程と、
を備えることを特徴とする電子デバイスパッケージの製造方法。 - 前記第一の金属膜がアルミ、銅、金、ニッケル、スズ、またはこれらの組み合わせであることを特徴とする請求項1に記載の電子デバイスパッケージの製造方法。
- 前記第二の金属膜が前記蓋基板よりも線膨張係数の小さい材料からなることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電子デバイスパッケージの製造方法。
- 前記第二の金属膜がシリコン、クロム、タングステン、またはこれらの組み合わせであることを特徴とする請求項3に記載の電子デバイスパッケージの製造方法。
- 前記第一の金属膜及び第二の金属膜の膜厚が、200Å〜2000Åの範囲に設定されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の電子デバイスパッケージの製造方法。
- 前記蓋基板が、ガラス材料からなる絶縁物であることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の電子デバイスパッケージの製造方法。
- ベース基板と、
一方の面に凹部が形成され、前記一方の面上に第二の金属膜が形成されるとともに、前記第二の金属膜を介して前記ベース基板と接合し、前記ベース基板との間にキャビティを形成する蓋基板と、
前記蓋基板の他方の面上にのみ形成され、前記蓋基板及び前記第二の金属膜より線膨張係数が大きい第一の金属膜と、
前記キャビティ内に収納されるとともに、前記ベース基板上に実装される電子デバイスと、を備えることを特徴とする電子デバイスパッケージ。 - 前記第二の金属膜が前記蓋基板よりも線膨張係数の小さい材料からなることを特徴とする請求項7に記載の電子デバイスパッケージ。
- 前記電子デバイスは、圧電振動片であることを特徴とする請求項7又は請求項8に記載の電子デバイスパッケージ。
- 前記電子デバイスが圧電振動片である請求項7から9のいずれか一項に記載の電子デバイスパッケージと、
前記電子デバイスパッケージが発振子として電気的に接続される集積回路と、
を備えることを特徴とする発振器。
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