JP5820979B2 - 固体撮像デバイス - Google Patents
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Description
図1は実施の形態1に係る固体撮像デバイスの構成を示す図である。同図中、(a)は平面図、(b)は(a)の線A−A’における断面図である。図1において、1は固体撮像素子としてのCCD(Charge Coupled Device)イメージセンサチップである。CCDイメージセンサチップ1は、光電変換素子と垂直CCDとで構成された単位画素が行列状に形成された撮像領域1aを、その主面上に有している。垂直CCDは信号電荷を垂直方向に転送する。また、図示していないが、CCDイメージセンサチップ1はさらに、水平方向の電荷転送を行う水平CCDと、信号電荷を信号電圧に変換して外部に出力する検出部とを備えている。
図4は実施の形態2に係る固体撮像デバイスの構成を示す図であり、同図中、(a)は側面図、(b)は底面図である。なお、平面図については、上述の実施の形態1とは、ガラス2の周辺部が封止樹脂24で充填されている以外はほぼ同一であるので、ここでは省略している。
図5は実施の形態3に係る固体撮像デバイスの製造方法を示す図である。図5では、図1に示す固体撮像デバイスを製造するものとしている。
図6は実施の形態4に係る固体撮像デバイスの構成図である。同図中、(a)は平面図、(b)は(a)の線A−A’における断面図である。図6において、51は固体撮像素子としてのイメージセンサチップである。イメージセンサチップ51は、光電変換素子を含む単位画素が行列状に形成された撮像領域52と、撮像領域52の読み出しをコントロールする走査回路53と、撮像領域52から読み出された画素信号に対してノイズ除去やAD変換等を行う画素信号処理回路54と、固体撮像デバイス外部との入出力を行うための入出力端子55とを備えている。入出力端子55には、高耐圧のトランジスタ等で構成された保護回路を含む内部回路が併せて設けられている。イメージセンサチップ51は、CMOSセンサチップ、NMOSセンサチップ等のMOS型イメージセンサや、CCDイメージセンサチップ等である。
図8は実施の形態5に係る固体撮像デバイスの配線図である。また、本実施形態に係る固体撮像デバイスの構成図は図6と同様である。図8において、図7と共通の構成要素には図7と同一の符号を付しており、ここではその詳細な説明を省略する。
1a 撮像領域
2 ガラス(透明材料)
3 タイミングジェネレータチップ(周辺回路素子)
4 CCDドライバチップ(周辺回路素子)
7 接着剤
20 貫通電極
21 バンプ(接続端子)
51 イメージセンサチップ(固体撮像素子)
52 撮像領域
55 入出力端子
56 保護回路(内部回路)
57 マイクロバンプ
61 信号処理チップ(信号処理素子)
Claims (5)
- 固体撮像デバイスであって、
光電変換素子を含む単位画素が行列状に形成された撮像領域を主面上に有する固体撮像素子と、
前記固体撮像素子の映像出力の信号処理を行う回路を主面上に有した信号処理素子とを備え、
前記信号処理素子は、前記固体撮像素子と貼り合わせて実装され、実装箇所において前記固体撮像素子との間に電気的経路が形成されており、
前記信号処理素子と当該固体撮像デバイス外部との間の入出力は、前記電気的経路と、前記固体撮像素子の内部回路および入出力端子とを介して行われるように、構成されており、
前記固体撮像素子に、複数の電源が供給され、
前記固体撮像素子に供給される電源のうち最も低い電圧の電源が、前記信号処理素子に、前記電気的経路を介して供給され、
前記信号処理素子は、前記最も低い電圧で動作するデジタル回路のみによって構成されており、
前記固体撮像素子は、アナログ回路によって構成される画素信号処理回路と、高耐圧のトランジスタで構成される保護回路とを備える
ことを特徴とする固体撮像デバイス。 - 請求項1記載の固体撮像デバイスにおいて、
前記信号処理素子は、複数のマイクロバンプを介して、前記固体撮像素子に実装されており、
前記固体撮像素子の映像出力は、前記複数のマイクロバンプのいずれかを経由して前記信号処理素子に伝達され、前記信号処理素子内で信号処理された後、再び前記複数のマイクロバンプのいずれかを経由して前記固体撮像素子に伝達され、前記入出力端子から当該固体撮像デバイス外部に出力される
ことを特徴とする固体撮像デバイス。 - 請求項1記載の固体撮像デバイスにおいて、
前記信号処理素子の配線層数は、前記固体撮像素子の配線層数よりも多い
ことを特徴とする固体撮像デバイス。 - 請求項1記載の固体撮像デバイスにおいて、
前記信号処理素子は、複数のマイクロバンプを介して、前記固体撮像素子に実装されており、
前記固体撮像素子は、前記撮像領域の複数列の画像信号を、並列に出力可能に構成されており、
前記複数のマイクロバンプは、前記固体撮像素子から出力される複数列の画像信号を、それぞれ前記信号処理素子に伝達する
ことを特徴とする固体撮像デバイス。 - 請求項1記載の固体撮像デバイスにおいて、
前記固体撮像素子が備える前記画素信号処理回路は、
前記撮像領域から出力された画素信号とランプ波形とを比較してAD変換を行うコンパレータと、
前記コンパレータの出力電圧を前記信号処理素子において処理可能な低電圧に変換するレベルシフタとを備えたものである
ことを特徴とする固体撮像デバイス。
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