JP5819144B2 - 荷電粒子ビーム描画装置の評価方法及び荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents
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Description
短い場合(同じ列の中でY方向に描画していく場合)における荷電粒子ビームの描画による位置誤差を基にセトリング条件の算出が行われる。
図1は、本発明の実施の形態における荷電粒子ビーム描画装置1の全体構成を示すブロック図である。なお、以下の実施の形態においては、荷電粒子ビームの一例として電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは電子ビームに限られるものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームであっても良い。
る。制御計算機31は、CPU(Central Processing Unit)31aと、ROM(Read Only Memory)31bと、RAM(Random Access Memory)31c及び入出力インターフェイス31dがバス31eを介して接続されている。入出力インターフェイス31dには、入力部31fと、表示部31gと、通信制御部31hと、記憶部31iと、リムーバブルディスク31jとが接続されている。また、バス31eを介して、解析部37と、算出部38も接続されている。
ンキング偏向器43によってONの状態にされている場合に電子ビームBがブランキングアパーチャ44を通過するように制御される。一方、OFFの状態では、電子ビームB全体がブランキングアパーチャ44で遮蔽されるように偏向される。ブランキングアンプ33からの偏向電圧がOFFからONとなり、その後再度OFFになるまでにブランキングアパーチャ44を通過した電子ビームBが1回の電子ビームのショットとなる。
1)の座標で示される測定用パターン11Bが2番目に描画される。その後、(C1,L2)の座標で示される測定用パターン11Cが3番目に描画されることになる。このような順序に従って、荷電粒子ビームBは移動し、所定の領域に測定用パターン11を描画する。
動に伴って生ずるエラーを解消する時間を確保することができる。もともと隣接する測定用パターン間を移動する距離に伴って生ずるエラーは、移動距離が短いことから印加される電圧が低く、エラーが生じたとしてもその解消時間は無視できるほどごく短いものである。そのため、荷電粒子ビームBが移動元の測定用パターン11Bから移動先の測定用パターン11Cへ隣接する測定用パターンをたどって移動している間に、測定用パターン11Aから測定用パターン11Bへの移動の際に生じたエラーは十分に低減、或いは、解消されるものと考えられる。従って、移動先の測定用パターン11Cに到達し、測定用パターン11Cに描画を行う際には、発生していたエラーは既に十分に低減、或いは、解消されていることから、これまでのエラーを引きずることなく描画処理を行うことができる。
は4番目に描画予定の(C1,L10)に位置する測定用パターン11Dまで一気に移動する。そして測定用パターン11Dに描画をした後、隣接する測定用パターン11を1つずつ移動して次に描画予定の測定用パターン11Eに向けて移動する。
次に本発明における第2の実施の形態について説明する。なお、第2の実施の形態において、上述の第1の実施の形態において説明した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付し、同一の構成要素の説明は重複するので省略する。
最も短い場合(L7行からL6行に移動する場合)まで様々な距離をもって描画を行うことになるため、様々な距離における描画位置のずれを測定することが可能となる。
される64番目に描画予定の位置、というように、移動元となる測定用パターン11から隣接する位置に描画され測定用パターン11へと順々に移動していき、最終的に移動先となる測定用パターン11へと至る移動方法である。図8では、実線の矢印によってこのように荷電粒子ビームBが移動する様子を示している。
ことが可能となる。
10 主偏向フィールド
11 測定用パターン
C 列
L 行
Claims (4)
- 評価用基板の複数行及び複数列の測定用パターン領域内に荷電粒子ビームにより測定用パターンを描画し、描画された前記測定用パターンの位置誤差に基づいてセトリング条件を算出する荷電粒子ビーム描画装置の評価方法であって、
前記測定用パターン領域の第1の測定用パターン領域に、第1の測定用パターンを描画する第1ステップと、
第K(K=1)の測定用パターン領域に第Kの測定用パターンを描画する処理に連続して、前記第1の測定用パターン領域と同列であって前記第Kの測定用パターン領域から最も遠くの未描画の第K+1の測定用パターン領域に、第K+1の測定用パターンを描画する第2ステップと、
前記第K+1の測定用パターン領域に前記第K+1の測定用パターンを描画する処理に連続して、前記第1の測定用パターン領域と同列であって前記第K+1の測定用パターン領域から最も遠くの未描画の第K+2の測定用パターン領域に、第K+2の測定用パターンを描画する第3ステップと、
Kの値を2ずつ増加させながら前記第2ステップと前記第3ステップとを交互に繰り返し、連続して描画される2つの測定用パターン間の距離が順次短くなるように前記測定用パターンの描画を繰り返す第4ステップと、
前記第1、第2、第3及び第4ステップを、前記複数列の測定用パターン領域について順次実行する第5ステップとを備え、
K≧1の場合において前記第2ステップ後に第3ステップを行う際に、前記第3ステップにより新たに前記測定用パターンの描画が行われる前記測定用パターン領域まで、今後前記測定用パターンの描画が行われる予定の前記測定用パターン領域ごとにデータ分解能と同程度の微小ショットを打ちつつ前記荷電粒子ビームを移動させ、
さらに、
前記複数行及び複数列の測定用パターン領域に評価に必要な前記測定用パターンを全て描画して作成された前記測定用パターンを基に、描画された前記測定用パターンの位置誤差を確認するステップと、
確認された前記位置誤差に基づいて最適なセトリング条件を算出するステップと、
を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の評価方法。 - 評価用基板の複数行及び複数列の測定用パターン領域内に荷電粒子ビームにより測定用パターンを描画し、描画された前記測定用パターンの位置誤差に基づいてセトリング条件を算出する荷電粒子ビーム描画装置の評価方法であって、
前記測定用パターン領域の第1行の第1の測定用パターン領域に、第1の測定用パターンを描画する第1ステップと、
前記第1の測定用パターン領域に前記第1の測定用パターンを描画する処理に連続して、前記第1の測定用パターン領域と同列であって前記第1行から最も遠くの未描画の第2行の第2の測定用パターン領域に、第2の測定用パターンを描画する第2ステップと、
第K(K=2)の測定用パターン領域に第Kの測定用パターンを描画する処理に連続して、前記第1行にて前記第K−1の測定用パターン領域に隣接する未描画の第K+1の測定用パターン領域に、第K+1の測定用パターンを描画する第3ステップと、
前記第K+1の測定用パターン領域に前記第K+1の測定用パターンを描画する処理に連続して、前記第K+1の測定用パターン領域と同列であって前記第2行にて前記第Kの測定用パターン領域に隣接する未描画の第K+2の測定用パターン領域に、第K+2の測定用パターンを描画する第4ステップと、
Kの値を2ずつ増加させながら前記第3ステップと前記第4ステップとを交互に繰り返し、前記第1及び第2行の前記測定用パターンの描画を繰り返す第5ステップと、
前記第1、第2、第3、第4及び第5ステップを、前記複数行の測定用パターン領域について順次実行する第6ステップとを備え、
K≧2の場合において前記第2又は第4ステップ後に第3ステップを行う際に、前記第3ステップにより新たに前記測定用パターンの描画が行われる前記測定用パターン領域まで、今後前記測定用パターンの描画が行われる予定の前記測定用パターン領域ごとにデータ分解能と同程度の微小ショットを打ちつつ前記荷電粒子ビームを移動させ、
さらに、
前記複数行及び複数列の測定用パターン領域に評価に必要な前記測定用パターンを全て描画して作成された前記測定用パターンを基に、描画された前記測定用パターンの位置誤差を確認するステップと、
確認された前記位置誤差に基づいて最適なセトリング条件を算出するステップと、
を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の評価方法。 - 荷電粒子ビームを用いて移動可能なステージ上に載置される評価用基板の複数行及び複数列の測定用パターン領域内に測定用パターンを描画する描画部と、
前記荷電粒子ビームの偏向を制御する偏向制御部と、前記ステージの移動を制御するステージ制御部と、前記偏向制御部と前記ステージ制御部に対する制御を行う制御計算機と、から構成される制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記測定用パターン領域の第1の測定用パターン領域に、第1の測定用パターンを描画する第1ステップと、
第K(K=1)の測定用パターン領域に第Kの測定用パターンを描画する処理に連続して、前記第1の測定用パターン領域と同列であって前記第Kの測定用パターン領域から最も遠くの未描画の第K+1の測定用パターン領域に、第K+1の測定用パターンを描画する第2ステップと、
前記第K+1の測定用パターン領域に前記第K+1の測定用パターンを描画する処理に連続して、前記第1の測定用パターン領域と同列であって前記第K+1の測定用パターン領域から最も遠くの未描画の第K+2の測定用パターン領域に、第K+2の測定用パターンを描画する第3ステップと、
Kの値を2ずつ増加させながら前記第2ステップと前記第3ステップとを交互に繰り返し、連続して描画される2つの測定用パターン間の距離が順次短くなるように前記測定用パターンの描画を繰り返す第4ステップと、
前記第1、第2、第3及び第4ステップを、前記複数列の測定用パターン領域について順次実行する第5ステップと、
を実行する評価処理部を備え、
前記評価処理部は、K≧1の場合において前記第2ステップ後に第3ステップを行う際に、前記第3ステップにより新たに前記測定用パターンの描画が行われる前記測定用パターン領域まで、今後前記測定用パターンの描画が行われる予定の前記測定用パターン領域ごとにデータ分解能と同程度の微小ショットを打ちつつ前記荷電粒子ビームを移動させ、
前記制御部はさらに、
前記評価用基板の前記測定用パターン領域内に描画された前記測定用パターンから抽出された測定データを解析する解析部と、
前記解析部による解析結果を基に、前記荷電粒子ビームのショットの位置誤差を確認し、最適なセトリング条件を算出する算出部と、
を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 荷電粒子ビームを用いて移動可能なステージ上に載置される評価用基板の複数行及び複数列の測定用パターン領域内に測定用パターンを描画する描画部と、
前記荷電粒子ビームの偏向を制御する偏向制御部と、前記ステージの移動を制御するステージ制御部と、前記偏向制御部と前記ステージ制御部に対する制御を行う制御計算機と、から構成される制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記測定用パターン領域の第1行の第1の測定用パターン領域に、第1の測定用パターンを描画する第1ステップと、
前記第1の測定用パターン領域に前記第1の測定用パターンを描画する処理に連続して、前記第1の測定用パターン領域と同列であって前記第1行から最も遠くの未描画の第2行の第2の測定用パターン領域に、第2の測定用パターンを描画する第2ステップと、
第K(K=2)の測定用パターン領域に第Kの測定用パターンを描画する処理に連続して、前記第1行にて前記第K−1の測定用パターン領域に隣接する未描画の第K+1の測定用パターン領域に、第K+1の測定用パターンを描画する第3ステップと、
前記第K+1の測定用パターン領域に前記第K+1の測定用パターンを描画する処理に連続して、前記第K+1の測定用パターン領域と同列であって前記第2行にて前記第Kの測定用パターン領域に隣接する未描画の第K+2の測定用パターン領域に、第K+2の測定用パターンを描画する第4ステップと、
Kの値を2ずつ増加させながら前記第3ステップと前記第4ステップとを交互に繰り返し、前記第1及び第2行の前記測定用パターンの描画を繰り返す第5ステップと、
前記第1、第2、第3、第4及び第5ステップを、前記複数行の測定用パターン領域について順次実行する第6ステップと、
を実行する評価処理部を備え、
前記評価処理部は、K≧2の場合において前記第2又は第4ステップ後に第3ステップを行う際に、前記第3ステップにより新たに前記測定用パターンの描画が行われる前記測定用パターン領域まで、今後前記測定用パターンの描画が行われる予定の前記測定用パターン領域ごとにデータ分解能と同程度の微小ショットを打ちつつ前記荷電粒子ビームを移動させ、
前記制御部はさらに、
前記評価用基板の前記測定用パターン領域内に描画された前記測定用パターンから抽出された測定データを解析する解析部と、
前記解析部による解析結果を基に、前記荷電粒子ビームのショットの位置誤差を確認し、最適なセトリング条件を算出する算出部と、
を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
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