図3は、第1実施形態の集積回路搭載装置の構成を示す図であり、図3の(A)が上面図であり、図3の(B)が出力整合回路の部分の中心線に沿った断面図である。第1実施形態の集積回路搭載装置は、入力される2〜4GHzの高周波信号を、出力電力が約50W(ワット)になるように増幅して出力する。このような増幅を行うため、同一の特性の複数のトランジスタを並列に使用し、複数のトランジスタに同一の信号を入力し、複数のトランジスタの出力を共通に接続することにより、実質的にトランジスタのゲート幅を増加させて高出力化を実現している。
図3の(A)に示すように、第1実施形態の集積回路搭載装置は、複数のトランジスタを含む集積回路チップ11と、集積回路チップ11の一方の側(ここでは左側)に配置された入力整合回路20と、集積回路チップ11の他方の側(ここでは右側)に配置された出力整合回路30と、を含む。
入力整合回路20は、基板41上に形成された折り曲げ形状の1/4波長線路42と、基板23上に形成された直線形状の1/4波長線路24と、1/4波長線路42と1/4波長線路24とを接続する2組のワイヤボンディング43Aおよび43Bと、1/4波長線路24と集積回路チップ11の入力端子とを接続する複数のワイヤボンディング26と、を含む。1/4波長線路22の左側線路の中央部が入力部INで、集積回路搭載装置のパッケージの端子にワイヤボンディングなどで接続される。ボンディング用ワイヤは、直径25μmの金ワイヤである。なお、ワイヤボンディングの代わりにリボンボンディングで接続することも可能である。
出力整合回路30は、基板31上に形成されたテーパー形状の電極32と、基板33上に形成された直線形状の1/4波長線路34と、基板51上に形成された折り曲げ形状の1/4波長線路52と、集積回路チップ11の出力端子と電極32とを接続する複数のワイヤボンディング37と、電極32と1/4波長線路34とを接続する複数のワイヤボンディング38と、1/4波長線路34と1/4波長線路52とを接続する2組のワイヤボンディング53Aおよび53Bと、を含む。1/4波長線路52の右側線路の中央部が出力部OUTで、集積回路搭載装置のパッケージの端子にワイヤボンディングなどで接続される。
図3の(A)に示すように、2組のワイヤボンディング43Aおよび43Bは、それぞれ4本のワイヤを含み、ワイヤボンディング26は、8本のワイヤを含む。また、ワイヤボンディング37は8本のワイヤを、ワイヤボンディング38は5本のワイヤを、2組のワイヤボンディング53Aおよび53Bは、それぞれ4本のワイヤを含む。
図3の(A)に示すように、第1実施形態の集積回路搭載装置の折り曲げ形状の1/4波長線路52は、2つのベント分岐線路を含む。一方のベント分岐線路は、直線形状の1/4波長線路34に接続され、図3の(A)では上側に折れ曲がり(ベンドし)、他方のベント分岐線路は、直線形状の1/4波長線路34に接続され、図3では下側に折れ曲がって(ベンドして)いる。2つの折り曲げ(ベント)分岐線路の他方は互いに接続され、一体になっている。折り曲げ形状の1/4波長線路42も、同様に2つのベント分岐線路を含む。
1/4波長線路52の2つのベント分岐線路の1/4波長線路34に対向する部分では、2つのベント分岐線路の外側のエッジが、1/4波長線路34の外側エッジと略対向している。また、1/4波長線路42の2つのベント分岐線路の1/4波長線路24に対向する部分では、2つのベント分岐線路の外側のエッジが、1/4波長線路24の外側エッジと略対向している。
図3の(B)に示すように、基板33および51は、パッケージのメタルベース61に、AuSnはんだ62を用いて300℃の窒素雰囲気中で実装される。メタルベース61の材料は、CuW、Cu/Mo/Cu、Cuなどで、表面にはNi/Auメッキ処理が施されている。基板33は、比誘電率が140の材料で作られ、厚さが0.25mmで、裏面にメッキ64が施されている。基板33の表面に形成される1/4波長線路34は、NiCr(0.2μm)/Au(5μm)の金メッキ配線で形成され、配線幅が1.36mmである。基板51は、比誘電率が9.8のアルミナセラミックスで作られ、厚さが0.38mmで、裏面にメッキ63が施されている。基板51の表面に形成される1/4波長線路52は、Ti(0.2μm)/Pd(0.1μm)/Au(5μm)の金メッキ配線で形成され、配線幅が0.45mmである。基板31も比誘電率が9.8のアルミナセラミックスで作られる。
以上のようにして、第1実施形態の出力整合回路30では、例えば2オームから50オームへのインピーダンス変換器が、所望の特性インピーダンスを有する伝送線路で形成される。
基板23およびその上に形成される線路24は、基板33および1/4波長線路34と同じように作られる。また、基板41、31およびその上に形成される線路42、32は、基板51および1/4波長線路52と同じように作られる。これらの基板および集積回路チップ11は、上記と同様の方法で、パッケージのメタルベース61に実装される。
図4は、第1実施形態において、1/4波長線路34、および1/4波長線路52の2つのベント分岐線路の部分のインピーダンス変換回路を模式的に示す図である。1/4波長線路Z1が1/4波長線路34に、1/4波長線路Z2AおよびZ2Bが1/4波長線路52の2つのベント分岐線路に対応する。図4のインピーダンス変換回路では、図1の(B)の2段に1/4波長線路を接続した回路で、1/4波長線路Z2を2つの1/4波長線路Z2AおよびZ2Bで形成している。これにより、1/4波長線路Z2AおよびZ2Bの特性インピーダンスを、1/4波長線路Z2の特性インピーダンスの2倍にでき、それに応じて1/4波長線路Z2AおよびZ2Bの線路幅を、1/4波長線路Z2の線路幅の1/2程度にできる。2つの1/4波長線路Z2AおよびZ2Bは、同じ長さであり、図3に示すように、1/4波長線路Z2AおよびZ2Bの形状は、互いに線対称である。
線幅を1/2程度にできるので、図2では1/4波長線路36(基板35)の横方向(信号の伝播方向)の長さは7mmであったのに対して、図3の(A)の第1実施形態では1/4波長線路52(基板51)の横方向の長さを1.7mmにできる。ただし、第1実施形態では、1/4波長線路52の2つの分岐線路は、異なる方向に折れ曲がっているので、1/4波長線路52の縦方向の長さは、図2の従来例に比べて長くなる。しかし、第1実施形態の集積回路搭載装置をパッケージに搭載する場合、縦方向の長さには余裕があるので、パッケージに搭載する場合に問題は生じない。
第1実施形態の集積回路搭載装置では、図3の(A)に示すように、入力整合回路20の折り曲げ形状の1/4波長線路42も、2つのベント分岐線路を含む。これにより、図2の従来例では、入力整合回路20の入力部INから出力整合回路30の出力部OUTまでの距離が21.8mmであったのに対して、図3の(A)の第1実施形態の集積回路搭載装置では、11.6mmになる。
また、第1実施形態の集積回路搭載装置は、入力整合回路20および出力整合回路30がインピーダンスマッチングしているので、低損失の回路である。
図5は、第2実施形態の集積回路搭載装置における、1/4波長線路34、および1/4波長線路52の2つのベント分岐線路の部分を示す図であり、図5の(A)が上面図であり、図5の(B)がA−A‘断面図であり、図5の(C)が左側からの側面図である。
第2実施形態の集積回路搭載装置は、図5の(A)に示すように、1/4波長線路52の2つのベント分岐線路の1/4波長線路34に対向する部分の近傍に、2つのベント分岐線路を接続する抵抗54を設けたことが、第1実施形態と異なり、他は同じである。
抵抗54は、基板51の1/4波長線路34に対向する部分の近傍に形成されたTaN膜である。図5の(B)および(C)に示すように、抵抗54を基板51上に形成した後、1/4波長線路52の2つのベント分岐線路を一部が抵抗54をカバーするように形成する。
図6は、第2実施形態において、1/4波長線路34、および1/4波長線路52の2つのベント分岐線路の部分のインピーダンス変換回路を模式的に示す図である。2つのベント分岐線路を接続するように抵抗54が設けられる。
抵抗54は、2つのベント分岐線路の動作(信号)がアンバランスになったときに働き、このアンバランスを解消するように作用する。
図7は、第2実施形態において、1/4波長線路34および1/4波長線路52を流れる高周波電流の面内分布を電磁界シミュレーションした結果を示す。シミュレーションは、実際に使用する基板データを用いて行った。すなわち、基板33は基板厚0.25mmおよび比誘電率140、線路幅1.36mm、Au配線厚5μmとし、基板51は基板厚0.38mmおよび比誘電率9.8、線路幅0.45mm、Au配線厚5μmとした。
図7に示すように、基板33の伝送線路34を流れる高周波電流は基板側面に集中していることがわかる(濃い部分が高電流領域を意味する)。基板51に関しても、伝送線路52の側面を電流が多く流れていることがわかる。特に、線路34と線路52との接続部付近では配線外側の側面に電流が集中することがわかる。したがって、基板33の伝送線路34の電流を効率よく基板51の伝送線路52に伝送するには、伝送線路34の線路側面と伝送線路52の外側側面を同じ位置になるようにし、その部分で両者をワイヤ接続することが有効であることがわかる。そこで、上記のように、第1実施形態では、1/4波長線路52の2つのベント分岐線路の外側のエッジが、1/4波長線路34の外側エッジと略対向するように配置した。また、1/4波長線路42の2つのベント分岐線路の1/4波長線路24に対向する部分では、2つのベント分岐線路の外側のエッジが、1/4波長線路24の外側エッジと略対向するように配置した。
さらに、第1実施形態では、2組のワイヤボンディング53Aおよび53Bが、1/4波長線路34と、1/4波長線路52の2つのベント分岐線路をそれぞれ接続する。2組のワイヤボンディング53Aおよび53Bは、それぞれ4本のワイヤを含むが、それぞれの組の1本のワイヤは、一方の端が1/4波長線路34の外側エッジ近傍に、他方の端が2つのベント分岐線路のエッジ近傍に、位置するように配置する。このようなワイヤボンディングの配置は、他のワイヤボンディングについても同様であり、さらに第2実施形態でも同様である。
図7に示したように、高周波信号の伝送では、配線を流れる電流は表皮効果により配線の表面を流れるようになる。特に平面線路のマイクロストリップ線路の場合、配線の側面部分に電流が集中的に流れる。したがって、異なる基板上の配線同士の接続部において電気的な不連続が発生し、伝送損失が増加する。また、高周波においては、配線幅が見かけ上狭くなっていることになり、損失増大の原因となる。そのため、図2に示した従来例のように、線路のエッジから離れた位置にワイヤボンディングを配置したり、1/4波長線路22と24の線幅が大きく異なると、高出力化の阻害要因となる。
これに対して、第1および第2実施形態では、1本の伝送線路側面と2本の伝送線路の外側側面は近い位置に配置され、ワイヤボンディングはエッジ近傍に配置されている。これにより、一方の基板上の線路を流れる高周波電流を、効率よく他方の基板上の線路に伝送することが可能となる。
図8は、図2の従来例と第2実施形態の出力整合回路30における伝送損失を電磁界解析によるシミュレーションで演算した計算結果を示し、Aが従来例の結果を、Bが第2実施形態の結果を示す。この結果を比較することにより、2−3.5GHzの周波数範囲において、損失が0.1−0.3dB低下することがわかる。これは、出力向上と効率向上に貢献するものであり、上記の効果が定量的に確認できた。
図9は、第3実施形態の集積回路搭載装置における、1/4波長線路34、および1/4波長線路52の2つのベント分岐線路の部分を示す図であり、図9の(A)が上面図であり、図9の(B)が2つのベント分岐線路の先端部分の形状を示す図である。図9の(C)は、第3実施形態において、1/4波長線路34、および1/4波長線路52の2つのベント分岐線路の部分のインピーダンス変換回路を模式的に示す図である。
第3実施形態の集積回路搭載装置は、テーパー状の電極部分55Aおよび55Bが、1/4波長線路52の2つのベント分岐線路の、1/4波長線路34に対向する部分の先端に、それぞれ設けられたことが、第2実施形態と異なり、他は同じである。言い換えれば、第3実施形態では、1/4波長線路52の2つのベント分岐線路の先端が、テーパー状になっている。2つのベント分岐線路の先端にテーパー状の電極を設けるため、基板51の幅は1.7mmから1.9mmに増加する。なお、テーパー状の先端の中心が、1/4波長線路34の側面に一致するように配置している。これにより、より高い高周波電流を効率よく伝送することができる。
図9の(B)に示すように、2つのベント分岐線路の先端のテーパー形状は、先端幅を0.6mm、長さを0.2mmとした。そして、1/4波長線路34とベント分岐線路の2つの先端を4本の金ワイヤ53Aおよび53Bでそれぞれ接続する。ワイヤの配置は、図9の(A)に示すように、配線方向(横方向)と平行させることもできれば、図10に示すように、テーパー線路幅に合うように放射状にワイヤ接続することもできる。
図11は、図9の(A)のワイヤボンディングの配置の第3実施形態の出力整合回路30における伝送損失をシミュレーションにより演算した計算結果Cを示し、参考のために第2実施形態の結果をBとして示す。この結果から、テーパー線路を設けることで、2.5−3.5GHzの周波数範囲において、0.03dB程度の損失低減が確認できた。
図12は、第4実施形態の集積回路搭載装置における、1/4波長線路34、および1/4波長線路52の2つのベント分岐線路の部分を示す図であり、図12の(A)が上面図であり、図12の(B)が中心線での断面図である。図12の(C)は、第4実施形態において、1/4波長線路34、および1/4波長線路52の2つのベント分岐線路の部分のインピーダンス変換回路を模式的に示す図である。
第4実施形態の集積回路搭載装置は、1/4波長線路52の2つのベント分岐線路の先端に電極56が設けられたことが、第2実施形態と異なり、他は同じである。電極56は、1/4波長線路34と同じ線幅1.36mmで、長さが0.2mmである。電極56は、図12の(B)に示すように、1/4波長線路52の2つのベント分岐線路と同じ工程で同時に形成することができる。言い換えれば、第4実施形態では、1/4波長線路52の2つのベント分岐線路の先端が接続されて一体になっており、電極56から2つのベント分岐線路が分岐する。2組のワイヤボンディング53Aおよび53Bは、基板33上の1/4波長線路34と、電極56をそれぞれ接続する。
第4実施形態では、1/4波長線路34と電極56を滑らかに接続することができ、1/4波長線路34を流れる高周波電流を効率よく電極56に伝送できる。さらに、同じ基板上で1/4波長線路52の2つのベント分岐線路に分岐することでより効率よく高周波電流の伝送が可能となる。その結果、低損失な整合回路が構成でき、より高出力な半導体回路が実現できる。
図13は、第4実施形態の出力整合回路30における伝送損失をシミュレーションにより演算した計算結果Dを示し、参考のために第2実施形態の結果をBとして示す。この結果から、電極56を設けることで、2.5−3.5GHzの周波数範囲において、0.02−0.03dB程度の損失低減が確認できた。
図14は、第5実施形態の集積回路搭載装置における、1/4波長線路34、および1/4波長線路52の部分を示す図であり、図14の(A)が上面図であり、図14の(B)が中心線での断面図である。図14の(C)は、第5実施形態において、1/4波長線路34、および1/4波長線路52のインピーダンス変換回路を模式的に示す図である。
第5実施形態の集積回路搭載装置では、2段目の1/4波長線路を、3つの基板上に形成した伝送線路で形成する。図3の第1実施形態の基板51を、中心線に沿って2つの基板51Aおよび51Bに分割し、それにより1/4波長線路52の2つのベント分岐線路も2つの弁と分岐線路52Aおよび52Bに分割される。直線の1/4波長線路72は、基板51より比誘電率の大きな材料の基板71上に形成する。基板71の厚さは、基板51Aおよび51Bの厚さと等しいことが望ましい。このような条件を満たした上で、2つのベント分岐線路52Aおよび52Bと1/4波長線路72は、共に1/4波長線路になるように、基板材料および形状を決定する。
図14の(A)に示すように、基板71の両側に2つの基板51Aおよび51Bを配置し、3組のワイヤボンディング53A、53Bおよび53Cで、1/4波長線路34と、2つのベント分岐線路52Aおよび52Bと1/4波長線路72と、をそれぞれ接続する。2つのベント分岐線路52Aおよび52Bと1/4波長線路72の他方の端は、ワイヤボンディングなどにより、集積回路搭載装置のパッケージの端子に共通に接続される。
例えば、基板33は、基板厚0.25mmで、比誘電率140で、1/4波長線路34は、配線幅1.5mmで、Au配線厚5μmとする。基板51Aおよび51Bは、基板厚0.38mmで、比誘電率9.8で、1/4波長線路52Aおよび52Bは、配線幅0.18mmで、Au配線厚5μmとする。さらに、基板71は、基板厚0.5mmで、比誘電率30で、直線の1/4波長線路72は、配線幅0.04mm、Au配線厚5μm、配線長2.1mmとした。これにより、複雑な基板配線製造プロセスを用いることなく低損失な整合回路が形成できる。
図14の(C)に示すように、第5実施形態では、インピーダンス変換回路の2段目が、3本の並列な伝送線路で形成されるので、より多くの電流を低損失で流すことができる。
1段分の1/4波長線路を、3本以上の線路で並列伝送線路として形成する場合、外側の伝送線路とそれに挟まれる線路は異なる誘電率を有する誘電体基板上に形成され、内側の伝送線路を形成した基板の誘電率が外側の線路が形成された基板の誘電率に比べ大きくする。これにより、配線交差や多層配線などの複雑な製造プロセスを用いることなく特性インピーダンスと電気長の等しい並列伝送線路が実現できる。これにより、低損失な整合回路を構成でき、その結果、より高性能な高出力回路を実現できる。
以上、第1から第5実施形態を説明したが、1/4波長線路52の2つのベント分岐線路の構成について、各種の変形例が可能であることは、当業者には容易に理解できる。以下、いくつかの変形例を示すが、更に多くの変形例があり得る。
図15の(A)は、1/4波長線路52の2つのベント分岐線路をメアンダ形状としたものである。第1から第5実施形態では、ベント分岐線路はそれぞれ1回のみ折り曲げられたが、図15の(A)のように3回以上折り曲げてメアンダ形状とすることも可能である。
図15の(B)は、1/4波長線路52の2つのベント分岐線路の、1/4波長線路34に接続される第1端部と反対側の第2端部を、第1端部と同様に折り曲げた形状を有する。第1から第5実施形態では、第2端部は、2つの端部が直線で交わり一体となる形状であったが、図15の(B)のように、第1端部と同様の形状にしてもよい。この場合、2つのベント分岐線路の第2端部は、ワイヤボンディングなどにより、集積回路搭載装置のパッケージの端子に共通に接続される。
図15の(C)は、図15の(B)の変形例で、第4実施形態と同様に、第1端部および第2端部の両方に電極56および57を設け、さらに抵抗54および57を設けたものである。抵抗57は、2つのベント分岐線路で発生したアンバランスを解消するように作用する。
図15の(D)は、3段の1/4波長線路を使用してインピーダンス変換を行うインピーダンス変換器を示す。第1から第5実施形態では、2段の1/4波長線路でインピーダンス変換器を形成したが、3段以上の1/4波長線路で形成することも可能である。図15の(D)の変形例では、2段目と3段目の1/4波長線路を折り曲げ形状の伝送線路52Aおよび52Bとしている。2段目の1/4波長線路52Aが形成される基板51Aの比誘電率は、1段目の1/4波長線路33が形成される基板32の比誘電率より小さく、3段目の1/4波長線路52Bが形成される基板51Bの比誘電率より大きい。したがって、1/4波長線路52Aの経路長は、1/4波長線路52Bの経路長より長い。
以上、第2から第5実施形態および図15の変形例では、出力整合回路30の例を説明したが、同様の構成が入力整合回路20にも適用可能である。
図16は、第2実施形態の集積回路搭載装置を、メタルウォールを有する気密封止メタルパッケージに搭載した高出力増幅回路装置を示す図である。
内部に搭載される集積回路搭載装置は、第2実施形態のものであるが、入力整合回路20の1/4波長線路42の2つのベント分岐線路を、1/4波長線路24の側で、抵抗44を介して接続するために、延長パターン43Aおよび43Bが設けられている。
パッケージは、メタルウォール82およびふた83で気密封止される。外部との電気的接続のために、接続電極84および87が設けられる。接続電極84および87は、フィードスルー86および89により、メタルウォール82およびふた83から電気的に絶縁される。接続電極84のパッケージ外の部分には入力用リード85が設けられ、接続電極87のパッケージ外の部分には出力用リード88が設けられる。接続電極84のパッケージ内の部分と、入力整合回路20の入力部INがワイヤボンディングなどで接続される。接続電極88のパッケージ内の部分と、出力整合回路30の出力部OUTがワイヤボンディングなどで接続される。
集積回路チップ11は、0.8μmのゲート長のGaN HEMTを複数個搭載している。前述のように、出力整合回路30は、集積回路チップ11の直ぐ近くから0.38mm厚の比誘電率9.8のアルミナセラミックス基板31上の線路32と、比誘電率140の高誘電率基板33上の1本の1/4波長線路34と、0.38mm厚の比誘電率9.8のアルミアセラミクス基板51上の2本の並列1/4波長線路52を用いている。これにより、図の横方向長さを短縮することができ、パッケージ内に高出力回路を収めることができる。なお、集積回路チップ11と基板31上の線路32をつなぐ金ワイヤと、基板31上の線路32は、インダクタとして働き、トランジスタの出力インピーダンスの容量成分を打ち消し、基板31上の線路32の端面で純抵抗のインピーダンスにする役割をしている。これにより、1/4波長線路を用いて50オームへの整合が可能となる。パッケージサイズは、17.4×24mmであり、図3に示したように回路幅を11.6mmにすることができた。図2に示すように、従来例のインピーダンス変換器では、回路幅は21.8mmであり、回路幅が1/2削減できる。パッケージサイズは業界で決まったサイズがあり、このザイズに収まらない場合は、パッケージ外部のプリント基板等にインピーダンス変換器を作製して整合をとることになるが、回路が大きくなる。これにたいして、記載した実施形態では、パッケージ内で50オーム整合が行えるようになり、機器の小型化が可能となる。さらには、高周波電流の伝送損失が低減し、より高性能な高出力回路が実現できる。
図17は、図16の高出力増幅回路装置を使用した通信機モジュール100の構成を示す図である。
図17に示すように、通信機モジュール100は、アンテナに接続される入出力端子90と、入出力端子90と接続された送受切替器91と、低雑音増幅器92と、制御回路93と、前段増幅器94と、高出力増幅器95と、フィルタ96と、を含む。
図17の右手前の列が送信系を構成し、左奥側が受信系を構成する。入出力端子90からの入力信号は、送受切替器91で選択的に低雑音増幅器92に送られ、受信処理が行われる。一方、送信信号は、前段増幅器94で増幅された送信信号は、高出力増幅器95でさらに増幅され、フィルタ96を経て送受切替器91で選択的に入出力端子90に送られ、アンテナから送信される。高出力増幅器95として、図16の高出力増幅回路装置が使用される。なお、図16の高出力増幅回路装置は、送受信用通信機モジュールでなく、送信用通信機モジュールに使用できるのは言うまでもない。
図17の通信機モジュール100は、通信システム、レーダー装置、センサー、電波妨害器等のシステム機器の一部として使用される。図16の高性能で小型の高出力増幅回路装置を各種システム機器に搭載することで、機器の高性能化と小型化に寄与することができる。
以上、各種実施形態を説明したが、各種の変形例および応用例が可能であることは、当業者には容易に理解可能であろう。
例えば、上記の実施形態では、インピーダンス変換器を1/4波長線路としたが、直列インダクタと並列キャパシタで構成したインピーダンス変換器にも適用可能で、同様な効果が得られる。インダクタはスパイラルインダクタでも、メアンダ線路でも構成できる。キャパシタはチップコンデンサをパッケージベース上にAuSnはんだで実装し、その上部電極と伝送線路をワイヤ接続することで構成することができる。あるいは、伝送線路の脇にパターンを形成しておき、そのパターンと伝送線路間をワイヤ接続することで、キャパシタとしての機能を持たせることができる。以上の変更により、集中定数素子として回路を構成できるので、回路の小型化を行うことができる。
また、1/4波長線路とその脇にあるダミーパターン間をワイヤ接続して接地容量を付加して特性インピーダンスを下げた伝送線路としてもよい。これにより、特性インピーダンスを調節することができ、トランジスタや実装のばらつきを吸収することができ、回路の歩留まり向上にも寄与する。
さらに、上記の実施形態では、マイクロストリップ線路を用いたが、コプレーナ線路、ストリップ線路等の伝送線路を用いることができる。また、上記の実施形態ではGaNトランジスタを用いたがSi、GaAsやInPを用いたトランジスタを含む集積回路を使用してもよい。また、上記の実施形態では、トランジスタを含む集積回路と整合回路基板で回路を形成したが、チップ内に抵抗や容量および整合回路を一部集積化したMMICとしたチップを使用し、その外部に整合回路基板を構成したハイブリッドICとしてもよい。また、チップ内に抵抗や容量および整合回路も集積したMMICとしてもよい。上記の実施形態では、チップや整合回路基板をAuSnはんだを用いて実装したが、導電性接着剤で実装してもよい。この場合、200℃以下で実装できるので、パッケージとチップならびに整合回路基板、コンデンサの熱膨張係数差による割れが抑制でき、歩留まりが向上できる。また、耐熱性が比較的よくないInP等のデバイスも特性を劣化させることなく実装することができる。さらには、パッケージ材料の熱膨張係数差の大きい放熱性の優れた材料(銅)等の適用も可能となり、より高出力な回路が実現できる。さらに、上記実施形態では、TaN薄膜抵抗を用いたが、NiCrを用いてもよい。
以上説明したように、実施形態によれば、高出力半導体回路を構成する整合回路の損失低減、および回路面積を削減することができ、より高性能な高出力半導体回路を実現できる。
以上、実施形態を説明したが、ここに記載したすべての例や条件は、発明および技術に適用する発明の概念の理解を助ける目的で記載されたものであり、特に記載された例や条件は発明の範囲を制限することを意図するものではなく、明細書のそのような例の構成は発明の利点および欠点を示すものではない。発明の実施形態を詳細に記載したが、各種の変更、置き換え、変形が発明の精神および範囲を逸脱することなく行えることが理解されるべきである。