JP5807708B2 - Lid opening / closing device - Google Patents

Lid opening / closing device Download PDF

Info

Publication number
JP5807708B2
JP5807708B2 JP2014144393A JP2014144393A JP5807708B2 JP 5807708 B2 JP5807708 B2 JP 5807708B2 JP 2014144393 A JP2014144393 A JP 2014144393A JP 2014144393 A JP2014144393 A JP 2014144393A JP 5807708 B2 JP5807708 B2 JP 5807708B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lid
carrier
transport container
transport
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2014144393A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2014220515A (en
Inventor
佑道 菅原
佑道 菅原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2014144393A priority Critical patent/JP5807708B2/en
Publication of JP2014220515A publication Critical patent/JP2014220515A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5807708B2 publication Critical patent/JP5807708B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Description

本発明は、ＦＯＵＰ（搬送容器）の一部を構成する基板の取り出し口を塞ぐ蓋体を開閉する蓋体開閉装置に関する。
The present invention relates to a lid opening / closing device that opens and closes a lid that closes an extraction port of a substrate that constitutes a part of a FOUP (conveying container) .

半導体製造装置の一つとして、例えば多数の半導体ウエハ（以下ウエハという）に対してバッチで熱処理を行う縦型熱処理装置がある。この縦型熱処理装置は大気雰囲気中に設けられており、ウエハを格納したＦＯＵＰと呼ばれるキャリアが搬送されるキャリア搬送領域と、前記ウエハを基板保持具であるウエハボートに移載して熱処理炉への搬送を行うウエハ搬送領域と、これらの領域間に設けられる隔壁と、を備えている。処理中にウエハにパーティクルが付着することを防ぐために、ウエハ搬送領域はキャリア搬送領域よりも高清浄度に保たれている。   As one example of a semiconductor manufacturing apparatus, there is a vertical heat treatment apparatus that performs heat treatment in batch on a large number of semiconductor wafers (hereinafter referred to as wafers). This vertical heat treatment apparatus is provided in an air atmosphere. A carrier transportation area called a FOUP in which a wafer is stored is transported, and the wafer is transferred to a wafer boat which is a substrate holder and transferred to a heat treatment furnace. And a partition wall provided between these regions. In order to prevent particles from adhering to the wafer during processing, the wafer transfer area is kept more clean than the carrier transfer area.

前記隔壁にはウエハの搬送口が形成され、この搬送口はFIMS（Front-opening Interface Mechanical Standard）規格に従った開閉ドアにより開閉される。前記開閉ドアは、キャリア前面に設けられる蓋体を取り外すための取り外し機構を備えている。つまり開閉ドアには、キャリア内とウエハ搬送領域との間でウエハを受け渡すために前記蓋体を開閉する役割と、ウエハ搬送領域をキャリア搬送領域から隔離する役割とが求められる。   A wafer transfer port is formed in the partition wall, and the transfer port is opened and closed by an open / close door according to FIMS (Front-opening Interface Mechanical Standard) standards. The opening / closing door includes a removal mechanism for removing a lid provided on the front surface of the carrier. In other words, the open / close door is required to have a role of opening and closing the lid for delivering the wafer between the inside of the carrier and the wafer transfer region and a role of isolating the wafer transfer region from the carrier transfer region.

ところで半導体デバイスの高機能化及び小型化が漸次進められており、このため当該デバイスに用いられる配線幅、デザインルール等がより狭められ、従来であれば問題とならなかった大きさや量のパーティクルにも留意する必要が生じてきている。つまり、ウエハ搬送領域をより高清浄度に保つ要請がある。その一方で半導体デバイスの製造コストを抑える観点から、装置の設置環境即ち前記キャリア搬送領域は低清浄度にすることが有効である。しかし、キャリア搬送領域の清浄度が低いと、キャリアにパーティクルが付着しやすくなってしまう。そして、前記搬送口の開閉ドアは、キャリアの蓋体を保持した状態でウエハ搬送領域側に開くため、この蓋体に付着したパーティクルがウエハ搬送領域に持ち込まれてしまいウエハ搬送領域の清浄度が低下してしまうおそれがある。   By the way, higher functionality and smaller size of semiconductor devices are gradually being advanced, and therefore, the wiring width and design rules used for the devices are further narrowed down to the size and amount of particles that were not a problem in the past. There is also a need to pay attention to. In other words, there is a demand to keep the wafer transfer area with a higher cleanliness. On the other hand, from the viewpoint of reducing the manufacturing cost of the semiconductor device, it is effective to make the installation environment of the apparatus, that is, the carrier conveyance area, low clean. However, if the cleanliness of the carrier transport area is low, particles are likely to adhere to the carrier. The opening / closing door of the transfer opening opens to the wafer transfer area side with the carrier lid held, so that particles adhering to the lid are brought into the wafer transfer area and the cleanliness of the wafer transfer area is increased. May decrease.

特許文献１には、前記隔壁においてキャリアの蓋体にガスを吐出するノズルを設けて蓋体に付着するパーティクルを除去する装置について示されているが、上記のような事情から、より確実にキャリアの蓋体に付着したパーティクルを除去する装置が求められる。   Patent Document 1 discloses an apparatus that removes particles adhering to the lid by providing a nozzle for discharging gas to the lid of the carrier in the partition wall. There is a need for an apparatus that removes particles adhering to the lid.

特開２０１０−５６２９６（段落００１７、図１Ａ）JP 2010-56296 (paragraph 0017, FIG. 1A)

本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、ＦＯＵＰ（搬送容器）の搬送領域のパーティクルが当該ＦＯＵＰの蓋体を介して基板搬送領域に混入することを防ぐことができる技術を提供することである。
The present invention has been made under such circumstances, and an object of the present invention is to prevent particles in the transport area of the FOUP (transport container) from entering the substrate transport area through the cover of the FOUP. It is to provide technology that can.

本発明の蓋体開閉装置は、搬送容器の搬送領域の雰囲気と基板搬送領域の雰囲気とを区画する隔壁に形成され、開閉ドアにより開閉される搬送口の口縁部に、搬送容器の基板取り出し口の口縁部を密着させ、前記開閉ドアにおける前記搬送容器に対向する対向面部に設けられた蓋体取り外し機構を、搬送容器の蓋体の前面側の開口部を介して蓋体内に進入させて蓋体と搬送容器本体との係合を解除し、当該蓋体を保持するように構成された搬送容器の開閉装置において、
前記蓋体の前面が前記搬送口に向くように搬送容器を載置する載置台と、
前記対向面部に設けられ、前記蓋体に付着したパーティクルを除去するためのパージガスを供給するためのガス吐出口と、
前記載置台に載置された搬送容器に対して、前記対向面部を進退させる進退機構と、
前記載置台に前記搬送容器が載置されて固定された状態で前記載置台を前進させることにより前記搬送口の口縁部に搬送容器の基板取り出し口の口縁部を密着させて前記開閉ドアと前記搬送容器の蓋体との間に閉塞空間を形成するステップと、次いで、前記対向面部を前記進退機構により搬送容器の蓋体に向かって、前記対向面部から前記搬送容器の蓋体までの距離が５ｍｍ以下であり、且つ蓋体と対向面部とが離間しているガス供給有効位置まで第１の速度で移動させるステップと、このステップの後、パージガスの供給を続けたまま、当該対向面部を前記ガス供給有効位置で停止させるか、あるいは第１の速度よりも遅い第２の速度で、前記ガス供給有効位置よりも前記搬送容器の蓋体に接近させるステップと、次いで、前記閉塞空間内の大気雰囲気を排気口から排気すると共にガス供給口からパージガスを供給して当該閉塞空間をパージガス雰囲気に置換するステップと、しかる後、蓋体取り外し機構により蓋体を搬送容器本体から取り外すステップと、を実行するように制御信号を出力する制御部と、
を備えたことを特徴とする。
 The lid opening / closing device of the present invention is formed in a partition partitioning the atmosphere of the transport region of the transport container and the atmosphere of the substrate transport region, and takes out the substrate of the transport container at the lip of the transport port that is opened and closed by the open / close door. Close the mouth edge of the mouth, and let the lid removal mechanism provided on the facing surface facing the transport container in the open / close door enter the lid through the opening on the front side of the lid of the transport container. In the opening and closing device of the transport container configured to release the engagement between the cover body and the transport container body and hold the cover body,
A mounting table for mounting a transport container so that the front surface of the lid faces the transport port;
A gas discharge port for supplying a purge gas provided on the facing surface portion for removing particles attached to the lid;
An advancing / retreating mechanism for advancing / retreating the facing surface portion with respect to the transport container placed on the mounting table;
By moving the mounting table forward while the transfer container is mounted and fixed on the mounting table, the opening / closing door is brought into close contact with the opening edge of the substrate outlet of the transfer container. And a step of forming a closed space between the container and the lid of the transport container, and then moving the facing surface portion toward the lid of the transport container by the advance / retreat mechanism from the facing surface portion to the lid of the transport container. A step of moving at a first speed to a gas supply effective position where the distance is 5 mm or less and the lid and the facing surface portion are separated from each other; and after this step, the facing surface portion is kept while the supply of the purge gas is continued. Stopping at the gas supply effective position, or approaching the lid of the transport container at a second speed lower than the first speed, and then in the closed space. A step of exhausting the atmospheric atmosphere from the exhaust port and supplying a purge gas from the gas supply port to replace the closed space with the purge gas atmosphere; and thereafter, a step of removing the lid body from the transport container body by the lid body removing mechanism. A control unit that outputs a control signal to be executed;
It is provided with.

上記の蓋体開閉装置は例えば具体的に下記のように構成される。
（ａ）前記ガス吐出口は、前記対向面部の複数個所に設けられる。
For example, the lid opening / closing device is specifically configured as follows.
(A) The gas discharge ports are provided at a plurality of locations on the facing surface portion.

ところで、ＦＯＵＰとはFront-Opening Unified Podの略であり、一般的にはその径が３００ｍｍであるウエハ用の搬送、保管を目的としたキャリアであるが、ここでいうＦＯＵＰの収納対象となる基板は、後述するようにウエハに限られるものではないし、その径が３００ｍｍに限られることもない。また、ＦＯＵＰ本体と蓋体とを係合する機構は、実施の形態で述べるような回動部の回動により直動部が昇降する構成であることに限られず、蓋体の内部に進入した蓋体取り外し機構により係合の解除がなされるものすべてが含まれる。   By the way, FOUP is an abbreviation for Front-Opening Unified Pod, and is generally a carrier for transporting and storing wafers having a diameter of 300 mm. As described later, the diameter is not limited to a wafer, and the diameter is not limited to 300 mm. Further, the mechanism for engaging the FOUP main body and the lid is not limited to the configuration in which the linear movement portion is raised and lowered by the rotation of the rotation portion as described in the embodiment, but has entered the inside of the lid. This includes everything that is disengaged by the lid removal mechanism.

本発明の蓋体開閉装置においては、隔壁の搬送口を開閉する開閉ドアのＦＯＵＰ（搬送容器）に対向する対向面部にガス吐出口を設け、前記対向面部とＦＯＵＰの蓋体との距離を５ｍｍ以下に制御して、前記ガス吐出口からパージガスの吐出を行っている。それによって、前記蓋体と前記対向面部との間に形成される気流の流速が大きくなり、蓋体に付着したパーティクルの除去率が高くなる。その結果として、基板の搬送領域の雰囲気へ当該パーティクルが混入することを抑えることができる。
In the lid opening / closing device of the present invention, a gas discharge port is provided in the facing surface portion facing the FOUP (conveying container) of the opening / closing door that opens and closes the conveying port of the partition wall, and the distance between the facing surface portion and the FOUP lid is 5 mm. The purge gas is discharged from the gas discharge port under the following control. As a result, the flow velocity of the airflow formed between the lid and the facing surface portion increases, and the removal rate of particles adhering to the lid increases. As a result, Ru can be suppressed that the particles are mixed into the atmosphere of the transport region of the substrate.

本発明の蓋体開閉装置が適用された縦型熱処理装置の縦断側面図である。It is a vertical side view of the vertical heat treatment apparatus to which the lid opening / closing apparatus of the present invention is applied. 前記縦型熱処理装置の平面図である。It is a top view of the said vertical heat processing apparatus. 前記縦型熱処理装置に設けられるイオナイザの上面図である。It is a top view of the ionizer provided in the said vertical heat processing apparatus. キャリア及び前記縦型熱処理装置に設けられる開閉ドアの縦断側面図である。It is a vertical side view of the opening / closing door provided in a carrier and the said vertical heat processing apparatus. 前記キャリア及び前記開閉ドアの横断平面図である。It is a cross-sectional top view of the said carrier and the said opening / closing door. 前記キャリア及び前記開閉ドアが設けられる開口部の斜視図である。It is a perspective view of the opening part in which the said carrier and the said opening-and-closing door are provided. 前記開閉ドアに設けられるガス吐出口の平面図である。It is a top view of the gas discharge port provided in the said opening / closing door. 前記蓋体が取り外される様子を示す工程図である。It is process drawing which shows a mode that the said cover body is removed. 前記蓋体が取り外される様子を示す工程図である。It is process drawing which shows a mode that the said cover body is removed. 前記蓋体が取り外される様子を示す工程図である。It is process drawing which shows a mode that the said cover body is removed. 前記蓋体が取り外される様子を示す工程図である。It is process drawing which shows a mode that the said cover body is removed. 前記蓋体が取り外される様子を示す工程図である。It is process drawing which shows a mode that the said cover body is removed. 他の蓋体の取り外し工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the removal process of another cover body. 評価試験の実験装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the experimental apparatus of an evaluation test. 前記実験装置の横断平面図である。It is a cross-sectional top view of the said experimental apparatus. 前記評価試験の結果を示すグラフ図である。It is a graph which shows the result of the said evaluation test. 前記評価試験の結果を示すグラフ図である。It is a graph which shows the result of the said evaluation test.

（第１の実施形態）
本発明に係る蓋体開閉装置が組み込まれた縦型熱処理装置について説明する。図１は縦型熱処理装置１の縦断側面図、図２は縦型熱処理装置１の平面図である。図中１１は縦型熱処理装置１の外装体を構成する筐体であり、この筐体１１内には、被処理体であるウエハＷを収納した容器であるキャリアＣが装置に対して搬入、搬出されるためのキャリア搬送領域Ｓ１と、キャリアＣ内のウエハＷを搬送して後述の熱処理炉内に搬入するための移載領域であるウエハ搬送領域Ｓ２とが形成されている。キャリアＣは既述のＦＯＵＰである。 (First embodiment)
A vertical heat treatment apparatus incorporating the lid opening / closing apparatus according to the present invention will be described. FIG. 1 is a vertical side view of the vertical heat treatment apparatus 1, and FIG. 2 is a plan view of the vertical heat treatment apparatus 1. In the figure, reference numeral 11 denotes a casing that constitutes an exterior body of the vertical heat treatment apparatus 1, and a carrier C that is a container for storing a wafer W as an object to be processed is carried into the apparatus in the casing 11. A carrier transfer area S1 for unloading and a wafer transfer area S2 which is a transfer area for transferring the wafer W in the carrier C and loading it into a heat treatment furnace described later are formed. Carrier C is the FOUP described above.

キャリア搬送領域Ｓ１とウエハ搬送領域Ｓ２とは隔壁２により仕切られている。キャリア搬送領域Ｓ１は大気雰囲気である。一方、ウエハ搬送領域Ｓ２は搬入されたウエハＷに酸化膜が形成されることを防ぐために、不活性ガス雰囲気例えば窒素（Ｎ２）ガス雰囲気とされており、キャリアＳ１よりも清浄度が高く且つ低酸素濃度に維持されている。以降の装置の説明では、キャリア搬送領域Ｓ１及びウエハ搬送領域Ｓ２の配列方向を縦型熱処理装置１の前後方向とする。 The carrier transfer area S1 and the wafer transfer area S2 are partitioned by a partition wall 2. The carrier transport area S1 is an air atmosphere. On the other hand, the wafer transfer region S2 has an inert gas atmosphere, for example, a nitrogen (N2) gas atmosphere, in order to prevent an oxide film from being formed on the transferred wafer W, and has a cleanliness higher and lower than that of the carrier S1. Oxygen concentration is maintained. In the following description of the apparatus, the arrangement direction of the carrier transfer area S1 and the wafer transfer area S2 is the front-back direction of the vertical heat treatment apparatus 1.

キャリア搬送領域Ｓ１について説明する。キャリア搬送領域Ｓ１は、第１の搬送領域１２と、第１の搬送領域１２の後方側（ウエハ搬送領域Ｓ２側）に位置する第２の搬送領域１３とからなる。第１の搬送領域１２の左右方向には、キャリアＣを各々載置する２つの第１の載置台１４が設けられている。各第１の載置台１４の載置面には、キャリアＣを位置決めするピン１５が例えば３個所に設けられている。 The carrier transport area S1 will be described. The carrier transfer area S1 includes a first transfer area 12 and a second transfer area 13 located on the rear side (wafer transfer area S2 side) of the first transfer area 12. Two first mounting tables 14 on which the carriers C are respectively mounted are provided in the left-right direction of the first transport region 12. For example, three pins 15 for positioning the carrier C are provided on the mounting surface of each first mounting table 14.

第２の搬送領域１３には、第１の載置台１４に対して前後に並ぶように、左右に２つの第２の載置台１６が配置されている。各第２の載置台１６は進退機構１７により前後に移動自在に構成されており、後述のキャリアＣからウエハＷをウエハ搬送領域Ｓ２に受け渡すための受け渡し位置と、後述のキャリア搬送機構２１からキャリアＣを受け取る受け取り位置との間で当該キャリアＣを搬送する。第２の載置台１６の載置面にも第１の載置台１４と同様にキャリアＣを位置決めするピン１５が、３個所に設けられている。また、前記載置面にはキャリアＣを固定するためのフック１６ａが設けられている。第２の搬送領域１３の上部側にはキャリアＣを保管するキャリア保管部１８が設けられている。キャリア保管部１８は２段の棚により構成されており、各棚は左右に２つのキャリアＣを載置することができる。   In the second transfer region 13, two second mounting tables 16 are arranged on the left and right sides so as to be lined up and down with respect to the first mounting table 14. Each second mounting table 16 is configured to be movable back and forth by an advancing / retreating mechanism 17. The second mounting table 16 is provided with a delivery position for delivering a wafer W from a carrier C to be described later to the wafer transfer region S2 and The carrier C is transported to and from the receiving position where the carrier C is received. Similarly to the first mounting table 14, pins 15 for positioning the carrier C are provided at three positions on the mounting surface of the second mounting table 16. In addition, a hook 16a for fixing the carrier C is provided on the mounting surface. A carrier storage unit 18 that stores the carrier C is provided on the upper side of the second transport region 13. The carrier storage unit 18 is composed of two-stage shelves, and each carrier can place two carriers C on the left and right.

そして、第２の搬送領域１３には、キャリアＣを第１の載置台１４と第２の載置台１６とキャリア保管部１８との間で搬送するキャリア搬送機構２１が設けられている。このキャリア搬送機構２１は左右に伸び、且つ昇降自在なガイド部２１ａと、このガイド部２１ａにガイドされながら左右に移動する移動部２１ｂと、この移動部２１ｂに設けられ、キャリアＣを保持して水平方向に搬送する関節アーム２１ｃと、を備えている。   In the second transport region 13, a carrier transport mechanism 21 that transports the carrier C between the first mounting table 14, the second mounting table 16, and the carrier storage unit 18 is provided. The carrier transport mechanism 21 extends to the left and right and can be moved up and down, a moving part 21b that moves left and right while being guided by the guide part 21a, and a moving part 21b that holds the carrier C. And a joint arm 21c for conveying in the horizontal direction.

第２の搬送領域１３の天井部にはＨＥＰＡフィルタまたはＵＬＰＡフィルタを備えたフィルタユニット３１が設けられており、上記のフィルタを通過することにより清浄化されたエアを下方に向けて供給する。フィルタユニット３１の下方にはイオナイザ３２が設けられ、前記フィルタユニット３１から供給されたエアをイオン化する。イオン化されたエアは、第２の載置台１６へ向けて供給される。   A filter unit 31 including a HEPA filter or a ULPA filter is provided on the ceiling of the second transfer region 13 and supplies air that has been purified by passing through the filter downward. An ionizer 32 is provided below the filter unit 31 to ionize the air supplied from the filter unit 31. The ionized air is supplied toward the second mounting table 16.

図３はイオナイザ３２の上面を示している。イオナイザ３２は、例えばこのように横方向に複数配列された棒状の電極３４により構成され、前記エアは電極３４間を通過して下方へ供給される。電極３４には電源３５より交流電圧が印加される。交流電圧が印加された電極３４の周囲に形成される電界にエアが接触することで、当該エアがイオン化され、プラスのエアのイオンとマイナスのエアのイオンとが発生する。このイオン化されたエアが帯電物に当たると同極性のイオンとは反発し、反対極性のイオンを吸引する結果、帯電物が除電されることになる。   FIG. 3 shows the top surface of the ionizer 32. The ionizer 32 includes, for example, a plurality of rod-shaped electrodes 34 arranged in the lateral direction as described above, and the air passes between the electrodes 34 and is supplied downward. An AC voltage is applied to the electrode 34 from a power source 35. When air contacts an electric field formed around the electrode 34 to which an AC voltage is applied, the air is ionized, and positive air ions and negative air ions are generated. When the ionized air hits the charged object, it repels the ions of the same polarity, and as a result of attracting the ions of the opposite polarity, the charged object is neutralized.

隔壁２には、キャリア搬送領域Ｓ１とウエハ搬送領域Ｓ２とを連通させるウエハＷの搬送口２０が設けられている。搬送口２０には、当該搬送口２０をウエハ搬送領域Ｓ２側から塞ぐ開閉ドア５が設けられている。開閉ドア５には駆動機構５０が接続されており、駆動機構５０により開閉ドア５は前後方向及び上下方向に移動自在に構成され、搬送口２０が開閉される。この開閉ドア５及び搬送口２０の周囲の構成については後に詳述する。   The partition wall 2 is provided with a transfer port 20 for the wafer W that allows the carrier transfer region S1 and the wafer transfer region S2 to communicate with each other. The transfer port 20 is provided with an opening / closing door 5 that closes the transfer port 20 from the wafer transfer region S2 side. A drive mechanism 50 is connected to the open / close door 5, and the open / close door 5 is configured to be movable in the front-rear direction and the vertical direction by the drive mechanism 50, and the conveyance port 20 is opened and closed. The configuration around the opening / closing door 5 and the transfer port 20 will be described in detail later.

ウエハ搬送領域Ｓ２には、下端が炉口として開口された縦型の熱処理炉２２が設けられ、この熱処理炉２２の下方側には、多数枚のウエハＷを棚状に保持するウエハボート２３が断熱部２４を介してキャップ２５の上に載置されている。キャップ２５は昇降機構２６の上に支持されており、この昇降機構２６によりウエハボート２３が熱処理炉２２に対して搬入あるいは搬出される。   In the wafer transfer region S2, a vertical heat treatment furnace 22 having a lower end opened as a furnace port is provided. Below the heat treatment furnace 22, a wafer boat 23 for holding a number of wafers W in a shelf shape is provided. It is placed on the cap 25 via the heat insulating part 24. The cap 25 is supported on an elevating mechanism 26, and the elevating mechanism 26 carries the wafer boat 23 into or out of the heat treatment furnace 22.

またウエハボート２３と隔壁２の搬送口２０との間には、ウエハ搬送機構２７が設けられている。このウエハ搬送機構２７は、左右に伸びるガイド機構２７ａに沿って移動すると共に鉛直軸回りに回動する移動体２７ｂに、５枚の進退自在なアーム２７ｃを設けて構成され、ウエハボート２３と第２の載置台１６上のキャリアＣとの間でウエハＷを搬送する。 A wafer transfer mechanism 27 is provided between the wafer boat 23 and the transfer port 20 of the partition wall 2. The wafer transfer mechanism 27 is configured by providing five movable arms 27c on a moving body 27b that moves along a guide mechanism 27a that extends to the left and right and that rotates about a vertical axis. The wafer W is transferred to and from the carrier C on the second mounting table 16.

図４、図５は夫々キャリアＣ、ウエハＷの搬送口２０及び開閉ドア５の縦断側面図、横断平面図であり、図６は搬送口２０及びキャリアＣの斜視図である。これら図４〜図６を用いてキャリアＣについて説明すると、キャリアＣは容器本体であるキャリア本体４１と、蓋体４２とからなる。キャリア本体４１内の左右には、ウエハＷの裏面側周縁部を支持する支持部４１ａが多段に設けられる。キャリア本体４１の前面にはウエハＷの取り出し口４３が形成されている。図中４４は前記取り出し口４３の開口縁部であり、開口縁部４４の内周側の左右の上下には各々係合溝４４ａが形成されている。   4 and 5 are a longitudinal sectional side view and a transverse plan view of the carrier C, the transfer port 20 for the wafer W, and the open / close door 5, respectively. FIG. 6 is a perspective view of the transfer port 20 and the carrier C. The carrier C will be described with reference to FIGS. 4 to 6. The carrier C includes a carrier body 41 that is a container body and a lid body 42. On the left and right sides of the carrier body 41, support portions 41a that support the peripheral portion on the back surface side of the wafer W are provided in multiple stages. An extraction port 43 for the wafer W is formed on the front surface of the carrier body 41. In the figure, reference numeral 44 denotes an opening edge portion of the take-out port 43, and engaging grooves 44 a are respectively formed on the left and right upper and lower sides on the inner peripheral side of the opening edge portion 44.

キャリア本体４１の上部には、既述のキャリア搬送機構２１がキャリアＣを搬送するために把持する把持部４１ｂが設けられる。また、図４に示すようにキャリア本体４１の下部には凹部４５ａと溝部４５ｂとが設けられ、凹部４５ａは第１の載置台１４及び第２の載置台１６のピン１５に嵌合する。溝部４５ｂは、第２の載置台１６のフック１６ａに係合し、この係合によってキャリア本体４１が第２の載置台１６に固定される。   On the upper part of the carrier main body 41, a grip portion 41b that the carrier transport mechanism 21 described above grips to transport the carrier C is provided. Further, as shown in FIG. 4, a recess 45 a and a groove 45 b are provided in the lower portion of the carrier body 41, and the recess 45 a is fitted to the pins 15 of the first mounting table 14 and the second mounting table 16. The groove 45 b engages with the hook 16 a of the second mounting table 16, and the carrier body 41 is fixed to the second mounting table 16 by this engagement.

キャリアＣの蓋体４２について説明すると、蓋体４２の内部には左右に回動部４６が設けられている。回動部４６の上下には垂直方向に伸びる直動部４７が設けられる。この直動部４７は、回動部４６の回動に応じて昇降し、その先端が蓋体４２の側面から突出した状態と、蓋体４２内に引き込んだ状態とで切り替わるように構成されている。図６は前記直動部４７の先端が突出した状態を示している。この先端は前記キャリア本体４１の係合溝４４ａに係合し、それによって蓋体４２がキャリア本体４１に係合される。蓋体４２の前面には後述のキー６９を蓋体４２の内部に差し込むための開口部４８が設けられている。   The lid 42 of the carrier C will be described. Inside the lid 42, a rotating part 46 is provided on the left and right. Directly moving portions 47 extending in the vertical direction are provided above and below the rotating portion 46. The linear motion portion 47 is configured to move up and down in accordance with the rotation of the rotation portion 46 and to be switched between a state in which the tip protrudes from the side surface of the lid body 42 and a state in which the tip is retracted into the lid body 42. Yes. FIG. 6 shows a state where the tip of the linear motion portion 47 protrudes. The tip engages with the engaging groove 44 a of the carrier body 41, whereby the lid 42 is engaged with the carrier body 41. An opening 48 for inserting a key 69 (described later) into the inside of the lid body 42 is provided on the front surface of the lid body 42.

続いて、開閉ドア５及びウエハＷの搬送口２０の構成について説明する。搬送口２０におけるキャリア搬送領域Ｓ１側の口縁部には、キャリア本体４１の開口縁部４４が当接する位置にシール部材５１が設けられている。また、搬送口２０における側縁部側には図５に示すようにＮ2ガス供給管５２が垂直に設けられている。このＮ2ガス供給管５２は上下にガス供給口５３を備えている。このガス供給口５３は、キャリアＣがウエハ搬送領域Ｓ２との間でウエハＷを受け渡すために、シール部材５１に開口縁部４４が密着する位置（受け渡し位置とする）に移動したときに、キャリアＣと開閉ドア５とに囲まれて形成される閉塞空間にＮ2ガスを供給する。また搬送口２０の下端部には、横長の排気口５５が設けられている。図中５５ａは横方向における排気の偏りを抑えるために排気口５５に設けられた多孔質体である。   Next, the configuration of the opening / closing door 5 and the transfer port 20 for the wafer W will be described. A seal member 51 is provided at a position where the opening edge portion 44 of the carrier body 41 abuts on the edge portion on the carrier conveyance region S1 side in the conveyance port 20. Further, as shown in FIG. 5, an N2 gas supply pipe 52 is provided vertically on the side edge side of the transfer port 20. The N2 gas supply pipe 52 is provided with gas supply ports 53 at the top and bottom. The gas supply port 53 is moved to a position where the opening edge 44 is in close contact with the seal member 51 (referred to as a delivery position) in order for the carrier C to deliver the wafer W to and from the wafer transfer region S2. N2 gas is supplied to a closed space formed by the carrier C and the opening / closing door 5. Also, a horizontally long exhaust port 55 is provided at the lower end of the transport port 20. In the figure, reference numeral 55a denotes a porous body provided at the exhaust port 55 in order to suppress the uneven exhaust in the lateral direction.

開閉ドア５は、その周縁部がキャリア搬送領域Ｓ１側へ向けて屈曲された箱体として形成されており、この箱体の開口縁にはシール部材５６が設けられ、当該シール部材５６を介して開閉ドア５は搬送口２０の縁部に密着する。   The opening / closing door 5 is formed as a box whose peripheral edge is bent toward the carrier transport area S <b> 1, and a seal member 56 is provided at the opening edge of the box, The open / close door 5 is in close contact with the edge of the transport port 20.

開閉ドア５のキャリア搬送領域Ｓ１側には、蓋体４２の取り外し機構６が設けられている。この取り外し機構６は、対向板６１と対向板６１を前後方向に移動させる進退機構６２とを備えている。対向板６１は、第２の載置台１６に載置された蓋体４２の前面に対向する対向面部６０を備えている。図６に示すように対向面部６０には例えば横方向の中央の上下に夫々ガス吐出口６３が開口している。ガス吐出口６３には配管６４の一端が接続され、配管６４の他端はＮ2ガス供給機構６５に接続されており、Ｎ2ガス供給機構６５は下流側へパージガスであるＮ2ガスを圧送する。配管６４にはイオナイザ６６が介設されている。このイオナイザ６６は既述のイオナイザ３２と同様に電極を備え、当該電極の周囲に生じた電界に曝され、イオン化されたＮ2ガスが前記ガス吐出口６３から吐出される。図４中ｄは、対向面部６０と蓋体４２の前面との距離である。後述のようにキャリアＣが取り外し機構６に近づき、この距離ｄが５ｍｍ以下になるとガス吐出口６３からＮ２ガスが吐出される。   A detaching mechanism 6 for the lid 42 is provided on the side of the opening / closing door 5 on the carrier transport area S1. The removal mechanism 6 includes a counter plate 61 and an advance / retreat mechanism 62 that moves the counter plate 61 in the front-rear direction. The counter plate 61 includes a counter surface portion 60 that opposes the front surface of the lid body 42 mounted on the second mounting table 16. As shown in FIG. 6, gas discharge ports 63 are opened in the opposing surface portion 60, for example, above and below the center in the horizontal direction. One end of a pipe 64 is connected to the gas discharge port 63, and the other end of the pipe 64 is connected to an N2 gas supply mechanism 65. The N2 gas supply mechanism 65 pumps N2 gas as a purge gas downstream. An ionizer 66 is interposed in the pipe 64. The ionizer 66 includes an electrode as in the case of the ionizer 32 described above, and is exposed to an electric field generated around the electrode, and ionized N2 gas is discharged from the gas discharge port 63. In FIG. 4, d is a distance between the facing surface portion 60 and the front surface of the lid body 42. As will be described later, when the carrier C approaches the removal mechanism 6 and the distance d becomes 5 mm or less, N 2 gas is discharged from the gas discharge port 63.

対向面部６０には、ガス吐出口６３から当該ガス吐出口６３の外側へと旋回しながら伸びる旋回溝６７が設けられている。例えば旋回溝６７は、各ガス吐出口６３の周方向に４本形成され、夫々左向きに旋回するように形成されている。図７はガス吐出口６３及び旋回溝６７の正面図である。キャリアＣの蓋体４２と対向面部６０とが対向した状態でガス吐出口６３からＮ2ガスを吐出するときに、図７に矢印で示すように、当該Ｎ2ガスが旋回溝６７によりガイドされる。それによって、ガス吐出口６３を中心とするＮ2ガスの旋回流が生じる。なお、ガス吐出口６３の配置や個数はこの例に限られるものではなく、例えば対向面部６０の中央に一つ設けてもよい。また、旋回溝６７は右向きに旋回するように形成してもよい。   The opposing surface portion 60 is provided with a turning groove 67 that extends while turning from the gas discharge port 63 to the outside of the gas discharge port 63. For example, four turning grooves 67 are formed in the circumferential direction of each gas discharge port 63 and are formed to turn leftward. FIG. 7 is a front view of the gas discharge port 63 and the swivel groove 67. When N2 gas is discharged from the gas discharge port 63 in a state where the lid 42 of the carrier C and the facing surface portion 60 face each other, the N2 gas is guided by the swivel groove 67 as shown by an arrow in FIG. Thereby, a swirling flow of N2 gas around the gas discharge port 63 is generated. Note that the arrangement and the number of the gas discharge ports 63 are not limited to this example. For example, one gas discharge port 63 may be provided at the center of the facing surface portion 60. The turning groove 67 may be formed to turn rightward.

図４〜図６に戻って、対向面部６０からその厚さ方向に棒状の接続部６８が伸びており、接続部６８の先端には円い棒状のキー（ラッチピン）６９が設けられている。接続部６８はその軸回りに回動し、それによってキー６９も回動する。キー６９は上記の蓋体４２の回動部４６に係合し、当該回動部４６を回動させることができるように形成されている。キー６９の形状としてはこの係合が行えるものであればよいので図示した円柱形状には限られず、例えば角柱形状であったり、これら円柱または角柱の角部を丸く形成したものであってもよい。   Returning to FIGS. 4 to 6, a rod-like connection portion 68 extends from the facing surface portion 60 in the thickness direction, and a round rod-like key (latch pin) 69 is provided at the tip of the connection portion 68. The connecting portion 68 rotates about its axis, and the key 69 also rotates. The key 69 is formed so as to engage with the rotation part 46 of the lid 42 and to rotate the rotation part 46. The shape of the key 69 is not limited to the illustrated cylindrical shape as long as it can perform this engagement, and may be, for example, a prismatic shape or a shape in which the corners of these cylinders or the prismatic shape are rounded. .

この縦型熱処理装置１には、例えばコンピュータからなる制御部１Ａが設けられている。制御部１Ａはプログラム、メモリ、ＣＰＵからなるデータ処理部などを備えており、前記プログラムには制御部１Ａから縦型熱処理装置１の各部に制御信号を送り、後述の各処理工程を進行させるように命令（各ステップ）が組み込まれている。その制御信号によりキャリアＣの搬送、第２の載置台１６の進退、取り外し機構６の進退、ウエハＷの搬送、蓋体４２の開閉、開閉ドア５の開閉、蓋体４２へのＮ2ガスの供給などの動作が制御され、後述のようにウエハＷの搬送及び処理が行われる。このプログラムは、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）及びメモリーカードなどの記憶媒体に格納されて制御部１Ａにインストールされる。   The vertical heat treatment apparatus 1 is provided with a control unit 1A composed of, for example, a computer. The control unit 1A includes a program, a memory, a data processing unit including a CPU, and the like. The control unit 1A sends a control signal to each unit of the vertical heat treatment apparatus 1 so as to advance each processing process described later. Instructions (each step) are embedded in According to the control signal, the carrier C is transferred, the second mounting table 16 is advanced and retracted, the removal mechanism 6 is advanced and retracted, the wafer W is transferred, the lid 42 is opened and closed, the open / close door 5 is opened and closed, and the N2 gas is supplied to the lid 42. The wafer W is transferred and processed as described later. This program is stored in a storage medium such as a computer storage medium such as a flexible disk, a compact disk, a hard disk, an MO (magneto-optical disk), and a memory card, and installed in the control unit 1A.

次に上述の実施の形態の作用について説明する。フィルタユニット３１から下方へ向けてエアが供給され、このエアがイオナイザ３２によりイオン化されて、さらに下方へ供給され、第２の載置台１６が設けられる第２の搬送領域１３に下降気流が形成される。この下降気流により、前記第２の搬送領域１３に存在するパーティクルは除電され、キャリアＣへの付着力が弱まる。   Next, the operation of the above embodiment will be described. Air is supplied downward from the filter unit 31, this air is ionized by the ionizer 32, supplied further downward, and a downward airflow is formed in the second transport region 13 where the second mounting table 16 is provided. The Due to this descending airflow, the particles present in the second transport region 13 are neutralized and the adhesion to the carrier C is weakened.

そして、クリーンルームの天井部に沿って移動する図示しない自動搬送ロボットにより、キャリアＣが第１の載置台１４に載置される。続いてキャリア搬送機構２１により前記キャリアＣが第２の載置台１６に搬送され、フック１６ａにより第２の載置台１６に固定される。   Then, the carrier C is mounted on the first mounting table 14 by an automatic transfer robot (not shown) that moves along the ceiling of the clean room. Subsequently, the carrier C is transported to the second mounting table 16 by the carrier transport mechanism 21, and is fixed to the second mounting table 16 by the hook 16a.

進退機構１７により、第２の載置台１６は隔壁２の搬送口２０へ向けて前進し、キャリアＣは前記下降気流に曝されながら移動する。キャリアＣに付着しているパーティクルＰは、前記下降気流により除電され、当該パーティクルＰのキャリアＣに対する付着力が弱まり、当該気流に押し流されてキャリアＣから除去される（図８）。対向面部６０とキャリアＣの蓋体４２との距離ｄが５ｍｍになると、第２の載置台１６の移動速度が低下すると共に当該ガス吐出口６３から蓋体４２へイオナイザ６５によりイオン化されたＮ2ガスが吐出される。ガス吐出口６３から吐出されたＮ2ガスは、蓋体４２の前面と取り外し機構６の対向面部６０との隙間を流れ、蓋体４２の前面に付着しているパーティクルＰを除電し、このパーティクルＰの蓋体４２への付着力が弱まる。そして、付着力が弱まったパーティクルＰはこのＮ2ガスにより蓋体４２から押し流されて除去される（図９）。   By the advance / retreat mechanism 17, the second mounting table 16 moves forward toward the conveyance port 20 of the partition wall 2, and the carrier C moves while being exposed to the descending airflow. The particles P adhering to the carrier C are neutralized by the descending airflow, the adhesion force of the particles P to the carrier C is weakened, and they are pushed away by the airflow and removed from the carrier C (FIG. 8). When the distance d between the facing surface portion 60 and the lid 42 of the carrier C is 5 mm, the moving speed of the second mounting table 16 decreases, and N2 gas ionized from the gas discharge port 63 to the lid 42 by the ionizer 65. Is discharged. The N2 gas discharged from the gas discharge port 63 flows through the gap between the front surface of the lid body 42 and the opposed surface portion 60 of the removal mechanism 6, and neutralizes the particles P adhering to the front surface of the lid body 42. The adhesion force to the lid 42 is weakened. The particles P whose adhesion is weakened are pushed away from the lid 42 by the N2 gas and removed (FIG. 9).

キャリアＣの前進が続けられ、取り外し機構６のキー６９が蓋体４２の開口部４８を介して蓋体４２内に進入し、上記の距離ｄが所定の大きさになると、ガス吐出口６３からＮ2ガスの吐出が停止する。さらにキャリアＣが前進し、ウエハを受け渡すための受け渡し位置に移動し、隔壁２の搬送口２０の周りのシール部材５１にキャリアＣの開口縁部４４が当接して、キャリアＣと開閉ドア５との間に閉塞空間５４が形成されると共に、前記取り外し機構６のキー６９が蓋体４２内の回動部４６に係合する（図１０）。   When the carrier C continues to advance, the key 69 of the removal mechanism 6 enters the lid body 42 through the opening 48 of the lid body 42, and the distance d reaches a predetermined size, the gas discharge port 63 N2 gas discharge stops. Further, the carrier C moves forward, moves to a delivery position for delivering the wafer, the opening edge 44 of the carrier C comes into contact with the seal member 51 around the transfer port 20 of the partition wall 2, and the carrier C and the opening / closing door 5. A closed space 54 is formed between them, and the key 69 of the detaching mechanism 6 engages with the rotating portion 46 in the lid 42 (FIG. 10).

前記閉塞空間５４の大気雰囲気が排気口５５から排気されると共に、ガス供給口５３からＮ2ガスが当該閉塞空間５４に供給され、当該閉塞空間５４にＮ2ガス雰囲気が形成される。キー６９が９０度回動し、蓋体４２とキャリア本体４１との係合が解除されると共にキー６９に蓋体４２が保持され、キー６９が蓋体４２を保持した状態で対向板６１が開閉ドア５へ向けて後退して、キャリア本体４１のウエハＷの取り出し口４３が開放される（図１１）。   The atmospheric atmosphere in the enclosed space 54 is exhausted from the exhaust port 55, and N 2 gas is supplied from the gas supply port 53 to the enclosed space 54, so that an N 2 gas atmosphere is formed in the enclosed space 54. The key 69 rotates 90 degrees, the engagement between the lid body 42 and the carrier body 41 is released, the lid body 42 is held by the key 69, and the counter plate 61 is held with the key 69 holding the lid body 42. Retreating toward the opening / closing door 5, the wafer W take-out port 43 of the carrier body 41 is opened (FIG. 11).

開閉ドア５が後退した後、下降して搬送口２０から退避し、キャリアＣ内がウエハ搬送領域Ｓ２に開放され（図１２）、ウエハ搬送機構２７によりキャリアＣ内のウエハＷが順次取り出されてウエハボート２３に移載される。キャリアＣ内のウエハＷが空になると、上述と逆の動作でキャリアＣの蓋体４２が閉じられると共にキャリア本体４１に固定される。然る後、第２の載置台１６が後退してキャリアＣが隔壁２から離れ、キャリア搬送機構２１によりキャリア保管部１８に搬送されて一時的に保管される。一方、ウエハＷが搭載されたウエハボート２３は熱処理炉２２内に搬入されて、ウエハＷに熱処理例えばＣＶＤ、アニール処理、酸化処理などが行われる。その後、処理を終えたウエハＷをキャリアＣに戻すときも、キャリアＣからウエハＷを払い出すときと同様の手順で蓋体４２が開放される。   After the open / close door 5 is retracted, it is lowered and retracted from the transfer port 20, the inside of the carrier C is opened to the wafer transfer region S2 (FIG. 12), and the wafers W in the carrier C are sequentially taken out by the wafer transfer mechanism 27. Transferred to the wafer boat 23. When the wafer W in the carrier C becomes empty, the lid 42 of the carrier C is closed and fixed to the carrier main body 41 by the reverse operation to that described above. Thereafter, the second mounting table 16 is retracted and the carrier C is separated from the partition wall 2 and is transported to the carrier storage unit 18 by the carrier transport mechanism 21 and temporarily stored. On the other hand, the wafer boat 23 on which the wafers W are loaded is loaded into the heat treatment furnace 22, and the wafers W are subjected to heat treatment such as CVD, annealing, and oxidation. Thereafter, when returning the processed wafer W to the carrier C, the lid 42 is opened in the same procedure as when the wafer W is discharged from the carrier C.

この縦型熱処理装置１は、隔壁の搬送口２０を開閉する開閉ドア５に設けられ、キャリアＣの蓋体４２の前面に対向する対向板６１と、当該対向板６１の対向面部６０に設けられたガス吐出口６３と、を備え、前記対向面部６０と前記蓋体４２との距離ｄを５ｍｍにして、ガス吐出口６３からＮ2ガスを吐出している。このように距離ｄを調整することで、後述の実験にも示すように前記Ｎ2ガスの流速を大きくし、蓋体４２に付着したパーティクルを確実に除去することができる。従って、パーティクルが蓋体４２を介してキャリア搬送領域Ｓ１からウエハ搬送領域Ｓ２に混入することを抑えることができる。後述の実験より前記距離ｄは５ｍｍに限られず、５ｍｍ以下であればよい。   The vertical heat treatment apparatus 1 is provided on the opening / closing door 5 that opens and closes the partition conveyance port 20, and is provided on a counter plate 61 that faces the front surface of the lid 42 of the carrier C and a counter surface portion 60 of the counter plate 61. Gas discharge port 63, and the distance d between the facing surface portion 60 and the lid body 42 is set to 5 mm, and N 2 gas is discharged from the gas discharge port 63. By adjusting the distance d in this way, the flow rate of the N2 gas can be increased as shown in the experiment described later, and the particles adhering to the lid 42 can be reliably removed. Therefore, it is possible to prevent particles from entering the wafer transfer area S2 from the carrier transfer area S1 via the lid 42. From the experiment described later, the distance d is not limited to 5 mm and may be 5 mm or less.

前記Ｎ2ガスはイオナイザ６５によりイオン化されているため、より確実に蓋体４２のパーティクルを除去できる。また、前記対向面部６０に設けられた旋回溝６７により、対向板６１の厚さ方向に見て、旋回するようにＮ2ガスの流れが形成される。このような流れを形成することでパーティクルに作用する風圧が大きくなるので、蓋体４２のパーティクルの除去率を高くすることができる。さらに、イオン化されたＮ2ガスによる下降気流をキャリアＣに供給しているため、キャリアＣのパーティクルの付着を抑えると共にキャリアＣからのパーティクルの除去率が高くなるため、より確実にウエハ搬送領域Ｓ２へのパーティクルの混入を抑えることができる。   Since the N2 gas is ionized by the ionizer 65, the particles on the lid 42 can be more reliably removed. Also, the swirling groove 67 provided in the facing surface portion 60 forms a flow of N2 gas so as to swivel when viewed in the thickness direction of the facing plate 61. By forming such a flow, the wind pressure acting on the particles increases, so the particle removal rate of the lid 42 can be increased. Further, since the descending airflow caused by the ionized N2 gas is supplied to the carrier C, the adhesion of the particles on the carrier C is suppressed and the removal rate of the particles from the carrier C is increased. Of particles can be suppressed.

また、ガス吐出口６３からＮ2ガスを吐出する位置に至るまでは第２の載置台１６の移動速度を大きくし、前記位置からさらにキャリアＣを前進させるときには、当該第２の載置台１６の移動速度を低下させている。これによって十分な時間、蓋体４２がＮ2ガスに曝されてパーティクルが蓋体に残留することを防ぎ、且つキャリアＣが前記閉塞空間５４を形成するウエハの受け渡し位置に移動するまでの時間を抑え、スループットの低下を抑えることができる。また、上記の実施形態では、ガス吐出口６３からガスを吐出するときに第２の載置台１６の速度が低下させているが、速度を低下させる代わりに一旦第２の載置台１６の前進を停止させてもよい。つまり、第２の載置台１６の前進を止めた状態で、前記Ｎ2ガスの供給を続け、Ｎ2ガスの供給停止後に再度第２の載置台１６を前進させてもよい。   Further, the moving speed of the second mounting table 16 is increased until reaching the position where the N2 gas is discharged from the gas discharge port 63, and when the carrier C is further advanced from the position, the movement of the second mounting table 16 is performed. The speed is decreasing. This prevents the cover 42 from being exposed to N2 gas and particles remaining on the cover for a sufficient time, and suppresses the time until the carrier C moves to the wafer delivery position forming the closed space 54. , A decrease in throughput can be suppressed. In the above embodiment, the speed of the second mounting table 16 is decreased when gas is discharged from the gas discharge port 63. Instead of decreasing the speed, the second mounting table 16 is temporarily moved forward. It may be stopped. That is, the second mounting table 16 may be advanced again after the supply of the N2 gas is continued in a state where the advancement of the second mounting table 16 is stopped and the supply of the N2 gas is stopped.

上記の例ではキャリアＣを前進させるときにガス吐出口６３からＮ2ガスの吐出を行っているが、対向板６１を前進させるときにＮ2ガスの吐出を行ってもよい。例えば図１３に示すように、先ずキャリアＣを前記受け渡し位置に移動させる。そして、対向板６１をキャリアＣに向けて前進させ、上記のように距離ｄが５ｍｍ以下になったときにＮ2ガスを吐出する。蓋体４２から除去されたパーティクルＰは、排気口５５から排気されて除去される。この場合にも上記の例と同様にＮ2ガスの供給開始前は対向板６１の前進速度を大きくし、Ｎ2ガスの供給開始後は対向板６１の前進速度を小さくすることで、スループットの向上とパーティクルの除去率の上昇とを図ることができる。また、この場合にも前進速度を小さくする代わりに、一旦対向板６１の前進を止めてガス供給を行ってもよい。   In the above example, N2 gas is discharged from the gas discharge port 63 when the carrier C is moved forward, but N2 gas may be discharged when the counter plate 61 is moved forward. For example, as shown in FIG. 13, the carrier C is first moved to the delivery position. Then, the counter plate 61 is advanced toward the carrier C, and N2 gas is discharged when the distance d becomes 5 mm or less as described above. The particles P removed from the lid body 42 are exhausted from the exhaust port 55 and removed. Also in this case, as in the above example, the forward speed of the counter plate 61 is increased before the supply of N2 gas is started, and the forward speed of the counter plate 61 is decreased after the supply of N2 gas is started, thereby improving throughput. It is possible to increase the particle removal rate. Also in this case, instead of reducing the forward speed, the counter plate 61 may be temporarily stopped to perform gas supply.

被処理体が半導体ウエハである例について説明したが、被処理体はこれに限られずガラス基板やＬＣＤ基板であってもよい。また、開閉ドア５及び隔壁２は大気雰囲気と不活性ガス雰囲気とを区画することに限られず、例えば互いに湿度が異なるように制御された領域を区画する構成であってもよい。また、ガス吐出口６３から吐出するパージガスはＮ2ガスに限られず、エアやＡｒなど他の不活性ガスであってもよい。   Although an example in which the object to be processed is a semiconductor wafer has been described, the object to be processed is not limited to this and may be a glass substrate or an LCD substrate. In addition, the opening / closing door 5 and the partition wall 2 are not limited to partitioning an air atmosphere and an inert gas atmosphere, and may be configured to partition regions controlled to have different humidity, for example. Further, the purge gas discharged from the gas discharge port 63 is not limited to N 2 gas, but may be other inert gas such as air or Ar.

（評価試験１）
本発明に関連する評価試験１について説明する。図１４、１５に示すように２つの板８１、８２を対向させた。板８２の中心にはＮ2ガスの吐出口８３が形成され、ガス供給管８４から供給されたＮ2ガスを板の厚さ方向に供給できるようになっている。図中Ｘは板８１、８２の隙間を示している。板８１の表面に測定ポイントＡを設定し、当該測定ポイントＡの風速について、前記隙間Ｘの大きさ及び吐出口８３からのＮ2ガス流量を夫々変更して測定した。図中ｒは、吐出口８３の中心軸８５から前記測定ポイントＡの距離を示し、この評価試験１ではｒ＝１５０ｍｍに設定した。Ｎ2ガスの流量は、１０ｓｌｍ（Ｌ／分）、５０ｓｌｍ、１００ｓｌｍに夫々設定した。 (Evaluation Test 1)
The evaluation test 1 related to the present invention will be described. As shown in FIGS. 14 and 15, the two plates 81 and 82 are opposed to each other. An N2 gas discharge port 83 is formed at the center of the plate 82 so that the N2 gas supplied from the gas supply pipe 84 can be supplied in the thickness direction of the plate. In the figure, X indicates a gap between the plates 81 and 82. A measurement point A was set on the surface of the plate 81, and the wind speed at the measurement point A was measured by changing the size of the gap X and the N2 gas flow rate from the discharge port 83, respectively. In the figure, r represents the distance from the central axis 85 of the discharge port 83 to the measurement point A, and in this evaluation test 1, r was set to 150 mm. The flow rate of N2 gas was set to 10 slm (L / min), 50 slm, and 100 slm, respectively.

図１６のグラフに実験結果を示している。グラフ中の縦軸は測定ポイントＡの風速（単位：ｍ／秒）を示し、横軸は前記隙間Ｘの大きさ（単位：ｍｍ）を示している。Ｎ2ガスの流量が１０ｓｌｍ、５０ｓｌｍ、１００ｓｌｍのいずれの場合であっても隙間Ｘが大きくなるにつれて風速が低下していき、Ｘが５ｍｍでは０に近くなる。５ｍｍを越えると風速は略０になると考えられ、上記の実施形態に適用した場合にパーティクルの除去能力が低くなってしまうと考えられることから、上記の実施形態で説明したように、蓋体４２と対向面部６０との距離を５ｍｍ以下に近接させることが必要であることが分かる。また、この評価試験１でＮ2ガスの流量がいずれの場合であっても、Ｘが１ｍｍ以下になると、風速の上昇率が高くなる。従って、上記の実施形態で、距離ｄが１ｍｍ以下であるときにガス吐出口６３からＮ2ガスを吐出することが特に有効である。   The experimental results are shown in the graph of FIG. The vertical axis in the graph indicates the wind speed (unit: m / second) at the measurement point A, and the horizontal axis indicates the size of the gap X (unit: mm). Even if the flow rate of N2 gas is any of 10 slm, 50 slm, and 100 slm, the wind speed decreases as the gap X increases, and near 0 when X is 5 mm. If it exceeds 5 mm, the wind speed is considered to be substantially zero, and when applied to the above-described embodiment, it is considered that the ability to remove particles becomes low. Therefore, as described in the above-described embodiment, the lid body 42. It can be seen that it is necessary to make the distance between the opposite surface portion 60 and 5 mm or less close to each other. Further, in any of the cases where the flow rate of N2 gas in this evaluation test 1, when X becomes 1 mm or less, the rate of increase in wind speed increases. Therefore, in the above embodiment, it is particularly effective to discharge N2 gas from the gas discharge port 63 when the distance d is 1 mm or less.

なお、クリーンルームに持ち込まれる資材などにエアを吐出し、パーティクルを除去するエアシャワーは、前記エアの風速が２０〜３０ｍ／秒となるように設計されている。この実験で測定した範囲ではＮ2ガスの流量を１００ｓｌｍに設定し、前記Ｘが０ｍｍに近づいたときに風速が２０ｍ／秒となっている。従って、このエアシャワーと同等の性能を得るためには、上記の実施形態でガス吐出口６３から吐出するＮ2ガスを１００ｓｌｍ以上の流量に設定することが有効である。   In addition, the air shower which discharges air to the material etc. which are brought into a clean room, and removes a particle is designed so that the wind speed of the said air may be 20-30 m / sec. In the range measured in this experiment, the flow rate of N2 gas is set to 100 slm, and when the X approaches 0 mm, the wind speed is 20 m / sec. Therefore, in order to obtain the same performance as this air shower, it is effective to set the N2 gas discharged from the gas discharge port 63 in the above embodiment to a flow rate of 100 slm or more.

（評価試験２）
評価試験１と同様の装置を用い、前記測定ポイントＡの位置、つまり前記ｒの大きさを変えて風速の測定を行った。前記隙間Ｘの大きさは１ｍｍに設定した。Ｎ2ガスの流量は、評価試験１と同様に１０ｓｌｍ、５０ｓｌｍ、１００ｓｌｍに夫々設定した。 (Evaluation test 2)
Using the same apparatus as in Evaluation Test 1, the position of the measurement point A, that is, the magnitude of r was changed, and the wind speed was measured. The size of the gap X was set to 1 mm. The flow rate of N2 gas was set to 10 slm, 50 slm, and 100 slm, respectively, as in Evaluation Test 1.

図１７は、この実験の結果を示すグラフである。グラフ中の縦軸は測定ポイントＡの風速（単位ｍ／秒）を示し、横軸は前記ｒの大きさ（単位ｍｍ）を示している。グラフに示すようにｒが小さいほど、各流量間で風速の差が大きい。そして、ｒが大きくなるほど各流量間で風速の差が小さくなり、次第に０に近づいていく。従って、対向板６１において、確実にパーティクルを除去するために当該対向板６１のガス吐出口６３は複数設けることが好ましい。   FIG. 17 is a graph showing the results of this experiment. The vertical axis in the graph indicates the wind speed (unit m / second) at the measurement point A, and the horizontal axis indicates the size of r (unit mm). As shown in the graph, the smaller r is, the greater the difference in wind speed between the flow rates. As r increases, the difference in wind speed between the flow rates decreases, and gradually approaches zero. Therefore, it is preferable to provide a plurality of gas discharge ports 63 of the counter plate 61 in order to reliably remove particles in the counter plate 61.

Ｃ キャリア
Ｗ ウエハ
Ｓ１ キャリア搬送領域
Ｓ２ ウエハ搬送領域
１ 縦型熱処理装置
１Ａ 制御部
１６ 第２の載置台
１７ 進退機構
２ 隔壁
２０ 搬送口
３１ フィルタユニット
３２ イオナイザ
５ 開閉ドア
６ 取り外し機構
６１ 対向板
６０ 対向面部
６３ ガス吐出口
６６ イオナイザ C Carrier W Wafer S1 Carrier transfer area S2 Wafer transfer area 1 Vertical heat treatment apparatus 1A Control unit 16 Second mounting table 17 Advancement / retraction mechanism 2 Bulkhead 20 Transfer port 31 Filter unit 32 Ionizer 5 Opening / closing door 6 Removal mechanism 61 Opposing plate 60 Opposing Surface 63 Gas outlet 66 Ionizer

Claims (2)

搬送容器の搬送領域の雰囲気と基板搬送領域の雰囲気とを区画する隔壁に形成され、開閉ドアにより開閉される搬送口の口縁部に、搬送容器の基板取り出し口の口縁部を密着させ、前記開閉ドアにおける前記搬送容器に対向する対向面部に設けられた蓋体取り外し機構を、搬送容器の蓋体の前面側の開口部を介して蓋体内に進入させて蓋体と搬送容器本体との係合を解除し、当該蓋体を保持するように構成された搬送容器の開閉装置において、
前記蓋体の前面が前記搬送口に向くように搬送容器を載置する載置台と、
前記対向面部に設けられ、前記蓋体に付着したパーティクルを除去するためのパージガスを供給するためのガス吐出口と、
前記載置台に載置された搬送容器に対して、前記対向面部を進退させる進退機構と、
前記載置台に前記搬送容器が載置されて固定された状態で前記載置台を前進させることにより前記搬送口の口縁部に搬送容器の基板取り出し口の口縁部を密着させて前記開閉ドアと前記搬送容器の蓋体との間に閉塞空間を形成するステップと、次いで、前記対向面部を前記進退機構により搬送容器の蓋体に向かって、前記対向面部から前記搬送容器の蓋体までの距離が５ｍｍ以下であり、且つ蓋体と対向面部とが離間しているガス供給有効位置まで第１の速度で移動させるステップと、このステップの後、パージガスの供給を続けたまま、当該対向面部を前記ガス供給有効位置で停止させるか、あるいは第１の速度よりも遅い第２の速度で、前記ガス供給有効位置よりも前記搬送容器の蓋体に接近させるステップと、次いで、前記閉塞空間内の大気雰囲気を排気口から排気すると共にガス供給口からパージガスを供給して当該閉塞空間をパージガス雰囲気に置換するステップと、しかる後、蓋体取り外し機構により蓋体を搬送容器本体から取り外すステップと、を実行するように制御信号を出力する制御部と、
を備えたことを特徴とする蓋体開閉装置。 It is formed in a partition wall that divides the atmosphere of the transport region of the transport container and the atmosphere of the substrate transport region, and the rim portion of the transport port of the transport container is closely attached to the rim portion of the transport port that is opened and closed by the open / close door, A lid removing mechanism provided on a surface of the opening / closing door facing the transport container is caused to enter the lid body through an opening on the front surface side of the lid of the transport container so that the lid body and the transport container main body In the opening and closing device of the transport container configured to release the engagement and hold the lid,
A mounting table for mounting a transport container so that the front surface of the lid faces the transport port;
A gas discharge port for supplying a purge gas provided on the facing surface portion for removing particles attached to the lid;
An advancing / retreating mechanism for advancing / retreating the facing surface portion with respect to the transport container placed on the mounting table;
By moving the mounting table forward while the transfer container is mounted and fixed on the mounting table, the opening / closing door is brought into close contact with the opening edge of the substrate outlet of the transfer container. And a step of forming a closed space between the container and the lid of the transport container, and then moving the facing surface portion toward the lid of the transport container by the advance / retreat mechanism from the facing surface portion to the lid of the transport container. A step of moving at a first speed to a gas supply effective position where the distance is 5 mm or less and the lid and the facing surface portion are separated from each other; and after this step, the facing surface portion is kept while the supply of the purge gas is continued. Stopping at the gas supply effective position, or approaching the lid of the transport container at a second speed lower than the first speed, and then in the closed space. A step of exhausting the atmospheric atmosphere from the exhaust port and supplying a purge gas from the gas supply port to replace the closed space with the purge gas atmosphere; and thereafter, a step of removing the lid body from the transport container body by the lid body removing mechanism. A control unit that outputs a control signal to be executed;
A lid opening and closing device comprising: 前記ガス吐出口は、前記対向面部の複数個所に設けられることを特徴とする請求項１記載の蓋体開閉装置。 The gas discharge port, the lid opening and closing device according to claim 1, wherein the provided at a plurality of positions of the opposing surface.
JP2014144393A 2014-07-14 2014-07-14 Lid opening / closing device Expired - Fee Related JP5807708B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014144393A JP5807708B2 (en) 2014-07-14 2014-07-14 Lid opening / closing device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014144393A JP5807708B2 (en) 2014-07-14 2014-07-14 Lid opening / closing device

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011068399A Division JP2012204645A (en) 2011-03-25 2011-03-25 Lid opening/closing device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014220515A JP2014220515A (en) 2014-11-20
JP5807708B2 true JP5807708B2 (en) 2015-11-10

Family

ID=51938648

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014144393A Expired - Fee Related JP5807708B2 (en) 2014-07-14 2014-07-14 Lid opening / closing device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5807708B2 (en)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3955724B2 (en) * 2000-10-12 2007-08-08 株式会社ルネサステクノロジ Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device
JP2002368061A (en) * 2001-06-12 2002-12-20 Sony Corp Device for opening/closing storage container and storage container
JP2005187967A (en) * 2003-12-25 2005-07-14 Paper Documents Conservation Studio Inc Preservation and restoration method and apparatus for paper data
JP5037897B2 (en) * 2006-10-24 2012-10-03 株式会社いけうち nozzle
JP2010165741A (en) * 2009-01-13 2010-07-29 Hitachi High-Tech Control Systems Corp Mini-environment substrate transport device, load port and method of eliminating electricity in substrate within transport container

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014220515A (en) 2014-11-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2012204645A (en) Lid opening/closing device
JP5617708B2 (en) Lid opening / closing device
JP4251580B1 (en) Containment transport system
WO2019168662A1 (en) Substrate processing apparatus and methods with factory interface chamber filter purge
EP3605598B1 (en) Thin-plate substrate holding finger and transfer robot provided with said finger
JP2009164213A (en) Vacuum processing apparatus and vacuum processing method, and storage medium
JP5729148B2 (en) Opening / closing device for substrate transfer container, opening / closing device for lid and semiconductor manufacturing device
TWI707422B (en) Substrate treatment system and substrate transporting method
JP2022162002A (en) Efem, and gas replacement method in efem
JP6679907B2 (en) Load port device and method for introducing cleaning gas into container in load port device
JP2006228808A (en) Apparatus and method of transporting substrate, and semiconductor fabrication apparatus
CN110010535B (en) Substrate carrying in/out device, processing device, and method for removing electricity from substrate carrying container
TWI606536B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP4790326B2 (en) Processing system and processing method
JP2012028087A (en) Ion supply device and processing system for workpiece equipped with the same
JP5807708B2 (en) Lid opening / closing device
JP2011159834A (en) Substrate carrier device with gas replacement device, substrate carrier system, and replacement method
TWI495032B (en) Transfer mechanism for target item for processing, and processing system for target item for processing
JP2019091753A (en) Load port device
JP2016066689A (en) Container cleaning device and container cleaning method
JP4877980B2 (en) Vertical heat treatment apparatus and particle adhesion prevention method
JP4359109B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2005347667A (en) Semiconductor fabrication device
JP2002246436A (en) Substrate processor
JP6910760B2 (en) Container cleaning device and cleaning method

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140903

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150416

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150526

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150717

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150811

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150824

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5807708

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees