JP5807340B2 - ダイシングテープ一体型接着シート - Google Patents
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Description
(1)接着フィルムを任意のサイズに切り出して配線付基材、または半導体チップ上に貼り付け、半導体チップを熱圧着する。
(2)接着フィルムをシリコンウェハ全体に貼り付けた後に回転刃にて個片化し、接着フィルム付きの半導体チップを得て、それを配線付基材、半導体チップに熱圧着する。
(1)まず、接着フィルムのダイボンディングフィルム40と、シリコンウェハ60とを貼り合わせる。次に、接着フィルムの基材層をはく離し、基材フィルム10と粘着層(粘着層20及び粘着層30)とが積層されたダイシングテープの粘着層とダイボンディングフィルム40とを貼り合わせる。
(2)まず、接着フィルムのダイボンディングフィルム40と、基材フィルム10と粘着層(粘着層20及び粘着層30)が積層されたダイシングテープの粘着層とを貼り合わせる。次に、接着フィルムの基材層を剥離し、ダイボンディングフィルム40とシリコンウェハ60とを貼り合わせる。
温度計、攪拌機及び塩化カルシウム管を備えた500mLの四つ口フラスコに、エーテルジアミン2000(BASF社製)(0.02モル)、1,12―ジアミノドデカン(0.08モル)及びN−メチル−2−ピロリドン150gをとり、60℃にて撹拌し、ジアミンを溶解した。ジアミンの溶解後、2,2−ビス[4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル]プロパン二無水物(0.1モル)を少量ずつ添加した。60℃で1時間反応させた後、N2ガスを吹き込みながら170℃で加熱し、水を溶剤の一部と共沸除去した。この反応液をポリイミド樹脂のNMP溶液として得た。
(1)粘着層A(第1の粘着層)と基材との積層品
主モノマーとして2−エチルヘキシルアクリレート及びメチルメタクリレートを用い、官能基モノマーとしてヒドロキシエチルメタクリレート及びアクリル酸を用いて、溶液重合法にて接着剤であるアクリル共重合体を得た。このアクリル共重合体の重量平均分子量は40万であり、ガラス転移点は−38℃であった。このアクリル共重合体100重量部に対し、多官能イソシアネート架橋剤(三菱化学株式会社製)を15重量部配合した接着剤溶液を調製した。この接着剤溶液を、シリコーン系離型剤を塗布したニ軸延伸ポリエステルフィルムセパレータ(厚さ38μm)の上に、乾燥時の粘着層厚さが10μmになるよう塗工した。これを100℃で2分間乾燥してセパレータ上に粘着層を形成後、ポリオレフィンフィルム(厚さ100μm)を当該粘着層面にラミネートした。この多層フィルムを室温で1週間放置し十分にエージングを行った後、試験に使用した。
主モノマーとしてブチルアクリレート、エチルアクリレート及びアクリロニトリルを用い、官能基モノマーとしてヒドロキシエチルアクリレートを用いて、溶液重合法にて接着剤であるアクリル共重合体を得た。このアクリル共重合体の重量平均分子量は70万であり、ガラス転移点は−30℃であった。このアクリル共重合体100質量部に対し、多官能イソシアネート架橋剤(日本ポリウレタン工業株式会社製)を2.2質量部配合した接着剤溶液を調製した。この接着剤溶液を、シリコーン系離型剤を塗布したニ軸延伸ポリエステルフィルムセパレータ(厚さ25μm)の上に、乾燥時の粘着層厚さが20μmになるよう塗工した。これを100℃で2分間乾燥してセパレータ上に粘着層を形成後、シリコーン系離型剤を塗布した別の二軸延伸ポリエステルフィルムセパレータ(厚さ25μm)を当該粘着層面にラミネートした。
主モノマーとして2−エチルヘキシルアクリレート及びメチルメタクリレートを用い、官能基モノマーとしてヒドロキシエチルメタクリレート及びアクリル酸を用いて、溶液重合法にて接着剤であるアクリル共重合体を得た。このアクリル共重合体の重量平均分子量は40万であり、ガラス転移点は−38℃であった。このアクリル共重合体100重量部に対し、多官能イソシアネート架橋剤(三菱化学株式会社製)を15重量部配合した接着剤溶液を調製した。この接着剤溶液を、シリコーン系離型剤を塗布したニ軸延伸ポリエステルフィルムセパレータ(厚さ38μm)の上に、乾燥時の粘着層厚さが20μmになるよう塗工した。これを100℃で2分間乾燥してセパレータ上に粘着層を形成後、シリコーン系離型剤を塗布した別の二軸延伸ポリエステルフィルムセパレータ(厚さ25μm)を当該粘着層面にラミネートした。
主モノマーとしてブチルアクリレート、エチルアクリレート及びアクリロニトリルを用い、官能基モノマーとしてヒドロキシエチルアクリレートを用いて、溶液重合法にて接着剤であるアクリル共重合体を得た。このアクリル共重合体の重量平均分子量は70万であり、ガラス転移点は−30℃であった。このアクリル共重合体100質量部に対し、多官能イソシアネート架橋剤(日本ポリウレタン工業株式会社製)を2.2質量部配合した接着剤溶液を調製した。この接着剤溶液を、シリコーン系離型剤を塗布したニ軸延伸ポリエステルフィルムセパレータ(厚さ38μm)の上に、乾燥時の粘着層厚さが10μmになるよう塗工した。これを100℃で2分間乾燥してセパレータ上に粘着層を形成後、ポリオレフィンフィルム(厚さ100μm)を当該接着剤層面にラミネートした。この多層フィルムを室温で1週間放置し十分にエージングを行った後、試験に使用した。
(実施例1)
上記(1)の粘着層Aと基材との積層品(ダイシングテープ)の粘着層A上に、直径195mmの円環状に切り抜いた上記(2)の粘着層Bを、リングフレーム固定用の粘着層として貼り付けた。その後、直径193mmに円形加工したダイボンディングフィルムを(2)の粘着層Bと同心をなすように貼り付け、ダイシングテープ一体型接着シートを作製した。そして、株式会社JCM社製の「DM−300−H」を用いて、直径8インチ、厚み50μmの半導体ウェハをこのダイボンディングフィルムと同心をなすように60℃の熱板上で貼り合わせて、半導体ウェハの積層品を作製した。
上記(2)の粘着層Bに代えて(3)の粘着層aを用いたこと以外は実施例1と同様にして、半導体ウェハの積層品を作製した。
上記(1)において乾燥条件を100℃で10分間に変更し、上記(2)において乾燥条件を80℃で2分間に変更したこと以外は実施例1と同様にして、半導体ウェハの積層品を作製した。
上記(1)の粘着層Aと基材との積層品に代えて(4)の粘着層bと基材との積層品を用いたこと以外は実施例1と同様にして、半導体ウェハの積層品を作製した。
上記(2)の粘着層Bを直径210mmの円環状に切り抜き、粘着層Bが半導体ウェハと接しない構造としたこと以外は実施例1と同様にして、の積層品を作製した。
上記(1)の粘着層Aと基材との積層品に代えて(4)の粘着層bと基材との積層品を用いたこと、及び上記(2)の粘着層Bに代えて(3)の粘着層aを用いたこと、以外は実施例1と同様にして、半導体ウェハの積層品を作製した。
(密着力の評価)
上記実施例1及び比較例1〜6で作製したサンプル(半導体ウェハの積層品)について、各界面における密着力の測定は以下のとおり行った。
粘着層を30℃、線圧5kgf、10mm/sの条件でリングフレームに貼付け、ダイサーにて25mm幅に切断した。そして、テンシロン引張強度試験機「RTA−100型」を用いて、垂直方向に200mm/minの速度で粘着層を剥離したときの強度を、強粘着層とリングフレーム界面の密着力とした。
(ii)粘着層界面の密着力
一方の粘着層を60℃、線圧5kgf、10mm/sの条件でもう一方の粘着層に貼付けたこと以外は、(i)と同様にして測定した。
(iii)粘着層とダイボンディングフィルム界面の密着力
粘着層を60℃、線圧5kgf、10mm/sの条件でダイボンディングフィルムに貼付けたこと以外は、(i)と同様にして測定した。
株式会社ディスコ社製のフルオートダイサー「DFD−6361」を用いて、上記実施例1及び比較例1〜5で作製したサンプルを切断した。サンプルの切断では、直径250mmの開口を有する円環状のリングフレームを用いた。サンプルの切断では、ブレード1枚で加工が完了するシングルカット方式を採用し、株式会社ディスコ社製のダイシングブレード「NBC−ZH104F−SE 27HDBB」をブレードとして用いた。サンプルの切断は、ブレード回転数45,000rpm、切断速度50mm/sの条件にて行った。切断時のブレードハイトは、ダイシング基材を20μm切り込む設定(80μm)とした。半導体ウェハは10×10mmのサイズに切断し、半導体チップを得た。
上記工程で得られた半導体チップのピックアップ性について、ルネサス東日本セミコンダクタ社製フレキシブルダイボンダー「DB−730」を使用して評価した。ピックアップ用コレットには、マイクロメカニクス社製「RUBBER TIP 13−087E−33(サイズ:10×10mm)」を用い、突上げピンには、マイクロメカニクス社製の「EJECTOR NEEDLE SEN2−83−05(直径:0.7mm、先端形状:直径350μmの半円)」を用いた。突上げピンは、ピン中心間隔4.2mmで9本配置した。ピックアップ時のピンの突上げ速度:10mm/s、突上げ高さ:1000μmの条件でピックアップ性を評価した。連続100チップをピックアップし、チップ割れやピックアップミス等が発生しなかった場合を良好(A)、1チップでもチップ割れやピックアップミス等が発生した場合を不良(B)と判定した。
ピックアップ工程後、サンプルをリングフレームから剥がした際の、リングフレームへの粘着層の転写の有無を評価した。具体的には、リングフレームを固定した状態で、シリコンウェハ貼付け面側から各積層品を押すことによりリングフレームと粘着層とを剥がしたとき、粘着層界面で剥離が生じ、リングフレームへの粘着層の転写が発生しなかったものを良好(A)、転写が発生したものを不良(B)と判定した。
比較例2は、第1の粘着層と第2の粘着層との密着力が、第2の粘着層とリングフレームとの密着力が同程度のため、リングフレームからダイシングテープを剥がす際に第1の粘着層と第2の粘着層との界面で剥離が発生し、リングフレームに第2の粘着層が転写してしまった。
比較例3は、第1の粘着層とダイボンディングフィルムとの密着力が強く、ピックアップ時にチップ割れやピックアップミスが発生してしまった。
比較例4は、強粘着層である第2の粘着層と半導体ウエハとが接していないため、ダイシング時に半導体チップ飛びが発生してしまった。
比較例5は、第1の粘着層とダイボンディングフィルムとの密着力が強く、第2の粘着層と半導体ウェハ及びリングフレームとの密着力が弱かった。そのため、ダイシング時にリングフレームから第2の粘着層が剥離し、チップ割れ等が発生してしまった。
Claims (2)
- 基材と、
前記基材上に配置される第1の粘着層と、
前記第1の粘着層上に配置され、前記第1の粘着層が露出する開口を有する第2の粘着層と、
前記開口に配置されるダイボンディングフィルムと、を備えるダイシングテープ一体型接着シートであり、
前記開口及び前記ダイボンディングフィルムの直径が、前記第2の粘着層と接触するように前記ダイボンディングフィルム上に配置されるシリコンウェハの直径よりも小さく、
前記第2の粘着層の粘着力が、前記第1の粘着層の粘着力よりも大きく、
前記第1の粘着層と前記ダイボンディングフィルムとの密着力が、前記第2の粘着層と前記シリコンウェハとの密着力よりも小さく、
前記第1の粘着層と前記第2の粘着層との密着力が、前記第2の粘着層と前記第2の粘着層上に配置されるリングフレームとの密着力よりも大きい、ダイシングテープ一体型接着シート。 - 前記ダイボンディングフィルムが、前記第2の粘着層の内周部より内側に位置するよう前記開口に配置されている、請求項1に記載のダイシングテープ一体型接着シート。
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Cited By (2)
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