JP5796941B2 - 有機発光表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、有機発光表示装置に関し、より詳細には、封止薄膜を有する有機発光表示装置およびその製造方法に関する。

有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ ｄｉｓｐｌａｙ、ＯＬＥＤ）は、自発光特性を有し、別途の光源を必要としないため、軽量で薄型に製作することのできる平板表示装置である。さらに、低い消費電力、高い輝度、および高い反応速度などの高品位特性を示すため、次世代表示装置として注目されている。

有機発光表示装置は、有機発光素子が形成された基板を含む。ところが、有機物で構成されている有機発光素子は、水分または酸素と結合するとその性能が低下する。したがって、有機発光表示装置では、水分と酸素の浸透を防ぐために封止技術を用いる。一般的に、メタルカン（ｍｅｔａｌ ｃａｎ）またはガラスを用いて表示基板を封止する。

しかしながら、このようなメタルカンまたはガラスの場合には、全体表示装置の厚さを減らすのに限界が存在する。さらに、最近、フレキシブルディスプレイ（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｄｉｓｐｌａｙ）がイシューとなっているが、メタルカンまたはガラスはその材料の特性上、有機発光表示装置を柔軟に実現することに適さない。

一方、有機発光表示装置を形成する過程において、有機発光素子およびこれを駆動するための駆動回路などをパターニングするためにマスク（ｍａｓｋ）が用いられる。このようなマスクはパターニング過程で基板と接触することがあり、このような接触によってパーティクル（ｐａｒｔｉｃｌｅ）が発生することがある。このようなパーティクルは水分および酸素と共に有機発光表示装置の内部に侵入して有機発光素子の性能を低下させ、これによって有機発光表示装置の寿命を減少させるという問題点がある。

本発明は、上述した背景技術の問題点を解決するためのものであって、水分および酸素の内部浸透による有機発光素子の性能低下を抑制した有機発光表示装置を提供することを目的とする。また、パーティクルの発生を抑制する有機発光表示装置の製造方法を提供することを他の目的とする。

本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置は、基板、前記基板上に形成された駆動回路および有機発光素子、前記駆動回路および有機発光素子上に形成された封止薄膜、および前記基板上で前記封止薄膜の周囲を囲むように形成されたスペーサを含む。

前記スペーサの高さは、前記駆動回路および前記有機発光素子を積層した高さよりも高く形成されてもよい。

前記スペーサの高さは、前記駆動回路、前記有機発光素子、および前記封止薄膜を積層した高さよりも高く形成されてもよい。

前記スペーサの高さは３μｍ以上５μｍ以下であってもよい。

前記スペーサは、アクリル、ウレタン、およびポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）のうちのいずれか１つを含んでもよい。

前記スペーサは、前記封止薄膜の周辺に沿って前記封止薄膜と直接に接触してもよい。

前記封止薄膜は少なくとも１対の無機膜と有機膜を含み、前記無機膜と前記有機膜を交互に積層して形成されてもよい。

本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法は、基板を準備する段階、前記基板の周縁に沿って前記基板上にスペーサを形成する段階、前記基板上で前記スペーサによって区画された内部領域に駆動回路および有機発光素子を形成する段階、および前記駆動回路および前記有機発光素子を覆うように封止薄膜を形成する段階を含む。前記駆動回路および前記有機発光素子を形成するために用いられるマスクは、前記スペーサ上に配置する。

前記スペーサの高さは、前記駆動回路および前記有機発光素子を積層した高さよりも高く形成してもよい。

前記スペーサの高さは、前記駆動回路、前記有機発光素子、および前記封止薄膜を積層した高さよりも高く形成してもよい。

前記スペーサの高さは３μｍ以上５μｍ以下で形成してもよい。

前記スペーサは、アクリル、ウレタン、およびポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）のうちのいずれか１つを含んで形成してもよい。

前記封止薄膜は、前記内部領域で前記スペーサと接触するように形成してもよい。
前記封止薄膜は、少なくとも１対の有機膜と無機膜を交互に積層して形成してもよい。

以上説明したように、本発明の一実施形態によれば、有機発光表示装置の内部への水分および酸素の浸透を抑制し、有機発光表示装置の性能低下を防ぐことができる。
また、有機発光表示装置の製造過程において、パーティクルの発生を抑制して有機発光表示装置の不良発生を抑制し、寿命を延長させることができる。

本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の平面図である。 図１のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の断面図である。 本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の画素の平面配置図である。 図３のＩＶ−ＩＶ線に沿って切断した本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の画素の断面図である。 本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置とマスクの接触した形態を示す図である。

以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態について、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が容易に実施できる程度に詳しく説明する。

本発明を明確に説明するために説明上で不必要な部分は省略し、図面で示す各構成の大きさなどは説明の便宜のために任意に示したため、本発明が必ずしも示されたものに限定されることはない。さらに、層、膜などの構成要素が他の構成要素「の上に」または「上に」あるとするとき、これは他の構成要素の「すぐ上に」ある場合だけではなく、その中間に他の構成要素がある場合も含まれる。

図１は、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の平面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した有機発光表示装置の断面図であって、これらを参照して本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置について説明する。

本実施形態に係る有機発光表示装置は、表示基板１１０、封止薄膜２１０、およびスペーサ３００を含む。

表示基板１１０は、映像を表示するためのものであって、表示基板１１０上には駆動回路ＤＣが形成され、駆動回路ＤＣ上には有機発光素子７０が形成され、これによって映像を実現する。具体的に、有機発光素子７０は、有機物からなる有機発光層を含み、薄膜トランジスタおよび蓄電素子などを含む駆動回路によって駆動されて発光する。

有機発光素子７０上には封止薄膜２１０が形成され、有機発光素子７０を密封する。具体的に、封止薄膜２１０は、有機発光素子７０上で有機膜と無機膜が交互に積層され、有機発光素子７０および駆動回路（ＣＤ）を覆うように形成される。

有機発光表示装置は、十分な寿命を確保するために低い水蒸気透過率（Ｗａｔｅｒ Ｖａｐｏｒ Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｒａｔｅ、ＷＶＴＲ）を要求する。本実施形態では、封止薄膜２１０を利用して有機発光素子７０を密封することによって有機発光素子７０および駆動回路ＤＣ内部に水分および酸素が浸透することを抑制し、これにより、約１０^−６ｇ／ｍ^２／ｄａｙ以下の低い水蒸気透過率を実現するようになる。

一方、本実施形態では、スペーサ３００が表示基板１１０上で封止薄膜２１０の周囲を囲むように形成される。スペーサ３００は駆動回路ＤＣおよび有機発光素子７０を形成するためにマスク（ｍａｓｋ）を支持するためのものであって、これについては後述して説明する。

スペーサ３００の平面形状は、有機発光素子７０および封止薄膜２１０の平面形状によって決定されるが、本実施形態では、有機発光素子７０および封止薄膜２１０の平面形状が長方形であるため、封止薄膜２１０の周囲を囲むスペーサ３００は四角帯の平面形状を有する。一方、本実施形態において、封止薄膜２１０はスペーサ３００と接触して形成される。すなわち、封止薄膜２１０はスペーサ３００と接触し、スペーサ３００によって区画された表示基板１１０上の領域に全体的に形成される。

スペーサ３００は、その高さが駆動回路ＤＣと有機発光素子７０を積層した高さよりも高く形成され、駆動回路ＤＣ、有機発光素子７０、および封止薄膜２１０を積層した高さよりも高く形成されてもよい。具体的に、スペーサの高さは約３μｍ以上約５μｍ以下で形成してもよいが、封止薄膜２１０の高さが約３μｍよりも低く形成される場合には、スペーサの高さも約３μｍよりも低く形成することが可能である。

一方、スペーサ３００は、後述する画素定義膜と同じ材質で形成されてもよく、具体的に、アクリル、ウレタン、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）などの有機物のうちのいずれかを含む材質で形成されてもよい。このようにスペーサ３００を画素定義膜と同じ材質で形成する場合、画素定義膜を形成するときにスペーサ３００を共に形成できるようになり、全体的な工程を単純化できるようになる。しかしながら、上述したスペーサの材質は例示的なものに過ぎず、本発明がこれに限定されるものではなく、当業者によって多様な変更が可能であろう。

このように、スペーサ３００を封止薄膜２１０の周囲を囲むように形成することにより、水分および酸素が有機発光装置の内部に浸透することをより効果的に抑制することができる。さらに、製造工程においてパーティクルの発生を抑制して不良の発生を減らし、有機発光表示装置の寿命を延長させることもできるが、これについては後述して再び説明する。

図３は、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の画素の平面配置図であり、図４は図３のＩＶ−ＩＶ線に沿って切断した有機発光表示装置の画素の断面図であって、以下ではこれらを参照しながら、本実施形態に係る有機発光表示装置の内部構造について詳細に説明する。

一方、図３および図４では、１つの画素に２つの薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）と１つの蓄電素子（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）を備える２Ｔｒ−１Ｃａｐ構造の能動駆動（Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ、ＡＭ）有機発光表示装置を示しているが、本発明がこれに限定されるものではない。したがって、有機発光表示装置は、１つの画素に３つ以上の薄膜トランジスタと２つ以上の蓄電素子を備えてもよく、配線の配置を変更して多様な構造を有するように形成してもよい。ここで、画素は画像を表示する最小単位を意味し、有機発光表示装置は複数の画素を通じて画像を表示する。

表示基板１１０は、１つの画素ごとにそれぞれ形成されたスイッチング薄膜トランジスタ１０、駆動薄膜トランジスタ２０、蓄電素子８０、および有機発光素子７０を含む。また、表示基板１１０は、一方向に沿って配置されるゲートライン１５１、ゲートライン１５１と絶縁交差するデータライン１７１、および共通電源ライン１７２をさらに含む。

有機発光素子７０は、画素電極７１０、画素電極７１０上に形成された有機発光層７２０、および有機発光層７２０上に形成された共通電極７３０を含む。本実施形態において、画素電極７１０は正孔注入電極である正極であり、共通電極７３０は電子注入電極である負極であるが、本発明がこれに限定されるものではない。画素電極７１０および共通電極７３０からそれぞれ正孔と電子が有機発光層７２０の内部に注入され、注入された正孔と電子が結合した励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）が励起状態から基底状態に落ちるときに発光が起こる。

蓄電素子８０は、誘電体の役割を行うゲート絶縁膜１４０を間において配置された第１蓄電板１５８および第２蓄電板１７８を含む。蓄電素子８０で蓄電された電荷と両蓄電板１５８、１７８の間の電圧によって蓄電容量が決定される。

スイッチング薄膜トランジスタ１０は、スイッチング半導体層１３１、スイッチングゲート電極１５２、スイッチングソース電極１７３、およびスイッチングドレイン電極１７４を含み、駆動薄膜トランジスタ２０は、駆動半導体層１３２、駆動ゲート電極１５５、駆動ソース電極１７６、および駆動ドレイン電極１７７を含む。スイッチング薄膜トランジスタ１０は、発光させようとする画素を選択するスイッチング素子として用いられる。スイッチングゲート電極１５２はゲートライン１５１に連結し、スイッチングソース電極１７３はデータライン１７１に連結し、スイッチングドレイン電極１７４はスイッチングソース電極１７３から離隔配置されて第１蓄電板１５８と連結する。

駆動薄膜トランジスタ２０は、選択された画素内の有機発光素子７０の有機発光層７２０を発光させるための駆動電源を画素電極７１０に印加する。駆動ゲート電極１５５は第１蓄電板１５８と連結し、駆動ソース電極１７６および第２蓄電板１７８はそれぞれ共通電源ライン１７２と連結し、駆動ドレイン電極１７７はコンタクトホール（ｃｏｎｔａｃｔ ｈｏｌｅ）１８２を通じて有機発光素子７０の画素電極７１０と連結する。

このような構造により、スイッチング薄膜トランジスタ１０は、ゲートライン１５１に印加されるゲート電圧によって作動し、データライン１７１に印加されるデータ電圧を駆動薄膜トランジスタ２０に伝達する役割を行う。共通電源ライン１７２から駆動薄膜トランジスタ２０に印加される共通電圧とスイッチング薄膜トランジスタ１０から伝達されたデータ電圧の差に相当する電圧が蓄電素子８０に格納され、蓄電素子８０に格納された電圧に対応する電流が駆動薄膜トランジスタ２０を通じて有機発光素子７０に流れて有機発光素子７０が発光するようになる。

以下、本実施形態に係る有機発光表示装置を積層順にしたがって説明する。

表示基板１１０の基板部材１１１は、ガラスなどの絶縁性基板で形成され、第１基板部材１１１上にはバッファ層１２０が形成される。バッファ層１２０は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒酸化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）などで形成されるが、バッファ層１２０は基板部材１１１の種類および工程条件に応じて省略されてもよい。バッファ層１２０上には駆動半導体層１３２が形成される。駆動半導体層１３２は、不純物がドーピングされないチャンネル領域１３５、およびチャンネル領域１３５の両側にｐ＋ドーピングされて形成されたソース領域１３６とドレイン領域１３７を含む。このとき、ドーピングされるイオン物質はホウ素（Ｂ）のようなＰ型不純物である。

本実施形態では、駆動薄膜トランジスタ２０としてＰ型不純物を用いるＰＭＯＳ構造の薄膜トランジスタが用いられたが、本発明がこれに限定されるものではなく、ＮＭＯＳ構造またはＣＭＯＳ構造の薄膜トランジスタを用いてもよい。さらに、本実施形態において、駆動薄膜トランジスタ２０は、多結晶シリコン膜を含む多結晶薄膜トランジスタであるが、図４に示されていないスイッチング薄膜トランジスタ１０は、多結晶薄膜トランジスタであったり非晶質シリコン膜を含む非晶質薄膜トランジスタであってもよい。

駆動半導体層１３２上には窒化ケイ素または酸化ケイ素などで形成されたゲート絶縁膜１４０が形成される。ゲート絶縁膜１４０上には駆動ゲート電極１５５を含むゲート配線が形成されるが、ゲート配線は、ゲートライン１５１、第１蓄電板１５８、およびその他の配線をさらに含む。また、駆動ゲート電極１５５は、駆動半導体層１３２の少なくとも一部、特にチャンネル領域１３５と重なるように形成される。ゲート絶縁膜１４０上には駆動ゲート電極１５５を覆う層間絶縁膜１６０が形成される。ゲート絶縁膜１４０と層間絶縁膜１６０には同半導体層１３２のソース領域１３６およびドレイン領域１３７を露出するホール（ｈｏｌｅ）が形成される。層間絶縁膜１６０は、ゲート絶縁膜１４０と同様に窒化ケイ素、酸化ケイ素などで形成される。層間絶縁膜１６０上には駆動ソース電極１７６および駆動ドレイン電極１７７を含むデータ配線が形成され、データ配線はデータライン１７１、共通電源ライン１７２、第２蓄電板１７８、およびその他の配線をさらに含む。駆動ソース電極１７６および駆動ドレイン電極１７７はそれぞれ、層間絶縁膜１６０およびゲート絶縁膜１４０に形成されたホールを通じて駆動半導体層１３２のソース領域１３６およびドレイン領域１３７と連結する。

このように、駆動半導体層１３２、駆動ゲート電極１５５、駆動ソース電極１７６、および駆動ドレイン電極１７７を含む駆動薄膜トランジスタ２０が形成されるが、駆動薄膜トランジスタ２０の構成は上述した例に限定されるものではなく、当業者によって多様な変形が可能であろう。

層間絶縁膜１６０上にはデータ配線を覆う平坦化膜１８０が形成され、平坦化膜１８０にはドレイン電極１７７の一部を露出させるコンタクトホール１８２が形成される。一方、層間絶縁膜１６０および平坦化膜１８０は、いずれか１つを省略してもよい。

平坦化膜１８０上には有機発光素子７０の画素電極７１０が形成され、画素電極７１０はコンタクトホール１８２を通じてドレイン電極１７７と連結する。また、平坦化膜１８０上に各画素電極７１０を露出する複数の開口部１９９を有する画素定義膜１９０が形成される。画素定義膜１９０が形成された部分は実質的に非発光領域となり、画素定義膜１９０の開口部１９９が形成された部分は実質的に発光領域となる。画素電極７１０上には有機発光層７２０が形成され、有機発光層７２０上には共通電極７３０が形成されて有機発光素子７０を構成する。有機発光層７２０は低分子有機物または高分子有機物からなり、有機発光層７２０は正孔注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｔｅｒ、ＨＩＬ）、正孔輸送層（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）、および電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）のうちの１つ以上を含む多重膜で形成されてもよい。

共通電極７３０上には有機発光素子７０を密封するための封止薄膜２１０が形成される。封止薄膜２１０は１対以上の有機膜２１１、２１３および無機膜２１２、２１４を含み、これらの有機膜２１１、２１３と無機膜２１２、２１４を交互に積層して形成される。本実施形態では、封止薄膜２１０が２対の有機膜２１１、２１３および無機膜２１２、２１４を含んでいるが、本発明がこれに限定されるものではない。

このように、有機膜２１１、２１３と無機膜２１２、２１４を交互に積層した封止薄膜２１０を有機発光素子７０上に形成することにより、水分または酸素が有機発光素子７０と接触することを抑制して性能低下を防ぐ。

一方、スイッチング薄膜トランジスタ１０、駆動薄膜トランジスタ２０、蓄電素子８０、および有機発光素子７０はマスクを利用してパターニングされるが、このようなパターニング過程において、マスクが表示基板１１０と接触してパーティクル（ｐａｒｔｉｃｌｅ）が発生することがある。このようなパーティクルは有機発光表示装置の内部に浸透して有機発光素子の性能を低下させ、有機発光表示装置の不良発生および寿命低下の原因となる。これにより、本実施形態では、上述したように、表示基板１１０上にスペーサ３００を形成して有機発光表示装置の不良発生および寿命低下を抑制する。

図５は、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置とマスクが接触した形態を示す図であって、これを参照しながら、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法について説明する。

本実施形態では、表示基板１１０を準備し、表示基板１１０の周縁に沿ってスペーサ３００を形成した後、駆動回路ＤＣおよび有機発光素子７０を形成し、駆動回路ＤＣおよび有機発光素子７０を覆うように封止薄膜２１０を形成して有機発光表示装置を製造する。図５に示すように、駆動回路ＤＣおよび有機発光素子７０は、表示基板１１０上でスペーサ３００によって区画された領域のうちの内側領域に形成し、マスク４００を利用した蒸着およびパターニング工程によって形成する。

一方、上述したように、マスク４００を利用した蒸着およびパターニング工程中にマスク４００が表示基板１１０と接触するようになれば、パーティクルが発生して水分および酸素の浸透が容易になり、有機発光表示装置の性能を低下させて不良を発生させることがある。しかしながら、本実施形態では、表示基板１１０上にスペーサ３００を形成し、蒸着およびパターニング工程中にマスク４００をスペーサ３００上で支持されるように配置することにより、このような問題を抑制することができる。

マスク４００を用いて駆動回路ＤＣおよび有機発光素子７０を形成するため、マスク４００を支持するスペーサ３００の高さは、駆動回路ＤＣおよび有機発光素子７０を積層する高さよりも高く形成する。

また、スペーサ３００の高さを駆動回路ＤＣ、有機発光素子７０、および封止薄膜２１０を積層する高さよりも高く形成してもよい。スペーサ３００が区画する領域内で駆動回路ＤＣおよび有機発光素子７０を覆うように封止薄膜２１０を積層するが、スペーサ３００を駆動回路ＤＣ、有機発光素子７０、および封止薄膜２１０を積層しようとする高さよりも高く形成するようになると、スペーサ３００によって区画される領域内で封止薄膜２１０を積層する工程がより容易になる。

一方、封止薄膜２１０は、少なくとも１対の有機膜と無機膜を交互に積層して形成する。さらに、封止薄膜２１０は、上述したようにスペーサ３００が区画する領域内で有機発光素子７０上に積層するため、スペーサ３００と直接に接触するように形成することができる。このような工程により、有機発光素子７０が封止薄膜２１０によって密封され、スペーサ３００によって外部境界が形成される。これにより、有機発光表示装置の内部に水分および酸素が侵入することを容易に抑制できるようになり、さらに工程中にパーティクルの発生を抑制できるようになる。

以上、本発明を好ましい実施形態によって説明したが、本発明がこの実施形態に限定されるものではない。このように、本発明の範囲は添付する特許請求の範囲の記載によって決定されるものであって、特許請求の範囲の概念と範囲を逸脱しない限り多様な修正および変形が可能であるとうことを、発明が属する技術分野に従事する者は容易に理解できるであろう。

７０ 有機発光素子
１１０ 表示基板
２１０ 薄膜封止
３００ スペーサ
４００ マスク
ＤＣ 駆動回路

Claims (10)

1. 基板と、
   前記基板上に形成された駆動回路および有機発光素子と、
   前記駆動回路および有機発光素子上に形成され、少なくとも１対の無機膜と有機膜を含み、前記無機膜と前記有機膜を交互に積層して形成された封止薄膜と、
   前記基板上で前記封止薄膜の周囲を囲み、前記封止薄膜と直接接触しながら周辺に沿って形成されたスペーサと、を含み、
   前記無機膜および前記有機膜のうちの少なくとも１つの端部は、前記スペーサと直接接触する、有機発光表示装置。
2. 前記スペーサの高さは、前記駆動回路および前記有機発光素子を積層した高さよりも高く形成される、請求項１に記載の有機発光表示装置。
3. 前記スペーサの高さは、前記駆動回路、前記有機発光素子、および前記封止薄膜を積層した高さよりも高く形成される、請求項２に記載の有機発光表示装置。
4. 前記スペーサの高さは、３μｍ以上５μｍ以下である、請求項３に記載の有機発光表示装置。
5. 前記スペーサは、アクリル、ウレタン、およびポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）のうちのいずれか１つを含む材質により形成される、請求項１に記載の有機発光表示装置。
6. 基板を準備する段階と、
   前記基板の周縁に沿って前記基板上にスペーサを形成する段階と、
   前記基板上で前記スペーサによって区画された内部領域に駆動回路および有機発光素子を形成する段階と、
   前記駆動回路および前記有機発光素子を覆い、前記内部領域で前記スペーサと直接接触するように、無機膜と有機膜とを交互に積層して、少なくとも１対の前記無機膜と前記有機膜を含む封止薄膜を、前記無機膜および前記有機膜のうちの少なくとも１つの端部が前記スペーサと直接接触するように形成する段階と、
   を含み、
   前記駆動回路および前記有機発光素子を形成する段階で用いるマスクは、前記スペーサ上で支持して用いる、有機発光表示装置の製造方法。
7. 前記スペーサの高さは、前記駆動回路および前記有機発光素子を積層した高さよりも高く形成する、請求項６に記載の有機発光表示装置の製造方法。
8. 前記スペーサの高さは、前記駆動回路、前記有機発光素子、および前記封止薄膜を積層した高さよりも高く形成する、請求項７に記載の有機発光表示装置の製造方法。
9. 前記スペーサの高さは３μｍ以上５μｍ以下で形成する、請求項８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
10. 前記スペーサは、アクリル、ウレタン、およびポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）のうちのいずれか１つを含む材質により形成する、請求項６に記載の有機発光表示装置の製造方法。

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