JP5794218B2 - 高周波信号線路及びこれを備えた電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、高周波信号線路及びこれを備えた電子機器に関し、より特定的には、高周波信号の伝送に用いられる高周波信号線路及びこれを備えた電子機器に関する。

従来の高周波信号線路としては、例えば、特許文献１に記載の信号線路が知られている。図４６は、特許文献１に記載の信号線路５００の分解図である。

図４６に示す信号線路５００は、本体５１２、グランド導体５３０ａ，５３０ｂ，５３４及び信号線５３２を備えている。本体５１２は、絶縁シート５２２ａ〜５２２ｄがこの順に積層されて構成されている。

信号線５３２は、絶縁シート５２２ｃ上に設けられている。グランド導体５３０ａ，５３０ｂは、絶縁シート５２２ｂ上に設けられている。グランド導体５３０ａ，５３０ｂは、スリットＳを介して対向している。スリットＳは、積層方向から平面視したときに、信号線５３２と重なっている。したがって、グランド導体５３０ａ，５３０ｂは、信号線５３２とは対向していない。

グランド導体５３４は、絶縁シート５２２ｄ上に設けられており、絶縁シート５２２ｃを介して信号線５３２と対向している。

以上のように構成された信号線路５００では、グランド導体５３０ａ，５３０ｂが信号線５３２と対向していないので、グランド導体５３０ａ，５３０ｂと信号線５３２との間に容量が形成されにくくなる。そのため、グランド導体５３０ａ，５３０ｂと信号線５３２との積層方向の間隔を小さくしても、これらの間に形成される容量が大きくなりすぎて、信号線５３２の特性インピーダンスが所望の特性インピーダンスからずれることが抑制される。その結果、信号線路５００では、本体５１２の薄型化を図ることが可能である。

しかしながら、特許文献１に記載の信号線路５００では、以下に説明するように、比較的に低い周波数のノイズが発生しやすい。以下では、信号線路５００の両端を端部５４０ａ，５４０ｂとし、信号線路５００の端部５４０ａ，５４０ｂ間の部分を線路部５４２とする。

信号線路５００は、図４６に示すように、線路部５４２において均一な断面構造を有している。そのため、線路部５４２における信号線５３２の特性インピーダンスは均一である。一方、端部５４０ａ，５４０ｂは、例えば、回路基板のソケットに挿入される。この際、ソケット内の端子と信号線５３２の両端とが接続されるので、これらの接続部分において寄生インピーダンスが発生する。更に、端部５４０ａ，５４０ｂにおける信号線５３２が回路基板のソケット内の導体と対向するため、端部５４０ａ，５４０ｂにおける信号線５３２と回路基板のソケット内の導体との間には寄生容量が形成される。その結果、端部５４０ａ，５４０ｂにおける信号線５３２の特性インピーダンスは、線路部５４２における信号線５３２の特性インピーダンスと異なってしまう。

ここで、端部５４０ａ，５４０ｂにおける信号線５３２の特性インピーダンスが線路部５４２における信号線５３２の特性インピーダンスと異なると、端部５４０ａ，５４０ｂにおいて高周波信号の反射が発生する。これにより、端部５４０ａ，５４０ｂ間の距離を１／２波長とする低い周波数の定在波が発生する。その結果、信号線路５００から低い周波数のノイズが放射される。

国際公開２０１１／０１８９３４号パンフレット

そこで、本発明の目的は、低い周波数のノイズの発生を抑制できる高周波信号線路及びこれを備えた電子機器を提供することである。

本発明の一形態に係る高周波信号線路は、本体と、前記本体の第１の層に設けられている第１の線路部と該本体の第２の層に設けられている第２の線路部とが交互に接続されることにより構成されている信号線路と、前記第１の層に設けられ、かつ、前記本体の主面の法線方向から平面視したときに、前記第２の線路部と重なっていると共に、前記第１の線路部と重なっていない第１のグランド導体と、前記第２の層に関して前記第１の層の反対側に位置する第４の層に設けられ、かつ、積層方向から平面視したときに、前記第１の線路部及び前記第２の線路部と重なる第２のグランド導体と、を備えており、前記第１の線路部は、前記第２の線路部よりも長く、前記第１の線路部の特性インピーダンスと前記第２の線路部の特性インピーダンスとは異なっていること、を特徴とする。

本発明の一形態に係る電子機器は、筐体と、前記筐体内に設けられている高周波信号線路と、を備えており、前記高周波信号線路は、本体と、前記本体の第１の層に設けられている第１の線路部と該本体の第２の層に設けられている第２の線路部とが交互に接続されることにより構成されている信号線路と、前記第１の層に設けられ、かつ、前記本体の主面の法線方向から平面視したときに、前記第２の線路部と重なっていると共に、前記第１の線路部と重なっていない第１のグランド導体と、前記第２の層に関して前記第１の層の反対側に位置する第４の層に設けられ、かつ、積層方向から平面視したときに、前記第１の線路部及び前記第２の線路部と重なる第２のグランド導体と、を備えており、前記第１の線路部は、前記第２の線路部よりも長く、前記第１の線路部の特性インピーダンスと前記第２の線路部の特性インピーダンスとは異なっていること、を特徴とする。

本発明によれば、低い周波数のノイズの発生を抑制できる。

第１の実施形態に係る高周波信号線路の外観斜視図である。 第１の実施形態に係る高周波信号線路の分解図である。 第１の実施形態に係る高周波信号線路の断面構造図である。 第１の実施形態に係る高周波信号線路を平面視した図である。 第１の実施形態に係る高周波信号線路の断面構造図である。 高周波信号線路のコネクタの外観斜視図及び断面構造図である。 高周波信号線路が用いられた電子機器をｙ軸方向及びｚ軸方向から平面視した図である。 第１の変形例に係る高周波信号線路を平面視した図である。 シミュレーション結果を示したグラフである。 第２の変形例に係る高周波信号線路の分解図である。 第３の変形例に係る高周波信号線路の分解図である。 第２の実施形態に係る高周波信号線路の分解図である。 第２の実施形態に係る高周波信号線路の断面構造図である。 第２の実施形態に係る高周波信号線路を平面視した図である。 第２の実施形態に係る高周波信号線路の断面構造図である。 第１の変形例に係る高周波信号線路の分解図である。 シミュレーション結果を示したグラフである。 シミュレーション結果を示したグラフである。 第２の変形例に係る高周波信号線路の分解斜視図である。 第３の変形例に係る高周波信号線路の分解斜視図である。 第４の変形例に係る高周波信号線路の分解斜視図である。 第５の変形例に係る高周波信号線路の分解斜視図である。 第６の変形例に係る高周波信号線路の分解斜視図である。 図２３の高周波信号線路の等価回路図である。 第７の変形例に係る高周波信号線路の分解斜視図である。 図２５の高周波信号線路の等価回路図である。 第８の変形例に係る高周波信号線路の分解斜視図である。 図２７の高周波信号線路の等価回路図である。 第９の変形例に係る高周波信号線路の分解斜視図である。 図２９の高周波信号線路の等価回路図である。 第１０の変形例に係る高周波信号線路の分解斜視図である。 図３１の高周波信号線路の等価回路図である。 第１１の変形例に係る高周波信号線路の分解斜視図である。 図３３の高周波信号線路の等価回路図である。 第１２の変形例に係る高周波信号線路の分解斜視図である。 第１３の変形例に係る高周波信号線路を平面視した図である。 シミュレーション結果を示したグラフである。 第１４の変形例に係る高周波信号線路の分解斜視図である。 第１５の変形例に係る高周波信号線路の分解斜視図である。 第１６の変形例に係る高周波信号線の分解斜視図である。 図４０の高周波信号線路の信号線路及びグランド導体をｚ軸方向から平面視した図である。 第１７の変形例に係る高周波信号線路の外観斜視図である。 第１７の変形例に係る高周波信号線路の分解斜視図である。 第１７の変形例に係る高周波信号線路の等価回路図である。 第１８の変形例に係る高周波信号線路の分解図である。 特許文献１に記載の信号線路の分解図である。

以下に、本発明の実施形態に係る高周波信号線路及びこれを備えた電子機器について図面を参照しながら説明する。

（第１の実施形態）
（高周波信号線路の構成）
以下に、本発明の第１の実施形態に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、第１の実施形態に係る高周波信号線路１０の外観斜視図である。図２は、第１の実施形態に係る高周波信号線路１０の分解図である。図３は、第１の実施形態に係る高周波信号線路１０の断面構造図である。図４は、第１の実施形態に係る高周波信号線路１０を平面視した図である。図５は、第１の実施形態に係る高周波信号線路１０の断面構造図である。図５（ａ）は、図４のＡ−Ａにおける断面構造図である。図５（ｂ）は、図４のＢ−Ｂにおける断面構造図である。図５（ｃ）は、図４のＣ−Ｃにおける断面構造図である。図１ないし図５において、高周波信号線路１０の積層方向をｚ軸方向と定義する。また、高周波信号線路１０の長手方向をｘ軸方向と定義し、ｘ軸方向及びｚ軸方向に直交する方向をｙ軸方向と定義する。

高周波信号線路１０は、図１ないし図３に示すように、誘電体素体（本体）１２、信号線路Ｓ１、グランド導体２２，２４、コネクタ１００ａ，１００ｂ及びビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４を備えている。

誘電体素体１２は、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在しており、線路部１２ａ及び接続部１２ｂ，１２ｃを含んでいる。誘電体素体１２は、図２に示すように、保護層１４及び誘電体シート（絶縁体層）１８（１８ａ〜１８ｃ）がｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層されて構成されている可撓性の積層体である。以下では、誘電体素体１２のｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体素体１２のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。

線路部１２ａは、ｘ軸方向に延在している。接続部１２ｂは、線路部１２ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されており、矩形状をなしている。接続部１２ｃは、線路部１２ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、矩形状をなしている。接続部１２ｂ，１２ｃのｙ軸方向の幅は、線路部１２ａのｙ軸方向の幅よりも大きい。

誘電体シート１８は、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在しており、誘電体素体１２と同じ形状をなしている。誘電体シート１８は、ポリイミドや液晶ポリマー等の可撓性を有する熱可塑性樹脂により構成されている。誘電体シート１８ａ，１８ｃの積層後の厚さは、例えば、５０μｍであり、誘電体シート１８ｂの積層後の厚さは、例えば、１５０μｍである。以下では、誘電体シート１８のｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体シート１８のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。

また、誘電体シート１８ａは、線路部１８ａ−ａ及び接続部１８ａ−ｂ，１８ａ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｂは、線路部１８ｂ−ａ及び接続部１８ｂ−ｂ，１８ｂ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｃは、線路部１８ｃ−ａ及び接続部１８ｃ−ｂ，１８ｃ−ｃにより構成されている。線路部１８ａ−ａ，１８ｂ−ａ，１８ｃ−ａは、線路部１２ａを構成している。接続部１８ａ−ｂ，１８ｂ−ｂ，１８ｃ−ｂは、接続部１２ｂを構成している。接続部１８ａ−ｃ，１８ｂ−ｃ，１８ｃ−ｃは、接続部１２ｃを構成している。

信号線路Ｓ１は、図２に示すように、誘電体素体１２内に設けられている線状導体であり、ｘ軸方向に延在している。信号線路Ｓ１は、線路部２０，２１及びビアホール導体（層間接続導体）ｂ１，ｂ２により構成されている。

線路部２０，２１は、誘電体素体１２の異なる層（第１の層及び第２の層）に設けられている。具体的には、線路部２０は、誘電体シート１８ａの表面（第１の層）に設けられており、線路部２１は、誘電体シート１８ｂの表面（第２の層）に設けられている。

線路部２０は、図２ないし図４に示すように、誘電体シート１８ａの線路部１８ａ−ａの表面に設けられており、ｘ軸方向において等間隔に並ぶ長方形状の導体である。線路部２１は、誘電体シート１８ｂの線路部１８ｂ−ａの表面に設けられており、ｘ軸方向において等間隔に並ぶ長方形状の導体である。ただし、線路部２０と線路部２１とは、ｘ軸方向においてずらされて配置されている。そして、線路部２０のｘ軸方向の正方向側の端部は、ｚ軸方向から平面視したときに、線路部２１のｘ軸方向の負方向側の端部と重なっている。線路部２０のｘ軸方向の負方向側の端部は、ｚ軸方向から平面視したときに、線路部２１のｘ軸方向の正方向側の端部と重なっている。

また、ｘ軸方向の最も負方向側に位置する線路部２０のｘ軸方向の負方向側の端部は、接続部１８ａ−ｂの表面の中央に位置している。同様に、ｘ軸方向の最も正方向側に位置する線路部２０のｘ軸方向の正方向側の端部は、接続部１８ａ−ｃの表面の中央に位置している。ｘ軸方向の最も負方向側に位置する線路部２０のｘ軸方向の負方向側の端部及びｘ軸方向の最も正方向側に位置する線路部２０のｘ軸方向の正方向側の端部はそれぞれ、外部端子として用いられる。以下では、ｘ軸方向の最も負方向側に位置する線路部２０のｘ軸方向の負方向側の端部及びｘ軸方向の最も正方向側に位置する線路部２０のｘ軸方向の正方向側の端部を外部端子１６ａ，１６ｂと呼ぶ。外部端子１６ａ，１６ｂの表面には、金めっきが施されている。

また、線路部２０のｙ軸方向の幅（線幅）Ｗ１は、図４に示すように、線路部２１のｙ軸方向の幅（線幅）Ｗ２よりも大きい。また、線路部２０のｘ軸方向の長さＬ１は、線路部２１のｘ軸方向の長さＬ２よりも大きい。更に、線路部２０の長さＬ１及び線路部２１の長さＬ２は、信号線路Ｓ１を伝送される高周波信号の波長の１／２よりも小さい。以上のような線路部２０，２１は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

ビアホール導体ｂ１は、誘電体シート１８ａをｚ軸方向に貫通することにより、誘電体シート１８ａの表面と誘電体シート１８ｂの表面とを繋いでいる。そして、ビアホール導体ｂ１のｚ軸方向の正方向側の端部は、線路部２０のｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。ビアホール導体ｂ１のｚ軸方向の負方向側の端部は、線路部２１のｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。

ビアホール導体ｂ２は、誘電体シート１８ａをｚ軸方向に貫通することにより、誘電体シート１８ａの表面と誘電体シート１８ｂの表面とを繋いでいる。そして、ビアホール導体ｂ２のｚ軸方向の正方向側の端部は、線路部２０のｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。ビアホール導体ｂ２のｚ軸方向の負方向側の端部は、線路部２１のｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。ビアホール導体ｂ１，ｂ２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。なお、ビアホール導体ｂ１，ｂ２の代わりに、貫通孔の内周面にめっき等の導体層が形成されたスルーホールが用いられてもよい。

以上のように、信号線路Ｓ１は、線路部２０，２１がビアホール導体ｂ１，ｂ２によって交互に接続されている。これにより、信号線路Ｓ１は、図３に示すように、ｙ軸方向から平面視したときに、ｚ軸方向に振動しながらｘ軸方向に進行するジグザグ形状をなしている。

グランド導体２２（第１のグランド導体）は、図２及び図３に示すように、線路部２０が設けられている誘電体シート１８ａの表面に設けられ、ｚ軸方向（誘電体素体１２の法線方向）から平面視したときに、複数の線路部２１と重なっていると共に、複数の線路部２０と重なっていない。グランド導体２２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。以下に、グランド導体２２についてより詳細に説明する。

グランド導体２２は、図２に示すように、線路部２２ａ及び端子部２２ｂ，２２ｃにより構成されている。線路部２２ａは、線路部１８ａ−ａの表面に設けられ、ｘ軸方向に延在している。ただし、線路部２２ａには、ｘ軸方向に並ぶ複数の開口部Ｏｐ１が設けられている。開口部Ｏｐ１内にはグランド導体２２が設けられていない。ただし、線路部２０は、開口部Ｏｐ１内に設けられている。これにより、線路部２０は、グランド導体２２とは絶縁された状態で、グランド導体２２に囲まれている。よって、グランド導体２２は、ｚ軸方向から平面視したときに、線路部２０と重なっていない。また、開口部Ｏｐ１のｘ軸方向（線路部２０に沿う方向）の長さＬ１１は、図４に示すように、開口部Ｏｐ１のｙ軸方向の幅Ｗ１１よりも大きい。

ｘ軸方向に隣り合う開口部Ｏｐ１間には、ｙ軸方向に延在するブリッジ部Ｂｒ１が設けられている。これにより、線路部２２ａでは、開口部Ｏｐ１とブリッジ部Ｂｒ１とがｘ軸方向に交互に並んでいる。ブリッジ部Ｂｒ１は、図５（ａ）に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、線路部２１と重なっている。以上のような線路部２２ａは、図２および図４に示すように、はしご型をなしている。

端子部２２ｂは、図２に示すように、接続部１８ａ−ｂの表面に設けられ、外部端子１６ａを囲む矩形状の枠をなしている。端子部２２ｂは、線路部２２ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子部２２ｃは、接続部１８ａ−ｃの表面に設けられ、外部端子１６ｂを囲む矩形状の枠をなしている。端子部２２ｃは、線路部２２ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。

グランド導体２４（第２のグランド導体）は、図２及び図３に示すように、誘電体シート１８ｃの表面（第４の層）に設けられ、ｚ軸方向（誘電体素体１２の法線方向）から平面視したときに、図５（ａ）ないし図５（ｃ）に示すように、複数の線路部２０，２１と重なっている。グランド導体２４は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。以下に、グランド導体２４についてより詳細に説明する。

グランド導体２４は、図２に示すように、線路部２４ａ及び端子部２４ｂ，２４ｃにより構成されている。線路部２４ａは、線路部１８ｃ−ａの表面に設けられ、ｘ軸方向に延在している。線路部２４ａは、開口部が設けられていないベタ状の導体である。これにより、線路部２４ａは、ｚ軸方向から平面視したときに線路部２０，２１と重なっている。

端子部２４ｂは、接続部１８ｃ−ｂの表面に設けられ、接続部１８ｃ−ｂの中央を囲む矩形状の環をなしている。端子部２４ｂは、線路部２４ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。

端子部２４ｃは、接続部１８ｃ−ｃの表面に設けられ、接続部１８ｃ−ｃの中央を囲む矩形状の環をなしている。端子部２４ｃは、線路部２４ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。

ビアホール導体Ｂ１は、誘電体シート１８ａの線路部１８ａ−ａをｚ軸方向に貫通しており、信号線路Ｓ１よりもｙ軸方向の正方向側において、ｘ軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。ビアホール導体Ｂ１のｚ軸方向の正方向側の端部は、線路部２２ａにおいてブリッジ部Ｂｒ１よりもｙ軸方向の正方向側の部分に接続されている。

ビアホール導体Ｂ２は、誘電体シート１８ｂの線路部１８ｂ−ａをｚ軸方向に貫通しており、信号線路Ｓ１よりもｙ軸方向の正方向側において、ｘ軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。ビアホール導体Ｂ２のｚ軸方向の負方向側の端部は、線路部２４ａに接続されている。

以上のようなビアホール導体Ｂ１，Ｂ２は、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成しており、グランド導体２２とグランド導体２４とを接続している。

ビアホール導体Ｂ３は、誘電体シート１８ａの線路部１８ａ−ａをｚ軸方向に貫通しており、信号線路Ｓ１よりもｙ軸方向の負方向側において、ｘ軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。ビアホール導体Ｂ３のｚ軸方向の正方向側の端部は、線路部２２ａにおいてブリッジ部Ｂｒ１よりもｙ軸方向の負方向側の部分に接続されている。

ビアホール導体Ｂ４は、誘電体シート１８ｂの線路部１８ｂ−ａをｚ軸方向に貫通しており、信号線路Ｓ１よりもｙ軸方向の負方向側において、ｘ軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。ビアホール導体Ｂ４のｚ軸方向の負方向側の端部は、線路部２４ａに接続されている。

以上のようなビアホール導体Ｂ３，Ｂ４は、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成しており、グランド導体２２とグランド導体２４とを接続している。

以上のように、信号線路Ｓ１及びグランド導体２２，２４では、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、グランド導体２２と線路部２１との間隔は、グランド導体２４と線路部２１との間隔よりも小さい。具体的には、グランド導体２２と線路部２１との間隔は、誘電体シート１８ａの厚さと略等しく、例えば、１０μｍ〜１００μｍである。本実施形態では、線路部２１とグランド導体２２との間隔は、５０μｍである。一方、線路部２１とグランド導体２４との間隔は、誘電体シート１８ｂの厚さと略等しく、例えば、５０μｍ〜３００μｍである。本実施形態では、線路部２１とグランド導体２４との間隔は、１５０μｍである。すなわち、誘電体シート１８ｂの厚さは、誘電体シート１８ａの厚さよりも大きくなるように設計されている。また、グランド導体２２，２４のｙ軸方向の幅は、例えば、約８００μｍである。

保護層１４は、誘電体シート１８ａの表面の略全面を覆っている。これにより、保護層１４は、グランド導体２２を覆っている。保護層１４は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。

また、保護層１４は、図２に示すように、線路部１４ａ及び接続部１４ｂ，１４ｃにより構成されている。線路部１４ａは、線路部１８ａ−ａの表面の全面を覆うことにより、線路部２２ａを覆っている。

接続部１４ｂは、線路部１４ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｂの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｂには、開口Ｈａ〜Ｈｄが設けられている。開口Ｈａは、接続部１４ｂの略中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ａは、開口Ｈａを介して外部に露出している。また、開口Ｈｂは、開口Ｈａのｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｃは、開口Ｈａのｘ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｄは、開口Ｈａのｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部２２ｂは、開口Ｈｂ〜Ｈｄを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。

接続部１４ｃは、線路部１４ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｃの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｃには、開口Ｈｅ〜Ｈｈが設けられている。開口Ｈｅは、接続部１４ｃの略中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ｂは、開口Ｈｅを介して外部に露出している。また、開口Ｈｆは、開口Ｈｅのｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｇは、開口Ｈｅのｘ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｈは、開口Ｈｅのｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部２２ｃは、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。

コネクタ１００ａ，１００ｂはそれぞれ、接続部１２ｂ，１２ｃの表面上に実装され、信号線路Ｓ１及びグランド導体２２，２４と電気的に接続される。コネクタ１００ａ，１００ｂの構成は同じであるので、以下にコネクタ１００ｂの構成を例に挙げて説明する。図６は、高周波信号線路１０のコネクタ１００ｂの外観斜視図及び断面構造図である。

コネクタ１００ｂは、図１及び図６に示すように、コネクタ本体１０２、外部端子１０４，１０６及び中心導体１０８及び外部導体１１０により構成されている。コネクタ本体１０２は、矩形状の板に円筒が連結された形状をなしており、樹脂等の絶縁材料により作製されている。

外部端子１０４は、コネクタ本体１０２のｚ軸方向の負方向側の面において、外部端子１６ｂと対向する位置に設けられている。外部端子１０６は、コネクタ本体１０２のｚ軸方向の負方向側の面において、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して露出している端子部２２ｃに対応する位置に設けられている。

中心導体１０８は、コネクタ本体１０２の円筒の中心に設けられており、外部端子１０４と接続されている。中心導体１０８は、高周波信号が入力又は出力する信号端子である。外部導体１１０は、コネクタ本体１０２の円筒の内周面に設けられており、外部端子１０６と接続されている。外部導体１１０は、接地電位に保たれるグランド端子である。

以上のように構成されたコネクタ１００ｂは、外部端子１０４が外部端子１６ｂと接続され、外部端子１０６が端子部２２ｃと接続されるように、接続部１２ｃの表面上に実装される。これにより、信号線路Ｓ１は、中心導体１０８に電気的に接続されている。また、グランド導体２２，２４は、外部導体１１０に電気的に接続されている。

以上のように構成された高周波信号線路１０では、線路部２０の特性インピーダンスＺ１と線路部２１の特性インピーダンスＺ２とが異なっている。より詳細には、線路部２０は、グランド導体２２の開口部Ｏｐ１内に設けられているので、グランド導体２２との間において殆ど容量を形成していない。一方、線路部２１は、ｚ軸方向から平面視したときにグランド導体２２と重なっているので、グランド導体２２との間において容量を形成している。よって、線路部２１とグランド導体２２との間に形成されている容量は、線路部２０とグランド導体２２との間に形成されている容量よりも大きい。

また、線路部２０は、線路部２１よりもグランド導体２４から離れた位置に設けられている。そのため、線路部２１とグランド導体２４との間に形成されている容量は、線路部２０とグランド導体２４との間に形成されている容量よりも大きくなる。

以上より、線路部２１とグランド導体２２，２４との間に形成されている容量の大きさは、線路部２０とグランド導体２２，２４との間に形成されている容量の大きさよりも大きい。そのため、線路部２１の特性インピーダンスＺ２は、線路部２０の特性インピーダンスＺ１よりも低くなる。特性インピーダンスＺ１は、例えば、７０Ωであり、特性インピーダンスＺ２は、例えば、３０Ωである。また、信号線路Ｓ１の全体の特性インピーダンスは、例えば、５０Ωである。

また、高周波信号線路１０では、信号線路Ｓ１の両端（すなわち、外部端子１６ａ，１６ｂ）の特性インピーダンスＺ３は、線路部２０の特性インピーダンスＺ１と線路部２１の特性インピーダンスＺ２との間の大きさとなっている。

高周波信号線路１０は、以下に説明するように用いられる。図７は、高周波信号線路１０が用いられた電子機器２００をｙ軸方向及びｚ軸方向から平面視した図である。

電子機器２００は、高周波信号線路１０、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、レセプタクル２０４ａ，２０４ｂ、バッテリーパック（金属体）２０６及び筐体２１０を備えている。

筐体２１０は、高周波信号線路１０、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、レセプタクル２０４ａ，２０４ｂ及びバッテリーパック２０６を収容している。回路基板２０２ａには、例えば、アンテナを含む送信回路又は受信回路が設けられている。回路基板２０２ｂには、例えば、給電回路が設けられている。バッテリーパック２０６は、例えば、リチウムイオン２次電池であり、その表面が金属カバーにより覆われた構造を有している。回路基板２０２ａ、バッテリーパック２０６及び回路基板２０２ｂは、ｘ軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。

レセプタクル２０４ａ，２０４ｂはそれぞれ、回路基板２０２ａ，２０２ｂのｚ軸方向の負方向側の主面上に設けられている。レセプタクル２０４ａ，２０４ｂにはそれぞれ、コネクタ１００ａ，１００ｂが接続される。これにより、コネクタ１００ａ，１００ｂの中心導体１０８には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を伝送される例えば２ＧＨzの周波数を有する高周波信号がレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して印加される。また、コネクタ１００ａ，１００ｂの外部導体１１０には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ及びレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して、グランド電位に保たれる。これにより、高周波信号線路１０は、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を接続している。

また、誘電体素体１２の表面（より正確には、保護層１４）は、図７に示すように、バッテリーパック２０６に対して接触している。そして、誘電体素体１２とバッテリーパック２０６とは、接着剤等により固定されている。

（高周波信号線路の製造方法）
以下に、高周波信号線路１０の製造方法について図２を参照しながら説明する。以下では、一つの高周波信号線路１０が作製される場合を例にとって説明するが、実際には、大判の誘電体シートが積層及びカットされることにより、同時に複数の高周波信号線路１０が作製される。

まず、表面の全面に銅箔が形成された熱可塑性樹脂からなる誘電体シート１８を準備する。誘電体シート１８の銅箔の表面は、例えば、防錆のための亜鉛鍍金が施されることにより、平滑化されている。銅箔の厚さは、１０μｍ〜２０μｍである。

次に、フォトリソグラフィ工程により、図２に示す線路部２０及びグランド導体２２を誘電体シート１８ａの表面に形成する。具体的には、誘電体シート１８ａの銅箔上に、図２に示す線路部２０及びグランド導体２２と同じ形状のレジストを印刷する。そして、銅箔に対してエッチング処理を施すことにより、レジストにより覆われていない部分の銅箔を除去する。その後、レジストを除去する。これにより、図２に示すような、線路部２０及びグランド導体２２が誘電体シート１８ａの表面に形成される。

次に、フォトリソグラフィ工程により、図２に示す線路部２１を誘電体シート１８ｂの表面に形成する。フォトリソグラフィ工程により、図２に示すグランド導体２４を誘電体シート１８ｃの表面に形成する。なお、ここでのフォトリソグラフィ工程は、線路部２０及びグランド導体２２を形成する際のフォトリソグラフィ工程と同様であるので、説明を省略する。

次に、誘電体シート１８ａ，１８ｂのビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４，ｂ１，ｂ２が形成される位置に対して、裏面側からレーザービームを照射して、貫通孔を形成する。その後、誘電体シート１８ａ，１８ｂに形成した貫通孔に対して、導電性ペーストを充填する。

次に、誘電体シート１８ａ〜１８ｃをｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積み重ねる。そして、誘電体シート１８ａ〜１８ｃに対してｚ軸方向の正方向側及び負方向側から熱及び圧力を加えることにより、誘電体シート１８ａ〜１８ｃを軟化させて圧着・一体化するとともに、貫通孔に充填された導電性ペーストを固化して、図２に示すビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４，ｂ１，ｂ２を形成する。なお、各誘電体シート１８は、熱圧着に代えてエポキシ系樹脂等の接着剤を用いて一体化されてもよい。なお、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４，ｂ１，ｂ２は必ずしも貫通孔が導体で完全に埋められている必要はなく、例えば貫通孔の内周面のみに沿って導体を形成することによって形成されてもよい。

最後に、樹脂（レジスト）ペーストを塗布することにより、誘電体シート１８ａ上に保護層１４を形成する。

（効果）
以上のように構成された高周波信号線路１０によれば、低い周波数のノイズの発生を抑制できる。より詳細には、特許文献１に記載の信号線路５００では、端部５４０ａ，５４０ｂにおける信号線５３２の特性インピーダンスが線路部５４２における信号線５３２の特性インピーダンスと異なっている。そのため、端部５４０ａ，５４０ｂにおいて高周波信号の反射が発生する。これにより、端部５４０ａ，５４０ｂ間の距離を１／２波長とする低い周波数の定在波が発生する。その結果、信号線路５００から低い周波数のノイズが放射される。

一方、高周波信号線路１０では、信号線路Ｓ１は、線路部２０と線路部２１とが交互に接続されることにより構成されている。線路部２０は、グランド導体２２の開口部Ｏｐ１内に設けられているのでグランド導体２２と対向していない。一方、線路部２１は、グランド導体２２と対向している。そのため、線路部２０とグランド導体２２との間に形成されている容量は、線路部２１とグランド導体２２との間に形成されている容量よりも小さくなる。これにより、線路部２０の特性インピーダンスＺ１と線路部２１の特性インピーダンスＺ２とが異なっている。具体的には、特性インピーダンスＺ１が特性インピーダンスＺ２よりも高くなる。よって、信号線路Ｓ１の特性インピーダンスは、特性インピーダンスＺ１と特性インピーダンスＺ２との間を周期的に変動するようになる。その結果、信号線路Ｓ１では、線路部２０と線路部２１とにおいて短い波長（すなわち、高い周波数）の定在波が発生するようになる。一方、外部電極１６ａ，１６ｂ間に長い波長（すなわち、低い周波数）の定在波が発生しにくくなる。以上より、高周波信号線路１０では、低い周波数のノイズの発生が抑制される。

なお、高周波信号線路１０では、線路部２０と線路部２１とにおいて発生した定在波により高い周波数のノイズが発生する。線路部２０の長さＬ１及び線路部２１の長さＬ２を十分に短く設計することによって、信号線路Ｓ１を伝送される高周波信号の帯域外にノイズの周波数を設定することが可能である。そのためには、信号線路Ｓ１を伝送される高周波信号の波長の半分より線路部２０の長さＬ１及び線路部２１の長さＬ２を短くすればよい。

信号線路Ｓ１をｚ軸方向の正方向側から平面視したときには、短冊状の線路部２０が見える。線路部２０が電磁波を放射するのは、短冊状の線路部２０の電気長が信号線路Ｓ１を伝送される高周波信号の波長の半分のときである。よって、線路部２０の電気長は、信号線路Ｓ１を伝送される高周波信号の波長の半分より短いことが好ましく、１／８以下とすることで高周波信号の漏洩をより効果的に抑制できる。

また、高周波信号線路１０では、以下に説明する理由によっても、線路部２０の特性インピーダンスＺ１と線路部２１の特性インピーダンスＺ２とが異なっている。より詳細には、線路部２０は、線路部２１よりもグランド導体２４から離れた位置に設けられている。そのため、線路部２０とグランド導体２４との間に形成されている容量は、線路部２１とグランド導体２４との間に形成されている容量よりも小さくなる。これにより、線路部２０の特性インピーダンスＺ１と線路部２１の特性インピーダンスＺ２とが異なるようになる。具体的には、特性インピーダンスＺ１が特性インピーダンスＺ２よりも高くなる。

また、高周波信号線路１０では、信号線路Ｓ１の両端の特性インピーダンスは、線路部２０の特性インピーダンスＺ１と線路部２１の特性インピーダンスＺ２との間の大きさである。これにより、信号線路Ｓ１では、線路部２０と線路部２１とにおいて短い波長の定在波が発生しやすくなり、信号線路Ｓ１の両端間において長い波長の定在波が発生しにくくなる。その結果、高周波信号線路１０では、低い周波数のノイズの発生がより効果的に抑制される。

また、高周波信号線路１０では、線路部２０とグランド導体２２との間の隙間の幅Ｇ（図２及び図４参照）を調整することによって、線路部２０とグランド導体２２との間に形成される容量の大きさを調整することが可能である。具体的には、線路部２０とグランド導体２２との間の隙間の幅Ｇが小さくなれば、線路部２０とグランド導体２２との間に形成される容量が大きくなる。一方、線路部２０とグランド導体２２との間の隙間の幅Ｇが大きくなれば、線路部２０とグランド導体２２との間に形成される容量が小さくなる。

また、高周波信号線路１０では、線路部２０とグランド導体２２との間の隙間の幅Ｇを小さくすることによって、線路部２０から出る電気力線がグランド導体２２に吸収されやすくなる。その結果、線路部２０からノイズが輻射されることが抑制されるようになる。

また、高周波信号線路１０では、線路部２０の特性インピーダンスＺ１を低下させることなく、信号線路Ｓ１の高周波抵抗の低減を図ることができる。より詳細には、信号線路Ｓ１の高周波抵抗を低減するためには、信号線路Ｓ１の線幅を大きくすることが考えられる。そこで、線路部２１の線幅Ｗ２を大きくすると、線路部２１とグランド導体２２，２４との間に形成されている容量が大きくなってしまう。そのため、線路部２１の特性インピーダンスＺ２が小さくなりすぎてしまう。

そこで、高周波信号線路１０では、線路部２０の線幅Ｗ１を線路部２１の線幅Ｗ２よりも大きくしている。線路部２０は、線路部２１よりもグランド導体２４から離れた位置に設けられていると共に、グランド導体２２とは対向していない。よって、線路部２０とグランド導体２２，２４との間に形成されている容量は小さい。そのため、線路部２０の線幅Ｗ１が大きくなっても、線路部２０とグランド導体２２，２４との間に形成されている容量の増加量はわずかである。その結果、高周波信号線路１０では、線路部２０の特性インピーダンスＺ１を低下させることなく、信号線路Ｓ１の高周波抵抗の低減が図られる。

また、高周波信号線路１０では、以下に説明するように、高周波信号線路１０の薄型化を図ることが可能である。より詳細には、グランド導体２２には、ｚ軸方向から平面視したときに、線路部２０と重なる開口部Ｏｐ１が設けられている。これにより、線路部２０は、グランド導体２２と対向していない。そのため、線路部２０とグランド導体２２との間には小さな容量しか形成されていない。したがって、線路部２０の特性インピーダンスＺ１を所定の特性インピーダンス（例えば、７０Ω）に維持した状態で、線路部２０とグランド導体２２とを近づけることが可能となる。本実施形態では、線路部２０とグランド導体２２とは同じ誘電体シート１８ａに設けられている。その結果、高周波信号線路１０の薄型化が図られる。高周波信号線路１０の薄型化が図られると、高周波信号線路１０を容易に曲げることが可能となる。

また、高周波信号線路１０では、ブリッジ部Ｂｒ１のｘ軸方向の線幅Ｗ２１を細くすることによって、線路部２１の特性インピーダンスＺ２を低下させることなく、信号線路Ｓ１の高周波抵抗の低減を図ることができる。より詳細には、線路部２１の線幅Ｗ２を大きくすれば、信号線路Ｓ１の高周波抵抗が小さくなる。しかしながら、線路部２１の特性インピーダンスＺ２は、信号線路Ｓ１とブリッジ部Ｂｒ１との対向面積の大きさに依存している。具体的には、信号線路Ｓ１とブリッジ部Ｂｒ１との対向面積が大きくなると、信号線路Ｓ１とブリッジ部Ｂｒ１との間に形成される容量が大きくなるので、特性インピーダンスＺ２が小さくなり過ぎる。そこで、ブリッジ部Ｂｒ１の線幅Ｗ２１を小さくしつつ、線路部２１の線幅Ｗ２を大きくすればよい。これにより、信号線路Ｓ１とブリッジ部Ｂｒ１との間に形成される容量を変化させずに、信号線路Ｓ１の高周波抵抗の低減を図ることでができる。

また、高周波信号線路１０によれば、高周波信号線路１０から磁束が漏れることが抑制される。より詳細には、線路部２０に電流ｉ１（図４参照）が流れると、線路部２０を中心軸として、線路部２０を周回する磁束が発生する。このような磁束が高周波信号線路１０外に漏れると、他の回路の信号線と線路部２０とが磁界結合するおそれがある。その結果、高周波信号線路１０において、所望の特性を得ることが困難となる。

そこで、高周波信号線路１０では、線路部２０がグランド導体２２の開口部Ｏｐ１内に設けられている。これにより、線路部２０とグランド導体２２とが近接するようになる。線路部２０に電流ｉ１が流れると、グランド導体２２には該電流ｉ１と逆向きの帰還電流ｉ２が流れる。よって、線路部２０の周囲の磁束の周回方向とグランド導体２２の周囲の磁束の周回方向とが逆向きになる。この場合、線路部２０とグランド導体２２との間の隙間では磁束が強めあうのに対して、グランド導体２２よりもｙ軸方向の正方向側及び負方向側の領域（すなわち、高周波信号線路１０外の領域）では磁束が打ち消し合う。その結果、高周波信号線路１０外に磁束が漏れることが抑制される。

また、高周波信号線路１０では、以下の理由によっても、高周波抵抗の低減を図ることができる。より詳細には、グランド導体２２において、開口部Ｏｐ１よりもｙ軸方向の正方向側の部分、及び、開口部Ｏｐ１よりもｙ軸方向の負方向側の部分には、帰還電流が流れる。そのため、高周波抵抗の低減の観点から、グランド導体２２において、開口部Ｏｐ１よりもｙ軸方向の正方向側の部分の抵抗値、及び、開口部Ｏｐ１よりもｙ軸方向の負方向側の部分の抵抗値は低いことが望ましい。

そこで、高周波信号線路１０では、開口部Ｏｐ１の幅Ｗ１１は、開口部Ｏｐ１の長さＬ１１よりも小さい。これにより、グランド導体２２において、開口部Ｏｐ１よりもｙ軸方向の正方向側の部分の幅、及び、開口部Ｏｐ１よりもｙ軸方向の負方向側の部分の幅が大きくなる。その結果、グランド導体２２において、開口部Ｏｐ１よりもｙ軸方向の正方向側の部分の抵抗値、及び、開口部Ｏｐ１よりもｙ軸方向の負方向側の部分の抵抗値が低くなる。

（第１の変形例）
以下に、第１の変形例に係る高周波信号線路１０ａについて図面を参照しながら説明する。図８は、第１の変形例に係る高周波信号線路１０ａを平面視した図である。

高周波信号線路１０ａと高周波信号線路１０との相違点は、線路部２０の形状及び開口部Ｏｐ１の形状である。より詳細には、高周波信号線路１０ａでは、線路部２０のｘ軸方向の両端近傍には、線幅が徐々に小さくなるようにテーパーが設けられている。これにより、線路部２０と線路部２１とが接続されている部分における線路部２０の線幅は、線路部２０のｘ軸方向の中央部における線幅よりも小さくなっている。

また、開口部Ｏｐ１のｘ軸方向の両端近傍には、ｙ軸方向の幅が徐々に小さくなるようにテーパーが設けられている。これにより、開口部Ｏｐ１は、線路部２０に倣った形状をなしている。

以上のような構成を有する高周波信号線路１０ａでは、線路部２０と線路部２１との間において高周波信号の反射の発生が抑制される。より詳細には、線路部２０のｘ軸方向の両端近傍には、線幅が徐々に小さくなるようにテーパーが設けられている。これにより、線路部２０のｘ軸方向の中央部は、グランド導体２２との間で静電容量が発生するのに対して、線路部２０のｘ軸方向の両端は、線路部２１とビアホール導体ｂ１，ｂ２を介して接続されている。線路部２１は、グランド導体２２と対向しているので、強いＣ性を有している。これにより、線路部２０のｘ軸方向の中央部はＬ性が強くなり、線路部２０のｘ軸方向の両端近傍はＣ性が強くなる。その結果、線路部２０のｘ軸方向の両端近傍における特性インピーダンスは、線路部２０のｘ軸方向の中央における特性インピーダンスよりも低くなると共に、線路部２１における特性インピーダンスＺ２よりも高くなる。これにより、線路部２０と線路部２１との接続部分において特性インピーダンスが大きく変動することが抑制される。よって、線路部２０と線路部２１との間において高周波信号の反射の発生が抑制される。

本願発明者は、高周波信号線路１０ａのモデルを作成して、コンピュータシミュレーションによって、高周波信号線路１０ａの通過特性及び反射特性を調べた。以下に、シミュレーションに用いたモデルの条件について説明する。

隙間の幅Ｇ：２００μｍ
ブリッジ部Ｂｒ１の線幅Ｗ２１：１００μｍ
開口部Ｏｐ１の長さＬ１１：３ｍｍ
開口部Ｏｐ１の幅Ｗ１１：８５０μｍ
線路部２０の線幅Ｗ１：４５０μｍ
線路部２１の線幅Ｗ２：２００μｍ
線路部２１とグランド導体２２との間隔：５０μｍ
線路部２１とグランド導体２４との間隔：１５０μｍ
高周波信号線路１０ａの全長：６０ｍｍ

図９は、シミュレーション結果を示したグラフである。縦軸は減衰量を示し、横軸は周波数を示す。図９によれば、高周波信号線路１０ａにおいて、２ＧＨzの高周波信号の通過特性が、−０．３ｄＢ程度であることが分かる。よって、高周波信号線路１０ａの通過特性は、同サイズの一般的なトリプレート型の高周波信号線路の通過特性の約１／３程度となっている。

更に、図９によれば、高周波信号線路１０ａにおいて、１ＧＨｚ〜５ＧＨｚの高周波信号の反射特性は、−３０ｄＢ以下となっている。これにより、高周波信号線路１０ａでは、広い帯域において特性インピーダンスの変動が抑制されていることが分かる。具体的には、高周波信号線路１０ａの特性インピーダンスは、１ＧＨｚ〜５ＧＨｚの高周波信号に対して、５０Ω±２．５Ω程度となっている。

（第２の変形例）
以下に、第２の変形例に係る高周波信号線路１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図１０は、第２の変形例に係る高周波信号線路１０ｂの分解図である。

高周波信号線路１０ｂに示すように、複数の信号線路Ｓ１，Ｓ２が設けられていてもよい。高周波信号線路１０ｂでは、信号線路Ｓ１と対向するグランド導体２４と信号線路Ｓ２と対向するグランド導体２４'とは、図１０に示すように、１つの導体層によって構成されていてもよい。

一方、信号線路Ｓ１と対向するグランド導体２２と信号線路Ｓ２と対向するグランド導体２２'とは、互いに接続されていないことが好ましい。これにより、信号線路Ｓ１と信号線路Ｓ２との間のアイソレーション特性が向上する。

（第３の変形例）
以下に、第３の変形例に係る高周波信号線路１０ｃについて図面を参照しながら説明する。図１１は、第３の変形例に係る高周波信号線路１０ｃの分解図である。

高周波信号線路１０ｃと高周波信号線路１０との相違点は、線路部２１の位置である。高周波信号線路１０では、線路部２１は、線路部２０よりもｚ軸方向の負方向側に設けられていたのに対して、高周波信号線路１０では、線路部２１は、線路部２０よりもｚ軸方向の正方向側に設けられている。以下に、かかる相違点を中心に、高周波信号線路１０ｃの構成について説明する。

高周波信号線路１０ｃでは、誘電体素体１２は、誘電体シート１８ｄ，１８ａ，１８ｂ，１８ｃがｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に並ぶように積層されることによって構成されている。

線路部２０，２１は、誘電体素体１２の異なる層に設けられている。具体的には、線路部２０は、誘電体シート１８ａの表面（第１の層）に設けられており、線路部２１は、誘電体シート１８ｄの表面（第２の層）に設けられている。

また、ビアホール導体ｂ１，ｂ２はそれぞれ、誘電体シート１８ｄをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ１は、線路部２０のｘ軸方向の正方向側の端部と線路部２１のｘ軸方向の負方向側の端部とを接続している。ビアホール導体ｂ２は、線路部２０のｘ軸方向の負方向側の端部と線路部２１のｘ軸方向の正方向側の端部とを接続している。

また、外部端子１６ａは、誘電体シート１８ｄの端子部１８ｄ−ｂに設けられている。外部端子１６ａは、ビアホール導体ｂ１３を介して、ｘ軸方向の最も負方向側に位置している線路部２０に接続されている。

また、外部端子１６ｂは、誘電体シート１８ｄの端子部１８ｄ−ｃに設けられている。外部端子１６ｂは、ビアホール導体ｂ１４を介して、ｘ軸方向の最も正方向側に位置している線路部２０に接続されている。

グランド導体２２は、誘電体シート１８ａの表面に設けられており、ｚ軸方向から平面視したときに、線路部２１と重なっている。

グランド導体２４は、誘電体シート１８ｃの表面に設けられており、ｚ軸方向から平面視したときに、線路部２０，２１と重なっている。

以上のように構成された高周波信号線路１０ｃにおいても、高周波信号線路１０と同様に、線路部２０の特性インピーダンスＺ１と線路部２１の特性インピーダンスＺ２とを異ならせることができる。なお、高周波信号線路１０ｃでは、特性インピーダンスＺ１が特性インピーダンスＺ２よりも大きくてもよいし、特性インピーダンスＺ２が特性インピーダンスＺ１よりも大きくてもよい。

（第２の実施形態）
（高周波信号線路の構成）
以下に、本発明の第２の実施形態に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１２は、第２の実施形態に係る高周波信号線路１０ｄの分解図である。図１２では、誘電体シート１８ａの表面と裏面が並べて示されている。図１３は、第２の実施形態に係る高周波信号線路１０ｄの断面構造図である。図１４は、第２の実施形態に係る高周波信号線路１０ｄを平面視した図である。図１５は、第２の実施形態に係る高周波信号線路１０ｄの断面構造図である。図１５（ａ）は、図１４のＡ−Ａにおける断面構造図である。図１５（ｂ）は、図１４のＢ−Ｂにおける断面構造図である。図１５（ｃ）は、図１４のＣ−Ｃにおける断面構造図である。図１２ないし図１５において、高周波信号線路１０ｄの積層方向をｚ軸方向と定義する。また、高周波信号線路１０ｄの長手方向をｘ軸方向と定義し、ｘ軸方向及びｚ軸方向に直交する方向をｙ軸方向と定義する。高周波信号線路１０ｄの外観斜視図については、図１を援用する。

高周波信号線路１０ｄは、図１２ないし図１５に示すように、誘電体素体（本体）１２、信号線路Ｓ１、グランド導体２２，２５、コネクタ１００ａ，１００ｂ及びビアホール導体Ｂ２１，Ｂ２２を備えている。

誘電体素体１２は、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在しており、線路部１２ａ、接続部１２ｂ，１２ｃを含んでいる。誘電体素体１２は、図１２に示すように、保護層１４、誘電体シート（絶縁体層）１８ａ及び保護層１５がｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層されて構成されている可撓性の積層体である。以下では、誘電体素体１２のｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体素体１２のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。

線路部１２ａは、ｘ軸方向に延在している。接続部１２ｂは、線路部１２ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されており、矩形状をなしている。接続部１２ｃは、線路部１２ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、矩形状をなしている。接続部１２ｂ，１２ｃのｙ軸方向の幅は、線路部１２ａのｙ軸方向の幅よりも大きい。

誘電体シート１８ａは、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在しており、誘電体素体１２と同じ形状をなしている。誘電体シート１８ａは、ポリイミドや液晶ポリマー等の可撓性を有する熱可塑性樹脂により構成されている。誘電体シート１８ａの積層後の厚さは、例えば、５０μｍ〜５００μｍであり、本実施形態では、１５０μｍである。以下では、誘電体シート１８ａのｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体シート１８ａのｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。

また、誘電体シート１８ａは、線路部１８ａ−ａ及び接続部１８ａ−ｂ，１８ａ−ｃにより構成されている。線路部１８ａ−ａは、線路部１２ａを構成している。接続部１８ａ−ｂは、接続部１２ｂを構成している。接続部１８ａ−ｃは、接続部１２ｃを構成している。

信号線路Ｓ１は、図１２に示すように、誘電体素体１２内に設けられている線状導体であり、ｘ軸方向に延在している。信号線路Ｓ１は、線路部２０，２１及びビアホール導体（層間接続導体）ｂ１，ｂ２により構成されている。

線路部２０，２１は、誘電体素体１２の異なる層に設けられている。具体的には、線路部２０は、誘電体シート１８ａの表面（第１の層）に設けられており、線路部２１は、誘電体シート１８ａの裏面（第２の層）に設けられている。

線路部２０は、図１２ないし図１４に示すように、誘電体シート１８ａの線路部１８ａ−ａの表面に設けられており、ｘ軸方向において等間隔に並ぶ長方形状の導体である。線路部２１は、誘電体シート１８ａの線路部１８ａ−ａの裏面に設けられており、ｘ軸方向において等間隔に並ぶ長方形状の導体である。ただし、線路部２０と線路部２１とは、ｘ軸方向においてずらされて配置されている。そして、線路部２０のｘ軸方向の正方向側の端部は、ｚ軸方向から平面視したときに、線路部２１のｘ軸方向の負方向側の端部と重なっている。線路部２０のｘ軸方向の負方向側の端部は、ｚ軸方向から平面視したときに、線路部２１のｘ軸方向の正方向側の端部と重なっている。

また、ｘ軸方向の最も負方向側に位置する線路部２０のｘ軸方向の負方向側の端部は、接続部１８ａ−ｂの表面の中央に位置している。同様に、ｘ軸方向の最も正方向側に位置する線路部２０のｘ軸方向の正方向側の端部は、接続部１８ａ−ｃの表面の中央に位置している。ｘ軸方向の最も負方向側に位置する線路部２０のｘ軸方向の負方向側の端部及びｘ軸方向の最も正方向側に位置する線路部２０のｘ軸方向の正方向側の端部はそれぞれ、外部端子として用いられる。以下では、ｘ軸方向の最も負方向側に位置する線路部２０のｘ軸方向の負方向側の端部及びｘ軸方向の最も正方向側に位置する線路部２０のｘ軸方向の正方向側の端部を外部端子１６ａ，１６ｂと呼ぶ。外部端子１６ａ，１６ｂの表面には、金めっきが施されている。

また、線路部２０のｙ軸方向の幅（線幅）Ｗ１は、図１４に示すように、線路部２１のｙ軸方向の幅（線幅）Ｗ２よりも大きい。また、線路部２０のｘ軸方向の長さＬ１は、線路部２１のｘ軸方向の長さＬ２よりも大きい。更に、線路部２０の長さＬ１及び線路部２１の長さＬ２は、信号線路Ｓ１を伝送される高周波信号の波長の１／２よりも短い。以上のような線路部２０，２１は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

ビアホール導体ｂ１は、誘電体シート１８ａをｚ軸方向に貫通することにより、誘電体シート１８ａの表面と誘電体シート１８ａの裏面とを繋いでいる。そして、ビアホール導体ｂ１のｚ軸方向の正方向側の端部は、線路部２０のｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。ビアホール導体ｂ１のｚ軸方向の負方向側の端部は、線路部２１のｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。

ビアホール導体ｂ２は、誘電体シート１８ａをｚ軸方向に貫通することにより、誘電体シート１８ａの表面と誘電体シート１８ａの裏面とを繋いでいる。そして、ビアホール導体ｂ２のｚ軸方向の正方向側の端部は、線路部２０のｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。ビアホール導体ｂ２のｚ軸方向の負方向側の端部は、線路部２１のｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。ビアホール導体ｂ１，ｂ２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。なお、ビアホール導体ｂ１，ｂ２の代わりに、貫通孔の内周面にめっき等の導体層が形成されたスルーホールが用いられてもよい。

以上のように、信号線路Ｓ１は、線路部２０，２１がビアホール導体ｂ１，ｂ２によって交互に接続されている。これにより、信号線路Ｓ１は、図１３に示すように、ｙ軸方向から平面視したときに、ｚ軸方向に振動しながらｘ軸方向に進行するジグザグ形状をなしている。

グランド導体２２（第１のグランド導体）は、図１２及び図１３に示すように、線路部２０が設けられている誘電体シート１８ａの表面に設けられ、ｚ軸方向（誘電体素体１２の法線方向）から平面視したときに、複数の線路部２１と重なっていると共に、複数の線路部２０と重なっていない。グランド導体２２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。以下に、グランド導体２２についてより詳細に説明する。

グランド導体２２は、図１２に示すように、線路部２２ａ及び端子部２２ｂ，２２ｃにより構成されている。線路部２２ａは、線路部１８ａ−ａの表面に設けられ、ｘ軸方向に延在している。ただし、線路部２２ａには、ｘ軸方向に並ぶ複数の開口部Ｏｐ１が設けられている。開口部Ｏｐ１内にはグランド導体２２が設けられていない。ただし、線路部２０は、開口部Ｏｐ１内に設けられている。これにより、線路部２０は、グランド導体２２とは絶縁された状態で、グランド導体２２に囲まれている。よって、グランド導体２２は、ｚ軸方向から平面視したときに、線路部２０と重なっていない。また、開口部Ｏｐ１のｘ軸方向（線路部２０に沿う方向）の長さＬ１１は、図１４に示すように、開口部Ｏｐ１のｙ軸方向の幅Ｗ１１よりも大きい。

ｘ軸方向に隣り合う開口部Ｏｐ１間には、ｙ軸方向に延在するブリッジ部Ｂｒ１が設けられている。これにより、線路部２２ａでは、開口部Ｏｐ１とブリッジ部Ｂｒ１とがｘ軸方向に交互に並んでいる。ブリッジ部Ｂｒ１は、図１５（ａ）に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、線路部２１と重なっている。以上のような線路部２２ａは、図１２および図１４に示すように、はしご型をなしている。

端子部２２ｂは、図１２に示すように、接続部１８ａ−ｂの表面に設けられ、外部端子１６ａを囲む矩形状の枠をなしている。端子部２２ｂは、線路部２２ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子部２２ｃは、接続部１８ａ−ｃの表面に設けられ、外部端子１６ｂを囲む矩形状の枠をなしている。端子部２２ｃは、線路部２２ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。

グランド導体２５（第２のグランド導体）は、図１２及び図１３に示すように、線路部２０が設けられている誘電体シート１８ａの裏面に設けられ、ｚ軸方向（誘電体素体１２の法線方向）から平面視したときに、複数の線路部２１と重なっていると共に、複数の線路部２０と重なっていない。グランド導体２５は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。以下に、グランド導体２５についてより詳細に説明する。

グランド導体２５は、図１２に示すように、線路部２５ａ及び端子部２５ｂ，２５ｃにより構成されている。線路部２５ａは、線路部１８ａ−ａの裏面に設けられ、ｘ軸方向に延在している。ただし、線路部２５ａには、ｘ軸方向に並ぶ複数の開口部Ｏｐ２が設けられている。開口部Ｏｐ２内にはグランド導体２５が設けられていない。ただし、線路部２１は、開口部Ｏｐ２内に設けられている。これにより、線路部２１は、グランド導体２５とは絶縁された状態で、グランド導体２５に囲まれている。よって、グランド導体２５は、ｚ軸方向から平面視したときに、線路部２１と重なっていない。また、開口部Ｏｐ２のｘ軸方向（線路部２１に沿う方向）の長さＬ３１は、図１４に示すように、開口部Ｏｐ２のｙ軸方向の幅Ｗ３１よりも大きい。

ｘ軸方向に隣り合う開口部Ｏｐ２間には、ｙ軸方向に延在するブリッジ部Ｂｒ２が設けられている。これにより、線路部２５ａでは、開口部Ｏｐ２とブリッジ部Ｂｒ２とがｘ軸方向に交互に並んでいる。ブリッジ部Ｂｒ２は、図１５（ｃ）に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、線路部２０と重なっている。以上のような線路部２５ａは、図１２および図１４に示すように、はしご型をなしている。

端子部２５ｂは、接続部１８ａ−ｂの裏面に設けられ、接続部１８ａ−ｂの中央を囲む矩形状の環をなしている。端子部２５ｂは、線路部２５ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。

端子部２５ｃは、接続部１８ａ−ｃの表面に設けられ、接続部１８ａ−ｃの中央を囲む矩形状の環をなしている。端子部２５ｃは、線路部２５ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。

ビアホール導体Ｂ２１は、誘電体シート１８ａの線路部１８ａ−ａをｚ軸方向に貫通しており、信号線路Ｓ１よりもｙ軸方向の正方向側において、ｘ軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。ビアホール導体Ｂ１のｚ軸方向の正方向側の端部は、線路部２２ａにおいてブリッジ部Ｂｒ１よりもｙ軸方向の正方向側の部分に接続されている。ビアホール導体Ｂ１のｚ軸方向の負方向側の端部は、線路部２５ａに接続されている。

ビアホール導体Ｂ２２は、誘電体シート１８ａの線路部１８ａ−ａをｚ軸方向に貫通しており、信号線路Ｓ１よりもｙ軸方向の負方向側において、ｘ軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。ビアホール導体Ｂ３のｚ軸方向の正方向側の端部は、線路部２２ａにおいてブリッジ部Ｂｒ１よりもｙ軸方向の負方向側の部分に接続されている。ビアホール導体Ｂ２２のｚ軸方向の負方向側の端部は、線路部２５ａに接続されている。

保護層１４は、誘電体シート１８ａの表面の略全面を覆っている。これにより、保護層１４は、グランド導体２２を覆っている。保護層１４は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。

また、保護層１４は、図１２に示すように、線路部１４ａ及び接続部１４ｂ，１４ｃにより構成されている。線路部１４ａは、線路部１８ａ−ａの表面の全面を覆うことにより、線路部２２ａを覆っている。

接続部１４ｂは、線路部１４ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｂの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｂには、開口Ｈａ〜Ｈｄが設けられている。開口Ｈａは、接続部１４ｂの略中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ａは、開口Ｈａを介して外部に露出している。また、開口Ｈｂは、開口Ｈａのｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｃは、開口Ｈａのｘ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｄは、開口Ｈａのｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部２２ｂは、開口Ｈｂ〜Ｈｄを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。

接続部１４ｃは、線路部１４ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｃの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｃには、開口Ｈｅ〜Ｈｈが設けられている。開口Ｈｅは、接続部１４ｃの略中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ｂは、開口Ｈｅを介して外部に露出している。また、開口Ｈｆは、開口Ｈｅのｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｇは、開口Ｈｅのｘ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｈは、開口Ｈｅのｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部２２ｃは、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。

保護層１５は、誘電体シート１８ａの裏面の略全面を覆っている。これにより、保護層１５は、グランド導体２５を覆っている。保護層１５は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。

また、保護層１５は、図１２に示すように、線路部１５ａ及び接続部１５ｂ，１５ｃにより構成されている。線路部１５ａは、線路部１８ａ−ａの裏面の全面を覆うことにより、線路部２５ａを覆っている。接続部１５ｂは、線路部１５ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｂの裏面を覆っている。接続部１５ｃは、線路部１５ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｃの裏面を覆っている。

高周波信号線路１０ｄのコネクタ１００ａ，１００ｂの構成は、高周波信号線路１０のコネクタ１００ａ，１００ｂの構成と同じであるので説明を省略する。

以上のように構成された高周波信号線路１０ｄでは、線路部２０の特性インピーダンスＺ１と線路部２１の特性インピーダンスＺ２とが異なっている。より詳細には、線路部２０の線幅Ｗ１は、線路部２１の線幅Ｗ２よりも大きい。したがって、線路部２０とグランド導体２５とが対向している面積は、線路部２１とグランド導体２２とが対向している面積よりも大きい。これにより、線路部２０とグランド導体２５との間に形成されている容量は、線路部２１とグランド導体２２との間に形成されている容量よりも大きい。よって、線路部２０では、線路部２１よりもＣ性が強くなる。

更に、線路部２１の線幅Ｗ２が線路部２０の線幅Ｗ１よりも小さいと、線路部２１のインダクタンス値が線路部２０のインダクタンス値よりも大きくなる。よって、線路部２１では、線路部２０よりもＬ性が強くなる。

以上より、線路部２０の特性インピーダンスＺ１は、線路部２１の特性インピーダンスＺ２よりも低くなる。特性インピーダンスＺ２は、例えば、７０Ωであり、特性インピーダンスＺ１は、例えば、３０Ωである。また、信号線路Ｓ１の全体の特性インピーダンスは、例えば、５０Ωである。

また、高周波信号線路１０ｄでは、信号線路Ｓ１の両端（すなわち、外部端子１６ａ，１６ｂ）の特性インピーダンスＺ３は、線路部２０の特性インピーダンスＺ１と線路部２１の特性インピーダンスＺ２との間の大きさとなっている。

（効果）
以上のように構成された高周波信号線路１０ｄによれば、高周波信号線路１０と同様に、低い周波数のノイズの発生を抑制できる。

なお、高周波信号線路１０ｄでは、線路部２０と線路部２１とにおいて発生した定在波により高い周波数のノイズが発生する。線路部２０の長さＬ１及び線路部２１の長さＬ２を十分に短く設計することによって、信号線路Ｓ１を伝送される高周波信号の帯域外にノイズの周波数を設定することが可能である。そのためには、信号線路Ｓ１を伝送される高周波信号の波長の半分より線路部２０の長さＬ１及び線路部２１の長さＬ２を短くすればよい。

信号線路Ｓ１をｚ軸方向の正方向側から平面視したときには、短冊状の線路部２０が見える。線路部２０が電磁波を放射するのは、短冊状の線路部２０の電気長が信号線路Ｓ１を伝送される高周波信号の波長の半分のときである。よって、線路部２０の電気長は、信号線路Ｓ１を伝送される高周波信号の波長の半分より短いことが好ましく、１／８以下とすることで高周波信号の漏洩をより効果的に抑制できる。

また、高周波信号線路１０ｄでは、以下に説明するように、高周波信号線路１０ｄの薄型化を図ることが可能である。より詳細には、グランド導体２２には、ｚ軸方向から平面視したときに、線路部２０と重なる開口部Ｏｐ１が設けられている。これにより、線路部２０は、グランド導体２２と対向していない。そのため、線路部２０とグランド導体２２との間には小さな容量しか形成されていない。よって、線路部２０とグランド導体２２とのｚ軸方向の距離が変動しても、線路部２０とグランド導体２２との間の容量は殆ど変動しない。したがって、線路部２０の特性インピーダンスＺ１を所定の特性インピーダンス（例えば、３０Ω）に維持した状態で、線路部２０とグランド導体２２とを近づけることが可能となる。

更に、グランド導体２５には、ｚ軸方向から平面視したときに、線路部２１と重なる開口部Ｏｐ２が設けられている。これにより、線路部２１は、グランド導体２５と対向していない。そのため、線路部２１とグランド導体２５との間には小さな容量しか形成されていない。よって、線路部２１とグランド導体２５とのｚ軸方向の距離が変動しても、線路部２０とグランド導体２２との間の容量は殆ど変動しない。したがって、線路部２１の特性インピーダンスＺ２を所定の特性インピーダンス（例えば、７０Ω）に維持した状態で、線路部２１とグランド導体２５とを近づけることが可能となる。以上より、高周波信号線路１０ｄの薄型化が図られる。高周波信号線路１０ｄの薄型化が図られると、高周波信号線路１０ｄを容易に曲げることが可能となる。

また、高周波信号線路１０ｄでは、誘電体素体１２に用いられている誘電体シート１８ａは１層のみである。よって、高周波信号線路１０ｄでは、高周波信号線路１０に比べて、より薄型化が図られる。

また、高周波信号線路１０ｄでは、線路部２０がグランド導体２２の開口部Ｏｐ１内に設けられている。これにより、線路部２０とグランド導体２２とが近接するようになる。線路部２０に電流ｉ１が流れると、グランド導体２２には該電流ｉ１と逆向きの帰還電流ｉ２が流れる。よって、線路部２０の周囲の磁束の周回方向とグランド導体２２の周囲の磁束の周回方向とが逆向きになる。この場合、線路部２０とグランド導体２２との間の隙間では磁束が強めあうのに対して、グランド導体２２よりもｙ軸方向の正方向側及び負方向側の領域（すなわち、高周波信号線路１０外の領域）では磁束が打ち消し合う。その結果、高周波信号線路１０ｄ外に磁束が漏れることが抑制される。

（第１の変形例）
次に、第１の変形例に係る高周波信号線路１０ｅについて図面を参照しながら説明する。図１６は、第１の変形例に係る高周波信号線路１０ｅの分解図である。図１６では、誘電体シート１８ａの表面と裏面が並べて示されている。

高周波信号線路１０ｅと高周波信号線路１０ｄとの相違点は、線路部２０，２１の形状及び開口部Ｏｐ１，Ｏｐ２の形状である。より詳細には、高周波信号線路１０ｅでは、線路部２０のｘ軸方向の両端近傍には、線幅が徐々に小さくなるようにテーパーが設けられている。これにより、線路部２０と線路部２１とが接続されている部分における線路部２０の線幅は、線路部２０のｘ軸方向の中央部における線幅よりも小さくなっている。

また、開口部Ｏｐ１のｘ軸方向の両端近傍には、ｙ軸方向の幅が徐々に小さくなるようにテーパーが設けられている。更に、開口部Ｏｐ１の中央部のｙ軸方向の幅は、開口部Ｏｐ１の中央部以外の部分のｙ軸方向の幅よりも大きい。

また、線路部２１のｘ軸方向の両端近傍には、線幅が徐々に小さくなるようにテーパーが設けられている。これにより、線路部２０と線路部２１とが接続されている部分における線路部２１の線幅は、線路部２１のｘ軸方向の中央部における線幅よりも小さくなっている。

また、開口部Ｏｐ２のｘ軸方向の両端近傍には、ｙ軸方向の幅が徐々に小さくなるようにテーパーが設けられている。これにより、開口部Ｏｐ２は、線路部２１に倣った形状をなしている。

以上のような構成を有する高周波信号線路１０ｅでは、高周波信号線路１０ａと同様に、線路部２０と線路部２１との間において高周波信号の反射の発生が抑制される。

本願発明者は、高周波信号線路１０ｅのモデルを作成して、コンピュータシミュレーションによって、高周波信号線路１０ｅの通過特性及び反射特性、並びに、高周波信号線路１０ｅの漏洩電磁界の指向性を調べた。以下に、シミュレーションに用いたモデルの条件について説明する。

隙間の幅Ｇ：２００μｍ
ブリッジ部Ｂｒ１の線幅Ｗ２１：１００μｍ
開口部Ｏｐ１の長さＬ１１：３ｍｍ
開口部Ｏｐ１の幅Ｗ１１：１００μｍ
開口部Ｏｐ２の長さＬ３１：０．４ｍｍ
開口部Ｏｐ２の幅Ｗ３１：４００μｍ
線路部２０の線幅Ｗ１：５００μｍ
線路部２１の線幅Ｗ２：２００μｍ
線路部２１とグランド導体２２との間隔：２００μｍ
高周波信号線路１０ｅの全長：６０ｍｍ

図１７は、シミュレーション結果を示したグラフである。縦軸は減衰量を示し、横軸は周波数を示す。図１７によれば、高周波信号線路１０ｅにおいて、５ＧＨzの高周波信号の通過特性が、−０．２ｄＢ程度に抑制されていることが分かる。

更に、図１７によれば、高周波信号線路１０ｅにおいて、１ＧＨｚ〜５ＧＨｚの高周波信号の反射特性は、−４０ｄＢ以下となっている。これにより、高周波信号線路１０ｅでは、広い帯域において特性インピーダンスの変動が抑制されていることが分かる。

図１８は、シミュレーション結果を示したグラフである。図１８（ａ）は、ｚｙ平面に平行な断面において信号線路Ｓ１が輻射する電磁界の強度を示したグラフであり、図１８（ｂ）は、ｚｘ平面に平行な断面において信号線路Ｓ１から高周波信号線路１０ｅ外に輻射する電磁界の強度を示したグラフである。

高周波信号線路１０ｅでは、開口部Ｏｐ１の面積の方が開口部Ｏｐ２の面積よりも大きい。そのため、図１８に示すように、高周波信号線路１０ｅからｚ軸方向の負方向側に輻射する電磁界の強度よりも高周波信号線路１０ｅからｚ軸方向の正方向側に輻射する電磁界の強度の方が強くなる。このように、開口部Ｏｐ１，Ｏｐ２の面積を調整することによって、高周波信号線路１０ｅ外に輻射する電磁界の分布を調整することができる。

高周波信号線路１０ｅでは、高周波信号線路１０ｅからｚ軸方向の正方向側に輻射する電磁界の強度よりも高周波信号線路１０ｅからｚ軸方向の負方向側に輻射する電磁界の強度の方が弱いので、高周波信号線路１０ｅのｚ軸方向の負方向側に電池パックの金属ケースや筐体等の物品が配置されることが好ましい。これにより、物品と信号線路Ｓ１とが電磁界結合して、信号線路Ｓ１の特性インピーダンスが所望の特性インピーダンスからずれることが抑制される。

（第２の変形例）
次に、第２の変形例に係る高周波信号線路１０ｆについて図面を参照しながら説明する。図１９は、第２の変形例に係る高周波信号線路１０ｆの分解斜視図である。

高周波信号線路１０ｆと高周波信号線路１０ｄとの相違点は、線路部２１の形状及び開口部Ｏｐ２の形状である。より詳細には、高周波信号線路１０ｆでは、線路部２１及び開口部Ｏｐ２は、ｙ軸方向に延在している。これにより、信号線路Ｓ１は、ｚ軸方向から平面視したときに、蛇行している。

（第３の変形例）
次に、第３の変形例に係る高周波信号線路１０ｇについて図面を参照しながら説明する。図２０は、第３の変形例に係る高周波信号線路１０ｇの分解斜視図である。

高周波信号線路１０ｇと高周波信号線路１０ｄとの相違点は、線路部２０，２１の形状及び開口部Ｏｐ１，Ｏｐ２の形状である。より詳細には、高周波信号線路１０ｇでは、線路部２０及び開口部Ｏｐ１は、ｙ軸方向の負方向側に向かって突出する円弧状をなしている。また、線路部２１及び開口部Ｏｐ２は、ｙ軸方向の正方向側に向かって突出する円弧状をなしている。これにより、信号線路Ｓ１は、ｚ軸方向から平面視したときに、蛇行している。

（第４の変形例）
次に、第４の変形例に係る高周波信号線路１０ｈについて図面を参照しながら説明する。図２１は、第４の変形例に係る高周波信号線路１０ｈの分解斜視図である。

高周波信号線路１０ｈと高周波信号線路１０ｄとの相違点は、コイルやコンデンサ等の電子部品２００ａ，２００ｂが設けられている点である。より詳細には、高周波信号線路１０ｈでは、電子部品２００ａ，２００ｂは、誘電体シート１８ａの裏面に埋没させられている。電子部品２００ａ，２００ｂが埋没させられた誘電体シート１８ａの裏面上には、線路部２１及びグランド導体２５が設けられている。これにより、電子部品２００ａ，２００ｂの一方の外部電極はそれぞれ、線路部２１に接続され、電子部品２００ａ，２００ｂの他方の外部電極はそれぞれ、グランド導体２５に接続されている。

以上のような、高周波信号線路１０ｈでは、電子部品２００ａ，２００ｂは、転写シート状に設けられたグランド導体２５上に実装される。そして、グランド導体２５及び電子部品２００ａ，２００ｂは、転写シートから誘電体シート１８ａの裏面に転写される。

高周波信号線路１０ｈでは、電子部品２００ａ，２００ｂを設けることによって、フィルタ回路、位相調整回路等を高周波信号線路１０ｈ内に設けることができる。

（第５の変形例）
次に、第５の変形例に係る高周波信号線路１０ｉについて図面を参照しながら説明する。図２２は、第５の変形例に係る高周波信号線路１０ｉの分解斜視図である。

高周波信号線路１０ｉと高周波信号線路１０ｈとの相違点は、線路部２０が線路部２０ａ，２０ｂに分割されている点、及び、電子部品２００ａ，２００ｂに加えて電子部品２００ｃが設けられている点である。

より詳細には、高周波信号線路１０ｉでは、複数の線路部２０の内の１つの線路部２０が線路部２０ａ，２０ｂに分割されている。そして、電子部品２００ｃは、線路部２０ａ，２０ｂに接続されている。

（第６の変形例）
次に、第６の変形例に係る高周波信号線路１０ｊについて図面を参照しながら説明する。図２３は、第６の変形例に係る高周波信号線路１０ｊの分解斜視図である。図２４は、図２３の高周波信号線路１０ｊの等価回路図である。

高周波信号線路１０ｊでは、図２３に示すように、電子部品２００ｄを更に備えている。電子部品２００ｄは、図２４に示すコンデンサＣ１であり、誘電体シート１８ａの裏面上に設けられている。そして、電子部品２００ｄは、隣り合う線路部２１間に接続されている。すなわち、電子部品２００ｄの一方の外部電極は、ｘ軸方向の負方向側に設けられている線路部２１のｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、電子部品２００ｄの他方の外部電極は、ｘ軸方向の正方向側に設けられている線路部２１のｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。これにより、電子部品２００ｄは、線路部２０に対して並列に接続されている。線路部２０は、インダクタ成分を持つコイルＬ１（図２４参照）とみなすことができる。そのため、高周波信号線路１０ｊの電子部品２００ｄ及び線路部２０は、図２４に示すように、コンデンサＣ１とコイルＬ１とが並列に接続された帯域通過型フィルタを構成している。

なお、図２３に示すように、電子部品２００ｄは、ｘ軸方向に長手方向が一致するように配置されることが好ましい。電子部品２００ｄの長手方向がｘ軸方向に一致している場合の方が、電子部品２００ｄの長手方向がｙ軸方向に一致している場合よりも、高周波信号線路１０ｊのｙ軸方向の幅を小さくすることができる。

（第７の変形例）
次に、第７の変形例に係る高周波信号線路１０ｋについて図面を参照しながら説明する。図２５は、第７の変形例に係る高周波信号線路１０ｋの分解斜視図である。図２６は、図２５の高周波信号線路１０ｋの等価回路図である。

高周波信号線路１０ｋでは、図２５に示すように、電子部品２００ｅ，２００ｆ及び接続導体５０を更に備えている。接続導体５０は、誘電体シート１８ａの裏面上に設けられており、信号線路２１及びグランド導体２５には接続されていない。接続導体５０は、浮遊電位となっているいわゆる浮き電極である。

電子部品２００ｅは、図２６に示すコイルＬ２であり、誘電体シート１８ａの裏面上に設けられている。そして、電子部品２００ｅは、線路部２１と接続導体５０との間に接続されている。すなわち、電子部品２００ｅの一方の外部電極は、線路部２１のｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、電子部品２００ｄの他方の外部電極は、接続導体５０に接続されている。

また、電子部品２００ｆは、図２６に示すコンデンサＣ２であり、誘電体シート１８ａの裏面上に設けられている。そして、電子部品２００ｆは、接続導体５０とグランド導体２５との間に接続されている。すなわち、電子部品２００ｆの一方の外部電極は、接続導体５０に接続されており、電子部品２００ｆの他方の外部電極は、グランド導体２５に接続されている。

以上のような構成を有する高周波信号線路１０ｋでは、電子部品２００ｅ，２００ｆは、図２６に示すように、信号線路Ｓ１とグランドとの間にコイルＬ２とコンデンサＣ２とが直列に接続された帯域除去型フィルタを構成している。

（第８の変形例）
次に、第８の変形例に係る高周波信号線路１０ｌについて図面を参照しながら説明する。図２７は、第８の変形例に係る高周波信号線路１０ｌの分解斜視図である。図２８は、図２７の高周波信号線路１０ｌの等価回路図である。

高周波信号線路１０ｌでは、図２７に示すように、電子部品２００ｄ，２００ｅ，２００ｆ及び接続導体５０を更に備えている。高周波信号線路１０ｌにおける２００ｄ，２００ｅ，２００ｆ及び接続導体５０は、高周波信号線路１０ｊ，１０ｋにおける２００ｄ，２００ｅ，２００ｆ及び接続導体５０と同じであるので説明を省略する。これにより、図２８に示すように、電子部品２００ｄ及び線路部２０は、コンデンサＣ１とコイルＬ１とが並列に接続された帯域除去型フィルタを構成しており、電子部品２００ｅ，２００ｆは、信号線路Ｓ１とグランドとの間にコイルＬ２とコンデンサＣ２とが直列に接続された帯域除去型フィルタを構成している。

（第９の変形例）
次に、第９の変形例に係る高周波信号線路１０ｍについて図面を参照しながら説明する。図２９は、第９の変形例に係る高周波信号線路１０ｍの分解斜視図である。図３０は、図２９の高周波信号線路１０ｍの等価回路図である。

高周波信号線路１０ｍは、電子部品２００ｇ，２００ｈを更に備えている。高周波信号線路１０ｍでは、複数の線路部２０の内の１つの線路部２０が線路部２０ｃ，２０ｄ，２０ｅに分割されている。

電子部品２００ｇは、図３０に示すように、コンデンサＣ３であり、誘電体シート１８ａの表面上に設けられている。なお、保護層１４には開口が設けられているので、電子部品２００ｇは、外部に露出している。そして、電子部品２００ｇは、線路部２０ｃ，２０ｄ間に接続されている。すなわち、電子部品２００ｇの一方の外部電極は、線路部２０ｃのｘ軸方向の正方向側の端部に接続され、電子部品２００ｇの他方の外部電極は、線路部２０ｄのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。

電子部品２００ｈは、図３０に示すように、コイルＬ３であり、誘電体シート１８ａの表面上に設けられている。なお、保護層１４には開口が設けられているので、電子部品２００ｈは、外部に露出している。そして、電子部品２００ｈは、線路部２０ｄ，２０ｅ間に接続されている。すなわち、電子部品２００ｈの一方の外部電極は、線路部２０ｄのｘ軸方向の正方向側の端部に接続され、電子部品２００ｈの他方の外部電極は、線路部２０ｅのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。

これにより、電子部品２００ｇ，２００ｈは、線路部２０に対して直列に接続されている。そのため、高周波信号線路１０ｍの電子部品２００ｇ，２００ｈは、図３０に示すように、信号線路Ｓ１上にコンデンサＣ３とコイルＬ３とが直列に接続された帯域通過型フィルタを構成している。

（第１０の変形例）
次に、第１０の変形例に係る高周波信号線路１０ｎについて図面を参照しながら説明する。図３１は、第１０の変形例に係る高周波信号線路１０ｎの分解斜視図である。図３２は、図３１の高周波信号線路１０ｎの等価回路図である。

高周波信号線路１０ｎは、図３１に示すように、電子部品２００ｉ，２００ｊを更に備えている。電子部品２００ｉは、図３１に示すコイルＬ４であり、誘電体シート１８ａの裏面上に設けられている。そして、電子部品２００ｉは、線路部２１とグランド導体２５との間に接続されている。すなわち、電子部品２００ｉの一方の外部電極は、線路部２１のｘ軸方向の負方向側の端部に接続されており、電子部品２００ｉの他方の外部電極は、グランド導体２５に接続されている。これにより、電子部品２００ｉは、信号線路Ｓ１とグランドとの間に接続されている。

また、電子部品２００ｊは、図３１に示すコンデンサＣ４であり、誘電体シート１８ａの裏面上に設けられている。そして、電子部品２００ｊは、線路部２１とグランド導体２５との間に接続されている。すなわち、電子部品２００ｊの一方の外部電極は、線路部２１のｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、電子部品２００ｊの他方の外部電極は、グランド導体２５に接続されている。これにより、電子部品２００ｊは、電子部品２００ｉに対して並列に接続され、かつ、信号線路Ｓ１とグランドとの間に接続されている。

以上のような高周波信号線路１０ｎでは、電子部品２００ｉ，２００ｊは、図３２に示すように、コンデンサＣ１とコイルＬ１とが並列に接続された帯域通過型フィルタを構成している。

（第１１の変形例）
次に、第１１の変形例に係る高周波信号線路１０ｏについて図面を参照しながら説明する。図３３は、第１１の変形例に係る高周波信号線路１０ｏの分解斜視図である。図３４は、図３３の高周波信号線路１０ｏの等価回路図である。

高周波信号線路１０ｏでは、図３３に示すように、電子部品２００ｇ，２００ｈ，２００ｉ，２００ｊを更に備えている。高周波信号線路１０ｏにおける電子部品２００ｇ，２００ｈ，２００ｉ，２００ｊは、高周波信号線路１０ｍ，１０ｎにおける電子部品２００ｇ，２００ｈ，２００ｉ，２００ｊと同じであるので説明を省略する。これにより、図３４に示すように、電子部品２００ｇ，２００ｈは、コンデンサＣ３とコイルＬ３とが直列に接続された帯域通過型フィルタを構成し、電子部品２００ｉ，２００ｊは、信号線路Ｓ１とグランドとの間にコイルＬ４とコンデンサＣ４とが並列に接続された帯域通過型フィルタを構成している。

（第１２の変形例）
次に、第１２の変形例に係る高周波信号線路１０ｐについて図面を参照しながら説明する。図３５は、第１２の変形例に係る高周波信号線路１０ｐの分解斜視図である。

高周波信号線路１０ｐに示すように、複数の信号線路Ｓ１，Ｓ２が設けられていてもよい。これにより、高周波信号線路１０ｐを用いて、平衡信号の伝送や、高速デジタル信号の並列伝送を行うことができる。

（第１３の変形例）
次に、第１３の変形例に係る高周波信号線路１０ｑについて図面を参照しながら説明する。図３６は、第１３の変形例に係る高周波信号線路１０ｑを平面視した図である。

高周波信号線路１０ｑと高周波信号線路１０ｐとの相違点は、線路部２０，２０'，２１，２１'の形状及び開口部Ｏｐ１，Ｏｐ２の形状である。より詳細には、高周波信号線路１０ｑでは、線路部２０，２０'，２１，２１'のｘ軸方向の両端近傍には、線幅が徐々に小さくなるようにテーパーが設けられている。

これにより、線路部２０，２０'と線路部２１，２１'とが接続されている部分における線路部２０，２０'の線幅は、線路部２０，２０'のｘ軸方向の中央部における線幅よりも小さくなっている。同様に、線路部２０，２０'と線路部２１，２１'とが接続されている部分における線路部２１，２１'の線幅は、線路部２１，２１'のｘ軸方向の中央部における線幅よりも小さくなっている。

また、開口部Ｏｐ１，Ｏｐ２のｘ軸方向の両端近傍には、ｙ軸方向の幅が徐々に小さくなるようにテーパーが設けられている。これにより、開口部Ｏｐ１，Ｏｐ２はそれぞれ、線路部２０，２０'，２１，２１'に倣った形状をなしている。

以上のような構成を有する高周波信号線路１０ｑでは、高周波信号線路１０ａと同様に、線路部２０と線路部２１との間及び線路部２０'と線路部２１'との間において高周波信号の反射の発生が抑制される。

本願発明者は、高周波信号線路１０ｑのモデルを作成して、コンピュータシミュレーションによって、高周波信号線路１０ｑの通過特性、反射特性及びアイソレーション特性を調べた。以下に、シミュレーションに用いたモデルの条件について説明する。

隙間の幅Ｇ：２００μｍ
ブリッジ部Ｂｒ１の線幅Ｗ２１：１００μｍ
開口部Ｏｐ１の長さＬ１１：３ｍｍ
開口部Ｏｐ１の幅Ｗ１１：９００μｍ
開口部Ｏｐ２の長さＬ３１：０．４ｍｍ
開口部Ｏｐ２の幅Ｗ３１：４００μｍ
線路部２０の線幅Ｗ１：５００μｍ
線路部２１の線幅Ｗ２：２００μｍ
線路部２１とグランド導体２２との間隔：２００μｍ
線路部２１とグランド導体２４との間隔：１００μｍ
高周波信号線路１０ｑの全長：６０ｍｍ

図３７は、シミュレーション結果を示したグラフである。図３７（ａ）は、通過特性１、通過特性２、反射特性１及び反射特性２を示している。図３７（ｂ）は、アイソレーション特性１及びアイソレーション特性２を示している。縦軸は減衰量を示し、横軸は周波数を示す。

通過特性１とは、信号線路Ｓ１のｘ軸方向の負方向側の端部から入力した信号に対する信号線路Ｓ１のｘ軸方向の正方向側の端部から出力した信号の強度の比を示している。通過特性２とは、信号線路Ｓ２のｘ軸方向の負方向側の端部から入力した信号に対する信号線路Ｓ２のｘ軸方向の正方向側の端部から出力した信号の強度の比を示している。反射特性１とは、信号線路Ｓ１のｘ軸方向の負方向側の端部から入力した信号に対する信号線路Ｓ１のｘ軸方向の負方向側の端部から出力した信号の強度の比を示している。反射特性２とは、信号線路Ｓ２のｘ軸方向の負方向側の端部から入力した信号に対する信号線路Ｓ２のｘ軸方向の負方向側の端部から出力した信号の強度の比を示している。

アイソレーション特性１とは、信号線路Ｓ１のｘ軸方向の負方向側の端部から入力した信号に対する信号線路Ｓ２のｘ軸方向の正方向側の端部から出力した信号の強度の比を示している。アイソレーション特性２とは、信号線路Ｓ１のｘ軸方向の負方向側の端部から入力した信号に対する信号線路Ｓ２のｘ軸方向の負方向側の端部から出力した信号の強度の比を示している。

図３７（ａ）によれば、２本の信号線路Ｓ１，Ｓ２を有する高周波信号線路１０ｑの通過特性及び反射特性は、１本の信号線路Ｓ１を有する高周波信号線路１０ｅの通過特性及び反射特性と同等であることが分かる。

また、図３７（ｂ）によれば、高周波信号線路１０ｑは、良好なアイソレーション特性を有していることが分かる。これにより、高周波信号線路１０ｑでは、ｙ軸方向における高周波信号の閉じ込めが良好に行われていることが分かる。

なお、高周波信号線路１０ｑでは、２本の信号線路Ｓ１，Ｓ２が設けられているが、３本以上の信号線路が設けられていてもよい。

（第１４の変形例）
次に、第１４の変形例に係る高周波信号線路１０ｒについて図面を参照しながら説明する。図３８は、第１４の変形例に係る高周波信号線路１０ｒの分解斜視図である。

図３８の高周波信号線路１０ｒのように、信号線路Ｓ１は、ｚ軸方向から平面視したときに、Ｕ字に曲げられていてもよい。

これにより、高周波信号線路１０ｒを曲げることなく、信号線路Ｓ１を曲げることが可能である。よって、高周波信号線路１０ｒを曲げて用いる必要性を低減できる。その結果、高周波信号線路１０ｒが曲げられることによって、信号線路Ｓ１の電気的特性が変動することが抑制される。ただし、高周波信号線路１０ｒが曲げられて用いられることを妨げるものではない。

（第１５の変形例）
次に、第１５の変形例に係る高周波信号線路１０ｓについて図面を参照しながら説明する。図３９は、第１５の変形例に係る高周波信号線路１０ｓの分解斜視図である。

図３９の高周波信号線路１０ｓのように、信号線路Ｓ１は、ｚ軸方向から平面視したときに、Ｔ字に引き回されていてもよい。

これにより、高周波信号線路１０ｓを曲げることなく、信号線路Ｓ１を曲げることが可能である。よって、高周波信号線路１０ｓを曲げて用いる必要性を低減できる。その結果、高周波信号線路１０ｓが曲げられることによって、信号線路Ｓ１の電気的特性が変動することが抑制される。ただし、高周波信号線路１０ｓが曲げられて用いられることを妨げるものではない。

（第１６の変形例）
次に、第１６の変形例に係る高周波信号線路１０ｔについて図面を参照しながら説明する。図４０は、第１６の変形例に係る高周波信号線１０ｔの分解斜視図である。図４１は、図４０の高周波信号線路１０ｔの信号線路Ｓ１及びグランド導体２２，２４をｚ軸方向から平面視した図である。

高周波信号線路１０ｔは、図４０及び図４１に示すように、グランド導体２２には、本体１２の主面の法線方向（ｚ軸方向）から平面視したときに、線路部２１と重なる開口部Ｏｐ３が設けられている点において、高周波信号線路１０ｄと相違する。より詳細には、グランド導体２２には、ｘ軸方向において隣り合う開口部Ｏｐ１の間に、導体が存在しない開口部Ｏｐ３が設けられている。開口部Ｏｐ３のｘ軸方向の両端近傍には、ｙ軸方向の幅が徐々に小さくなるようにテーパーが設けられている。

また、線路部２１は、ｚ軸方向から平面視したときに、開口部Ｏｐ３と重なっている。そして、線路部２１が開口部Ｏｐ３と重なっている部分の線幅Ｗａは、線路部２１がグランド導体２２と重なっている部分（すなわち、開口部Ｏｐ３と重なっていない部分）の線幅Ｗｂ及び線路部２０の線幅Ｗｃよりも大きい。更に、線路部２１が開口Ｏｐ３と重なっている部分のｘ軸方向の両端近傍には、線幅が徐々に小さくなるようにテーパーが設けられている。これにより、開口部Ｏｐ３は、線路部２０に倣った形状をなしている。

以上のように構成された高周波信号線路１０ｔでは、本体１２の薄型化を図ることができる。より詳細には、グランド導体２２には、ｚ軸方向から平面視したときに、線路部２１と重なる開口Ｏｐ３が設けられている。これにより、線路部２１とグランド導体２２との間に容量が形成されにくくなる。そのため、線路部２１とグランド導体２２とのｚ軸方向の間隔を小さくしても、線路部２１の特性インピーダンスが小さくなり過ぎることが抑制される。その結果、信号線路Ｓ１の特性インピーダンスを所定の特性インピーダンスに維持しつつ、本体１２の薄型化を図ることが可能となる。

更に、高周波信号線路１０ｔでは、線路部２１とグランド導体２２との間に容量が形成されにくいので、線路部２１が開口Ｏｐ３と重なっている部分の線幅Ｗａを大きくすることが可能である。これにより、信号線路Ｓ１の高周波抵抗の低減を図ることができる。

また、図４１に示すように、開口Ｏｐ２と開口Ｏｐ３とは重なっている。そして、開口Ｏｐ３のサイズは、開口Ｏｐ２のサイズよりも大きい。より詳細には、開口Ｏｐ３のｙ軸方向の幅は、開口Ｏｐ２のｙ軸方向の幅よりも大きい。これにより、開口Ｏｐ３は、ｙ軸方向において、開口Ｏｐ２内に収まっている。そのため、高周波信号線路１０ｔの製造時に開口Ｏｐ２と開口Ｏｐ３との間の位置関係にずれが生じたとしても、開口Ｏｐ３が開口Ｏｐ２からはみ出すことが抑制される。その結果、グランド導体２２，２４間に形成される容量値が大きく変動することが抑制されるようになり、信号線路Ｓ１の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制されるようになる。

また、線路部２０，２１に電流が流れる際に、グランド導体２２，２５に帰還電流が流れる。グランド導体２２，２５に流れる帰還電流は、表皮効果により開口部Ｏｐ１，Ｏｐ２，Ｏｐ３の外周付近を流れるが、帰還ｚ軸方向においてグランド導体２２とグランド導体２５とが重なった位置を電流が流れると挿入損失が低下してしまう。高周波信号線路１０ｔでは、開口Ｏｐ３のサイズは開口Ｏｐ２のサイズよりも大きいことから、反電流の流れる位置が厚み方向に重なりにくくなる。これにより、挿入損失の低下を抑制できる。

（第１７の変形例）
以下に、第１７の変形例に係る高周波信号線路１０ｕについて図面を参照しながら説明する。図４２は、第１７の変形例に係る高周波信号線路１０ｕの外観斜視図である。図４３は、第１７の変形例に係る高周波信号線路１０ｕの分解斜視図である。図４４は、第１７の変形例に係る高周波信号線路１０ｕの等価回路図である。

高周波信号線路１０ｕは、図４２に示すように、ｘ軸方向に延在している。そして、高周波信号線路１０ｕの信号線路Ｓ１は、図４３に示すように、信号線路Ｓ１０，Ｓ１１，Ｓ１２を含んでいる。

信号線路Ｓ１０，Ｓ１１，Ｓ１２は、ｘ軸方向に延在している。なお、信号線路Ｓ１０，Ｓ１１，Ｓ１２は、高周波信号線路１０の信号線路Ｓ１と同じように、線路部２０，２１及びビアホール導体ｂ１，ｂ２により構成されている。

信号線路Ｓ１０のｘ軸方向の正方向側の端部と信号線路Ｓ１１のｘ軸方向の負方向側の端部と信号線路Ｓ１２のｘ軸方向の負方向側の端部とは接続されてる。そして、信号線路Ｓ１１と信号線路Ｓ１２とが互いに平行に延在している。

信号線路Ｓ１０のｘ軸方向の負方向側の端部には、コネクタ１００ａが接続される。なお、高周波信号線路１０ｕのコネクタ１００ａと信号線路Ｓ１０との接続は、高周波信号線路１０のコネクタ１００ａと信号線路Ｓ１との接続と同じであるので、説明を省略する。

信号線路Ｓ１１のｘ軸方向の正方向側の端部には、アンテナ端子１５０ａが接続される。具体的には、信号線路Ｓ１１においてｘ軸方向の最も正方向側に設けられている線路部２０のｘ軸方向の正方向側の端部上にアンテナ端子１５０ａが実装されている。保護層１４には、開口Ｈｋが設けられているので、アンテナ端子１５０ａは外部に露出している。アンテナ端子１５０ａは、高周波信号線路１０ｕが用いられる無線通信端末のアンテナに接続される端子である。

信号線路Ｓ１２のｘ軸方向の正方向側の端部には、アンテナ端子１５０ｂが接続される。具体的には、信号線路Ｓ１２においてｘ軸方向の最も正方向側に設けられている線路部２０のｘ軸方向の正方向側の端部上にアンテナ端子１５０ｂが実装されている。保護層１４には、開口Ｈｌが設けられているので、アンテナ端子１５０ｂは外部に露出している。アンテナ端子１５０ｂは、高周波信号線路１０ｕが用いられる無線通信端末のアンテナに接続される端子である。アンテナ端子１５０ａが接続されるアンテナとアンテナ端子１５０ｂが接続されるアンテナとは異なるアンテナである。アンテナ端子１５０ａが接続されるアンテナは相対的に高い周波数の信号を受信し、アンテナ端子１５０ｂが接続されるアンテナは相対的に低い周波数の信号を受信する。

また、高周波信号線路１０ｕは、電子部品２００ｄ，２００ｅ，２００ｆ，２００ｌ，２００ｍ，２００ｎ及び接続導体５０を備えている。電子部品２００ｅ，２００ｆ，２００ｌ，２００ｍ及び接続導体５０は、図４４のハイパスフィルタＨＰＦを信号線路Ｓ１１において構成している。電子部品２００ｄ，２００ｎは、図４４のハイパスフィルタＨＰＦよりも低い周波数の通過帯域を有するローパスフィルタＬＰＦを信号線路Ｓ１２において構成している。そして、ローパスフィルタＬＰＦ及びハイパスフィルタＨＰＦは、ダイプレクサを構成している。ダイプレクサは、信号線路Ｓ１１の信号が信号線路Ｓ１２に進入することを抑制するとともに、信号線路Ｓ１２の信号が信号線路Ｓ１１に進入することを抑制する。

電子部品２００ｄは、図４４のコンデンサＣ１４であり、誘電体シート１８ａの裏面上に設けられている。電子部品２００ｅは、図４４のコイルＬ１１であり、誘電体シート１８ａの裏面上に設けられている。電子部品２００ｆは、図４３のコンデンサＣ１３であり、誘電体シート１８ａの裏面上に設けられている。高周波信号線路１０ｕにおける電子部品２００ｄ，２００ｅ，２００ｆは、高周波信号線路１０ｊ，１０ｋにおける電子部品２００ｄ，２００ｅ，２００ｆと同じであるので説明を省略する。

また、電子部品２００ｌは、図４４のコンデンサＣ１１であり、誘電体シート１８ａの裏面上に設けられている。電子部品２００ｌは、信号線路Ｓ１１において、線路部２１の途中に直列に接続されている。電子部品２００ｍは、図４４のコンデンサＣ１２であり、誘電体シート１８ａの裏面上に設けられている。電子部品２００ｍは、信号線路Ｓ１１において、線路部２１の途中に直列に接続されている。これにより、図４４に示すように、信号線路Ｓ１１において、コンデンサＣ１１とコンデンサＣ１２とが直列に接続されている。また、信号線路Ｓ１１において、コンデンサＣ１１とコンデンサＣ１２との間と、グランドとの間には、コイルＬ１１及びコンデンサＣ１３が直列に接続されている。

また、電子部品２００ｎは、図４４のコンデンサＣ１５であり、誘電体シート１８ａの裏面上に設けられている。電子部品２００ｎは、信号線路Ｓ１２において、線路部２１とグランド導体２５との間に接続されている。より詳細には、電子部品２００ｎの一方の外部電極は、線路部２１のｘ軸方向の正方向側の端部に接続され、電子部品２００ｎの他方の外部電極は、グランド導体２５に接続されている。これにより、コンデンサＣ１５は、信号線路Ｓ１２とグランドとの間に直列に接続されている。

以上のように構成された高周波信号線路１０ｕは、無線通信端末の２つのアンテナと送受信回路基板との接続に用いられる。これにより、高周波信号線路１０ｕは、２種類の異なる周波数帯域の信号を伝送することができる。

また、高周波信号線路１０ｕでは、ダイプレクサを内蔵している。そのため、高周波信号線路１０ｕによれば、送受信回路やアンテナ近傍にダイプレクサを配置するスペースを設ける必要がなくなる。その結果、無線通信端末の小型化が図られる。

なお、ハイパスフィルタＨＰＦは、誘電体シート１８ａの裏面に設けられている電子部品２００ｅ，２００ｆ，２００ｌ，２００ｍにより構成されているが、誘電体シート１８ａの表面に設けられている電子部品により構成されていてもよいし、誘電体シート１８ａの表面に設けられている電子部品及び誘電体シート１８ａの裏面に設けられている電子部品により構成されていてもよい。

また、ローパスフィルタＬＰＦは、誘電体シート１８ａの裏面に設けられている電子部品２００ｄ，２００ｎにより構成されているが、誘電体シート１８ａの表面に設けられている電子部品により構成されていてもよいし、誘電体シート１８ａの表面に設けられている電子部品及び誘電体シート１８ａの裏面に設けられている電子部品により構成されていてもよい。

（第１８の変形例）
以下に、第１８の変形例に係る高周波信号線路１０ｖについて図面を参照しながら説明する。図４５は、第１８の変形例に係る高周波信号線路１０ｖの分解図である。

高周波信号線路１０ｖは、グランド導体２５及びビアホール導体Ｂ２１，Ｂ２２が設けられていない点において、高周波信号線路１０ｄと相違する。

高周波信号線路１０ｖによれば、線路部２１は、ｚ軸方向から平面視したときにグランド導体２２と重なっているので、グランド導体２２との間において容量を形成している。一方、線路部２０は、グランド導体２５が設けられていないのでグランド導体と対向していない。これにより、線路部２１の特性インピーダンスは、線路部２０の特性インピーダンスよりも低くなる。これにより、線路部２０の特性インピーダンスＺ１と線路部２１の特性インピーダンスＺ２とが異なっている。具体的には、特性インピーダンスＺ１が特性インピーダンスＺ２よりも高くなる。よって、信号線路Ｓ１の特性インピーダンスは、特性インピーダンスＺ１と特性インピーダンスＺ２との間を周期的に変動するようになる。その結果、信号線路Ｓ１では、線路部２０と線路部２１とにおいて短い波長（すなわち、高い周波数）の定在波が発生するようになる。一方、外部電極１６ａ，１６ｂ間に長い波長（すなわち、低い周波数）の定在波が発生しにくくなる。以上より、高周波信号線路１０ｖでは、低い周波数のノイズの発生が抑制される。

また、高周波信号線路１０ｖでは、低い周波数のノイズの発生が抑制されるので、グランド導体２５が設けられていなくても、ノイズの輻射量の増加が抑制される。更に、グランド導体２５が設けられていないので、高周波信号線路１０ｖを容易に曲げることが可能となる。

（その他の実施形態）
本発明に係る高周波信号線路は、前記実施形態に係る高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｖに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。

なお、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｖの構成を組み合わせてもよい。

また、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｖと回路基板等との接続に、コネクタ１００ａ，１００ｂ以外の構成が用いられてもよい。コネクタ１００ａ，１００ｂ以外の構成とは、例えば、フラットケーブル用のコネクタや異方性導電性接着剤等が挙げられる。

また、グランド導体２２は、ｚ軸方向から平面視したときに、はしご型をなしていなくてもよい。グランド導体２２は、ｚ軸方向から平面視したときに、線路部２１と重なっていればよく、少なくともブリッジ部Ｂｒ１さえ存在していればよい。

また、グランド導体２５は、ｚ軸方向から平面視したときに、はしご型をなしていなくてもよい。グランド導体２５は、ｚ軸方向から平面視したときに、線路部２０と重なっていればよく、少なくともブリッジ部Ｂｒ２さえ存在していればよい。

また、高周波信号線路１０において、グランド導体２２は、線路部２０が設けられている誘電体シート１８ａの表面に設けられている必要はない。グランド導体２２は、線路部２０が設けられている誘電体シート１８に関して線路部２１が設けられている誘電体シート１８の反対側に位置する誘電体シートに設けられていてもよい。すなわち、高周波信号線路１０において、誘電体シート１８ａのｚ軸方向の正方向側にもう一層の誘電体シート１８が設けられており、該誘電体シート１８の表面にグランド導体２２が設けられていてもよい。

また、保護層１４，１５は、設けられていなくてもよい。

また、高周波信号線路１０において、グランド導体２４は、誘電体シート１８ｃの表面に設けられている必要はない。グランド導体２４は、線路部２１が設けられている誘電体シート１８の面に関して線路部２１が設けられている誘電体シート１８の面の反対側に位置する面に設けられていればよい。よって、高周波信号線路１０において、グランド導体２４は、誘電体シート１８ｂの裏面に設けられていてもよい。

なお、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｖは、アンテナフロントエンドモジュールなどＲＦ回路基板における高周波信号線路として用いられてもよい。

本発明は、高周波信号線路及びこれを備えた電子機器に有用であり、特に、低い周波数のノイズの発生を抑制できる点において優れている。

Ｂ１〜Ｂ４，Ｂ２１，Ｂ２２，ｂ１，ｂ２，ｂ１３，ｂ１４ ビアホール導体
Ｂｒ１，Ｂｒ２ ブリッジ部
Ｏｐ１，Ｏｐ２，Ｏｐ３ 開口部
Ｓ１，Ｓ２ 信号線路
１０，１０ａ〜１０ｖ 高周波信号線路
１２ 誘電体素体
１４，１５ 保護層
１８ａ〜１８ｄ 誘電体シート
２０，２０'，２０ａ，２０ｂ，２１，２１' 線路部
２２，２２'，２４，２４'，２５ グランド導体
２００ａ〜２００ｎ 電子部品

Claims (18)

1. 本体と、
   前記本体の第１の層に設けられている第１の線路部と該本体の第２の層に設けられている第２の線路部とが交互に接続されることにより構成されている信号線路と、
   前記第１の層に設けられ、かつ、前記本体の主面の法線方向から平面視したときに、前記第２の線路部と重なっていると共に、前記第１の線路部と重なっていない第１のグランド導体と、
   前記第２の層に関して前記第１の層の反対側に位置する第４の層に設けられ、かつ、積層方向から平面視したときに、前記第１の線路部及び前記第２の線路部と重なる第２のグランド導体と、
   を備えており、
   前記第１の線路部は、前記第２の線路部よりも長く、
   前記第１の線路部の特性インピーダンスと前記第２の線路部の特性インピーダンスとは異なっていること、
   を特徴とする高周波信号線路。
2. 前記本体は、第１の絶縁シートないし第３の絶縁シートがこの順に積層されることにより構成されており、
   前記第１の層は、前記第１の絶縁シートの一方の主面であり、
   前記第２の層は、前記第２の絶縁シートの一方の主面であり、
   前記第４の層は、前記第３の絶縁シートの一方の主面であること、
   を特徴とする請求項１に記載の高周波信号線路。
3. 前記第１のグランド導体と前記第２の線路部との積層方向における間隔は、前記第２のグランド導体と前記第２の線路部との積層方向における間隔よりも小さいこと、
   を特徴とする請求項２に記載の高周波信号線路。
4. 前記第１の線路部は、１つの前記信号線路に対して複数設けられており、
   前記第１のグランド導体は、該第１のグランド導体が設けられていない複数の第１の開口部が設けられている導体であって、
   前記複数の第１の線路部は、前記本体の主面の法線方向から平面視したときに、前記第１の開口部内に設けられることにより、前記第１のグランド導体に囲まれていること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の高周波信号線路。
5. 前記第１の開口部における前記第１の線路部に沿う方向の長さは、該第１の開口部の幅よりも大きいこと、
   を特徴とする請求項４に記載の高周波信号線路。
6. 前記第１の線路部と前記第２の線路部とが接続されている部分における該第１の線路部の線幅は、該第１の線路部の中央における線幅よりも小さいこと、
   を特徴とする請求項５に記載の高周波信号線路。
7. 前記第１の線路部の長さ及び前記第２の線路部の長さは、前記信号線路を伝送される高周波信号の波長の半分よりも小さいこと、
   を特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の高周波信号線路。
8. 前記信号線路の両端の特性インピーダンスは、前記第１の線路部の特性インピーダンスと前記第２の線路部の特性インピーダンスとの間の大きさであること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の高周波信号線路。
9. 前記第１の線路部と前記第２の線路部とは、前記第１の層と前記第２の層との間を繋ぐ層間接続部によって接続されていること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の高周波信号線路。
10. 前記第１の信号線の線幅は、前記第２の信号線の線幅よりも大きいこと、
    を特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の高周波信号線路。
11. 前記本体は可撓性を有していること、
    を特徴とする請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載の高周波信号線路。
12. 複数の前記信号線路が前記本体に設けられていること、
    を特徴とする請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載の高周波信号線路。
13. 前記第１の層に設けられ、前記第１の線路部に接続されている第１の電子部品を、
    更に備えていること、
    を特徴とする請求項１ないし請求項１２のいずれかに記載の高周波信号線路。
14. 前記第２の層に設けられ、前記第２の線路部に接続されている第２の電子部品を、
    更に備えていること、
    を特徴とする請求項１ないし請求項１３のいずれかに記載の高周波信号線路。
15. 前記第１の電子部品及び／又は前記第２の電子部品は、コイル又はコンデンサであること、
    を特徴とする請求項１３又は請求項１４のいずれかに記載の高周波信号線路。
16. 前記第１の電子部品及び／又は前記第２の電子部品は、フィルタを構成していること、
    を特徴とする請求項１４に記載の高周波信号線路。
17. 前記信号線路は、第１の信号線路ないし第３の信号線路を含んでおり、
    前記第１の信号線路の一端と前記第２の信号線路の一端と前記第３の信号線路の一端とが接続されており、
    前記第１の信号線路の他端には、コネクタが接続され、
    前記第２の信号線路の他端には、第１のアンテナが電気的に接続され、
    前記第３の信号線路の他端には、第２のアンテナが電気的に接続され、
    前記高周波信号線路は、
    前記第１の層及び／又は前記第２の層に設けられ、前記第２の信号線路の前記第１の線路部及び／又は前記第２の線路部に接続されている第３の電子部品と、
    前記第１の層及び／又は前記第２の層に設けられ、前記第３の信号線路の前記第１の線路部及び／又は前記第２の線路部に接続されている第４の電子部品と、
    を更に備えており、
    前記第３の電子部品は、第１のフィルタを構成しており、
    前記第４の電子部品は、前記第１のフィルタよりも低い周波数の通過帯域を有する第２のフィルタを構成していること、
    を特徴とする請求項１ないし請求項１２のいずれかに記載の高周波信号線路。
18. 筐体と、
    前記筐体内に設けられている高周波信号線路と、
    を備えており、
    前記高周波信号線路は、
    本体と、
    前記本体の第１の層に設けられている第１の線路部と該本体の第２の層に設けられている第２の線路部とが交互に接続されることにより構成されている信号線路と、
    前記第１の層に設けられ、かつ、前記本体の主面の法線方向から平面視したときに、前記第２の線路部と重なっていると共に、前記第１の線路部と重なっていない第１のグランド導体と、
    前記第２の層に関して前記第１の層の反対側に位置する第４の層に設けられ、かつ、積層方向から平面視したときに、前記第１の線路部及び前記第２の線路部と重なる第２のグランド導体と、
    を備えており、
    前記第１の線路部は、前記第２の線路部よりも長く、
    前記第１の線路部の特性インピーダンスと前記第２の線路部の特性インピーダンスとは異なっていること、
    を特徴とする電子機器。

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