JP5787248B2 - サーマルヘッドの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の参考例としての発明は、平板状の第1基板および該第1基板に対して積層状態に配される平板状の第2基板の少なくとも一方の一表面に開口する溝部を形成する溝部形成工程と、該溝部形成工程により形成された前記溝部の幅寸法を測定する溝測定工程と、前記第1基板と前記第2基板とを前記溝部形成工程により形成された前記溝部の開口を閉塞するように積層状態に接合する接合工程と、前記接合工程により前記第1基板に接合された前記第2基板の表面における前記溝部に対向する領域に発熱抵抗体を形成する発熱抵抗体形成工程と、前記第2基板上の前記発熱抵抗体を覆い保護する保護膜を前記溝部の幅寸法および前記第2基板の厚さ寸法に基づいて設定される厚さで形成する保護膜形成工程とを含むサーマルヘッドの製造方法を提供する。
d=D+18.302×(0.0005×(a−A)+0.0055×b−0.69×(b−B)+0.01225×e(−0.0084c)×(C−c))
ここで、d:保護膜の狙い厚さ(μm)、A:溝部の幅の目標設計値(μm)、B:溝部の深さの目標設計値(μm)、C:発熱抵抗体から溝部までの距離の目標設計値(μm)、D:保護膜の厚さの目標設計値(μm)、E:狙いの発熱効率(倍)、a:溝部の幅の実際の測定値(μm)、b:溝部の深さの実際の測定値(μm)、c:発熱抵抗体から溝部までの距離の実際の測定値(μm)である。
本実施形態に係るサーマルヘッドの製造方法は、例えば、図1および図2に示すように、サーマルプリンタ(図示略)に用いられるサーマルヘッド10を製造するものである。本実施形態においては、図3(a),(b)に示すような大型の支持基板(第1基板)12および上板基板(第2基板)14から複数のサーマルヘッド10を製造する方法について説明する。
以下、各工程について具体的に説明する。
d=D+18.302×(0.0005×(a−A)+0.0055×b−0.69×(b−B)+0.01225×e(−0.0084c)×(C−c))
ここで、A:凹部21の幅の目標設計値(μm)、B:凹部21の深さの目標設計値(μm)、C:上板基板14の厚さの目標設計値(μm)、D:保護膜19の厚さの目標設計値(μm)、a:凹部21の幅の実際の測定値(μm)、b:凹部21の深さの実際の測定値(μm)、c:上板基板14の厚さの実際の測定値(μm)
個別電極17Aに選択的に電圧を印加すると、選択された個別電極17Aとこれに対向する共通電極17Bとが接続されている発熱抵抗体15に電流が流れて発熱する。発熱抵抗体15において発生した熱は、保護膜19側へ伝達されることにより印字等に利用される一方、一部が上板基板14を介して支持基板12側へも伝達される。
例えば、本実施形態では、保護膜形成工程SA9において、大型の積層基板13単位で保護膜19を形成することとしたが、複数の大型の積層基板13について、適正とされる保護膜19の厚さでいくつかのランク別に分類した後、同分類の積層基板13どうしを集めて複数枚で保護膜19を形成してもよい。
12 支持基板(第1基板)
14 上板基板(第2基板)
15 発熱抵抗体
21 凹部(溝部)
SA1 凹部形成工程(溝部形成工程)
SA2 凹部測定工程(溝測定工程)
SA3 接合工程
SA4 薄板化工程
SA5 基板測定工程
SA7 抵抗体形成工程
SA9 保護膜形成工程
Claims (2)
- 平板状の第1基板および該第1基板に対して積層状態に配される平板状の第2基板の少なくとも一方の一表面に開口する溝部を形成する溝部形成工程と、
該溝部形成工程により形成された前記溝部の幅寸法および深さ寸法を測定する溝測定工程と、
前記第1基板と前記第2基板とを前記溝部形成工程により形成された前記溝部の開口を閉塞するように積層状態に接合する接合工程と、
該接合工程により前記第1基板に接合された前記第2基板の厚さを測定する基板測定工程と、
前記溝測定工程により測定された溝部の幅寸法および深さ寸法と前記基板測定工程により測定された前記第2板基板の厚さとに基づいて、保護膜の狙い厚さを設定する条件設定工程と、
前記接合工程により前記第1基板に接合された前記第2基板の表面における前記溝部に対向する領域に発熱抵抗体を形成する発熱抵抗体形成工程と、
前記第2基板上の前記発熱抵抗体を覆い保護する保護膜を、前記条件設定工程により設定された前記狙い厚さで形成する保護膜形成工程とを含み、
前記条件設定工程が、前記溝部の幅寸法および深さ寸法と前記第2板基板の厚さとに基づいて、以下の式により、前記狙い厚さを設定するサーマルヘッドの製造方法。
d=D+18.302×(0.0005×(a−A)+0.0055×b−0.69×(b−B)+0.01225×e(−0.0084c)×(C−c))
ここで、d:保護膜の狙い厚さ(μm)、A:溝部の幅の目標設計値(μm)、B:溝部の深さの目標設計値(μm)、C:発熱抵抗体から溝部までの距離の目標設計値(μm)、D:保護膜の厚さの目標設計値(μm)、E:狙いの発熱効率(倍)、a:溝部の幅の実際の測定値(μm)、b:溝部の深さの実際の測定値(μm)、c:発熱抵抗体から溝部までの距離の実際の測定値(μm)である。 - 前記接合工程により前記第1基板に接合された前記第2基板の厚さを薄板化する薄板化工程を含み、
前記基板測定工程が、前記薄板化工程により薄板化された前記第2基板の厚さ寸法を測定する請求項1に記載のサーマルヘッドの製造方法。
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