JP5781341B2 - 熱アシスト磁気ヘッド - Google Patents
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Description
また、特許文献8〜11および非特許文献2には、スライダの側面に磁気記録素子と光源とを集積した熱アシスト磁気ヘッドや、スライダの媒体対向面に磁気記録素子と光源とを集積した熱アシスト磁気ヘッドが開示されている。
また、スライダの側面に磁気記録素子に加えて光源を集積すると、磁気記録素子の歩留まりと光源の歩留まりとの相乗作用により、熱アシスト磁気ヘッドの歩留まりが大きく低下しやすい。
しかしながら、このような熱アシスト磁気ヘッドに用いられる半導体レーザ素子の光出力はさほど大きくないため、半導体レーザダイオードと導波路との結合効率を高くしなければ、記録媒体を十分に加熱することができなくなる。そこで、導波路の光入射端面への光の入射角が0°となるように、半導体レーザダイオードおよび導波路を高精度に位置決めする必要がある。そのため、熱アシスト磁気ヘッドの組み立てに時間がかかり、生産効率が悪いという問題がある。
この半導体レーザ素子はTM(Tranverse Magnetic)モードで発振するので、当該半導体レーザ素子の出力光は光伝搬方向に対して電界方向が平行となるTM波となる。TM波では、光入射面への入射角の絶対値が0°より増加すると反射率が徐々に減少していき、所定値に達すると反射率が零となる。反射率が零になる入射角は、「ブリュースター角」と呼ばれる。入射角の絶対値が「ブリュースター角」に対応する値から90°までの間では、入射角の絶対値が増加するにしたがって反射率も増加する。そして、入射角の絶対値が90°のときに、反射率が最大となる。
端面の光学損傷は、次のようにして生ずる。半導体レーザの端面(劈開面)には、多くの界面準位が存在している。電子と正孔がこの界面準位を介して非発光再結合すると、再結合に伴って放出されるエネルギーは熱となる。半導体では、温度が上がるにしたがってそのエネルギーギャップは狭くなるので、放出された熱で暖められた端面のエネルギーギャップが狭くなる。半導体レーザの内部で電子と正孔とが再結合してできた誘導放出光は、端面のエネルギーギャップが狭いため、そこで吸収されて再び熱となり、さらに端面のエネルギーギャップを狭くする。この繰り返しにより、急速に端面が高温になり、溶融して発振が停止する。
また、前記構成では、量子井戸層は、AlyGa(1−y)As(1−x3)Px3層(0<x3<1,0≦y≦0.3)からなる。AlyGa(1−y)As(1−x3)Px3は、量子井戸層として用いられる他の材料、たとえば、InGaPに比べて、バンドギャップが小さい。このため、クラッド層と活性層との間のバンドギャップ差を大きくすることができる。これにより、温度特性の良い、すなわち、温度が変化したときにしきい値電流や動作電流の変動が少ない半導体レーザ素子を実現することができる。
前述したように、この発明の構成では、p型クラッド層およびn型クラッド層は、それぞれ燐を含む(Alx1Ga(1−x1))0.51In0.49P層からなる。したがって、亜鉛等の不純物を拡散させやすいので、端面窓構造の作製が容易である。これにより、高出力化に適した半導体レーザ素子を備えた熱アシスト磁気ヘッドを実現することができる。また、(Alx1Ga(1−x1))の組成に対するInの組成の比を、0.49/0.51としているので、p型クラッド層およびn型クラッド層は、GaAs基板と格子整合するため、高品質の結晶を得ることができる。この結果、信頼性の高い半導体レーザ素子を備えた熱アシスト磁気ヘッドが得られる。
この点について、より詳しく説明する。レーザ共振器端面部分に端面窓構造を作製すると、端面部分での活性層のバンドギャップは、ガイド層のバンドギャップと量子井戸層のバンドギャップとの平均値となる。したがって、端面窓構造を作製することによって端面部分での活性層のバンドギャップを十分に拡大するためには、ガイド層のバンドギャップが所定値(具体的には、1.8eV)以上であることが必要となる。一方、ガイド層を形成しているAlx2Ga(1−x2)As層のバンドギャップは、Alの組成X2が大きいほど、大きくなる。そして、Al組成x2を0.4以上とすることにより、ガイド層のバンドギャップを前記所定値以上とすることができる。
また、寿命の観点からは量子井戸層はAlを含んでいない方が好ましい。つまり、寿命の観点からは、y=0であることが好ましい。
また、前記半導体レーザ素子は、具体的には、発振波長が770nm以上830nm以下であり、かつ前記量子井戸層の膜厚が9nm以上14nm以下であることが好ましい。半導体レーザ素子をTMモードで発振させるためには、活性層を厚くしてTEモードとTMモードの相対発振しきい値電流を小さくすればよいからである。前記量子井戸層のAlの組成(y)が0のときには、発振波長が770nm以上830nm以下の範囲でTMモードとなる。
この発明の一実施形態では、前記半導体レーザ素子の厚さ方向が前記導波路の厚さ方向に一致するように、前記導波路および前記半導体レーザ素子が配置されており、前記半導体レーザ素子の光出射端面における光ビームの横断面形状が、前記半導体レーザ素子の厚さ方向が短軸方向となる楕円形状である。半導体レーザ素子の出力光はTM波であるので、半導体レーザ素子の出力光は、光ビームの横断面形状の短軸方向に偏光した光となる。したがって、導波路の厚さが薄くても、導波路の厚さ方向に偏光した光を効率よく導波路に導入できる。
図1は、この発明の一実施形態に係る熱アシスト磁気ヘッドを備えたハードディスク装置の構成(図1(a))とHGA(ヘッドジンバルアセンブリ)の構成(図1(b))とを概略的に示す斜視図である。図2は、図1の熱アシスト磁気ヘッド21の近傍の拡大斜視図である。ここで、HGAの斜視図(図1(b))においては、HGAの磁気ディスク表面に対向する側を上向きにしてHGAが表されている。
図1(a)に示すように、ハードディスク装置1は、スピンドルモータ11の回転軸の回りを回転する複数の磁気記録媒体である磁気ディスク10と、熱アシスト磁気ヘッド21をトラック上に位置決めするためのアセンブリキャリッジ装置12と、熱アシスト磁気ヘッド21の書き込みおよび読み出し動作を制御するとともに、熱アシスト磁気記録用の光を発生する半導体レーザダイオードを制御するための記録再生および発光制御回路(制御回路)13とを備えている。
HGA17は、図1(b)に示すように、サスペンション20の先端部に熱アシスト磁気ヘッド21を固着し、さらにその熱アシスト磁気ヘッド21の端子電極に配線部材203の一端を電気的に接続して構成されている。サスペンション20は、ロードビーム200と、このロードビーム200上に固着された弾性を有するフレクシャ201と、フレックシャ201の先端に板ばね状に形成されたタング部204と、ロードビーム200の基部に設けられたベースプレート202と、フレクシャ201上に設けられており、リード導体およびその両端に電気的に接続された接続パッドからなる配線部材203とを含む。
HGA17におけるサスペンションの構造は、以上述べた構造に限定されるものではない。また、図示されていないが、サスペンション20の途中にヘッド駆動用ICチップを装着してもよい。
図2〜図4に示すように、熱アシスト磁気ヘッド21は、スライダ22と、光源ユニット23とを備えている。光源ユニット23は、TMモードで発振し、磁気ディスク10を加熱するための光を発生する半導体レーザダイオード40と、半導体レーザダイオード40を支持する光源支持基板230とを備えている。光源支持基板230の接着面2300は、スライダ基板220の背面2201に接合されている。スライダ基板220の背面2201は、スライダ22の媒体対向面Sとは反対側の面である。また、光源支持基板230の底面2301がフレクシャ201のタング部204に、例えば、エポキシ樹脂等の接着剤により接着されている。
スライダ22は、スライダ基板220およびデータ信号の書き込みおよび読み出しを行う磁気ヘッド部32を備えている。スライダ基板220は、直方体状であり、適切な浮上量を得るように加工された媒体対向面Sを有する。スライダ基板220は導電性のアルティック(Al2O3−TiC)等から形成されている。
電磁コイル素子34は、垂直磁気記録用が好ましく、図4に示すように、主磁極層340と、ギャップ層341aと、コイル絶縁層341bと、コイル層342と、補助磁極層344とを備えている。
ギャップ層341aは、コイル層342と主磁極層340とを離間しており、たとえば、厚さ約0.01〜約0.5μmに形成されている。ギャップ層341aは、たとえばスパッタリング法、CVD法等を用いて形成されたAl2O3またはDLC等から構成されている。
コイル絶縁層341bは、コイル層342と補助磁極層344とを離間し、たとえば、厚さ約0.1〜約5μmの熱硬化されたアルミナやレジスト層等の電気絶縁材料から構成されている。
この導波路35は、光入射端面354から入射した光を、この両側面351a、351b、上面352aおよび下面352bで反射させつつ、媒体対向面S側の端面である光出射端面353に導くことが可能となっている。導波路35の図6におけるトラック幅方向の幅W35は例えば、1〜200μmとすることができ、厚みT35は例えば2〜10μmとすることができ、高さH35は10〜300μmとすることができる。
図5において、頂点36cの曲率半径は5nm〜100nmとすることが好ましい。三角形の高さH36は、入射されるレーザ光の波長よりも十分に小さく、20nm〜400nmとすることが好ましい。底辺36dの幅36Wは、入射されるレーザ光の波長よりも十分に小さく、20nm〜400nmとすることが好ましい。図6における近接場光発生部36の厚みT36は10nm〜100nmとすることが好ましい。
図2に示すように、電極パッド371,371がそれぞれフレクシャ201の電極パッド237,237にボンディングワイヤにより電気的に接続され、電極パッド373,373がそれぞれフレクシャ201の電極パッド238,238にボンディングワイヤにより接続されている。これにより、電磁コイル素子およびMR効果素子の駆動が可能となっている。また、図4のビアホール375aによりスライダ基板220と電気的に接続された電極パッド375が、図2に示すように、フレクシャ201の電極パッド247とボンディングワイヤにより接続されている。これにより、スライダ基板220の電位を、電極パッド247により、たとえばグラウンド電位に制御できる。
熱アシスト磁気ヘッド21の光源ユニット23の構成要素について説明する。図2〜図4に示すように、光源ユニット23は、光源支持基板230と、半導体レーザダイオード(光源)40とを備えている。
光源支持基板230はアルティック(Al2O3−TiC)等からなる基板であり、スライダ基板220の背面2201に接着されている接着面2300を有している。図4に示すように、接着面2300にはアルミナ等の断熱層230aが形成されている。この接着面2300を底面とした際の一つの側面である素子形成面2302上に、アルミナ等の絶縁材料から形成された絶縁層41が設けられている。この絶縁層41の上に電極パッド47,48が形成されている(図2参照)。そして、一方の電極パッド47上に半導体レーザダイオード40が固定されている。
この半導体レーザダイオード40は、基板101と、基板101上に結晶成長によって形成された半導体積層構造102と、基板の裏面(半導体積層構造102と反対側の表面)に接触するように形成されたn型電極103と、半導体積層構造102の表面に接触するように形成されたp型電極104を備えたファブリぺロー型のものである。
p型GaAsコンタクト層119は、p型電極104とオーミックコンタクトをとるための低抵抗層である。p型GaAsコンタクト層119は、GaAsにたとえばp型ドーパントとしてのZnをドープすることによって、p型半導体層とされている。
n側ガイド層115は、Alx2Ga(1−x2)As(0≦x2≦1)層(たとえば50nm厚)からなり、n型半導体層111上に積層されることにより構成されている。p側ガイド層116は、Alx2Ga(1−x2)As(0≦x2≦1)層(たとえば50nm厚)からなり、活性層110上に積層されることにより構成されている。
ガイド層115,116を形成しているAlx2Ga(1−x2)As層は、x2≧0.4を満たす組成を有していることが好ましい。この理由は、x2が0.4より小さいと、レーザ共振器端面部分に端面窓構造を作製したとしても、端面部分での活性層のバンドギャップを十分に拡大することができなくなるからである。これについての詳細は、後述する。
活性層110は、この実施形態では、図10に示すように、アンドープのAlyGa(1−y)As(1−x3)Px3層(0<x3<1,0≦y≦0.3)からなる量子井戸(well)層(たとえば13nm厚)191とアンドープのAlx4Ga(1−x4)As層(0≦x4≦1)層からなる障壁(barrier)層(たとえば7nm厚)192とを交互に複数周期繰り返し積層して構成された多重量子井戸構造を有している。無歪の状態でのAlGaAsP層の格子定数はGaAs基板101の格子定数より小さいので、AlyGa(1−y)Asx3P(1−x3)層からなる量子井戸層191には引っ張り応力(引っ張り歪)が生じている。これにより、半導体レーザダイオード40は、TMモードで発振することが可能となる。なお、TMモードの出力光は、光伝搬方向に対して磁界方向が垂直(光伝搬方向に対して電界方向が平行)となるTM波となる。
半導体レーザダイオード40をTEモード発振させる場合には、量子井戸層191のP組成を小さくすればよい。その場合には、製造上は、P組成を零にすることが好ましい。
半導体積層構造102は、リッジストライプ130の長手方向両端における劈開面により形成された一対の端面(劈開面)131,132を有している。この一対の端面131,132は、互いに平行である。こうして、n側ガイド層115、活性層110およびp側ガイド層116によって、前記一対の端面131,132を共振器端面とするファブリペロー共振器が形成されている。すなわち、活性層110で発生した光は、共振器端面131,132の間を往復しながら、誘導放出によって増幅される。そして、増幅された光の一部が、共振器端面131,132からレーザ光として素子外に取り出される。
n型電極103は、たとえばAuGe/Ni/Ti/Au合金からなり、そのAuGe側が基板101側に配されるように、基板101にオーミック接合されている。p型電極104は、p型コンタクト層119および電流ブロック層106の露出面を覆うように、形成されている。p型電極104は、たとえばTi/Au合金からなり、そのTi側がp型コンタクト層119に配されるように、p型コンタクト層119にオーミック接合されている。
このような構成によって、n型電極103およびp型電極104を電源に接続し、n型半導体層111およびp型半導体層112から電子および正孔を活性層110に注入することによって、この活性層110内での電子および正孔の再結合を生じさせ、たとえば、発振波長が770nm以上830nm以下の光を発生させることができる。この光は、共振器端面131,132の間をガイド層115,116に沿って往復しながら、誘導放出によって増幅される。そして、レーザ出射端面である共振器端面131から、より多くのレーザ出力が外部に取り出されることになる。
この実施形態の半導体レーザダイオード40では、活性層110内の量子井戸層191は、砒素系化合物半導体であるAlyGa(1−y)As(1−x3)Px3層(0<x3<1,0≦y≦0.3)からなる。この実施形態の半導体レーザダイオード40では、クラッド層114,117は、燐系化合物半導体((Alx1Ga(1−x1))0.51In0.49P(0.5≦x1≦1))で形成されている一方、ガイド層115,116は、燐系化合物半導体ではなく、砒素系化合物半導体(Alx2Ga(1−x2)As(0≦x2≦1))で形成されている。
前記実施形態では、共振器の端面部分には、活性層110のバンドギャップを拡大する端面窓構造140が形成されている。したがって、図12(b)に示すように、共振器の端面部分では、活性層110のバンドギャップEgは、共振器中央部の活性層110のバンドギャップEg(図12(a)参照)とガイド層115,116(障壁層192)のバンドギャップEu(図12(a)参照)との平均値となる。つまり、共振器の端面部分では、それらの中間部分に比べて、活性層110のバンドキャップEgが大きくなる。このため、内部で電子と正孔が再結合してできた誘導放出光が共振器の端面部分で吸収されにくくなるから、発熱が抑制される。これにより、端面光学損傷の発生を抑制できるので、高出力化が可能となる。
まず、図13に示すように、GaAs基板101上に、有機金属化学気相成長法(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)によって、n型GaAsバッファ層113、n型(Alx1Ga(1−x1))0.51In0.49Pクラッド層114、n側Alx2Ga(1−x2)Asガイド層115、活性層110、p側Alx2Ga(1−x2)Asガイド層116、p型(Alx1Ga(1−x1))0.51In0.49Pクラッド層117、p型InGaPバンド不連続緩和層118およびP型GaAsコンタクト層119を順に成長させる。なお、活性層110は、AlyGa(1−y)As(1−x3)Px3層からなる量子井戸層191と、Alx4Ga(1−x4)As層からなる障壁層192とを交互に複数周期繰り返し成長させることによって形成される。
この後、マスク層154を除去する。そして、電流ブロック層106およびP型GaAsコンタクト層119の露出面を覆うように、p型GaAsコンタクト層119にオーミック接触するp型電極104が形成される。また、GaAs基板101にオーミック接触するn型電極103が形成される。
このような半導体レーザダイオード40は、厚さ方向に電圧が印加されることにより、光出射端面(共振器端面)131からレーザ光を出射する。放射されるレーザ光の発振波長は、770nm以上830nm以下の範囲内であることが好ましい。半導体レーザ素子の発振波長が770nm以上であることが好ましい理由は、発振波長が770nmより短いと導波路での光の吸収が大きくなるからである。半導体レーザ素子の発振波長が830nm以下であることが好ましい理由は、発振波長が830nmより長いと分子振動による光吸収が大きくなる上に、導波路のサイズ(特に厚さ方向のサイズ)が大きくなり、導波路の製造に時間がかかるからである。
そして、上述のスライダ22の背面2201と光源ユニット23の接着面2300とが、図4に示すように、例えば、UV硬化型接着剤等の接着剤層44により接着されている。導体レーザダイオード40および導波路35は、半導体レーザダイオード40の光出射端面131が導波路35の光入射端面354と対向し、かつ半導体レーザダイオード40の厚さ方向と導波路35の厚さ方向とが一致するように配置されている。
TE(Tranverse Electric)モードで発振する半導体レーザダイオードにおいては、その出力光は電界方向が光の伝搬方向に垂直な方向、すなわち、半導体レーザダイオードの厚さ方向に垂直な方向であるTE波となる。TE波では、図18に示すように、光入射面への入射角の絶対値が0°から大きくなるにしたがって反射率が増加し、入射角の絶対値が90°になると反射率が最大値となる。
上述の熱アシスト磁気ヘッドの製造方法について簡単に説明する。
まず、スライダ22を製造する。具体的には、スライダ基板220を用意し、公知の方法を用いてMR効果素子33および素子間シールド層390を形成し、さらに下地としてアルミナ等の絶縁層38を形成する。
まず、図20(a)に示すように、最初に、Al2O3等の絶縁層38a上に、導波路35の一部となる、絶縁層38aよりも屈折率の高いTa2O5等の誘電体膜35aを成膜し、その上に、Au等の金属層36aを製膜し、その上に、リフトオフ用の底部が窪んだレジストパターン1002を形成する。
その後、図20(c)に示すように、レジストパターン1002を除去した後に、台形状の金属層36aの両斜面側からそれぞれイオンミリング法等により各斜面の一部をそれぞれ除去して、断面三角形状の金属層36aを形成する。
さらに、その後、図20(g)に示すように、導波路35を覆うように絶縁層38aと同じ材料で絶縁層38bを更に形成することにより、クラッド層としての絶縁層38が完成する。そして、後述するように金属層36aが露出している側から所定距離ラッピングすることにより所定の厚みの近接場光発生部36および媒体対向面Sが形成される。以上の工程により、近接場光発生部36を備えた導波路35を形成することができる。
そして、図21(b)に示すように、光源ユニット23の接着面2300とスライダ22の背面2201とを重ね合わせた後、電極パッド47,48間に電圧を印加して半導体レーザダイオード40を発光させる。それと共に、導波路35の光出射端面353に光検出器DTを対向配置し、光源ユニット23とスライダ22とを相対的に図21(b)の矢印方向に移動させ、最も光検出器DTの出力が高くなる位置を探し出す。そして、その位置で、外部からUV硬化型接着剤に紫外線を照射することによりUV硬化型接着剤44aを硬化させる。これにより、半導体レーザダイオード40の光軸と導波路35の光軸とを合わせた状態で、光源ユニット23とスライダ22とを接着することができる。
本実施形態にかかる熱アシスト磁気ヘッド21の動作について説明する。書き込みまたは読み出し動作時には、熱アシスト磁気ヘッド21は、回転する磁気ディスク(媒体)10の表面上において流体力学的に所定の浮上量をもって浮上する。この際、MR効果素子33および電磁コイル素子34の媒体対向面S側の端が磁気ディスク10と微小なスペーシングを介して対向することによって、データ信号磁界の感受による読み出しとデータ信号磁界の印加による書き込みとが行われる。
近接場光は、入射されるレーザ光の波長および導波路35の形状にも依存するが、一般に、媒体対向面Sから見て近接場光発生部36の境界で最も強い強度を有する。前述したように、半導体レーザダイオード40はTMモードで発振するので、その出力光の電界方向は半導体レーザダイオード40の厚さ方向となる。図4においては、半導体レーザダイオード40の厚さ方向および導波路35の厚さ方向は図4の左右方向となり、近接場光発生部36に到達する光の電界方向は図4の左右方向、すなわち、図5の上下方向となる。したがって、頂点36cの近傍において、最も強い近接場光の放射が起こる。すなわち、磁気ディスクの記録層部分を光により加熱する熱アシスト作用において、この頂点36c近傍と対向する部分が、主要な加熱作用部分となる。
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は特許請求の範囲に記載された事項の範囲内で種々の設計変更を施すことが可能である。
21 熱アシスト磁気ヘッド
22 スライダ
23 光源ユニット
32 磁気ヘッド部
33 MR効果素子(磁気検出素子)
34 電磁コイル素子(磁気記録素子)
35 導波路
40 半導体レーザダイオード(光源)
101 基板
102 半導体積層構造
103 n型電極
104 p型電極
110 活性層
111 n型半導体層
112 p型半導体層
113 n型GaAsバッファ層
114 n型(Alx1Ga(1−x1))0.51In0.49Pクラッド層
115 n側Alx2Ga(1−x2)Asガイド層
116 p側Alx2Ga(1−x2)Asガイド層
117 p型(Alx1Ga(1−x1))0.51In0.49Pクラッド層
118 p型InGaPバンド不連続緩和層
131 光出射端面
140 端面窓構造
191 量子井戸層
192 障壁層
150 光ビーム
354 光入射端面
Claims (8)
- 記録媒体に対向する磁気ヘッド部を有するスライダと、
TMモードで発振し、媒体加熱用の光を発生する半導体レーザ素子と、
前記磁気ヘッド部に設けられ、磁気記録用の磁界を発生する磁気記録素子と、
前記磁気ヘッド部に設けられ、前記半導体レーザ素子の光出射端面に対向する光入射端面を有し、前記半導体レーザ素子からの光を前記記録媒体表面に導くための導波路とを含み、
前記半導体レーザ素子は、
p型クラッド層およびn型クラッド層と、
前記p型クラッド層およびn型クラッド層に挟まれたp側ガイド層およびn側ガイド層と、
前記p側ガイド層およびn側ガイド層に挟まれ、少なくとも1つの量子井戸層を含む活性層とを備え、
前記p型クラッド層およびn型クラッド層は、それぞれ(Alx1Ga(1−x1))0.51In0.49P層(0≦x1≦1)からなり、
前記p側ガイド層およびn側ガイド層は、それぞれAlx2Ga(1−x2)As層(0≦x2≦1)からなり、
前記量子井戸層は、AlyGa(1−y)As(1−x3)Px3層(0<x3<1,0≦y≦0.3)からなり、
前記AlyGa(1−y)As(1−x3)Px3層は、Asの組成(1−x3)に対するPの組成X3の比X3/(1−X3)が、1/4以下を満たす組成を有している、熱アシスト磁気ヘッド。 - 前記Alx2Ga(1−x2)As層は、x2≧0.4を満たす組成を有している、請求項1に記載の熱アシスト磁気ヘッド。
- 前記AlyGa(1−y)As(1−x3)Px3層は、Asの組成(1−x3)に対するPの組成X3の比X3/(1−X3)が、1/9以上1/4以下を満たす組成を有している、請求項1または2に記載の熱アシスト磁気ヘッド。
- 発振波長が770nm以上830nm以下であり、かつ前記量子井戸層の膜厚が9nm以上14nm以下である請求項1〜3のいずれか一項に記載の熱アシスト磁気ヘッド。
- レーザ共振器の端面部分に、前記活性層のバンドギャップを拡大する端面窓構造が形成されている、請求項1〜4のいずれか一項に記載の熱アシスト磁気ヘッド。
- 前記半導体レーザ素子の厚さ方向が前記導波路の厚さ方向に一致するように、前記導波路および前記半導体レーザ素子が配置されており、前記半導体レーザ素子の光出射端面における光ビームの横断面形状が、前記半導体レーザ素子の厚さ方向が短軸方向となる楕円形状である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の熱アシスト磁気ヘッド。
- 前記半導体レーザ素子の出力光の前記導波路の光入射端面への入射角がブリュースター角となるように、前記導波路および前記半導体レーザ素子が配置されている、請求項1〜6のいずれか一項に記載の熱アシスト磁気ヘッド。
- 前記半導体レーザ素子の光出射端面と前記導波路の光入射端面との間の距離が5μm以下である、請求項1〜7のいずれか一項に記載の熱アシスト磁気ヘッド。
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