JP5781069B2 - コーティングを有するマイクロミラー構成体及びコーティングを作製する方法 - Google Patents
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Description
n k
シリコン基板: 0.88 2.78
SiN: H 2.5 0.3
SiO2: L 1.56 0.0002
屈折率 n k
基板Si 0.88 2.78
N 自然SiO2 1.56 0.0002
H PECVD Sin 2.38 0.44
L PECVD SiO2 1.66 0.0005
(Si基板)(4.288SiN)(2.783SiO2)2×(1.796TiO24.170MgF2)(1.796TiO2)9×(1MgF21LaF3)。
(基板) A×(7a,7b) B×(8g,8h) (8t) C×(8f,8e)
層7a及び7bからなる反射防止層7のA周期と、測定波長の反射用の層8g及び8hからなる反射コーティング8の第1層サブシステムのB周期と、使用波長の反射用の層8e及び8fからなる反射コーティング8の第2層サブシステムのC周期とを有する。
ミラー基板2に形成される反射面11を有する少なくとも1つのマイクロミラー3と、反射面11内でミラー基板2に形成される反射コーティング8とを備える、ミラー構成体1において、反射コーティング8は2つの層サブシステムを有し、第1サブシステムは、非金属材料から構成される交互の光屈折率層及び低屈折率層の周期的配列から構成される層8e及び8fを有し、マイクロミラー構成体の使用波長に関する反射率に関して最適化され、第2層サブシステムは、マイクロミラー構成体の測定波長に関する反射率に関して最適化され、上記測定波長は使用波長からずらしたものであることを特徴とするマイクロミラー構成体1。
反射防止コーティング7は、UV域の波長で、特に193nmで、0.01以上、好ましくは0.2以上、特に0.4以上の吸収係数を有する非金属材料から構成される少なくとも1つの吸収層7aを有することを特徴とするマイクロミラー構成体。
Claims (14)
- ミラー基板(2)に形成される反射面(11)を有する少なくとも1つのマイクロミラー(3)と、
前記反射面(11)内で前記ミラー基板(2)に形成される反射コーティング(8)と
を備えるマイクロミラー構成体(1)において、
前記反射面(11)外で前記ミラー基板(2)に形成される反射防止コーティング(7)が、UV波長域の波長で、0.1以上の吸収係数を有する材料から構成される少なくとも1つの吸収層(7a)を有し、
前記反射コーティング(8)は、少なくとも2つの層サブシステムを有し、第1層サブシステムは、非金属材料から構成される交互の高屈折率層及び低屈折率層の周期的配列から構成される層(8a,8b;8e,8f)を有し、該第1層サブシステムの前記層の周期的配列は、前記マイクロミラー構成体の使用波長に対して、最大限の反射率が得られるように最適化され、第2層サブシステムは、該第2層サブシステムを構成する層の周期的配列が、該マイクロミラー構成体を較正する測定波長に対して、最大限の反射率が得られるように最適化され、前記測定波長は前記使用波長とは少なくとも50nm異なっていることを特徴とするマイクロミラー構成体。 - 請求項1に記載のマイクロミラー構成体において、前記反射防止コーティング(7)は、185nm〜210nmの波長域での垂直入射で、10%以下の反射率を有するマイクロミラー構成体。
- ミラー基板(2)に形成される反射面(11)を有する少なくとも1つのマイクロミラー(3)と、
前記反射面(11)内で前記ミラー基板(2)に形成される反射コーティング(8)と
を備えるマイクロミラー構成体(1)において、
前記反射コーティング(8)は、少なくとも2つの層サブシステムを有し、第1層サブシステムは、非金属材料から構成される交互の高屈折率層及び低屈折率層の周期的配列から構成される層(8a,8b;8e,8f)を有し、該第1層サブシステムの前記層の周期的配列は、前記マイクロミラー構成体の使用波長に対して、最大限の反射率が得られるように最適化され、第2層サブシステムは、該第2層サブシステムを構成する層の周期的配列が、該マイクロミラー構成体を較正する測定波長に対して、最大限の反射率が得られるように最適化され、前記測定波長は前記使用波長とは少なくとも50nm異なっていることを特徴とするマイクロミラー構成体。 - 請求項1又は3に記載のマイクロミラー構成体であって、前記反射コーティング(8)は、2つの前記層サブシステム間に少なくとも1つの分離層(8t)を有し、該分離層(8t)の材料は、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、Si、Ge、ZnS、CuInSe2、CuInS2、La2O3からなる群から選択される材料であるマイクロミラー構成体。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載のマイクロミラー構成体において、前記第1層サブシステムの前記層(8a,8b;8e,8f)の材料は、LaF3、MgF2、SiO2、Al2O3、ErF3、GdF3、HfO2、AlF3からなる群から選択される材料であるマイクロミラー構成体。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載のマイクロミラー構成体において、前記第2層サブシステムの前記層(8c,8d;8g,8h)の材料は、La2O3、ZrO2、TiO2、Ta2O5、MgF2、SiO2、Al2O3、Si、Ge、HfO2、AlF3からなる群から選択される材料であるマイクロミラー構成体。
- 請求項3に記載のマイクロミラー構成体において、前記少なくとも1つのマイクロミラー(3)は、前記反射面(11)外で前記ミラー基板(2)に形成される反射防止コーティング(7)を有し、
該反射防止コーティング(7)は、UV域の波長で、0.01以上の吸収係数を有する非金属材料から構成される少なくとも1つの吸収層(7a)を有することを特徴とするマイクロミラー構成体。 - 請求項1又は7に記載のマイクロミラー構成体において、前記吸収層(7a)の材料は、TiO2、Ta2O3、Ta2O5、HfO2、ZrO2、酸化クロム(CrxOy)、PbF2、YF3、C、ダイヤモンド状炭素、Ge、Si、SiN、窒化ケイ素(SixNy)、窒化酸化ケイ素(SiNxOy)、及び不定比酸化ケイ素(SixOy)からなる群から選択される材料であるマイクロミラー構成体。
- 請求項1又は7に記載のマイクロミラー構成体において、前記反射防止コーティング(7)は、前記反射面(11)内でも前記ミラー基板(2)に形成され、前記反射面(11)内の前記反射防止コーティング(7)及び前記反射コーティングは、100N/m未満のコーティングの全応力を有するマイクロミラー構成体。
- 請求項1又は7に記載のマイクロミラー構成体において、前記少なくとも1つの吸収層(7a)の厚さは、40nm〜100nmであり、前記反射防止コーティング(7)は、193nmの使用波長又は248nmの使用波長及び垂直入射で、5%以下の反射率を有するマイクロミラー構成体。
- 請求項1〜10のいずれか1項に記載のマイクロミラー構成体において、前記反射コーティング(8)は、193nmの使用波長又は248nmの使用波長で、前記反射面(11)に対する法線に対して0°〜25°の入射角で、65%を超える反射率を有するマイクロミラー構成体。
- 請求項1〜11のいずれか1項に記載のマイクロミラー構成体において、前記反射コーティング(8)は、65%を超える反射率が、前記使用波長からずらした測定波長で、前記反射面(11)に対する法線に対して使用光の入射角から15%よりも大きくずらした入射角で得られるようなものであり、前記使用光の前記入射角は該マイクロミラー構成体の使用目的により予め決定されるマイクロミラー構成体。
- 請求項1〜12のいずれか1項に記載のマイクロミラー構成体において、該マイクロミラー構成体(1)は、前記反射防止コーティング(7)への前記反射コーティング(8)の付着を促進する役割を果たすか、又は前記基板への前記反射防止コーティング(7)の付着を促進する役割を果たす、少なくとも1つの付着促進層を有するマイクロミラー構成体。
- 請求項1、2、7〜10のいずれか1項に記載のマイクロミラー構成体において、少なくとも1つの追加層(7b)が前記吸収層(7a)に塗布され、前記追加層(7b)は、HfO2、MgF2、LaF3、チオライト、氷晶石、Al2O3、ErF3、又はケイ素酸素化合物から構成されるマイクロミラー構成体。
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