JP5774428B2 - ドライエッチング方法およびプラズマエッチング装置 - Google Patents
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Description
102 ウエハ
103 試料台
104 マイクロ波透過窓
105 導波管
106 マグネトロン
107 ソレノイドコイル
108 静電吸着電源
109 高周波電源
110 ウエハ搬入口
111 プラズマ
112 パルスジェネレータ
301 モードジャンプ現象(CW時)
501 ダミーウエハ処理
502 ロット処理
503 クリーニング
504 マイクロ波電力自動スキャン測定
505 モードジャンプ電力識別
506 自動レシピ生成
Claims (6)
- マイクロ波と磁場の相互作用により生成されたプラズマを用いてウエハをエッチングするドライエッチング方法において、
連続放電にてプラズマを生成させた場合のモードジャンプ領域の電力によりプラズマを生成する場合に、
前記マイクロ波をオンオフ変調し、
前記オンオフ変調されたマイクロ波のオン期間の電力値を前記モードジャンプ領域の電力値より高い値とし、
前記オンオフ変調されたマイクロ波の電力の時間平均値が前記モードジャンプ領域の電力値となるように前記オンオフ変調のデューティー比を制御することを特徴とするドライエッチング方法。 - 請求項1に記載のドライエッチング方法において、
前記デューティー比を65%以下とし、
前記オンオフ変調のオフ時間を50μs以上とすることを特徴とするドライエッチング方法。 - マイクロ波と磁場の相互作用により生成されたプラズマを用いてウエハをエッチングするドライエッチング方法において、
前記マイクロ波の電力をスキャンし、
前記スキャンの期間におけるプラズマの発光強度の変化率または前記スキャンの期間における前記ウエハを載置する試料台に印加されるバイアス電圧の変化率に基づいて、連続放電にてプラズマを生成させた場合のモードジャンプ領域を検知し、
前記モードジャンプ領域の電力によりプラズマを生成する場合に、
前記マイクロ波をオンオフ変調し、
前記オンオフ変調されたマイクロ波のオン期間の電力値を前記モードジャンプ領域の電力値より高い値とし、
前記オンオフ変調されたマイクロ波の電力の時間平均値が前記モードジャンプ領域の電力値となるように前記オンオフ変調のデューティー比を制御することを特徴とするドライエッチング方法。 - ウエハがプラズマエッチングされる処理室と、導波管を介してマイクロ波の高周波電力を前記処理室内に供給する高周波電源と、前記高周波電力をオンオフ変調するためのパルスを生成するパルス生成器と、前記マイクロ波との相互作用によりプラズマを生成するための磁場を前記処理室内に生成する磁場生成手段と、前記処理室内に配置され前記ウエハを載置する試料台とを備えるプラズマエッチング装置において、
さらに制御部を備え、当該制御部は、連続放電にてプラズマを生成させた場合のモードジャンプ領域の電力によりプラズマを生成する場合に前記高周波電力をオンオフ変調させ、前記オンオフ変調された高周波電力のオン時間の電力値を前記モードジャンプ領域の電力値より高い値とするとともに、前記オンオフ変調された高周波電力の時間平均値が前記モードジャンプ領域の電力値となるように前記オンオフ変調のデューティー比を制御することを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 請求項4に記載のプラズマエッチング装置において、
前記デューティー比を65%以下とし、
前記オンオフ変調のオフ時間を50μs以上とすることを特徴とするプラズマエッチング装置。 - ウエハがプラズマエッチングされる処理室と、導波管を介してマイクロ波の高周波電力を前記処理室内に供給する高周波電源と、前記高周波電力をオンオフ変調するためのパルスを生成するパルス生成器と、前記マイクロ波との相互作用によりプラズマを生成するための磁場を前記処理室内に生成する磁場生成手段と、前記処理室内に配置され前記ウエハを載置する試料台とを備えるプラズマエッチング装置において、
さらに制御部を備え、当該制御部は、前記マイクロ波の高周波電力をスキャンし、前記スキャンの期間におけるプラズマの発光強度の変化率または前記スキャンの期間における前記試料台に印加されるバイアス電圧の変化率に基づいて連続放電にてプラズマを生成させた場合のモードジャンプ領域を検知し、前記モードジャンプ領域の電力によりプラズマを生成する場合に前記高周波電力をオンオフ変調させ、前記オンオフ変調された高周波電力のオン期間の電力値を前記モードジャンプ領域の電力値より高い値とするとともに前記オンオフ変調された高周波電力の時間平均値が前記モードジャンプ領域の電力値となるように前記オンオフ変調のデューティー比を制御することを特徴とするプラズマエッチング装置。
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