JPH01214122A - プラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理方法Info
- Publication number
- JPH01214122A JPH01214122A JP4045288A JP4045288A JPH01214122A JP H01214122 A JPH01214122 A JP H01214122A JP 4045288 A JP4045288 A JP 4045288A JP 4045288 A JP4045288 A JP 4045288A JP H01214122 A JPH01214122 A JP H01214122A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microwave
- plasma
- processing
- period
- magnetic field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 10
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 abstract 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 33
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 17
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、プラズマ処理方法に関する。
(従来の技術)
従来、半導体ウェハ等の被処理物をプラズマ処理する方
法として、E CR(ECR:ElectronicC
yclotron Re5onance)プラズマ処理
方法が用いられている。
法として、E CR(ECR:ElectronicC
yclotron Re5onance)プラズマ処理
方法が用いられている。
このECRプラズマ処理方法として、例えばECRエツ
チング方法では、磁界とマイクロ波の相互作用により、
電子を螺旋運動させ、かつ電子サイクロトロン共鳴の条
件下で電子を加速し、この加速した電子を処理ガスに衝
突させてプラズマを発生させ、このプラズマ中のイオン
を引出して被処理物のエツチングを行う方法である。
チング方法では、磁界とマイクロ波の相互作用により、
電子を螺旋運動させ、かつ電子サイクロトロン共鳴の条
件下で電子を加速し、この加速した電子を処理ガスに衝
突させてプラズマを発生させ、このプラズマ中のイオン
を引出して被処理物のエツチングを行う方法である。
このようにECRエツチング方法では、イオン源の中で
加速した電子を螺旋運動させるため、イオン源の中で電
子衝撃による中性粒子の電離確率が高まり、比較的高い
真空度例えば10’ Torr以上の真空度で高電離プ
ラズマが生成でき、高真空雰囲気でのエツチング処理が
行える。
加速した電子を螺旋運動させるため、イオン源の中で電
子衝撃による中性粒子の電離確率が高まり、比較的高い
真空度例えば10’ Torr以上の真空度で高電離プ
ラズマが生成でき、高真空雰囲気でのエツチング処理が
行える。
ところで、近年の半導体素子の高集積化に伴い、微細パ
ターンの形成においては高精度課が要求されている。即
ち、マスクパターン転写工程で形成されたフォトレジス
トにするエツチングマスクパターンの寸法を忠実に再現
するには、第6図に示すように基板1上に形成されたポ
リシリコン等の被処理膜2およびエツチングマスク3の
エツチング加工断面が異方性形状となることが望ましい
。
ターンの形成においては高精度課が要求されている。即
ち、マスクパターン転写工程で形成されたフォトレジス
トにするエツチングマスクパターンの寸法を忠実に再現
するには、第6図に示すように基板1上に形成されたポ
リシリコン等の被処理膜2およびエツチングマスク3の
エツチング加工断面が異方性形状となることが望ましい
。
ところが高い真空度でエツチングを行うと、第7図に示
すように被処理物への入射イオンaが反応生成物や他の
中性種すと衝突・散乱して入射方向が曲げられ、被処理
部の側壁に衝突し、この側壁をエツチングするいわゆる
アンダーカット現象か発生するという問題があった。
すように被処理物への入射イオンaが反応生成物や他の
中性種すと衝突・散乱して入射方向が曲げられ、被処理
部の側壁に衝突し、この側壁をエツチングするいわゆる
アンダーカット現象か発生するという問題があった。
そこで従来のECRエツチングでは、真空容器内を例え
ば10−’ Torr以下の低真空度雰囲気にして、入
射イオンの衝突確率を減少させることで上記アンダーカ
ットの問題を解決することが行われていた。
ば10−’ Torr以下の低真空度雰囲気にして、入
射イオンの衝突確率を減少させることで上記アンダーカ
ットの問題を解決することが行われていた。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、上述したように低真空度雰囲気下でEC
Rエツチングを行うと、エツチングレートが低下すると
いう問題があり、これを解決するだめにエツチング時間
の長時間化を図ろうとすると、被処理物の温度が上昇し
てレジストが劣化するという問題が生じた。
Rエツチングを行うと、エツチングレートが低下すると
いう問題があり、これを解決するだめにエツチング時間
の長時間化を図ろうとすると、被処理物の温度が上昇し
てレジストが劣化するという問題が生じた。
また、従来のECRエツチングでは、マイクロ波の出力
は、第8図に示すように処理作業が終了するまで連続し
て加えており、このようにマイクロ波を連続出力する方
式では、マイクロ波エネルギーと処理ガスのプラズマ生
成エネルギーの変換効率を向上させるには限度があり、
余剰のマイクロ波エネルギーが、真空容器内のイオン発
生室で反射波となって現われる。
は、第8図に示すように処理作業が終了するまで連続し
て加えており、このようにマイクロ波を連続出力する方
式では、マイクロ波エネルギーと処理ガスのプラズマ生
成エネルギーの変換効率を向上させるには限度があり、
余剰のマイクロ波エネルギーが、真空容器内のイオン発
生室で反射波となって現われる。
このような反射波が発生すると、プラズマの状態が不安
定となり、エツチングレートの低下やエツチングむらの
発生等を招き、安定した処理が行えないという問題があ
った。
定となり、エツチングレートの低下やエツチングむらの
発生等を招き、安定した処理が行えないという問題があ
った。
この反射波の発生を防止するために、プラズマ発生領域
であるイオン発生室からのイオン取出し口を小さくする
ことも考えられているが、イオン流出量が小さくなるた
め、短時間で処理するには被処理物を近づけなげなけれ
ばならず、こうするとエツチングレートは向上するもの
のエツチングの均一性が低下し、また被処理物を遠ざけ
ると均一性は向上するが逆にエツチングレートが低下ス
るという問題が生じた。
であるイオン発生室からのイオン取出し口を小さくする
ことも考えられているが、イオン流出量が小さくなるた
め、短時間で処理するには被処理物を近づけなげなけれ
ばならず、こうするとエツチングレートは向上するもの
のエツチングの均一性が低下し、また被処理物を遠ざけ
ると均一性は向上するが逆にエツチングレートが低下ス
るという問題が生じた。
本発明は上述した問題点を解決するためになされたもの
で、高真空度雰囲気での安定した処理を可能とするとと
もに、処理室内のマイクロ波の反射を低減して、安定し
たECRプラズマ処理が可能なプラズマ処理方法を提供
することを目的とする。
で、高真空度雰囲気での安定した処理を可能とするとと
もに、処理室内のマイクロ波の反射を低減して、安定し
たECRプラズマ処理が可能なプラズマ処理方法を提供
することを目的とする。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
本発明のプラズマ方法は、処理室となる真空容器内に処
理ガスを導入し、所定の強さの磁場とパルス状マイクロ
波との相互作用により前記導入した処理ガスをプラズマ
化し、この生成したプラズマにより被処理物を処理する
プラズマ処理方法において、前記マイクロ波の1パルス
周期が、1パルス周期当りのマイクロ波出力期間を1、
マイクロ波停止期間をXとした場合に、 3 ≦ X ≦ 10 を満足するようなパルス状マイクロ波を加えて処理する
ことを特徴とするものである。
理ガスを導入し、所定の強さの磁場とパルス状マイクロ
波との相互作用により前記導入した処理ガスをプラズマ
化し、この生成したプラズマにより被処理物を処理する
プラズマ処理方法において、前記マイクロ波の1パルス
周期が、1パルス周期当りのマイクロ波出力期間を1、
マイクロ波停止期間をXとした場合に、 3 ≦ X ≦ 10 を満足するようなパルス状マイクロ波を加えて処理する
ことを特徴とするものである。
(作 用)
プラズマ発生用のマイクロ波を所定の間隔を有するパル
ス状にして加えることで、高真空度雰囲気での安定した
処理が可能となり、さらに処理室内のマイクロ波の反射
が低減され、安定したプラズマ処理が可能となる。
ス状にして加えることで、高真空度雰囲気での安定した
処理が可能となり、さらに処理室内のマイクロ波の反射
が低減され、安定したプラズマ処理が可能となる。
(実施例)
以下、本発明方法をECRエツチングに適用した一実施
例について図を参照して説明する。
例について図を参照して説明する。
段付き円筒状の真空容器1は、その上部の小円筒部内が
処理ガスをイオン化するためのイオン発生室laxそし
て下部の大円筒部内が被処理物例えば半導体ウェハ2を
載置する載置台3等を配設した処理室1bで構成されて
いる。
処理ガスをイオン化するためのイオン発生室laxそし
て下部の大円筒部内が被処理物例えば半導体ウェハ2を
載置する載置台3等を配設した処理室1bで構成されて
いる。
真空容器1上面部には、所定の周期のパルス状マイクロ
波を出力するマイクロ波出力部4と接続したマイクロ波
導波管5が取付けられており、この導波管5によりパル
ス状のマイクロ波がイオン発生室1a内に導かれる。そ
して、真空容器1のイオン発生室1a外側面には、イオ
ン発生室1a内にドーナツ状の磁界を形成するための環
状磁気コイル6が配設されている。
波を出力するマイクロ波出力部4と接続したマイクロ波
導波管5が取付けられており、この導波管5によりパル
ス状のマイクロ波がイオン発生室1a内に導かれる。そ
して、真空容器1のイオン発生室1a外側面には、イオ
ン発生室1a内にドーナツ状の磁界を形成するための環
状磁気コイル6が配設されている。
このようなECRエツチング装置によるエツチング方法
について以下に説明する。
について以下に説明する。
まず、真空容器1内を所定の真空度とし、図示を省略し
たガス導入部から処理ガスをイオン発生室1a内に導入
して、処理に必要な真空度例えば10’ Torrの真
空雰囲気にした後、環状磁気コイル6に電流を流して例
えば875ガウスの環状磁界を形成する。
たガス導入部から処理ガスをイオン発生室1a内に導入
して、処理に必要な真空度例えば10’ Torrの真
空雰囲気にした後、環状磁気コイル6に電流を流して例
えば875ガウスの環状磁界を形成する。
しかる後、マイクロ波出力部4で出力された例えば2.
45GHzのマイクロ波を、パルス的に例えば第2図に
示すように16m5間隔でイオン発生室1aに導く。
45GHzのマイクロ波を、パルス的に例えば第2図に
示すように16m5間隔でイオン発生室1aに導く。
こうして、上記磁界とマイク0波の相互作用により電子
を螺旋運動させるとともに、サイクロトロン共鳴により
加速し、イオン処理室1aの下側開口部7近傍で高電離
プラズマを発生させ、この生成されたプラズマ中の加速
イオンにより、所定のエツチング処理を行う。
を螺旋運動させるとともに、サイクロトロン共鳴により
加速し、イオン処理室1aの下側開口部7近傍で高電離
プラズマを発生させ、この生成されたプラズマ中の加速
イオンにより、所定のエツチング処理を行う。
ところで、本例では、上述したようにマイクロ波をパル
ス状に出力する方法を用いており、このようにパルス状
マイクロ波を出力して、プラズマを間欠的に発生させる
ことにより、高真空度例えば10’ Torrの真空雰
囲気下でもエツチング時のアンダーカット発生が抑制で
き、異方性エツチングを行うことができた。このとき、
パルス周期をさらに長くすることにより、このアンダー
カットの発生はさらに減少するが、同時に、エツチング
レートの低下を招く恐れもあるため、この場合には、第
3図に示すように、1パルス当りのマイクロ波出力を大
きくすればエツチングレートの低下を招くことはなかっ
た。
ス状に出力する方法を用いており、このようにパルス状
マイクロ波を出力して、プラズマを間欠的に発生させる
ことにより、高真空度例えば10’ Torrの真空雰
囲気下でもエツチング時のアンダーカット発生が抑制で
き、異方性エツチングを行うことができた。このとき、
パルス周期をさらに長くすることにより、このアンダー
カットの発生はさらに減少するが、同時に、エツチング
レートの低下を招く恐れもあるため、この場合には、第
3図に示すように、1パルス当りのマイクロ波出力を大
きくすればエツチングレートの低下を招くことはなかっ
た。
さらに、パルス状マイクロ波を加えることで、マイクロ
波エネルギーからプラズマ生成エネルギーへのエネルギ
ー変換効率が高くなり、反射波の発生を低減することが
でき、この反射波が原因て生じていた諸問題を解決でき
た。
波エネルギーからプラズマ生成エネルギーへのエネルギ
ー変換効率が高くなり、反射波の発生を低減することが
でき、この反射波が原因て生じていた諸問題を解決でき
た。
そこで、第4図に示すようにマイクロ波の1パルス周期
当りのパルス幅(アクティブ期間)とインアクティブ期
間Xとの比(デユーティ−ファクター)と、反射波の発
生割合の関係を求めたので、この結果を第5図に示す。
当りのパルス幅(アクティブ期間)とインアクティブ期
間Xとの比(デユーティ−ファクター)と、反射波の発
生割合の関係を求めたので、この結果を第5図に示す。
第5図は、真空容器1内のプラズマ発生部であるグリッ
ド部7に、875ガウスの磁界を加えた状態で、マイク
ロ波のパルスデューティを変化させた場合の反射波の発
生割合を示す図で、同図に示すように1パルス周期当り
におけ゛るインアクティブな期間Xがパルス幅の3倍〜
10倍までのとき、従来の連続出力方式の反射波発生レ
ベルを下回ることが認められた。
ド部7に、875ガウスの磁界を加えた状態で、マイク
ロ波のパルスデューティを変化させた場合の反射波の発
生割合を示す図で、同図に示すように1パルス周期当り
におけ゛るインアクティブな期間Xがパルス幅の3倍〜
10倍までのとき、従来の連続出力方式の反射波発生レ
ベルを下回ることが認められた。
これは、x−3未満では、パルス間隔が短すぎるため、
プラズマが消滅しないうちに次のパルスが導波されるこ
とになり、結果的に従来の連続出力方式と同様に連続し
てプラズマが発生するためで、一方、x−10を超える
と、所定のエツチングレートを維持するためにはマイク
ロ波出力を非常に大きくする必要があり、このように大
きな出力のマイクロ波では、全てのエネルギーがプラズ
マに変換されなくなり、マイクロ波の余剰エネルギーが
反射波として現われてしまうためである。
プラズマが消滅しないうちに次のパルスが導波されるこ
とになり、結果的に従来の連続出力方式と同様に連続し
てプラズマが発生するためで、一方、x−10を超える
と、所定のエツチングレートを維持するためにはマイク
ロ波出力を非常に大きくする必要があり、このように大
きな出力のマイクロ波では、全てのエネルギーがプラズ
マに変換されなくなり、マイクロ波の余剰エネルギーが
反射波として現われてしまうためである。
さらにこの場合、エネルギー変換効率の低下によりエツ
チングレートが低下するという問題も生じる。
チングレートが低下するという問題も生じる。
従って、マイクロ波のパルスデューティ−比は、パルス
幅を1とした場合、インアクティブ期間Xを3〜10と
すればよいことが判明した。
幅を1とした場合、インアクティブ期間Xを3〜10と
すればよいことが判明した。
このように、マイクロ波出力を所定のパルス周期で加え
ることにより、高真空度例えば10’ Torrの真空
雰囲気下でも、異方性エツチングが可能となり、さらに
は、マイクロ波エネルギー−プラズマ生成エネルギーの
エネルギー変換効率が向上することにより、真空室内の
マイクロ波の反射波が減少し、エツチングレートの向上
およびエツチングの均一性が向上し、安定した処理が行
える。
ることにより、高真空度例えば10’ Torrの真空
雰囲気下でも、異方性エツチングが可能となり、さらに
は、マイクロ波エネルギー−プラズマ生成エネルギーの
エネルギー変換効率が向上することにより、真空室内の
マイクロ波の反射波が減少し、エツチングレートの向上
およびエツチングの均一性が向上し、安定した処理が行
える。
尚、マイクロ波のパルス出力方法としては、60Hzの
電源では、単相半波整流の電圧をマグネトロンに与えて
得てもよく、また電源効率を高めるために単相全波(8
a+Sパルス)か、三相全波整流子平滑回路を用いても
よい。
電源では、単相半波整流の電圧をマグネトロンに与えて
得てもよく、また電源効率を高めるために単相全波(8
a+Sパルス)か、三相全波整流子平滑回路を用いても
よい。
また、本発明方法は、上述エツチング方法に限定される
ものではなく、例えばECRCVD装置等、プラズマ処
理方法用いたものであればいずれにも適用可能である。
ものではなく、例えばECRCVD装置等、プラズマ処
理方法用いたものであればいずれにも適用可能である。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明のプラズマ処理方法によれ
ば、高真空度雰囲気での安定した処理を可能とするとと
もに、処理室内のマイクロ波の反射を低減して、安定し
たプラズマ処理が可能となる。
ば、高真空度雰囲気での安定した処理を可能とするとと
もに、処理室内のマイクロ波の反射を低減して、安定し
たプラズマ処理が可能となる。
第1図は本発明方法を適用したECRエツチング装置の
構成を示す図、第2図および第3図は実施例におけるマ
イクロ波のパルス出力の状態を示す図、第4図は実施例
のマイクロ波の1パルス当りのパルス幅とインアクティ
ブ期間とを説明するための図、第5図は実施例における
マイクロ波のパルスデューティ−比と反射波の発生割合
の関係を示す図、第6図は異方性エツチングを示す半導
体ウェハの部分断面図、第7図はアンダーカットを生じ
たエツチングを示す半導体ウェハの部分断面図、第8図
は従来方法におけるマイクロ波の出力状態を示す図であ
る。 1・・・・・・真空容器、2・・・・・・半導体ウェハ
、4・・・・・・パルス状マイクロ波出力部、6・・・
・・・環状磁気コイル。 出願人 チル・サームコ株式会社代理人 弁
理士 須 山 佐 − 第1 図 ハ1ルス甜講1 第2図 1マルス思人日 第3図 1:4 第4図 第5図 第6図 第7図 第8図
構成を示す図、第2図および第3図は実施例におけるマ
イクロ波のパルス出力の状態を示す図、第4図は実施例
のマイクロ波の1パルス当りのパルス幅とインアクティ
ブ期間とを説明するための図、第5図は実施例における
マイクロ波のパルスデューティ−比と反射波の発生割合
の関係を示す図、第6図は異方性エツチングを示す半導
体ウェハの部分断面図、第7図はアンダーカットを生じ
たエツチングを示す半導体ウェハの部分断面図、第8図
は従来方法におけるマイクロ波の出力状態を示す図であ
る。 1・・・・・・真空容器、2・・・・・・半導体ウェハ
、4・・・・・・パルス状マイクロ波出力部、6・・・
・・・環状磁気コイル。 出願人 チル・サームコ株式会社代理人 弁
理士 須 山 佐 − 第1 図 ハ1ルス甜講1 第2図 1マルス思人日 第3図 1:4 第4図 第5図 第6図 第7図 第8図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 処理室となる真空容器内に処理ガスを導入し、所定の
強さの磁場とパルス状マイクロ波との相互作用により前
記導入した処理ガスをプラズマ化し、この生成したプラ
ズマにより被処理物を処理するプラズマ処理方法におい
て、 前記マイクロ波の1パルス周期が、1パルス周期当りの
マイクロ波出力期間を1、マイクロ波停止期間をxとし
た場合に、 3≦x≦10 を満足するようなパルス状マイクロ波を加えて処理する
ことを特徴とするプラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4045288A JPH01214122A (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | プラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4045288A JPH01214122A (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | プラズマ処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01214122A true JPH01214122A (ja) | 1989-08-28 |
Family
ID=12581029
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4045288A Pending JPH01214122A (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | プラズマ処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01214122A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02129375A (ja) * | 1988-11-07 | 1990-05-17 | Fujitsu Ltd | プラズマ化学気相成長法 |
US6110542A (en) * | 1990-09-25 | 2000-08-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming a film |
JP2013030521A (ja) * | 2011-07-27 | 2013-02-07 | Hitachi High-Technologies Corp | ドライエッチング方法およびプラズマエッチング装置 |
JP2013074091A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Hitachi High-Technologies Corp | ドライエッチング方法および装置 |
JP2013089933A (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-13 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
JP2015222820A (ja) * | 2015-07-02 | 2015-12-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
US9349603B2 (en) | 2011-07-27 | 2016-05-24 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing method |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5947733A (ja) * | 1982-09-13 | 1984-03-17 | Hitachi Ltd | プラズマプロセス方法および装置 |
JPS59171491A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-09-27 | 富士通株式会社 | マイクロ波処理方法及び処理装置 |
JPH01149965A (ja) * | 1987-12-07 | 1989-06-13 | Hitachi Ltd | プラズマ反応装置 |
-
1988
- 1988-02-23 JP JP4045288A patent/JPH01214122A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5947733A (ja) * | 1982-09-13 | 1984-03-17 | Hitachi Ltd | プラズマプロセス方法および装置 |
JPS59171491A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-09-27 | 富士通株式会社 | マイクロ波処理方法及び処理装置 |
JPH01149965A (ja) * | 1987-12-07 | 1989-06-13 | Hitachi Ltd | プラズマ反応装置 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02129375A (ja) * | 1988-11-07 | 1990-05-17 | Fujitsu Ltd | プラズマ化学気相成長法 |
US6110542A (en) * | 1990-09-25 | 2000-08-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming a film |
US6660342B1 (en) | 1990-09-25 | 2003-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulsed electromagnetic energy method for forming a film |
US7125588B2 (en) | 1990-09-25 | 2006-10-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulsed plasma CVD method for forming a film |
JP2013030521A (ja) * | 2011-07-27 | 2013-02-07 | Hitachi High-Technologies Corp | ドライエッチング方法およびプラズマエッチング装置 |
US9349603B2 (en) | 2011-07-27 | 2016-05-24 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing method |
US10600619B2 (en) | 2011-07-27 | 2020-03-24 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing apparatus |
US11658011B2 (en) | 2011-07-27 | 2023-05-23 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus |
JP2013074091A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Hitachi High-Technologies Corp | ドライエッチング方法および装置 |
JP2013089933A (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-13 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
JP2015222820A (ja) * | 2015-07-02 | 2015-12-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5753066A (en) | Plasma source for etching | |
US6656849B2 (en) | Plasma reactor | |
US4609428A (en) | Method and apparatus for microwave plasma anisotropic dry etching | |
US7034285B2 (en) | Beam source and beam processing apparatus | |
JP2941572B2 (ja) | プラズマエッチング装置及び半導体装置の製造方法 | |
US7510666B2 (en) | Time continuous ion-ion plasma | |
JP2003158099A (ja) | エッチング方法及びエッチング装置 | |
KR970005035B1 (ko) | 플라즈마발생방법 및 그 장치 | |
JP3199957B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理方法 | |
JPH01214122A (ja) | プラズマ処理方法 | |
JPH0469415B2 (ja) | ||
JP2001313284A (ja) | プラズマ処理方法および装置 | |
JP3550466B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
JP3347909B2 (ja) | プラズマ発生加工方法およびその装置 | |
JPH0252855B2 (ja) | ||
JP3205542B2 (ja) | プラズマ装置 | |
JP2000012529A (ja) | 表面加工装置 | |
JPH02297929A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
JP2827660B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理方法 | |
JP2514328B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
JP3605491B2 (ja) | 反応性イオンエッチング装置 | |
JP3176312B2 (ja) | アルミ合金膜のドライエッチング方法 | |
JP2871266B2 (ja) | プラズマ装置 | |
JPH0653170A (ja) | Ecrプラズマエッチング装置 | |
JPH1022264A (ja) | 半導体装置の製造方法 |