JP5773129B2 - 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、超音波デバイス及びｉｒセンサー - Google Patents

液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、超音波デバイス及びｉｒセンサー Download PDF

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Description

本発明は、ノズル開口に連通する圧力発生室に圧力変化を生じさせ、圧電体層と圧電体層に電圧を印加する電極を有する圧電素子を具備する液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子に関する。
圧電素子としては、電気的機械変換機能を呈する圧電材料、例えば、結晶化した圧電材料からなる圧電体層（圧電体膜）を、２つの電極で挟んで構成されたものがある。このような圧電素子は、例えば撓み振動モードのアクチュエーター装置として液体噴射ヘッドに搭載される。液体噴射ヘッドの代表例としては、例えば、インク滴を吐出するノズル開口と連通する圧力発生室の一部を振動板で構成し、この振動板を圧電素子により変形させて圧力発生室のインクを加圧してノズル開口からインク滴として吐出させるインクジェット式記録ヘッドがある。
このような圧電素子を構成する圧電体層として用いられる圧電材料には高い圧電特性が求められており、代表例として、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）が挙げられる（特許文献１参照）。しかしながら、環境問題の観点から、鉛の含有量を抑えた圧電材料が求められている。鉛を含有しない圧電材料としては、例えば、Ｂｉ及びＦｅを含有するＢｉＦｅＯ３系の圧電材料がある。具体例としては、Ｂｉ（Ｆｅ，Ｍｎ）Ｏ３等の鉄酸マンガン酸ビスマスとＢａＴｉＯ３等のチタン酸バリウムとの混晶として表される複合酸化物がある（例えば、特許文献２参照）。
特開２００１−２２３４０４号公報 特開２００９−２５２７８９号公報
しかしながら、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムとの混晶からなる圧電材料を圧電体層とすると、リーク電流が発生するという問題がある。なお、このような問題はインクジェット式記録ヘッドに代表される液体噴射ヘッドに限定されず、他の圧電素子においても同様に存在する。
本発明はこのような事情に鑑み、リーク電流の発生を抑制することができる圧電素子を具備する液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子を提供することを目的とする。
上記課題を解決する本発明の態様は、ノズル開口に連通する圧力発生室と、第１電極、前記第１電極上に設けられた圧電体層および前記圧電体層上に設けられた第２電極を備えた圧電素子と、を具備し、前記圧電体層は、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムを含む混晶として表される複合酸化物からなり、前記圧電体層は、第１の圧電体層と、前記第１電極及び前記第２電極の少なくとも一方と前記第１の圧電体層との間に設けられ前記第１の圧電体層よりも前記チタン酸バリウムの含有量が１０モル％以上多い第２の圧電体層と、を有することを特徴とする液体噴射ヘッドにある。
かかる態様では、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムを含む混晶として表される複合酸化物からなり、第１の圧電体層と、第１電極及び第２電極の少なくとも一方と第１の圧電体層との間に設けられた第２の圧電体層を有し、この第２の圧電体層を、第１の圧電体層よりもチタン酸バリウムの含有量が１０モル％以上多いものとすることにより、リーク電流の発生を抑制することができる。
前記第２の圧電体層は、前記第１電極と前記第１の圧電体層との間、及び、前記第２電極と前記第１の圧電体層との間に設けられていることが好ましい。これによれば、リーク電流をより抑制することができる。
また、前記第２の圧電体層の厚さは、１００ｎｍ以上であることが好ましい。これによれば、リーク電流が抑制され、且つ、耐圧にも優れたものとなる。
そして、前記第１の圧電体層は下記式（１）で表される混晶からなる複合酸化物であり、前記第２の圧電体層は下記式（２）で表される混晶からなる複合酸化物であってもよい。これによれば、下記式（１）で表される混晶からなる複合酸化物の第１の圧電体層と、下記式（２）で表される混晶からなる複合酸化物の第２の圧電体層とを有し、リーク電流の発生が抑制された圧電素子を有する液体噴射ヘッドとなる。
（１−ｘ）［Ｂｉ（Ｆｅ１−ａ，Ｍｎａ）Ｏ３］−ｘ［ＢａＴｉＯ３］ （１）
（０＜ｘ＜０．４０、０．０１＜ａ＜０．１０）
（１−ｙ）［Ｂｉ（Ｆｅ１−ｂ，Ｍｎｂ）Ｏ３］−ｙ［ＢａＴｉＯ３］ （２）
（ｘ＋０．１０≦ｙ＜１、０．０１＜ｂ＜０．１０）
本発明の他の態様は、上記液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置にある。かかる態様では、リーク電流の発生が抑制された圧電素子を有するため、信頼性に優れた液体噴射装置となる。
また、本発明の他の態様は、第１電極と、前記第１電極上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた第２電極とを備え、前記圧電体層は、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムを含む混晶として表される複合酸化物からなり、前記圧電体層は、第１の圧電体層と、前記第１電極及び前記第２電極の少なくとも一方と前記第１の圧電体層との間に設けられ前記第１の圧電体層よりもチタン酸バリウムの含有量が１０モル％以上多い第２の圧電体層と、を有することを特徴とする圧電素子にある。かかる態様では、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムを含む混晶として表される複合酸化物からなり、第１の圧電体層と、第１電極及び前記第２電極の少なくとも一方と第１の圧電体層との間に設けられた第２の圧電体層を有し、この第２の圧電体層を、第１の圧電体層よりもチタン酸バリウムが１０モル％以上多いものとすることにより、リーク電流の発生を抑制することができる。
実施形態１に係る記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図。 実施形態１に係る記録ヘッドの平面図。 実施形態１に係る記録ヘッドの断面図及び要部拡大図。 実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図。 実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図。 実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図。 実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図。 実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図。 実施例１〜３及び比較例１のＸ線回折パターンを表す図。 本発明の一実施形態に係る記録装置の概略構成を示す図。
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係る液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、図２は、図１の平面図であり、図３（ａ）は図２のＡ−Ａ′線断面図、図３（ｂ）は図３（ａ）の要部拡大図である。図１〜図３に示すように、本実施形態の流路形成基板１０は、シリコン単結晶基板からなり、その一方の面には二酸化シリコンからなる弾性膜５０が形成されている。
流路形成基板１０には、複数の圧力発生室１２がその幅方向に並設されている。また、流路形成基板１０の圧力発生室１２の長手方向外側の領域には連通部１３が形成され、連通部１３と各圧力発生室１２とが、各圧力発生室１２毎に設けられたインク供給路１４及び連通路１５を介して連通されている。連通部１３は、後述する保護基板のマニホールド部３１と連通して各圧力発生室１２の共通のインク室となるマニホールド１００の一部を構成する。インク供給路１４は、圧力発生室１２よりも狭い幅で形成されており、連通部１３から圧力発生室１２に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。なお、本実施形態では、流路の幅を片側から絞ることでインク供給路１４を形成したが、流路の幅を両側から絞ることでインク供給路を形成してもよい。また、流路の幅を絞るのではなく、厚さ方向から絞ることでインク供給路を形成してもよい。本実施形態では、流路形成基板１０には、圧力発生室１２、連通部１３、インク供給路１４及び連通路１５からなる液体流路が設けられていることになる。
また、流路形成基板１０の開口面側には、各圧力発生室１２のインク供給路１４とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が、接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート２０は、例えば、ガラスセラミックス、シリコン単結晶基板、ステンレス鋼等からなる。
一方、このような流路形成基板１０の開口面とは反対側には、上述したように弾性膜５０が形成され、この弾性膜５０上には、例えば厚さ３０〜５０ｎｍ程度の酸化チタン等からなり、弾性膜５０等の第１電極６０の下地との密着性を向上させるための密着層５６が設けられている。なお、弾性膜５０上に、必要に応じて酸化ジルコニウム等からなる絶縁体膜が設けられていてもよい。
さらに、この密着層５６上には、第１電極６０と、厚さが３μｍ以下、好ましくは０．３〜１．５μｍの薄膜である圧電体層７０と、第２電極８０とが、積層形成されて、圧電素子３００を構成している。ここで、圧電素子３００は、第１電極６０、圧電体層７０及び第２電極８０を含む部分をいう。一般的には、圧電素子３００の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層７０を各圧力発生室１２毎にパターニングして構成する。本実施形態では、第１電極６０を圧電素子３００の共通電極とし、第２電極８０を圧電素子３００の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。また、ここでは、圧電素子３００と当該圧電素子３００の駆動により変位が生じる振動板とを合わせてアクチュエーター装置と称する。なお、上述した例では、弾性膜５０、密着層５６、第１電極６０及び必要に応じて設ける絶縁体膜が振動板として作用するが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、弾性膜５０や密着層５６を設けなくてもよい。また、圧電素子３００自体が実質的に振動板を兼ねるようにしてもよい。
本実施形態においては、圧電体層７０は、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムを含む混晶として表されるペロブスカイト型構造を有する複合酸化物である。なお、ペロブスカイト型構造、すなわち、ＡＢＯ３型構造のＡサイトは酸素が１２配位しており、また、Ｂサイトは酸素が６配位して８面体（オクタヘドロン）をつくっている。そして、このＡサイトにＢｉ及びＢａが、ＢサイトにＦｅ、Ｍｎ及びＴｉが位置している。詳述すると、特許文献２等に記載されるように、圧電材料として、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムの混晶として表される複合酸化物、すなわち、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムが均一に固溶した固溶体として表される複合酸化物が知られており、このような複合酸化物を主成分として本発明の圧電体層７０が構成されている。なお、かかる複合酸化物は、Ｘ線回折パターンにおいて、鉄酸マンガン酸ビスマスや、チタン酸バリウムは、単独では検出されないものである。
また、本発明においては、圧電体層７０は、図３（ｂ）に示すように、第１の圧電体層７４と、第２の圧電体層７２ａ、７２ｂとを有する。そして、本実施形態においては、図３（ｂ）に示すように、第１の圧電体層７４と第１電極６０との間に第２の圧電体層７２ａを設け、第１の圧電体層７４と第２電極８０との間に第２の圧電体層７２ｂを設けた。
また、上述したように、圧電体層７０を構成する第１の圧電体層７４及び第２の圧電体層７２ａ、７２ｂは、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムを含む混晶として表されるペロブスカイト型構造を有する複合酸化物であるが、第２の圧電体層７２ａ、７２ｂは、第１の圧電体層７４よりもチタン酸バリウムが１０モル％以上多いものである。なお、本実施形態においては、第１電極６０と第１の圧電体層７４との間に設けた第２の圧電体層７２ａと、第２電極８０と第１の圧電体層７４との間に設けた第２の圧電体層７２ｂとを、同じ組成としたが、異なる組成としてもよい。例えば、チタン酸バリウム量を各第２の圧電体層で異なるものとしてもよく、また、一方の第２の圧電体層を構成する複合酸化物を、もう一方の第２の圧電体層を構成する複合酸化物よりもＡサイトのＢｉが過剰になるようにしてもよい。
このように、圧電体層７０を、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムを含む混晶として表される複合酸化物からなるものとし、且つ、第１の圧電体層７４と、第１電極６０及び第２電極８０の少なくとも一方と第１の圧電体層７４との間に設けられ第１の圧電体層７４よりもチタン酸バリウムが１０モル％以上多い第２の圧電体層７２ａ、７２ｂとを有するものとすることにより、後述する実施例に示すように、第２の圧電体層７２ａ、７２ｂを有さない圧電体層７０と比較して、リーク電流を抑制することができる。したがって、信頼性に優れたインクジェット式記録ヘッドとなる。
ここで、第２の圧電体層７２ａ、７２ｂは、第１の圧電体層７４よりもチタン酸バリウムが１０モル％以上多いものであればよく、その上限値は特に限定されないが、第１の圧電体層７４を構成する複合酸化物の組成と、第２の圧電体層７２ａ、７２ｂを構成する複合酸化物の組成が、大きく異なると、圧電体層７０全体として歪量が少なくなるため、所望の歪量に合わせて、第２の圧電体層７２ａ、７２ｂの組成を設定すればよい。
このような圧電体層７０において、例えば、第１の圧電体層７４は下記式（１）で表される混晶からなる複合酸化物であり、第２の圧電体層７２ａ、７２ｂは下記式（２）で表される混晶からなる複合酸化物である。下記式（１）におけるａと下記式（２）におけるｂは同じか近い値であることが好ましい。
（１−ｘ）［Ｂｉ（Ｆｅ１−ａ，Ｍｎａ）Ｏ３］−ｘ［ＢａＴｉＯ３］ （１）
（０＜ｘ＜０．４０、０．０１＜ａ＜０．１０）
（１−ｙ）［Ｂｉ（Ｆｅ１−ｂ，Ｍｎｂ）Ｏ３］−ｙ［ＢａＴｉＯ３］ （２）
（ｘ＋０．１０≦ｙ＜１、０．０１＜ｂ＜０．１０）
また、第２の圧電体層７２ａ、７２ｂの厚さは特に限定されないが、例えば、１００ｎｍ以上とすることが好ましい。第２の圧電体層７２ａ、７２ｂの膜厚を１００ｎｍ以上とすることにより、リーク電流を抑制できると共に、耐圧にも優れたものとなる。第２の圧電体層７２ａ、７２ｂの膜厚の上限値も特に限定されないが、第１の圧電体層７４の膜厚に対する、第２の圧電体層７２ａ、７２ｂの膜厚が大きくなりすぎると、圧電体層７０全体として歪量が少なくなるため、所望の歪量に合わせて、第２の圧電体層７２ａ、７２ｂの膜厚を設定すればよい。
また、本実施形態では、第１の圧電体層７４と第１電極６０との間に第２の圧電体層７２ａを設け、第１の圧電体層７４と第２電極８０との間に第２の圧電体層７２ｂを設けたが、第２の圧電体層は、第１電極６０と第１の圧電体層７４との間、または、第２電極８０と第１の圧電体層７４との間の少なくとも一方に設ければよい。但し、第１電極６０と第１の圧電体層７４との間、及び、第２電極８０と第１の圧電体層７４との間の両方に設けると、一方の電極と第１の圧電体層７４との界面のみに第２の圧電体層７２ａまたは７２ｂを設けた場合よりもさらにリーク電流を抑制できるため、好ましい。
このような圧電素子３００の個別電極である各第２電極８０には、インク供給路１４側の端部近傍から引き出され、弾性膜５０上や必要に応じて設ける絶縁体膜上にまで延設される、例えば、金（Ａｕ）等からなるリード電極９０が接続されている。
このような圧電素子３００が形成された流路形成基板１０上、すなわち、第１電極６０、弾性膜５０や必要に応じて設ける絶縁体膜及びリード電極９０上には、マニホールド１００の少なくとも一部を構成するマニホールド部３１を有する保護基板３０が接着剤３５を介して接合されている。このマニホールド部３１は、本実施形態では、保護基板３０を厚さ方向に貫通して圧力発生室１２の幅方向に亘って形成されており、上述のように流路形成基板１０の連通部１３と連通されて各圧力発生室１２の共通のインク室となるマニホールド１００を構成している。また、流路形成基板１０の連通部１３を圧力発生室１２毎に複数に分割して、マニホールド部３１のみをマニホールドとしてもよい。さらに、例えば、流路形成基板１０に圧力発生室１２のみを設け、流路形成基板１０と保護基板３０との間に介在する部材（例えば、弾性膜５０、必要に応じて設ける絶縁体膜等）にマニホールド１００と各圧力発生室１２とを連通するインク供給路１４を設けるようにしてもよい。
また、保護基板３０の圧電素子３００に対向する領域には、圧電素子３００の運動を阻害しない程度の空間を有する圧電素子保持部３２が設けられている。圧電素子保持部３２は、圧電素子３００の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封されていても、密封されていなくてもよい。
このような保護基板３０としては、流路形成基板１０の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板１０と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。
また、保護基板３０には、保護基板３０を厚さ方向に貫通する貫通孔３３が設けられている。そして、各圧電素子３００から引き出されたリード電極９０の端部近傍は、貫通孔３３内に露出するように設けられている。
また、保護基板３０上には、並設された圧電素子３００を駆動するための駆動回路１２０が固定されている。この駆動回路１２０としては、例えば、回路基板や半導体集積回路（ＩＣ）等を用いることができる。そして、駆動回路１２０とリード電極９０とは、ボンディングワイヤー等の導電性ワイヤーからなる接続配線１２１を介して電気的に接続されている。
また、このような保護基板３０上には、封止膜４１及び固定板４２とからなるコンプライアンス基板４０が接合されている。ここで、封止膜４１は、剛性が低く可撓性を有する材料からなり、この封止膜４１によってマニホールド部３１の一方面が封止されている。また、固定板４２は、比較的硬質の材料で形成されている。この固定板４２のマニホールド１００に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４３となっているため、マニホールド１００の一方面は可撓性を有する封止膜４１のみで封止されている。
このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドＩでは、図示しない外部のインク供給手段と接続したインク導入口からインクを取り込み、マニホールド１００からノズル開口２１に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路１２０からの記録信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの第１電極６０と第２電極８０との間に電圧を印加し、弾性膜５０、密着層５６、第１電極６０及び圧電体層７０をたわみ変形させることにより、各圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル開口２１からインク滴が吐出する。
次に、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドの製造方法の一例について、図４〜図８を参照して説明する。なお、図４〜図８は、圧力発生室の長手方向の断面図である。
まず、図４（ａ）に示すように、シリコンウェハーである流路形成基板用ウェハー１１０の表面に弾性膜５０を構成する二酸化シリコン（ＳｉＯ２）等からなる二酸化シリコン膜を熱酸化等で形成する。次いで、図４（ｂ）に示すように、弾性膜５０（二酸化シリコン膜）上に、酸化チタン等からなる密着層５６を、スパッタリング法や熱酸化等で形成する。
次に、図５（ａ）に示すように、密着層５６の上に、白金、イリジウム、酸化イリジウム又はこれらの積層構造等からなる第１電極６０をスパッタリング法や蒸着法等により全面に形成する。
次いで、この白金膜上に、圧電体層７０を積層する。圧電体層７０の製造方法は特に限定されないが、例えば、金属錯体を含む溶液を塗布乾燥し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層（圧電体膜）を得るＭＯＤ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ Ｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やゾル−ゲル法等の化学溶液法を用いて圧電体層７０を製造できる。その他、レーザーアブレーション法、スパッタリング法、パルス・レーザー・デポジション法（ＰＬＤ法）、ＣＶＤ法、エアロゾル・デポジション法など、液相法でも固相法でも圧電体層７０を製造することもできる。
圧電体層７０を化学溶液法で形成する場合の具体的な形成手順例としては、まず、金属錯体、具体的には、Ｂｉ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｂａ及びＴｉを含有する金属錯体を含むＭＯＤ溶液やゾルからなる圧電体膜形成用組成物（前駆体溶液）であって、第１の圧電体層７４を形成するための前駆体溶液と、第２の圧電体層７２ａ、７２ｂを形成するための前駆体溶液とを作成する。
この第１の圧電体層７４を形成するための前駆体溶液、及び、第２の圧電体層７２ａ、７２ｂを形成するための前駆体溶液は、焼成によりＢｉ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｂａ及びＴｉを含む複合酸化物を形成しうる金属錯体を混合し、該混合物を有機溶媒に溶解または分散させたものである。Ｂｉ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｂａ、Ｔｉをそれぞれ含む金属錯体の混合割合は、所望の鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムを含む混晶として表されるペロブスカイト型構造を有する複合酸化物となる割合である。勿論、上述したように、第２の圧電体層７２ａ、７２ｂを構成する鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムを含む混晶として表されるペロブスカイト型構造を有する複合酸化物は、第１の圧電体層７４を構成する鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムの混晶として表されるペロブスカイト型構造を有する複合酸化物よりも、チタン酸バリウムが１０モル％以上多くなるようにする必要がある。
Ｂｉ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｂａ、Ｔｉをそれぞれ含む金属錯体としては、例えばアルコキシド、有機酸塩、βジケトン錯体などを用いることができる。Ｂｉを含む金属錯体としては、例えば２−エチルヘキサン酸ビスマス、酢酸ビスマスなどが挙げられる。Ｆｅを含む金属錯体としては、例えば２−エチルヘキサン酸鉄、酢酸鉄などが挙げられる。Ｍｎを含む金属錯体としては、例えば２−エチルヘキサン酸マンガン、酢酸マンガンなどが挙げられる。Ｂａを含む金属錯体としては、例えばバリウムイソプロポキシド、２−エチルヘキサン酸バリウム、バリウムアセチルアセトナートなどが挙げられる。Ｔｉを含有する金属錯体としては、例えばチタニウムイソプロポキシド、２−エチルヘキサン酸チタン、チタン（ジ−ｉ−プロポキシド）ビス（アセチルアセトナート）などが挙げられる。勿論、Ｂｉ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｂａ、Ｔｉを二種以上含む金属錯体を用いてもよい。
そして、この第２の圧電体層７２ａを形成するための前駆体溶液を、図５（ｂ）に示すように、第１電極６０上に、スピンコート法などを用いて塗布して、第２の圧電体層前駆体膜７１を形成する（塗布工程）。
次いで、この第２の圧電体層前駆体膜７１を所定温度（例えば、１５０〜２００℃）に加熱して一定時間乾燥させる（乾燥工程）。次に、乾燥した第２の圧電体層前駆体膜７１を所定温度（例えば、３５０〜４５０℃）に加熱して一定時間保持することによって脱脂する（脱脂工程）。ここで言う脱脂とは、第２の圧電体層前駆体膜７１に含まれる有機成分を、例えば、ＮＯ２、ＣＯ２、Ｈ２Ｏ等として離脱させることである。乾燥工程や脱脂工程の雰囲気は限定されず、大気中、酸素雰囲気中や、不活性ガス中でもよい。なお、塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程を複数回行ってもよい。
次に、図５（ｃ）に示すように、第２の圧電体層前駆体膜７１を所定温度、例えば６００〜８５０℃程度に加熱して、一定時間、例えば、１〜１０分間保持することによって結晶化させ、第１電極６０上に、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムを含む混晶として表されるペロブスカイト型構造を有する複合酸化物からなる第２の圧電体層７２ａを形成する（焼成工程）。この焼成工程においても、雰囲気は限定されず、大気中、酸素雰囲気中や、不活性ガス中でもよい。なお、図５においては、第２の圧電体層７２ａを１層のみからなるものとしたが、上述した塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程や、塗布工程、乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程を所望の膜厚等に応じて複数回繰り返して複数層からなる第２の圧電体層７２ａを形成するようにしてもよい。
乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程で用いられる加熱装置としては、例えば、赤外線ランプの照射により加熱するＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）装置やホットプレート等が挙げられる。
次に、図６（ａ）に示すように、第２の圧電体層７２ａ上に所定形状のレジスト（図示無し）をマスクとして第１電極６０及び第２の圧電体層７２ａをそれらの側面が傾斜するように同時にパターニングする。
次いで、レジストを剥離した後、第１の圧電体層７４を形成するための前駆体溶液を、第２の圧電体層７２ａ上に、スピンコート法などを用いて塗布して、第１の圧電体層前駆体膜を形成する（塗布工程）。
次いで、この第１の圧電体層前駆体膜を所定温度（例えば、１５０〜２００℃）に加熱して一定時間乾燥させる（乾燥工程）。次に、乾燥した第１の圧電体層前駆体膜を所定温度（例えば、３５０〜４５０℃）に加熱して一定時間保持することによって脱脂する（脱脂工程）。乾燥工程や脱脂工程の雰囲気は限定されず、大気中、酸素雰囲気中や、不活性ガス中でもよい。なお、塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程を複数回行ってもよい。
次に、第１の圧電体層前駆体膜を所定温度、例えば６００〜８５０℃程度に加熱して、一定時間、例えば、１〜１０分間保持することによって結晶化させ、第２の圧電体層７２ａ上に、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムを含む混晶として表されるペロブスカイト型構造を有する複合酸化物からなる第１の圧電体膜７３を形成する（焼成工程）。この焼成工程においても、雰囲気は限定されず、大気中、酸素雰囲気中や、不活性ガス中でもよい。
本実施形態においては、上述した塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程や、塗布工程、乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程を所望の膜厚等に応じて複数回繰り返して複数の第１の圧電体膜７３からなる第１の圧電体層７４を形成することで、図６（ｂ）に示すように、第２の圧電体層７２ａ上に、複数層の第１の圧電体膜７３からなる所定厚さの第１の圧電体層７４を形成する。なお、本実施形態では、第１の圧電体層７４を、第１の圧電体膜７３を積層することにより形成したが、１層のみで形成してもよい。
次に、この第１の圧電体層７４上に、第２の圧電体層７２ｂを形成するための前駆体溶液を用いて、第１電極６０上に第２の圧電体層７２ａを設ける方法と同様の方法で、第２の圧電体層７２ｂを形成する。なお、本実施形態においては、第１電極６０と第１の圧電体層７４との間に設けた第２の圧電体層７２ａと、第２電極８０と第１の圧電体層７４との間に設けた第２の圧電体層７２ｂとを同じ前駆体溶液を用いることにより、第１電極６０と第１の圧電体層７４との間に設けた第２の圧電体層７２ａと、第２電極８０と第１の圧電体層７４との間に設けた第２の圧電体層７２ｂとを同一の組成になるようにしたが、勿論、異なる組成の前駆体溶液を用いてもよい。
このようにして形成した第１の圧電体層７４と、この第１の圧電体層７４と第１電極６０との間に形成された第２の圧電体層７２ａと、第１の圧電体層７４と第２電極８０との間に形成された第２の圧電体層７２ｂとで、圧電体層７０となる。このように、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムを含む混晶として表される複合酸化物からなり、第１の圧電体層７４と、第１電極６０及び第２電極８０の少なくとも一方と第１の圧電体層７４との間に設けられ第１の圧電体層７４よりもチタン酸バリウムが１０モル％以上多い第２の圧電体層７２ａ、７２ｂとを有する圧電体層７０とすることにより、リーク電流を抑制することができる。
このように圧電体層７０を形成した後は、図７（ａ）に示すように、圧電体層７０上に白金等からなる第２電極８０をスパッタリング法等で形成し、各圧力発生室１２に対向する領域に圧電体層７０及び第２電極８０を同時にパターニングして、第１電極６０と圧電体層７０と第２電極８０からなる圧電素子３００を形成する。なお、圧電体層７０と第２電極８０とのパターニングでは、所定形状に形成したレジスト（図示なし）を介してドライエッチングすることにより一括して行うことができる。その後、必要に応じて、例えば、６００〜８５０℃の温度域でアニールを行ってもよい。これにより、圧電体層７０と第１電極６０や第２電極８０との良好な界面を形成することができ、かつ、圧電体層７０の結晶性を改善することができる。
次に、図７（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハー１１０の全面に亘って、例えば、金（Ａｕ）等からなるリード電極９０を形成後、例えば、レジスト等からなるマスクパターン（図示なし）を介して各圧電素子３００毎にパターニングする。
次に、図７（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハー１１０の圧電素子３００側に、シリコンウェハーであり複数の保護基板３０となる保護基板用ウェハー１３０を接着剤３５を介して接合した後に、流路形成基板用ウェハー１１０を所定の厚さに薄くする。
次に、図８（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハー１１０上に、マスク膜５２を新たに形成し、所定形状にパターニングする。
そして、図８（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハー１１０をマスク膜５２を介してＫＯＨ等のアルカリ溶液を用いた異方性エッチング（ウェットエッチング）することにより、圧電素子３００に対応する圧力発生室１２、連通部１３、インク供給路１４及び連通路１５等を形成する。
その後は、流路形成基板用ウェハー１１０及び保護基板用ウェハー１３０の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハー１１０の保護基板用ウェハー１３０とは反対側の面のマスク膜５２を除去した後にノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０を接合すると共に、保護基板用ウェハー１３０にコンプライアンス基板４０を接合し、流路形成基板用ウェハー１１０等を図１に示すような一つのチップサイズの流路形成基板１０等に分割することによって、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドＩとする。
以下、実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
まず、単結晶シリコン（Ｓｉ）基板の表面に熱酸化により酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜を形成した。次に、ＳｉＯ２膜上にスパッタ法によりジルコニウム膜を作製し、熱酸化することで酸化ジルコニウム膜を形成した。次に、酸化ジルコニウム膜上に厚さ４０ｎｍの酸化チタンを積層し、その上にスパッタ法により、（１１１）面に配向し厚さ１００ｎｍの白金膜（第１電極６０）を形成した。
次いで、第１電極６０上に圧電体層７０をスピンコート法により形成した。その手法は以下のとおりである。まず、２−エチルヘキサン酸ビスマス、２−エチルヘキサン酸鉄、２−エチルヘキサン酸マンガン、２−エチルヘキサン酸バリウム、及び、２−エチルヘキサン酸チタンのｎ−オクタン溶液を所定の割合で混合して、第１の圧電体層７４を形成するための前駆体溶液、及び、第２の圧電体層７２ａ、７２ｂを形成するための前駆体溶液を調製した。なお、第２の圧電体層７２ａ、７２ｂを形成するための前駆体溶液は、第１の圧電体層７４を形成するための前駆体溶液よりも、得られる鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムの混晶として表されるペロブスカイト型構造を有する複合酸化物のチタン酸バリウムが１０モル％多くなるものとした。
そして、この第２の圧電体層７２ａを形成するための前駆体溶液を、酸化チタン膜及び白金膜が形成された上記基板上に滴下し、２５００ｒｐｍで基板を回転させて第２の圧電体層前駆体膜を形成した（塗布工程）。次に、１８０℃で３分間乾燥した（乾燥工程）。次いで、４５０℃で３分間脱脂を行った（脱脂工程）。この塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程からなる工程を２回繰り返し行った後に、酸素雰囲気中で、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）装置で８００℃、５分間焼成を行うことにより、白金膜上に厚さ１２０ｎｍの第２の圧電体層７２ａを形成した（焼成工程）。
次いで、この第２の圧電体層７２ａ上に、第１の圧電体層７４を形成するための前駆体溶液を滴下し、２５００ｒｐｍで基板を回転させて第１の圧電体層前駆体膜を形成した（塗布工程）。次に、１８０℃で３分間乾燥した（乾燥工程）。次いで、４５０℃で３分間脱脂を行った（脱脂工程）。この塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程からなる工程を２回繰り返し行った後に、酸素雰囲気中で、ＲＴＡ装置で８００℃、５分間焼成を行った（焼成工程）。次いで、この塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程を２回繰り返した後に一括して焼成する焼成工程を行う工程を４回繰り返し、計８回の塗布により厚さ４８０ｎｍの第１の圧電体層７４を形成した。
次に、この第１の圧電体層７４上に、上記の白金膜（第１電極６０）上に第２の圧電体層７２ａを形成する際に用いたものと同じ組成である第２の圧電体層７２ｂを形成するための前駆体溶液を滴下し、２５００ｒｐｍで基板を回転させて第２の圧電体層前駆体膜を形成した（塗布工程）。次に、１８０℃で３分間乾燥した（乾燥工程）。次いで、４５０℃で３分間脱脂を行った（脱脂工程）。この塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程からなる工程を２回繰り返し行った後に、酸素雰囲気中で、ＲＴＡ装置で８００℃、５分間焼成を行うことにより、第１の圧電体層７４上に、厚さ１２０ｎｍの第２の圧電体層７２ｂを形成した。
その後、第１の圧電体層７４上に形成された第２の圧電体層７２ｂ上に、第２電極８０としてスパッタ法により厚さ１００ｎｍの白金膜（第２電極）を形成した後、酸素雰囲気中で、ＲＴＡ装置を用いて８００℃、５分間焼成を行うことで、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムの混晶として表されるペロブスカイト型構造を有する複合酸化物からなり、第１の圧電体層７４と、第１電極６０及び第１の圧電体層７４の間に設けられ第１の圧電体層７４よりもチタン酸バリウムが１０モル％多い第２の圧電体層７２ａと、第２電極８０及び第１の圧電体層７４の間に設けられ第１の圧電体層７４よりもチタン酸バリウムが１０モル％多い第２の圧電体層７２ｂとを有する圧電体層７０、具体的には、第１電極６０側から順に、０．６５［Ｂｉ（Ｆｅ０．９５，Ｍｎ０．０５）Ｏ３］−０．３５［ＢａＴｉＯ３］で表される混晶からなる複合酸化物で構成された第２の圧電体層７２ａ、０．７５［Ｂｉ（Ｆｅ０．９５，Ｍｎ０．０５）Ｏ３］−０．２５［ＢａＴｉＯ３］で表される混晶からなる複合酸化物で構成された第１の圧電体層７４、及び、０．６５［Ｂｉ（Ｆｅ０．９５，Ｍｎ０．０５）Ｏ３］−０．３５［ＢａＴｉＯ３］で表される混晶からなる複合酸化物で構成された第２の圧電体層７２ｂを有する圧電体層７０とする圧電素子３００を形成した。
（実施例２）
白金膜（第１電極６０）上に第２の圧電体層７２ａを形成する際の塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程からなる工程を１回とすることにより白金膜（第１電極６０）上に形成する第２の圧電体層７２ａの厚さを６０ｎｍとし、第１の圧電体層７４上に第２の圧電体層７２ｂを形成する際の塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程からなる工程を１回として第１の圧電体層７４上に形成する第２の圧電体層７２ｂの厚さを６０ｎｍとし、また、第１の圧電体層７４を形成する際に塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程を２回繰り返した後に一括して焼成する焼成工程を行う工程を５回繰り返し計１０回の塗布とし、第１電極６０側から順に、０．６５［Ｂｉ（Ｆｅ０．９５，Ｍｎ０．０５）Ｏ３］−０．３５［ＢａＴｉＯ３］で表される混晶からなる複合酸化物で構成され厚さ６０ｎｍの第２の圧電体層７２ａ、０．７５［Ｂｉ（Ｆｅ０．９５，Ｍｎ０．０５）Ｏ３］−０．２５［ＢａＴｉＯ３］で表される混晶からなる複合酸化物で構成され厚さ６００ｎｍの第１の圧電体層７４、及び、０．６５［Ｂｉ（Ｆｅ０．９５，Ｍｎ０．０５）Ｏ３］−０．３５［ＢａＴｉＯ３］で表される混晶からなる複合酸化物で構成され厚さ６０ｎｍの第２の圧電体層７２ｂを有する圧電体層７０とした以外は、実施例１と同様の操作を行った。
（実施例３）
第１の圧電体層７４上に第２の圧電体層７２ｂを形成せず、また、第１の圧電体層７４を形成する際に塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程を２回繰り返した後に一括して焼成する焼成工程を行う工程を５回繰り返し計１０回の塗布とし、第１電極６０側から順に、０．６５［Ｂｉ（Ｆｅ０．９５，Ｍｎ０．０５）Ｏ３］−０．３５［ＢａＴｉＯ３］で表される混晶からなる複合酸化物で構成され厚さ１２０ｎｍの第２の圧電体層７２ａ、及び、０．７５［Ｂｉ（Ｆｅ０．９５，Ｍｎ０．０５）Ｏ３］−０．２５［ＢａＴｉＯ３］で表される混晶からなる複合酸化物で構成され厚さ６００ｎｍの第１の圧電体層７４を有する圧電体層７０とした以外は、実施例１と同様の操作を行った。
（比較例１）
第１電極６０上及び第１の圧電体層７４上に、第２の圧電体層７２ａ及び第２の圧電体層７２ｂを形成せず、第１の圧電体層７４を形成する際に塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程を２回繰り返した後に一括して焼成する焼成工程を行う工程を６回繰り返し計１２回の塗布とし、０．７５［Ｂｉ（Ｆｅ０．９５，Ｍｎ０．０５）Ｏ３］−０．２５［ＢａＴｉＯ３］で表される混晶からなる複合酸化物で構成され厚さ７２０ｎｍの第１の圧電体層７４を有する圧電体層７０とした以外は、実施例１と同様の操作を行った。
（試験例１）
実施例１〜３及び比較例１の各圧電素子について、Ｂｒｕｋｅｒ ＡＸＳ社製の「Ｄ８ Ｄｉｓｃｏｖｅｒ」を用い、Ｘ線源にＣｕＫα線を使用し、室温（２５℃）で、圧電体層７０のＸ線回折パターンを求めた。結果を図９に示す。この結果、実施例１〜３及び比較例１全てにおいて、鉄酸マンガン酸ビスマスや、チタン酸バリウムは、単独では検出されなかった。また、実施例１〜３及び比較例１全てにおいて、ペロブスカイト型構造に起因するピークと基板由来のピークが観測され、第２の圧電体層７２ａ及び７２ｂの厚さや位置を変えてもパイロクロア相等の異相由来のピークが観察されず、ペロブスカイト単相であった。
（試験例２）
実施例１〜３及び比較例１の各圧電素子について、Ｊ−Ｅ Ｃｕｒｖｅを、ヒューレットパッカード社製「４１４０Ｂ」を用い、室温で測定した。２０Ｖ、３０Ｖ及び４０Ｖの電圧を印加した時のリーク電流値を、表１に示す。また、圧電素子が破壊した電圧である耐圧値も、表１に示す。
この結果、表１に示すように、第２の圧電体層７２ａ及び第２の圧電体層７２ｂの少なくとも一方を設けた実施例１〜３では、第２の圧電体層７２ａ及び７２ｂを設けなかった比較例１と比べて、リーク電流値が小さく、第１電極６０側及び第２電極８０側の両方に第２の圧電体層を設けた実施例１及び２は特にリーク電流値が小さかった。また、第２の圧電体層７２ａ、７２ｂの厚さを１００ｎｍ以上とした実施例１及び３は、耐圧が比較例１と同程度であり、高い電圧まで破壊せず使用できることが確認された。
Figure 0005773129
（他の実施形態）
以上、本発明の一実施形態を説明したが、本発明の基本的構成は上述したものに限定されるものではない。例えば、上述した実施形態では、流路形成基板１０として、シリコン単結晶基板を例示したが、特にこれに限定されず、例えば、ＳＯＩ基板、ガラス等の材料を用いるようにしてもよい。
さらに、上述した実施形態では、基板（流路形成基板１０）上に第１電極６０、圧電体層７０及び第２電極８０を順次積層した圧電素子３００を例示したが、特にこれに限定されず、例えば、圧電材料と電極形成材料とを交互に積層させて軸方向に伸縮させる縦振動型の圧電素子にも本発明を適用することができる。
また、これら実施形態のインクジェット式記録ヘッドは、インクカートリッジ等と連通するインク流路を具備する記録ヘッドユニットの一部を構成して、インクジェット式記録装置に搭載される。図１０は、そのインクジェット式記録装置の一例を示す概略図である。
図１０に示すインクジェット式記録装置ＩＩにおいて、インクジェット式記録ヘッドＩを有する記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂは、インク供給手段を構成するカートリッジ２Ａ及び２Ｂが着脱可能に設けられ、この記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂを搭載したキャリッジ３は、装置本体４に取り付けられたキャリッジ軸５に軸方向移動自在に設けられている。この記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂは、例えば、それぞれブラックインク組成物及びカラーインク組成物を吐出するものとしている。
そして、駆動モーター６の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト７を介してキャリッジ３に伝達されることで、記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂを搭載したキャリッジ３はキャリッジ軸５に沿って移動される。一方、装置本体４にはキャリッジ軸５に沿ってプラテン８が設けられており、図示しない給紙ローラーなどにより給紙された紙等の記録媒体である記録シートＳがプラテン８に巻き掛けられて搬送されるようになっている。
なお、上述した実施形態では、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて説明したが、本発明は広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンター等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレイ、ＦＥＤ（電界放出ディスプレイ）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
また、本発明は、インクジェット式記録ヘッドに代表される液体噴射ヘッドに搭載される圧電素子に限られず、超音波発信機等の超音波デバイス、超音波モーター、圧力センサー、ＩＲセンサー等の焦電素子等他の装置に搭載される圧電素子にも適用することができる。また、本発明は強誘電体メモリー等の強誘電体素子にも同様に適用することができる。
Ｉ インクジェット式記録ヘッド（液体噴射ヘッド）、 ＩＩ インクジェット式記録装置（液体噴射装置）、 １０ 流路形成基板、 １２ 圧力発生室、 １３ 連通部、 １４ インク供給路、 ２０ ノズルプレート、 ２１ ノズル開口、 ３０ 保護基板、 ３１ マニホールド部、 ３２ 圧電素子保持部、 ４０ コンプライアンス基板、 ５０ 弾性膜、 ６０ 第１電極、 ７０ 圧電体層、 ７２ａ、７２ｂ 第２の圧電体層、 ７４ 第１の圧電体層、 ８０ 第２電極、 ９０ リード電極、 １００ マニホールド、 １２０ 駆動回路、 ３００ 圧電素子

Claims (8)

  1. ノズル開口に連通する圧力発生室と、
    第１電極、前記第１電極上に設けられた圧電体層および前記圧電体層上に設けられた第２電極を備えた圧電素子と、を具備し、
    前記圧電体層は、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムからなる混晶として表される複合酸化物からなり、
    前記圧電体層は、第１の圧電体層と、前記第１電極及び前記第２電極の少なくとも一方と前記第１の圧電体層との間に設けられ前記第１の圧電体層よりも前記チタン酸バリウムの含有量が１０モル％以上多い第２の圧電体層と、を有し、
    前記圧電体層は、厚みが３μｍ以下の薄膜であり、
    前記第２の圧電体層が６０ｎｍ以上であることを特徴とする液体噴射ヘッド。
  2. 前記第２の圧電体層は、前記第１電極と前記第１の圧電体層との間、及び、前記第２電極と前記第１の圧電体層との間に設けられていることを特徴とする請求項１に記載する液体噴射ヘッド。
  3. 前記第２の圧電体層の厚さは、１００ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載する液体噴射ヘッド。
  4. 前記第１の圧電体層は下記式（１）で表される混晶からなる複合酸化物であり、前記第２の圧電体層は下記式（２）で表される混晶からなる複合酸化物であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載する液体噴射ヘッド。
    （１−ｘ）［Ｂｉ（Ｆｅ１−ａ，Ｍｎａ）Ｏ３］−ｘ［ＢａＴｉＯ３］ （１）
    （０＜ｘ＜０．４０、０．０１＜ａ＜０．１０）
    （１−ｙ）［Ｂｉ（Ｆｅ１−ｂ，Ｍｎｂ）Ｏ３］−ｙ［ＢａＴｉＯ３］ （２）
    （ｘ＋０．１０≦ｙ＜１、０．０１＜ｂ＜０．１０）
  5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載する液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。
  6. 第１電極と、前記第１電極上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた第２電極とを備え、
    前記圧電体層は、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムからなる混晶として表される複合酸化物からなり、
    前記圧電体層は、第１の圧電体層と、前記第１電極及び前記第２電極の少なくとも一方と前記第１の圧電体層との間に設けられ前記第１の圧電体層よりもチタン酸バリウムの含有量が１０モル％以上多い第２の圧電体層と、を有し、
    前記圧電体層は、厚みが３μｍ以下の薄膜であり、
    前記第２の圧電体層が６０ｎｍ以上であることを特徴とする圧電素子。
  7. 請求項６に記載の圧電素子を具備することを特徴とする超音波デバイス。
  8. 請求項６に記載の圧電素子を具備することを特徴とするＩＲセンサー。
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JP5278654B2 (ja) * 2008-01-24 2013-09-04 セイコーエプソン株式会社 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置
JP5825466B2 (ja) * 2011-02-24 2015-12-02 セイコーエプソン株式会社 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子
JP6296227B2 (ja) * 2013-11-22 2018-03-20 セイコーエプソン株式会社 液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JP4605349B2 (ja) * 2004-07-15 2011-01-05 セイコーエプソン株式会社 圧電素子、圧電アクチュエーター、圧電ポンプ、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、薄膜圧電共振器、および電子機器
JP2008028285A (ja) * 2006-07-25 2008-02-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電体薄膜素子、インクジェットヘッドおよびインクジェット式記録装置
JP5345868B2 (ja) 2008-03-31 2013-11-20 富士フイルム株式会社 ペロブスカイト型酸化物膜、強誘電体、圧電素子、液体吐出装置
JP4775772B2 (ja) * 2008-04-01 2011-09-21 セイコーエプソン株式会社 圧電材料および圧電素子
JP5248168B2 (ja) 2008-04-01 2013-07-31 セイコーエプソン株式会社 圧電材料および圧電素子
JP5313792B2 (ja) 2008-07-17 2013-10-09 富士フイルム株式会社 ペロブスカイト型酸化物、酸化物組成物、酸化物体、圧電素子、及び液体吐出装置
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