JP5772290B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
11 ステージ
12 ビーム強度計
13 温度測定器
14 排気管
15 RHEED測定器
15A 電子銃
15B 検出器
16 ヒータ
20 原料供給装置
21 供給量制御部
25 制御装置
28 基板
30 原料貯蔵部
31 金属砒素
32 ヒータ
33 輸送チューブ
34 ヒータ
35 クラッキング部
36 ヒータ
40 バッファ層
41 濡れ層
42 量子ドット
43 量子ドット層
45 過剰付着層
47 歪緩和層
50 第1障壁層
51 第2障壁層
55 単位積層構造
60 GaAs基板
61 バッファ層
62 下側クラッド層
63 下側導波層
64 アンドープGaAs層
65 活性層
66 アンドープGaAs層
67 上側導波層
68 上側クラッド層
69 キャップ層
70 保護膜
71 電極
72 メサ
Claims (3)
- チャンバ内に単結晶基板を装填し、前記単結晶基板上に、分子線エピタキシにより、In及びAsを含む量子ドットを形成する工程と、
前記チャンバ内で、前記量子ドットに、少なくともAs2分子線を照射しながら第1アニールを行う工程と
を有し、
前記第1のアニールの後、前記チャンバ内において、分子線エピタキシにより、前記量子ドットを覆うように、前記単結晶基板の上に、前記単結晶基板の格子定数と前記量子ドットの格子定数との中間の格子定数を持つ半導体からなる歪緩和層を形成する工程と、
前記歪緩和層の上に、前記単結晶基板に格子整合する半導体からなる第1障壁層を、分子線エピタキシにより形成する工程と、
前記第1障壁層を形成した後、前記第1障壁層にAs 4 分子線を照射しながら、前記単結晶基板を昇温させて、第2アニールを行う工程と、
前記第2アニールの後、前記第1障壁層の上に、前記第1障壁層と同一の半導体材料からなる第2障壁層を、分子線エピタキシにより形成する工程と
を、さらに有する半導体装置の製造方法。 - 前記第1アニールを行う工程において、さらに、Sb分子線を照射しながらアニールを行う請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記量子ドットを形成する工程では、Asの原料としてAs4分子線を、前記単結晶基板に照射する請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
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