JP5766720B2 - 気相蒸着供給源のための加熱システム - Google Patents
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Description
さらに、複数の体積から成る非常に広い線形供給源は、点供給源より微妙である。その理由は、この緩やかな温度勾配が、蒸発坩堝から各ノズルまでの、すべてのディフューザ面に亘って制御されなければならないからである。
− 熱輸送液体を加熱するための手段は、全面的または部分的にチャンバ外囲器と接触する少なくとも1つの電気抵抗を含む。
− 電気抵抗は、チャンバ外囲器の外部表面と接触している。
− 加熱手段は、中間空間の中に、全面的または部分的に配置される少なくとも1つの電気抵抗を有する。
− 電気抵抗は、内壁の外部表面と接触している。
− 熱輸送液体を加熱するための手段は、チャンバの外側に配置される熱輸送液体を加熱するための装置、および加熱装置と中間空間との間で熱輸送液体を循環させるための手段を含む。
− 内壁の熱伝導率は、外囲器の熱伝導率より大きい。
− 入れ物は、熱輸送液体で満たされる第2の中間空間を画定している内壁および外囲器を有する。
− 入れ物を加熱するための手段は、全面的または部分的に入れ物の外囲器と接触する少なくとも1つの電気抵抗を含む。
− 入れ物加熱手段は、第2の中間空間の中に全面的または部分的に配置される少なくとも1つの電気抵抗を含む。
− 入れ物加熱手段は、入れ物の外側に位置する熱輸送液体を加熱するための装置、および熱輸送液体をこの加熱装置と第2の中間空間との間で循環させるための手段を含む。
− 入れ物壁の熱伝導率は、入れ物外囲器の熱伝導率より大きい。
− 入れ物は、材料と接触するその内部表面上に1つあるいは数個のフィンを含む。
− 少なくとも1つのオリフィスは、中間空間を通るノズルを備えている。
− 中間空間は、チャンバの内壁のすべての外部表面を取り囲む。
− 蒸気生成区画およびチャンバは、直角に連結する。
− 蒸気生成区画は、チャンバの幅の中央に置かれる。
− 加熱手段は、少なくとも1つのオリフィスの高さに位置する。
− 各オリフィスに対して、加熱手段は、オリフィスの周壁のまわりにフィラメントを有する。
− フィラメントは、中間空間の外側に置かれる。
− フィラメントは、中間空間の中に置かれる。
− SOlutia Europe SPRL/BVBA社製 Therminol 75(登録商標)、ここで、SOlutia Europe SPRL/BVBA社の住所は、3 Rue Laid Burniat, B−1348 Louvain la Neuve (Sud), Belgiumである。
− 「ダウ・ケミカル(Dow Chemical)」社製 Syltherm800(登録商標)、ここで、「ダウ・ケミカル(Dow Chemical)」社のフランスでの登録事務所および販売代理店は、Dow France S.A.S, Avenue Jules Rimet, 93631 La Plaine St Denisである。
Claims (23)
- 2つの区画を備える容器を有する、気相状態にある材料の蒸着供給源(10)であって、前記2つの区画とは、
前記材料のための入れ物および前記入れ物(21)の中に配置された前記材料を加熱するための手段を備える蒸気生成区画(20)と、
前記生成区画と連通し、かつ少なくとも1つのオリフィス(30)を備え、その結果、気相状態にある前記材料は前記オリフィス(30)を通って前記容器の外側に向かって送られるチャンバ(50)とである蒸着供給源であって、
一方では、チャンバ(50)は、熱輸送液体(25)が満たされる中間空間を画定する内壁(52)および外囲器(60)を有し、他方では、前記蒸着供給源は熱輸送液体(25)を加熱するための手段を備え、
熱輸送液体(25)の前記加熱手段が、前記中間空間内に全面的または部分的に配置されている少なくとも1つの電気抵抗(41)を含むことを特徴とする、蒸着供給源。 - 熱輸送液体(25)を加熱するための前記手段が、全面的または部分的に前記チャンバ(50)の外囲器(60)に接触している少なくとも1つの電気抵抗(41)を含む、請求項1に記載の蒸着供給源。
- 電気抵抗(41)が、前記チャンバ(50)外囲器(60)の外表面に接触している、請求項2に記載の蒸着供給源。
- 電気抵抗(41)が内壁(52)の外表面に接触している、請求項1に記載の蒸着供給源。
- 前記熱輸送液体を加熱するための前記手段が、前記チャンバの外側に配置される、前記熱輸送液体(25)を加熱するための装置、および前記熱輸送液体を前記加熱装置と前記中間空間との間で循環させるための手段を含む、請求項1〜4のうちいずれか1項に記載の蒸着供給源。
- 内壁(52)の熱伝導率が外囲器(60)の熱伝導率より大きい、請求項4又は5に記載の蒸着供給源。
- 2つの区画を備える容器を有する、気相状態にある材料の蒸着供給源(10)であって、前記2つの区画とは、
前記材料のための入れ物および前記入れ物(21)の中に配置された前記材料を加熱するための手段を備える蒸気生成区画(20)と、
前記生成区画と連通し、かつ少なくとも1つのオリフィス(30)を備え、その結果、気相状態にある前記材料は前記オリフィス(30)を通って前記容器の外側に向かって送られるチャンバ(50)とである蒸着供給源であって、
一方では、チャンバ(50)は、熱輸送液体(25)が満たされる中間空間を画定する内壁(52)および外囲器(60)を有し、他方では、前記蒸着供給源は熱輸送液体(25)を加熱するための手段を備え、
前記熱輸送液体を加熱するための前記手段が、前記チャンバの外側に配置される、前記熱輸送液体(25)を加熱するための装置、および前記熱輸送液体を前記加熱装置と前記中間空間との間で循環させるための手段を含み、
内壁(52)の熱伝導率が外囲器(60)の熱伝導率より大きいことを特徴とする蒸着供給源。 - 入れ物(21)が、熱輸送液体(25)で満たされる第2の中間空間を画定する内壁および外囲器(29)を含む、請求項1〜7のうちいずれか1項に記載の蒸着供給源。
- 入れ物(21)を加熱するための前記手段が、前記入れ物の外囲器(29)と全面的または部分的に接触している少なくとも1つの電気抵抗(27)を含む、請求項8に記載の蒸着供給源。
- 入れ物加熱手段(21)が、前記第2の中間空間内に全面的または部分的に配置された少なくとも1つの電気抵抗(27)を含む、請求項8または9に記載の蒸着供給源。
- 入れ物(21)を加熱するための前記手段が、入れ物(21)の外側に配置される前記熱輸送液体(25)を加熱するための装置、および、前記加熱装置と前記第2の中間空間との間で前記熱輸送液体(25)を循環させるための手段を含む、請求項8〜10のうちいずれか1項に記載の蒸着供給源。
- 入れ物(21)の内壁の熱伝導率が、入れ物(21)の外囲器(29)の熱伝導率より大きい、請求項10または11に記載の蒸着供給源。
- 2つの区画を備える容器を有する、気相状態にある材料の蒸着供給源(10)であって、前記2つの区画とは、
前記材料のための入れ物および前記入れ物(21)の中に配置された前記材料を加熱するための手段を備える蒸気生成区画(20)と、
前記生成区画と連通し、かつ少なくとも1つのオリフィス(30)を備え、その結果、気相状態にある前記材料は前記オリフィス(30)を通って前記容器の外側に向かって送られるチャンバ(50)とである蒸着供給源であって、
一方では、チャンバ(50)は、熱輸送液体(25)が満たされる中間空間を画定する内壁(52)および外囲器(60)を有し、他方では、前記蒸着供給源は熱輸送液体(25)を加熱するための手段を備え、
入れ物(21)が、熱輸送液体(25)で満たされる第2の中間空間を画定する内壁および外囲器(29)を含み、
入れ物(21)の内壁の熱伝導率が、入れ物(21)の外囲器(29)の熱伝導率より大きいことを特徴とする蒸着供給源。 - 入れ物(21)が、前記材料と接触するその内部表面上に1つあるいは数個のフィン(22)を含む、請求項1〜13のうちいずれか1項に記載の蒸着供給源。
- 前記少なくとも1つのオリフィス(30)が、前記中間空間を通り抜けるノズルを有する、請求項1〜14のうちいずれか1項に記載の蒸着供給源。
- 前記中間空間が、チャンバ(50)の内壁(52)のすべての外表面を取り囲む、請求項1〜15のうちいずれか1項に記載の蒸着供給源。
- 前記蒸気生成区画(20)およびチャンバ(50)が、直角に連結される、請求項1〜16のうちいずれか1項に記載の蒸着供給源。
- 蒸気生成区画(20)が、チャンバ(50)の幅の中央に置かれる、請求項17に記載の蒸着供給源。
- 少なくとも1つのオリフィス(30)の高さに位置する局部加熱手段を有する、請求項1〜18のうちいずれか1項に記載の蒸着供給源。
- 前記局部加熱手段が、各オリフィス(30)のために、オリフィス(30)の周壁を囲むフィラメント(31)を含む、請求項19に記載の蒸着供給源。
- フィラメント(31)が、前記中間空間の外側に位置している、請求項20に記載の蒸着供給源。
- フィラメント(31)が、前記中間空間内に位置している、請求項20に記載の蒸着供給源。
- 2つの区画を備える容器を有する、気相状態にある材料の蒸着供給源(10)であって、前記2つの区画とは、
前記材料のための入れ物および前記入れ物(21)の中に配置された前記材料を加熱するための手段を備える蒸気生成区画(20)と、
前記生成区画と連通し、かつ少なくとも1つのオリフィス(30)を備え、その結果、気相状態にある前記材料は前記オリフィス(30)を通って前記容器の外側に向かって送られるチャンバ(50)とである蒸着供給源であって、
一方では、チャンバ(50)は、熱輸送液体(25)が満たされる中間空間を画定する内壁(52)および外囲器(60)を有し、他方では、前記蒸着供給源は熱輸送液体(25)を加熱するための手段を備え、
少なくとも1つのオリフィス(30)の高さに位置する局部加熱手段を有し、 前記局部加熱手段が、各オリフィス(30)のために、オリフィス(30)の周壁を囲むフィラメント(31)を含み、
フィラメント(31)が、前記中間空間内に位置していることを特徴とする蒸着供給源。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1051098A FR2956411B1 (fr) | 2010-02-16 | 2010-02-16 | Systeme de chauffage d'une source de depot en phase vapeur |
FR1051098 | 2010-02-16 | ||
US30559710P | 2010-02-18 | 2010-02-18 | |
US61/305,597 | 2010-02-18 | ||
PCT/EP2011/052172 WO2011101325A1 (en) | 2010-02-16 | 2011-02-15 | Heating system for a vapor-phase deposition source |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013519787A JP2013519787A (ja) | 2013-05-30 |
JP5766720B2 true JP5766720B2 (ja) | 2015-08-19 |
Family
ID=42272607
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012552425A Expired - Fee Related JP5766720B2 (ja) | 2010-02-16 | 2011-02-15 | 気相蒸着供給源のための加熱システム |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120285381A1 (ja) |
EP (1) | EP2536868B1 (ja) |
JP (1) | JP5766720B2 (ja) |
CN (1) | CN102762766B (ja) |
CA (1) | CA2786249A1 (ja) |
FR (1) | FR2956411B1 (ja) |
IN (1) | IN2012DN06283A (ja) |
WO (1) | WO2011101325A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5953280B2 (ja) * | 2012-10-17 | 2016-07-20 | 富士フイルム株式会社 | 有機材料の蒸着装置 |
CN104099571A (zh) * | 2013-04-01 | 2014-10-15 | 上海和辉光电有限公司 | 蒸发源组件和薄膜沉积装置和薄膜沉积方法 |
JP6093251B2 (ja) * | 2013-06-10 | 2017-03-08 | 長州産業株式会社 | 蒸着源 |
US20150024538A1 (en) * | 2013-07-19 | 2015-01-22 | Tsmc Solar Ltd. | Vapor dispensing apparatus and method for solar panel |
CN103695848B (zh) * | 2013-12-30 | 2015-10-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蒸镀设备及其蒸镀方法 |
CN104762600B (zh) * | 2015-04-20 | 2017-05-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蒸镀坩埚和蒸镀装置 |
CN104762601A (zh) * | 2015-04-30 | 2015-07-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种蒸发源、蒸镀装置、蒸镀方法 |
CN105483620B (zh) * | 2015-11-27 | 2018-03-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 喷嘴部件、蒸镀装置及制作有机发光二极管器件的方法 |
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CN107190237A (zh) * | 2017-06-26 | 2017-09-22 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 蒸发源加热*** |
CN108457132A (zh) * | 2018-04-10 | 2018-08-28 | 浙江舒康科技有限公司 | 铝氨热管纸浆模塑热压干燥模具及干燥方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5219184A (en) * | 1975-08-06 | 1977-02-14 | Osaka Kouon Denki Kk | Vapor source |
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JP4344631B2 (ja) * | 2004-03-02 | 2009-10-14 | 長州産業株式会社 | 有機物薄膜堆積用分子線源 |
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-
2010
- 2010-02-16 FR FR1051098A patent/FR2956411B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-02-15 CA CA2786249A patent/CA2786249A1/en not_active Abandoned
- 2011-02-15 IN IN6283DEN2012 patent/IN2012DN06283A/en unknown
- 2011-02-15 CN CN201180009700.1A patent/CN102762766B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-02-15 US US13/574,675 patent/US20120285381A1/en not_active Abandoned
- 2011-02-15 EP EP11703008.0A patent/EP2536868B1/en not_active Not-in-force
- 2011-02-15 WO PCT/EP2011/052172 patent/WO2011101325A1/en active Application Filing
- 2011-02-15 JP JP2012552425A patent/JP5766720B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120285381A1 (en) | 2012-11-15 |
CN102762766A (zh) | 2012-10-31 |
FR2956411A1 (fr) | 2011-08-19 |
EP2536868A1 (en) | 2012-12-26 |
CN102762766B (zh) | 2014-12-03 |
IN2012DN06283A (ja) | 2015-09-25 |
FR2956411B1 (fr) | 2012-04-06 |
WO2011101325A1 (en) | 2011-08-25 |
CA2786249A1 (en) | 2011-08-25 |
JP2013519787A (ja) | 2013-05-30 |
EP2536868B1 (en) | 2017-12-13 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140214 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140820 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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