TW202113154A - 冷卻總成、控制前驅物源容器之內部的溫度之方法、及反應器系統 - Google Patents

冷卻總成、控制前驅物源容器之內部的溫度之方法、及反應器系統 Download PDF

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Abstract

揭示一種用於使一前驅物源容器加熱器維持在一所想要溫度之冷卻設備及方法。此等設備及方法可用以在前驅物源容器內維持一所想要的溫度梯度，以用於在將前驅物輸送至一反應室前改善前驅物源的整體性。此等設備及方法亦可用於快速冷卻一源容器以供維修。

Description

冷卻總成、控制前驅物源容器之內部的溫度之方法、及反應器系統
本揭露大致上係關於一種用於冷卻加熱器之設備及其使用方法，加熱器係用於反應器系統中之前驅物源容器。
氣相反應器系統可包括固體或液體前驅物源輸送系統，以輸送氣相反應物至反應室。一般的固體或液體前驅物源輸送系統包括固體或液體前驅物源容器及加熱構件 。加熱構件可包括一或多個加熱器，其用於將容器內部加熱至所想要的操作溫度。
在操作期間，為了維持穩態(steady state)溫度以及防止容器過熱，加熱構件一般停止循環一段時間。此工作循環(且特別是加熱構件的關斷)可能會折損處理容器內溫度控制的表現，其繼而可能折損處理前驅物源材料的完整性。因此，所想要的是用於控制容器溫度之經過改良的設備。
固體前驅物源容器一般係在高溫(例如約110°C至210°C)下進行操作。因此，可以想要的是使容器冷卻至用於維修活動(諸如，容器的清潔及化學品再填充)的安全溫度。在一般的固體或液體前驅物源輸送系統的情況下，冷卻時間可能係不想要地漫長。因此，所想要的是用於更快速冷卻前驅物源輸送系統之經過改良的設備。
本節提出之任何問題及解決方案討論僅為了提供本發明背景之目的而包括在本發明中，且不應視為承認在完成本發明時已知討論之任何或全部內容。
本揭露之例示性實施例提供適於與一反應器系統併用或用於反應器系統中之用於冷卻一前驅物源容器之方法及設備。雖然在下文更詳細地討論本揭露之各種實施例應對先前方法及系統之缺點的方式，大致上，本揭露之各種實施例提供設備及方法，其等可用以冷卻一前驅物源容器及其組件(例如一加熱器)，以及降低一前驅物源容器的溫度，以使針對前驅物源容器及/或包括前驅物源容器之一反應器系統的維修更迅速可及。
在本揭露之各種實施例中，一種總成包括一前驅物源容器；一加熱元件，其與前驅物源容器熱連通；及一冷卻設備，其與加熱元件熱接觸，其中加熱元件加熱前驅物源容器之一內部，且其中冷卻設備從加熱元件移除熱。
加熱元件可包括一加熱板，其與前驅物源容器接觸。加熱板可與一冷卻設備熱接觸，冷卻設備可係一冷卻板。
冷卻板可由鋁、不鏽鋼、鎳、及哈氏合金(hastelloy)之一或多者構成。冷卻板包括一頂部側及一底部側。頂部側可接觸加熱板。底部側可與配置以容納一流體之冷卻元件(諸如一或多個冷卻管線)熱接觸(thermal contact)。流體可係例如空氣、水、冷卻水、或乙二醇。一或多個冷卻管線可附接至或埋置於冷卻板之底部側內。一或多個冷卻管線可由不鏽鋼、鋁、鎳、及哈氏合金構成。冷卻管線可進一步包括一閥，其配置以控制藉由一或多個冷卻管線之一流體的一流量率，其繼而控制冷卻板之冷卻功能。冷卻管線可包括一蛇形路徑(serpentine path)，其集中(例如，具有較多區段數)在接近冷卻板之一中心部分處。
總成可進一步包括一控制系統，其配置以控制流體之一流量率及流體之一溫度之一或多者。控制系統可與一或多個感測器通訊，感測器配置以偵測加熱元件、冷卻設備、及容器之一或多者的一運轉溫度。
在本揭露之各種實施例中，一種控制一前驅物源容器之一內部的溫度之方法包括使用一加熱元件加熱前驅物源容器及使用一冷卻設備冷卻加熱元件。內部可加熱至一所想要溫度(例如，大於一前驅物的昇華溫度且小於前驅物的分解溫度)。溫度範圍可介於例如90°C至250°C之間、或介於110°C至210°C之間。加熱元件可不斷地提供熱，以維持所想要溫度，亦即，可持續一段時間(諸如，在一反應室內之一或多個基材製程期間)不斷地向加熱元件供應功率(例如，經由一控制器)。可操縱加熱元件及/或冷卻設備的一溫度，以在內部內由前驅物源容器之一底部端處的一第一溫度至接近前驅物源容器之一頂部端的一第二溫度形成一溫度梯度，其中第一溫度小於第二溫度。針對其他應用，可關斷加熱元件，允許冷卻設備從加熱元件汲取剩餘的熱，從而快速降低前驅物源容器之內部的溫度。
本揭露之前驅物源容器內的一壓力可介於約真空壓力與760托耳(Torr)之間、介於約5托耳與50托耳之間、介於約3托耳與350托耳之間、介於約50托耳與250托耳之間、或介於約100托耳與2000托耳之間。
在本揭露之各種實施例中，一種反應器系統包括一總成，總成包括一前驅物源容器；一加熱元件，其與前驅物源容器熱連通；及一冷卻設備，其與加熱元件熱接觸，其中加熱元件加熱前驅物源容器之一內部，且其中冷卻設備從加熱元件移除熱。可在內部內由前驅物源容器之一底部端處的一第一溫度及接近前驅物源容器之頂部端的一第二溫度形成一溫度梯度，其中第一溫度可小於第二溫度。
所屬技術領域中具有通常知識者將從已參照隨附圖式之某些實施例的下列詳細描述輕易明白這些及其他實施例；本發明並未受限於任何已揭示的特定實施例。
雖然在下文揭示某些實施例及實例，所屬技術領域中具有通常知識者將瞭解本發明延伸超出本發明及其明顯的修改與均等物之具體揭示的實施例及/或用途。因此，意欲使所揭示之本發明的範疇不應受下文所述之具體揭示實施例的限制。
本揭露大致上係關於用於與前驅物源容器併用之冷卻方法及設備、以及包括此類設備及容器之總成及反應器系統。如下文更詳細描述的，例示性方法可用以將加熱元件維持在所想要溫度，並促成容器的快速冷卻，以取得維修期間的可及性。此外，反應器系統、總成、及容器可用以在容器內產生所想要的溫度曲線，以將前驅物提供至反應室。
本文所討論之例示性前驅物源容器、總成、反應器系統、及方法可用於各種應用。例如，容器、總成、及反應器系統可用於化學氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)及/或原子層沉積(atomic layer deposition，ALD)製程。
化學氣相沉積包括使用輸送至反應室中之一或多個基材之不同反應物化學品之反應物蒸氣(包括「前驅物氣體」)在基材上形成材料薄膜。在許多情況下，反應室僅包括支撐在基材支架(諸如基座)上的單一基材，其中基材及基材支架係維持在所想要的製程溫度。在一般的化學氣相沉積製程中，反應性反應物蒸氣彼此起反應，以在基板上形成薄膜，其中生長率係與溫度及反應物氣體的量相關。在一些情況下，驅動沉積製程的能量部分係由電漿(例如，由遠端或直接電漿製程)供應。
在一些應用中，反應物氣體係以氣態形式儲存於反應物源容器中。在此類應用中，反應物在大約1大氣壓及室溫之標準壓力及溫度下通常係氣態。此類氣體的實例包括氮氣、氧氣、氫氣、及氨氣。然而，在一些情況下，使用在標準壓力及溫度下為液體或固體之源化學品或前驅物(例如，氯化鉿、氧化鉿、二氧化鋯、或類似者)的蒸氣。對一些固體物質(在本文中稱為「固體源前驅物」)而言，室溫下的蒸氣壓如此低，使得此等物質一般係以非常低的壓力加熱及/或維持，以產生用於反應製程之足量的反應物蒸氣。一旦蒸發，重要的是使氣相反應物在整個處理系統中保持在蒸發溫度或高於蒸發溫度，以便在將蒸氣相反應物輸送至反應室的同時防止閥、過濾器、導管、及其他相關聯的組件中之不想要的冷凝。來自此類天然固體或液體物質之蒸氣相反應物可能在各種應用中用於化學反應。
原子層沉積係用於在基材上形成薄膜的另一製程。在許多應用中，原子層沉積使用如上文所述之固體及/或液體源化學品。原子層沉積係蒸氣沉積之一類型，其中膜係在例如以循環施行之自飽和反應(self-saturating reactions)的整個過程中累積。原子層沉積沉積膜的厚度可藉由所施行之原子層沉積循環的數目來判定。在原子層沉積製程中，氣態反應物係交替地及/或重複地供應至基材，以在基材上形成材料薄膜。一個反應物在自限制製程(self-limiting process)中於基材上吸收(absorbs)。隨後脈衝之不同反應物與吸附材料起反應，以形成所想要材料的單一分子層。諸如在配位體交換或吸除反應中，可藉由在吸附物種之間及與適當選擇之反應物的相互反應而發生分解。在理論上的原子層沉積反應中，每循環形成不超過一個分子單層。藉由重複的生長循環製成較厚的膜，直至達到目標厚度。
在理論上的原子層沉積反應中，具相互反應性的反應物在蒸氣相中保持分開，且在基材暴露至不同反應物之間具有中介移除製程。例如，在時間分割的原子層沉積製程中，反應物係以脈衝提供至靜止基材，一般係藉由吹掃或抽氣(pump down)相來分開；在空間分割的原子層沉積製程中，基材係移動藉由具有不同反應物的區；且在一些製程中，可組合空間分割及時間分割原子層沉積兩者的態樣。原子層沉積及化學氣相沉積之變體或混成製程藉由選擇除了正規原子層沉積參數窗以外的沉積條件及/或藉由允許具相互反應性的反應物之間在暴露至基材期間有一些重疊量之任一者來允許一些類化學氣相沉積反應量。
在本揭露中，一種總成可包括固體或液體前驅物源容器、加熱元件、及冷卻設備。加熱元件係與源容器熱連通，且冷卻設備係與加熱元件熱接觸。
冷卻設備可冷卻，以便使周邊環境冷卻。在一些實施例中，冷卻設備包括冷卻板。在一些實施例中，冷卻板與加熱元件係相同形狀或類似形狀。例如，冷卻板可係矩形、圓形、六邊形、八邊形、或任何其他形狀。
第1圖及第2圖繪示根據一些實施例之冷卻設備100。冷卻設備100包括冷卻板150。如第1圖所描繪，冷卻設備100具有頂部側160，其熱接觸加熱元件。如第2圖所描繪，冷卻設備100之底部側170可包括一或多個冷卻管線110或與冷卻管線110熱接觸，其等界定跨冷卻設備100之底部側170的一部分穿行之流體路徑。在一些實施例中，冷卻設備100的底部側170包括一或多個凹部120，其用於接收冷卻管線110。在一些實施例中，冷卻管線110以蛇形流體路徑穿行通過冷卻板150，其中流體可在接近冷卻設備100的中心部分處垂直地及/或水平地穿行若干次，如第2圖所繪示者。可使用其他流體路徑(例如，鋸齒形流體路徑、波形流體路徑等)。在一些實施例中，冷卻管線110係藉由夾鉗130固定至冷卻板150。可以使用其他機械附接件(例如，螺栓、螺釘等)。
在一些實施例中，冷卻管線110係配置以接收來自流體源的流體。在一些實施例中，流體藉由閥140進入冷卻管線110。在一些實施例中，流體係水。在一些實施例中，流體係冷卻水。在一些實施例中，流體係空氣。在一些實施例中，流體係乙二醇。流體可維持在可將冷卻設備100冷卻至從加熱元件200汲取熱能的溫度。隨著熱能(例如連續地)消散遠離加熱元件200，加熱元件200可維持所想要(例如穩定)的溫度而不必停止發熱。在一些實施例中，冷卻元件100在反應器系統、總成、及容器的操作期間(例如，在化學氣相沉積及/或原子層沉積製程期間)使加熱元件200維持在不增加或減小超過5°C、3°C、或1.5°C的溫度。
參照第5圖，在一些實施例中，控制系統500係用以控制冷卻管線110中之流體的流量率及冷卻管線110中之流體的溫度之一或多者。控制系統500可配置以與一或多個感測器510通訊，感測器配置以偵測加熱元件200的運轉溫度。當加熱元件200的溫度增加至上部臨限溫度時，冷卻管線110中之流體的流量率可增加及/或冷卻管線110中之流體的溫度可減小，以便主動地冷卻加熱元件。當加熱元件200的溫度減小至下部臨限溫度時，冷卻管線110中之流體的流量率可減小及/或冷卻管線110中之流體的溫度可增加，以便降低冷卻元件100的功能。
如上文所討論，在一些實施例中，冷卻元件100具有與加熱元件200相同的形狀或類似的形狀。在一些實施例中，加熱元件200係加熱板。
在一些實施例中，冷卻板150包括為良好熱導體的元件。在一些實施例中，冷卻板150包括鋁、不鏽鋼、鎳、或哈氏合金。在一些實施例中，冷卻管線110及夾鉗130包括不鏽鋼、鋁、鎳、或哈氏合金。然而，可將任何合適的材料用於冷卻板150、冷卻管線110、夾鉗130、及冷卻設備100中所用的任何其他附接構件。
冷卻設備100可設計以適應任何源容器300，繪示於第5圖中。例如，第3圖及第4圖繪示冷卻設備100及加熱元件200，加熱元件設置在冷卻設備100的頂部側上，冷卻設備配置以與不同於第1圖及第2圖之源容器併用。
再次參照第5圖，根據一實施例之固體源輸送總成包括源容器300、加熱元件200、及冷卻設備100。在一些實施例中，加熱元件200係設置在源容器300的基底處。在其他實施例中，加熱元件200可額外地或替代地設置在源容器300上方。加熱元件200可設置在環繞源容器300的任何位置處。在一些實施例中，冷卻設備100係與加熱元件200熱接觸。在一些實施例中，加熱元件200係電阻加熱器(諸如加熱板)。
用於與本發明併用之例示性源容器係更詳細地顯示於第6圖中。在一些實施例中，源容器300包括基底340、過濾器框320、過濾器330、及殼體310。過濾器330可具有配置以限制化學反應物通過(或傳遞通過)過濾器330的孔隙度。源容器300可界定源容器軸線304。在一些實施例中，基底340係配置以容納固體源化學品。基底340可包括用於容納化學反應物之實質上平坦的表面，但其他形狀及變體亦係可行的。在一些實施例中，源容器300界定內部314，含括介於殼體310的壁之間以及介於殼體310的頂板與基底340的底板之間的空間。在一些實施例中，內部314係配置以含有化學反應物(諸如固體源化學品)。
不應將第6圖視為限制源容器300可含有的元件數目。例如，除了加熱元件200以外，總成一般亦包括一或多個分開的加熱器。在一些實施例中，分開的加熱器800之一或多者可設置為垂直地相鄰於或垂直地接近源容器300。在一些實施例中，一或多個分開的加熱器係配置以藉由傳導加熱源容器300。在一些實施例中，一或多個閥許多經傳導加熱及/或輻射加熱。在一些實施例中，可將用於接收一或多個加熱器的一或多個饋送通道(feed throughs)810包括在源容器300的壁及/或中心(例如在內部314中)之中，以將更直接的熱提供至化學反應物。
在一些實施例中，前驅物源容器300可具有在約1至4的範圍內之高度：直徑的深寬比。在一些實施例中，源容器佔據大約圓柱形的形狀，但其他形狀也係可行的。因此，在一些實施例中，殼體310包括圓柱形形狀、基本上由圓柱形形狀組成、或由圓柱形形狀組成。在一些實施例中，本文所述之各種實施例中的源容器300(未經填充)的質量之範圍可從約1公斤(kg)至約100公斤或者約10公斤至約50公斤。在一些實施例中，經填充的源容器300之質量的範圍可從約10公斤至約180公斤或者約35公斤至約85公斤。質量較低的容器可以讓運輸較為容易，但較高的質量可以促成較高體積的反應物，且需要較少的再填充。
源容器300係配置以在操作溫度下進行操作。例如，操作溫度可基於化學前驅物/反應物的所想要昇華率來判定。在一些實施例中，操作溫度係在約20°C至250°C的範圍內。所選的操作溫度可取決於欲蒸發的化學品。例如，對HfCl4 而言，操作溫度可係約160ºC至240ºC，具體約170ºC至190ºC；對ZrCl4 而言，操作溫度約170ºC至250ºC，具體約180ºC至200ºC；對Al2 Cl3 而言，操作溫度約90 ºC至110 ºC；或對SiI4 而言，操作溫度約90ºC至120ºC。在所屬領域中具有通常知識者將理解，可針對其他源化學品選擇其他溫度。
源容器一般係使用延伸自入口及出口的氣體管線、管線上的隔離閥、及閥上的配件來供應，此等配件配置以連接至反應室的氣流管線。常係所想要的是提供若干加熱器以用於加熱源容器與反應室之間的各種閥及氣流管線，以防止源蒸氣冷凝並沉積在此類組件上。因此，源容器與反應室之間的氣體運輸組件有時稱為「熱區(hot zone)」，其中溫度係維持高於反應物的蒸發/冷凝/昇華溫度。
在一些實施例中，將源容器(例如在殼體310內)設定為目標真空壓力。在一些實施例中，目標真空壓力係在約真空壓力至760托耳或者約100托耳及2000托耳的範圍內。在一些實施例中，目標真空壓力係介於約3托耳與350托耳之間。在一些實施例中，目標真空壓力係介於約50托耳與250托耳之間。在較佳實施例中，真空壓力係介於5托耳與50托耳之間。在一些實施例中，真空壓力係25托耳。真空壓力在源容器內產生均勻的溫度曲線。
如第5圖所繪示，隨著冷卻設備100持續地從加熱元件200汲取熱能而形成熱梯度。此梯度在預設置前驅物源之源容器300的基底處較冷，並在容器300的頂板處逐漸變得較熱。此受控的溫度梯度防止或可減緩容器內的熱點、冷點、及不想要的冷凝，並可使前驅物源保持在比容器300之內及外的周邊環境更冷的溫度，其繼而可防止或減緩前驅物之不想要的分解或降解。在加熱元件及冷卻設備設置在環繞源容器的其他位置處之其他實施例中，溫度梯度在加熱元件及冷卻設備的位置處較冷，並在容器的相對端處逐漸變得較熱。
如第7圖所繪示，總成可用在反應器系統700中。系統700可包括前驅物源容器300、加熱元件200、及冷卻設備100、以及反應器400。系統700亦可包括控制器(諸如上述之控制器500)。前驅物係通過一或多個氣體管線600從容器300饋送至反應器400。
在一些實施例中，提供一種用於控制源容器內部的溫度之方法，其包括使用加熱元件加熱源容器及使用冷卻設備冷卻加熱元件。加熱元件可持續地提供熱(例如，不斷電)至源容器內部，以便維持源容器所想要的操作溫度(例如介於約90°C與約250°C之間或者介於約110°C與約210°C之間)。大致上，操作溫度大於前驅物的昇華溫度並小於前驅物的分解溫度。如上述之冷卻設備可用以主動地冷卻加熱元件，以便維持加熱元件及/或容器及/或容器內之前驅物所想要的操作溫度，並在前驅物源容器300內提供所想要的溫度梯度。
在一些實施例中，提供一種用於快速降低前驅物源容器內部的溫度之方法，其係藉由使加熱元件斷電及使用冷卻設備冷卻加熱元件。
在本揭露中，變數之任兩個數字可構成變數之可工作範圍，且所指示之任何範圍可包括或排除端點。此外，所指示的變數之任何數值(不管此等數值是否以「約」來指示)可指精確值或近似值並包括等效值，且在一些實施例中可指平均值、中值、代表值、多數值等。進一步地，在本發明中，於一些實施例中，用詞「包括」、「由…構成」和「具有」僅指「通常或廣泛包括」、「包括」、「本質由…組成」、或「由…組成」。在本發明中，於一些實施例中，任何已定義之意義未必排除尋常及慣例意義。
在本揭露中，於一些實施例中，「連續地(continuously)」可指不中斷真空、在時間線上無中斷、無任何材料***步驟、未改變處理條件、其後立即、作為下一步驟、或在兩結構間無有別於兩結構之***的離散物理或化學結構之一或多者。
上文所述之本揭露之實例實施例並未限制本發明的範疇，因為這些實施例僅為本發明之實施例之實例。任何等效實施例係意欲屬於本發明之範疇內。實際上，除本文所示及所述之實施例以外，在所屬技術領域中具有通常知識者當可從本說明書明白本揭露之各種修改(諸如，所述元件之替代可用組合)。此類修改及實施例亦意欲落在隨附之申請專利範圍的範疇內。
100:冷卻設備 110:冷卻管線 120:凹部 130:夾鉗 140:閥 150:冷卻板 160:頂部側 170:底部側 200:加熱元件 300:源容器 304:源容器軸線 310:殼體 314:內部 320:過濾器框 330:過濾器 340:基底 400:反應器 500:控制系統 510:感測器 600:氣體管線 700:反應器系統 800:加熱器 810:饋送通道
當結合下列說明圖式考慮時，可藉由參照實施方式及申請專利範圍而得到對本揭露之例示性實施例的更完整了解。 第1圖繪示根據本揭露之一實施例之冷卻設備的上視圖。 第2圖繪示根據本揭露之一實施例之第1圖之冷卻設備的底視圖。 第3圖繪示根據本揭露之至少一實施例之具有加熱元件之冷卻設備的上視圖。 第4圖繪示根據本揭露之一實施例之第3圖之冷卻設備及加熱元件的底視圖。 第5圖繪示根據本揭露之一實施例之固體前驅物源容器、加熱元件、及冷卻設備的示意圖。 第6圖繪示根據本揭露之一實施例之用於與冷卻設備併用之例示性源容器。 第7圖繪示根據本揭露之一實施例之包括具有固體前驅物源容器、加熱元件、及冷卻設備之反應室之反應器系統的示意圖。
將理解，圖式中之元件係為了簡單及清楚起見而繪示，且不一定按比例繪製。例如，圖式中的一些元件之尺寸可相對於其他元件誇大，以幫助提升對本揭露所繪示之實施例的瞭解。
100:冷卻設備
110:冷卻管線
140:閥
150:冷卻板
160:頂部側

Claims (21)

  1. 一種冷卻總成，包括： 一前驅物源容器； 一加熱元件，與該前驅物源容器熱連通；以及 一冷卻設備，與該加熱元件熱接觸， 其中該加熱元件加熱該前驅物源容器之一內部，且其中該冷卻設備從該加熱元件移除熱。
  2. 如請求項1之冷卻總成，其中該加熱元件包括一加熱板，與該前驅物源容器熱接觸。
  3. 如請求項2之冷卻總成，其中該冷卻設備包括一冷卻板，與該加熱板熱接觸。
  4. 如請求項3之冷卻總成，其中該冷卻板包括一頂部側及一底部側，其中該頂部側熱接觸該加熱板，且其中該底部側與一或多個冷卻管線熱接觸。
  5. 如請求項4之冷卻總成，更包括一閥，配置以控制通過該一或多個冷卻管線之一流體之一流量率。
  6. 如請求項5之冷卻總成，其中該流體係選自下列之至少一者：空氣、水、冷卻水、或乙二醇。
  7. 如請求項6之冷卻總成，其中該一或多個冷卻管線包括下列之至少一者：鋁、不鏽鋼、鎳、或哈氏合金。
  8. 如請求項7之冷卻總成，其中該冷卻板包括下列之至少一者：鋁、不鏽鋼、鎳、或哈氏合金。
  9. 如請求項6之冷卻總成，更包括一控制系統，該控制系統配置以控制該流體之一流量率及該流體之一溫度之一或多者。
  10. 如請求項9之冷卻總成，其中該控制系統與一或多個感測器通訊，該一或多個感測器配置以偵測該加熱板之一運轉溫度。
  11. 如請求項10之冷卻總成，其中該等冷卻管線包括一蛇形路徑，該蛇形路徑集中在接近該冷卻板之一中心部分處。
  12. 一種控制一前驅物源容器之一內部的溫度之方法，包括使用一加熱元件加熱該前驅物源容器；以及 使用一冷卻設備冷卻該加熱元件。
  13. 如請求項12之方法，其中該內部係加熱至一所想要溫度，該所想要溫度大於一前驅物的昇華溫度並小於該前驅物的分解溫度。
  14. 如請求項12之方法，其中該所想要溫度介於約90°C與250°C之間、或介於約110°C與約210°C之間。
  15. 如請求項12之方法，其中該加熱元件在一基材製程期間持續地提供熱，以維持該所想要溫度。
  16. 如請求項12之方法，其中該前驅物源容器內之一壓力係介於約一真空壓力與約760托耳之間、或介於約5托耳與約50托耳之間。
  17. 如請求項12之方法，其中該冷卻板包括一頂部側及一底部側，其中該頂部側熱接觸該加熱元件，且其中一或多個冷卻管線附接至該冷卻板之該底部側的一周緣。
  18. 如請求項16之方法，其中該等冷卻管線係配置以容納水，且其中該水之一流量率及該水之一溫度之至少一者可用以操縱該冷卻板的冷卻功能。
  19. 如請求項12之方法，其中在該內部內由該前驅物源容器之一底部端處的一第一溫度及接近該前驅物源容器之一頂部端的一第二溫度形成一溫度梯度， 其中該第一溫度小於該第二溫度。
  20. 如請求項12之方法，其中該加熱元件係關斷，且該冷卻設備從該加熱元件汲取剩餘的熱，從而快速降低該前驅物源容器之該內部的該溫度。
  21. 一種包括一冷卻總成之反應器系統，包括： 一反應器； 一前驅物源容器； 一加熱元件，與該前驅物源容器熱接觸；以及 一冷卻設備，與該加熱元件熱接觸， 其中該加熱元件加熱該前驅物源容器之一內部，且其中該冷卻設備從該加熱元件移除熱， 其中在該內部內由該前驅物源容器之一底部端處的一第一溫度及接近該前驅物源容器之該頂部端的一第二溫度形成一溫度梯度， 其中該第一溫度小於該第二溫度。
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