JP5766518B2 - 電極が埋設されたウエーハの加工方法 - Google Patents
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Description
基板の裏面側から基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射し、基板の内部における仕上がり厚みを規定する境界部の裏面側に改質層を形成する改質層形成工程と、
該改質層が形成された基板の裏面を研削し、該改質層には至らない位置で研削を終了する裏面研削工程と、
該裏面が研削された基板の裏面をエッチングし、電極を基板の裏面から突出させるエッチング工程と、を含んでいる、
ことを特徴とする電極が埋設されたウエーハの加工方法が提供される。
光源 :半導体励起固体レーザー(Nd:YAG)
波長 :1064nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :100kHz
平均出力 :0.3W
パルス幅 :12ps
集光スポット径 :φ1μm
加工送り速度 :400mm/秒
21:シリコン(Si)基板
212:デバイス
213:ボンディングパッド
214:銅(Cu)電極
215:二酸化珪素(SiO2)膜
3:保護部材
4:レーザー加工装置
41:レーザー加工装置のチャックテーブル
42:レーザー光線照射手段
422:集光器
5:研削装置
51:研削装置のチャックテーブル
52:研削手段
524:研削ホイール
6:エッチング装置
61:スピンナーテーブル機構
611:スピンナーテーブル
62:エッチング液受け手段
64:エッチング液供給機構
65:洗浄水供給機構
66:エアー供給機構
Claims (2)
- 基板の表面に形成された複数のデバイスにそれぞれ設けられたボンディングパッドと接続した電極が基板に埋設されているウエーハを所定の仕上がり厚みに形成するウエーハの加工方法であって、
基板の裏面側から基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射し、基板の内部における仕上がり厚みを規定する境界部の裏面側に改質層を形成する改質層形成工程と、
該改質層が形成された基板の裏面を研削し、該改質層には至らない位置で研削を終了する裏面研削工程と、
該裏面が研削された基板の裏面をエッチングし、電極を基板の裏面から突出させるエッチング工程と、を含んでいる、
ことを特徴とする電極が埋設されたウエーハの加工方法。 - 該電極は銅(Cu)によって形成されており、該エッチング工程はエッチング液としてテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)を用いて実施する、請求項1記載の電極が埋設されたウエーハの加工方法。
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