JP5766098B2 - 絶縁膜形成方法及び絶縁膜形成装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 84
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 206
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 141
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 96
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 82
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 67
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 67
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 67
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 55
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 54
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 46
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 34
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 18
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 14
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 13
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 47
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 21
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 18
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 12
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 12
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 101100023111 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) mfc1 gene Proteins 0.000 description 5
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 4
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 240000006829 Ficus sundaica Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 150000001485 argon Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 150000002829 nitrogen Chemical class 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
ここで、シリコン貫通電極15用の絶縁膜16には、下記(a)(b)の機能が求められる。
(a)シリコン貫通電極15における信号遅延を抑えるための誘電率
(b)シリコン貫通電極15とシリコン基板11との間における絶縁性
・金属配線に対するバリア性を有しつつ、熱CVD法で形成されたシリコン酸化物膜と略同じ程度の絶縁性も発現する。
・遷移金属であるZrの酸化物でありながらも、シリコン系酸化物と同じ程度の誘電率を有する。
上記方法によれば、同一の膜厚を有した絶縁膜を形成する場合、被覆工程と酸化工程とを1度ずつのみ行うことによって該絶縁膜を形成するよりも、膜の全体をより確実に酸化することができる。それゆえに、絶縁膜の絶縁性を高めることもできる。
半導体基板上に形成された絶縁膜の酸化自体は、活性化した酸素の1つである酸素イオンによっても可能ではある。しかしながら、活性化した酸素として酸素イオンを用いる場合には、酸素イオンが半導体基板に入射するときに有しているエネルギーによって、絶縁膜がダメージを受けやすい。
[ZrBO膜の形成]
直径0.2μm、深さ1μm(アスペクト比5)の凹部を複数有する直径200mmのシリコン基板に対して、以下の条件にてZrBO膜を形成した。
・キャリアガス(Arガス)流量 100sccm
・O2ガス流量 50sccm
・N2ガス流量 450sccm
・成膜チャンバ内の圧力 420Pa
・基板温度 240℃
・成膜時間 600秒
直径200mmのシリコン基板に対して、膜厚が約10nmのZrBO膜を以下の条件にて形成することによって試験用ZrBO膜を得た。
(成膜工程)
・キャリアガス(Arガス)流量 100sccm
・O2ガス流量 50sccm
・N2ガス流量 450sccm
・成膜チャンバ内の圧力 420Pa
・基板温度 240℃
・成膜時間 75秒
(酸化工程)
・O2ガス流量 25sccm
・N2ガス流量 475sccm
・酸化チャンバ内の圧力 300Pa
・マイクロ波電力 300W
・基板温度 240℃
・酸化時間 60秒
なお、上記条件にて成膜工程と酸化工程との組を5回繰り返した。
直径200mmの0.01Ωcm程度の低抵抗P型シリコン基板に対して、膜厚が約10nmのZrBO膜を上記AES用のZrBO膜を得たときと同様の条件で形成することによって試験用ZrBO膜を得た。
膜厚が100nmの銅膜を有するシリコン基板上に、上記AES用のZrBO膜を得たときと同様の条件にてZrBO膜を20nmだけ積層することによって試験用ウエハ(No.1)を得た。そして、試験用ウエハ(No.1)に対して400℃の真空中で1時間アニール処理を施した後、SIMS測定による膜厚方向の元素分析をZrBO膜に対して行った。
以上説明したように、上記実施形態によれば以下に列挙する効果が得られるようになる。
なお、上記実施形態は、以下のように適宜変更して実施することもできる。
・被覆工程では、酸素含有ガスとしてO2ガスを用いるようにした。これに限らず、O2ガスとマスフローコントローラMFC8から供給されるN2Oガスとを併用するようにしてもよい。また、これら酸素含有ガスに加えてH2ガスを用いるようにしてもよい。これにより、ZrBO膜を形成しつつ、成膜雰囲気中に含まれる水素や窒素によってZrBO膜の組成を調整することができる。それゆえに、絶縁膜としての特性を発現する上でZrBO膜の組成を至適なものとすることもできるようになる。
・また、酸化工程においても、上記被覆工程と同様のガスを用いるようにしてもよい。これにより、ZrBO膜を酸化しつつ、酸化雰囲気中に含まれる水素や窒素によってZrBO膜の組成を調整することができる。それゆえに、絶縁膜16としての特性を発現する上でZrBO膜の組成を至適なものとすることもできるようになる。
・また、酸化工程においても、N2ガスを添加することなく、ArガスとO2ガスとのみによってZrBO膜を酸化するようにしてもよい。
・成膜装置20の処理対象である基板Sは、シリコン基板11、配線層12、絶縁層13、及び接着層14を備える構成とした。これに限らず、少なくとも、貫通孔Hが形成されたシリコン基板11を有する構成であればよい。
・被覆工程に先立つZr(BH4)4ガス、O2ガス、及びN2ガスの供給をタイミングt1にて同時に開始するようにした。また、酸化工程に先立つO2ガス及びN2ガスの供給をタイミングt3あるいはタイミングt6にて同時に開始するようにした。これに限らず、これらガスの供給を開始するタイミングは、各別等、任意に変更可能である。
Claims (8)
- 半導体基板に絶縁膜を形成する方法であって、
加熱された前記半導体基板に向けてZr(BH4)4と酸素含有ガスとを供給することによって、前記Zr(BH4)4を前記半導体基板上で熱酸化してZrBOを含む絶縁膜を前記半導体基板に形成する
ことを特徴とする絶縁膜形成方法。 - 前記ZrBOを含む絶縁膜を前記半導体基板に形成して該半導体基板の表面を該絶縁膜で覆う被覆工程と、
前記被覆工程にて形成された前記絶縁膜に活性化した酸素を供給して該絶縁膜を酸化する酸化工程とを備える
請求項1に記載の絶縁膜形成方法。 - 前記被覆工程と前記酸化工程とからなる一連の工程を繰り返す
請求項2に記載の絶縁膜形成方法。 - 前記活性化した酸素として酸素ラジカルを用いる
請求項2又は3に記載の絶縁膜形成方法。 - 前記半導体基板がシリコン基板であり、
該シリコン基板はその厚さ方向に貫通するシリコン貫通電極用の貫通孔を複数有し、
前記絶縁膜は、前記貫通孔の内側面に形成される
請求項1〜4のいずれか一項に記載の絶縁膜形成方法。 - 前記酸素含有ガスとして、O2ガス、H2Oガス、NOガス、N2Oガス、NO2ガス、COガス、及びCO2ガスの少なくとも1つが用いられる
請求項1〜5のいずれか一項に記載の絶縁膜形成方法。 - 半導体基板を収容する真空槽と、
前記真空槽内に配置されて前記半導体基板を加熱する加熱部と、
前記真空槽内にZr(BH4)4を供給する原料供給部と、
前記真空槽内に酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給部とを備え、
前記酸素含有ガスの雰囲気にて前記Zr(BH4)4を前記半導体基板上で熱酸化して前記半導体基板にZrBOを含む絶縁膜を形成する
絶縁膜形成装置。 - 前記酸素含有ガス供給部は、前記酸素含有ガスとして、O2ガス、H2Oガス、NOガス、N2Oガス、NO2ガス、COガス、及びCO2ガスの少なくとも1つを供給する
請求項7に記載の絶縁膜形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011251431A JP5766098B2 (ja) | 2011-11-17 | 2011-11-17 | 絶縁膜形成方法及び絶縁膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011251431A JP5766098B2 (ja) | 2011-11-17 | 2011-11-17 | 絶縁膜形成方法及び絶縁膜形成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013110142A JP2013110142A (ja) | 2013-06-06 |
JP5766098B2 true JP5766098B2 (ja) | 2015-08-19 |
Family
ID=48706646
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011251431A Active JP5766098B2 (ja) | 2011-11-17 | 2011-11-17 | 絶縁膜形成方法及び絶縁膜形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5766098B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5859367B2 (ja) * | 2012-04-06 | 2016-02-10 | 株式会社アルバック | ZrBO膜のエッチング方法、半導体装置の製造方法、及びZrBO膜のエッチング装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005183246A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイ表示装置 |
CN101460657A (zh) * | 2006-06-02 | 2009-06-17 | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 | 基于新型钛、锆和铪前体的高k介电膜的形成方法及其用于半导体制造的用途 |
JP2008211090A (ja) * | 2007-02-27 | 2008-09-11 | Ulvac Japan Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
JP4960193B2 (ja) * | 2007-10-12 | 2012-06-27 | 株式会社アルバック | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
-
2011
- 2011-11-17 JP JP2011251431A patent/JP5766098B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013110142A (ja) | 2013-06-06 |
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