JP5763534B2 - マイクロリソグラフィック投影システムのためのテレセントリシティ補正素子 - Google Patents
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
12 光源
14 照明器
16 投影レンズ
18 レチクル
20 サブストレート
22 XY軸水平移動台
24 光軸
26 Z軸垂直移動台
28 光ビーム
30 基台
32 コントローラ
40,80,90 テレセントリシティ補正素子
42,46 像空間
44 物体空間
48 レチクルの表面
50 サブストレートの感光性表面、投影レンズの像平面
52,66 垂直な光円錐
54,58,64,68 物点
56,62 傾いた光円錐
72 補正素子の本体
74,82,92,110,114 補正用表面
104 ビームプロファイラ
106 ユニフォーマイザ
Claims (6)
- リソグラフィック投影システムであって、
光源、
該光源から光を受け取って自身の像平面においてレチクルを照明するための照明器、
前記レチクルの画像をサブストレート上に投影するための投影レンズ、ならびに
前記レチクルを照明する光の局部的角度的再配分を行なって前記サブストレートにおけるテレセントリシティに関する目標仕様に一致させるために、前記照明器の前記像平面にまたは該像平面と共役関係にある平面に近接して配置されたテレセントリシティ補正素子、を有してなり、
前記テレセントリシティ補正素子が、前記テレセントリシティに関する前記目標仕様を満たすための局部的変化を有し、該局部的変化は、前記サブストレートに亘る放射照度の均一性の目標仕様を満たすための変化率を有するものであり、
前記テレセントリシティ補正素子が補正用表面を備え、前記局部的変化が前記補正用表面の局部的勾配変化である、
ことを特徴とするリソグラフィック投影システム。 - 前記テレセントリシティ補正素子が、前記レチクルの近傍にまたは該レチクルと共役関係にある位置の近傍に配置されてなることを特徴とする請求項1記載の投影システム。
- 1個の照明器および1個の投影レンズを備えたマイクロリソグラフィック投影システムに関するテレセントリシティおよび放射照度の均一性の目標を達成する方法であって、
前記投影レンズの像平面におけるテレセントリシティおよび放射照度の均一性に関する目標を規定するステップ、ならびに
該テレセントリシティおよび放射照度の均一性に関する目標に近付けるために、前記照明器、前記投影レンズ、および前記照明器の像平面または該像平面と共役関係にある平面に近接して配置されたテレセントリシティ補正素子の構造を最適化するステップ、
を含み、
前記テレセントリシティ補正素子の最適化が、前記テレセントリシティに関する目標を満たすために、前記テレセントリシティ補正素子における局部的変化をコントロールし、かつ前記放射照度の均一性に関する目標を満たすために、前記テレセントリシティ補正素子における局部的変化の変化率をコントロールするものであり、
前記テレセントリシティ補正素子が補正用表面を備え、前記局部的変化のコントロールが前記補正用表面の局部的勾配変化のコントロールであることを特徴とする前記方法。 - 1個の照明器および1個の投影レンズを備えたマイクロリソグラフィック投影システムにおける実験的に測定された誤差を補償する方法であって、
前記投影レンズの像平面におけるテレセントリシティ誤差を確認するステップ、
前記照明器の像平面における改訂されたテレセントリシティ目標を設定して、前記確認されたテレセントリシティ誤差を補償するステップ、および
前記改訂されたテレセントリシティ目標を満足させるために、前記照明器の像平面または該像平面と共役関係にある平面に近接して配置されたテレセントリシティ補正素子内に変化を組み込むステップ、
を含む方法であって、
前記変化を組み込むステップにおいて、前記改訂されたテレセントリシティ目標満たすために前記テレセントリシティ補正素子の局部的変化がコントロールされるとともに、該局部的変化の変化率が、前記改訂された放射照度の均一性の目標を満たすためにコントロールされること、及び、
前記テレセントリシティ補正素子が補正用表面を備え、前記局部的変化が前記補正用表面の局部的勾配変化であることを特徴とする前記方法。 - 前記投影レンズの像平面における放射照度の均一性誤差を確認するステップ、
前記照明器の像平面における改訂された放射照度の均一性目標を設定して、前記確認された放射照度の均一性誤差を補正するステップ、および
前記改訂された放射照度の均一性目標を満足させるために、前記テレセントリシティ補正素子内に更なる変化を組み込むステップ、
を含むことを特徴とする請求項4記載の方法。 - 前記更なる変化を組み込むステップが、前記改訂されたテレセントリシティ目標を満たすために、前記補正用表面における前記局部的勾配変化をコントロールし、かつ、前記改訂された放射照度の均一性目標を満たすために、前記補正用表面における前記局部的勾配変化の変化率をコントロールするステップを含むことを特徴とする請求項5記載の方法。
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