JP5761253B2 - Zn−Si−O系酸化物焼結体とその製造方法およびスパッタリングターゲットと蒸着用タブレット - Google Patents
Zn−Si−O系酸化物焼結体とその製造方法およびスパッタリングターゲットと蒸着用タブレット Download PDFInfo
- Publication number
- JP5761253B2 JP5761253B2 JP2013108602A JP2013108602A JP5761253B2 JP 5761253 B2 JP5761253 B2 JP 5761253B2 JP 2013108602 A JP2013108602 A JP 2013108602A JP 2013108602 A JP2013108602 A JP 2013108602A JP 5761253 B2 JP5761253 B2 JP 5761253B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- sintered body
- sio
- oxide sintered
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims description 53
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 48
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 47
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 title claims description 46
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims description 19
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 175
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 166
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 86
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 63
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 52
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 51
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 48
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 35
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 22
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 22
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000004110 Zinc silicate Substances 0.000 claims description 20
- XSMMCTCMFDWXIX-UHFFFAOYSA-N zinc silicate Chemical compound [Zn+2].[O-][Si]([O-])=O XSMMCTCMFDWXIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 235000019352 zinc silicate Nutrition 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 18
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000011029 spinel Substances 0.000 claims description 18
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 12
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims description 12
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 9
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 claims description 7
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 148
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 64
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 52
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 49
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 47
- 239000000463 material Substances 0.000 description 39
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 30
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 30
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 22
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 19
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 15
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 15
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 13
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 13
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 11
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 10
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 10
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 8
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 7
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 5
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001238 wet grinding Methods 0.000 description 5
- 108091006149 Electron carriers Proteins 0.000 description 4
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 4
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical group [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910020923 Sn-O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000008853 Zanthoxylum piperitum Nutrition 0.000 description 1
- 244000131415 Zanthoxylum piperitum Species 0.000 description 1
- 206010048259 Zinc deficiency Diseases 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 argon cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000007580 dry-mixing Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000000752 ionisation method Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Description
酸化亜鉛を主成分とし、Si以外の添加元素を含有しないZn−Si−O系酸化物焼結体において、
700〜900℃の温度域を昇温速度5℃/分以上の速さで昇温させると共に900〜1400℃の焼成温度で上記酸化物焼結体が製造され、かつ、
Siの含有量がSi/(Zn+Si)原子数比で0.1〜10原子%であり、
Si元素がウルツ鉱型酸化亜鉛相に固溶していると共に、
CuKα線を使用した焼結体粉末のX線回折、並びに、透過型電子顕微鏡を用いた焼結体薄片の電子線回折による2つの検出方法でSiO2相および珪酸亜鉛(Zn2SiO4)であるスピネル型複合酸化物相が検出されないことを特徴とする。
スパッタリングターゲットにおいて、
請求項1に記載のZn−Si−O系酸化物焼結体を加工して得られることを特徴とし、
請求項3に係る発明は、
蒸着用タブレットにおいて、
請求項1に記載のZn−Si−O系酸化物焼結体からなることを特徴とする。
請求項1に記載のZn−Si−O系酸化物焼結体の製造方法において、
ZnO粉末およびSiO2粉末を、純水、有機バインダー、分散剤と混合し得られるスラリーを、乾燥、造粒する第一工程と、
得られた造粒粉を加圧成形して成形体を得る第二工程と、
得られた成形体を焼成し、焼結体を得る第三工程を有すると共に、
上記焼結体を得る第三工程が、700〜900℃の温度域を昇温速度5℃/分以上の速さで昇温させる工程と、成形体を焼成炉内において900℃〜1400℃で焼成する工程からなることを特徴とし、
請求項5に係る発明は、
請求項4に記載のZn−Si−O系酸化物焼結体の製造方法において、
上記第三工程において、900℃〜焼結温度までの温度域を昇温速度3℃/分以下の速さで昇温させることを特徴とし、
請求項6に係る発明は、
請求項4に記載のZn−Si−O系酸化物焼結体の製造方法において、
上記第一工程において、ZnO粉末とSiO2粉末、ZnO粉末とSiO2粉末を混合し仮焼して得た仮焼粉末、および、純水、有機バインダー、分散剤を、原料粉末であるZnO粉末、SiO2粉末および仮焼粉末の合計濃度が50〜80wt%となるように混合し、10時間以上混合攪拌して上記スラリーを得ることを特徴とし、
請求項7に係る発明は、
請求項6に記載のZn−Si−O系酸化物焼結体の製造方法において、
ZnO粉末とSiO2粉末を混合し900℃〜1400℃の条件で仮焼して上記仮焼粉末を得ていることを特徴とし、
請求項8に係る発明は、
請求項4〜7のいずれかに記載のZn−Si−O系酸化物焼結体の製造方法において、
平均粒径が1.0μm以下のZnO粉末とSiO2粉末を用いることを特徴とする。
700〜900℃の温度域を昇温速度5℃/分以上の速さで昇温させると共に900〜1400℃の焼成温度で上記酸化物焼結体が製造され、かつ、
Siの含有量がSi/(Zn+Si)原子数比で0.1〜10原子%であり、
Si元素がウルツ鉱型酸化亜鉛相に固溶していると共に、
CuKα線を使用した焼結体粉末のX線回折、並びに、透過型電子顕微鏡を用いた焼結体薄片の電子線回折による2つの検出方法でSiO2相および珪酸亜鉛(Zn2SiO4)であるスピネル型複合酸化物相が検出されないことを特徴としている。
酸化亜鉛を主成分とし、Si以外の添加元素を含有しない本発明に係るZn−Si−O系酸化物焼結体は、700〜900℃の温度域を昇温速度5℃/分以上の速さで昇温させると共に900〜1400℃の焼成温度で上記酸化物焼結体が製造され、かつ、Siの含有量がSi/(Zn+Si)原子数比で0.1〜10原子%であり、Si元素がウルツ鉱型酸化亜鉛相に固溶していると共に、CuKα線を使用した焼結体粉末のX線回折、並びに、透過型電子顕微鏡を用いた焼結体薄片の電子線回折による2つの検出方法でSiO2相および珪酸亜鉛(Zn2SiO4)であるスピネル型複合酸化物相が検出されないことを特徴とし、スパッタリングターゲット若しくはイオンプレーティング等の蒸着用タブレットとして用いられる。尚、本発明に係るZn−Si−O系酸化物焼結体においては、構成元素が実質的に亜鉛(Zn)、シリコン(Si)および酸素(O)から成っていればよく、不可避不純物の混入を制限するものではない。
本発明に係るZn−Si−O系酸化物焼結体の製造方法は、原料粉末を、純水、有機バインダー、分散剤と混合し、得られるスラリーを、乾燥、造粒する「第一工程」と、得られた造粒粉を加圧成形して成形体を得る「第二工程」と、得られた成形体を焼成し、焼結体を得る「第三工程」とで構成されている。
第一工程で得られる「造粒粉」は、2通りの方法で製造することができる。
(第一の方法)
ZnO粉末およびSiO2粉末を原料粉末とし、純水、有機バインダー、分散剤と混合して、原料粉末濃度が50〜80wt%、好ましくは60wt%となるように混合し、かつ、平均粒径0.5μm以下となるまで湿式粉砕する。この際、特に原料として用いるZnO粉末とSiO2粉末の平均粒径を共に1.0μm以下とし、混合粉末の平均粒径を0.5μm以下と微細化する。更に、上記湿式粉砕においては、粒径2.0mmを越えるボールを用いた「ボールミル」では1.0μm以下の粒径を有する粒子を解砕するのに適していないため、粒径2.0mm以下のものを用いる「ビーズミル」を用いることが好ましい。この製法により、ZnO粉末、および、SiO2粉末等の凝集を確実に取り除き、後工程で発生するSi系酸化物の凝集を防ぐことができる。粉砕後、30分以上混合攪拌して得られたスラリーを乾燥・造粒して「造粒粉」を得る。
ZnO粉末およびSiO2粉末と、ZnO粉末およびSiO2粉末を混合し仮焼して得た仮焼粉末とを原料粉末とする。上記仮焼粉末を製造する際は、900℃〜1400℃、好ましくは900℃〜1200℃で仮焼するが、ZnM2O4あるいはZn2MO4(Mは添加元素)等といったスピネル相で表される中間化合物相が最も生成され易い700〜900℃の温度域を昇温速度5℃/分以上の速さで昇温させることが重要となる。
スパッタリングターゲットを成形する場合は、上記「造粒粉」を用いて98MPa(1.0ton/cm2)以上の圧力で加圧成形を行い成形体とする。98MPa以下で成形を行うと、粒子間に存在する空孔を除去することが困難となり、焼結体の密度低下をもたらす。また、成形体強度も低くなるため、安定した製造が困難となる。ここで、加圧成形を行う際には、高圧力が得られる冷間静水圧プレスCIP(Cold Isostatic Press)を用いることが望ましい。
第二工程で得られた成形体を、常圧で焼成することにより、Zn−Si−O系酸化物焼結体が得られる。焼成温度は、900〜1400℃、好ましくは1100℃〜1300℃で焼結を行う。焼結温度が900℃未満では、必要な焼結収縮が得られず、機械的強度の弱い焼結体となってしまう。また、焼結収縮が十分進んでいないため、得られる焼結体の密度や寸法のバラつきが大きくなる。900℃以上の領域では、焼結が進行しかつ焼結体中の結晶粒子内部にSi原子が均一に存在するようになる。但し、必要以上に高い温度で熱エネルギーを与えると、不純物として添加しているSi濃度の高い領域が粒界に隣接した結晶粒子内部に形成されて焼結体としての導電性を阻害する原因となるが、この現象が1400℃を超えたところから発生し始めることを本発明者等は確認している。また、焼結温度が1400℃を超えると、酸化亜鉛(ZnO)の揮発が活発化し、所定の酸化亜鉛組成からずれることとなるため好ましくない。
透明導電膜は、成膜装置中で、スパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法若しくは蒸着用タブレットを用いたイオンプレーティング等の蒸着法によりガラス等の基板上に形成される。得られる透明導電膜の組成は、本発明に係るZn−Si−O系酸化物焼結体を原料としているため、酸化物焼結体の組成が反映される。また、本発明により得られる透明導電膜は、結晶相で構成されており、実質的にウルツ鉱型酸化亜鉛相からなり、Si元素が全てこのウルツ鉱型酸化亜鉛相に含まれていることが好ましい。
[酸化物焼結体の作製]
平均粒径が1.0μm以下のZnO粉末およびSiO2粉末を原料粉末とし、Si/(Zn+Si)原子数比が3.0原子%となる割合で調合し、かつ、純水、有機バインダー、分散剤と混合して、原料粉末濃度が60wt%となるように混合すると共に、混合タンクにてスラリーを作製した。
得られた実施例1に係る酸化物焼結体を、直径が152.4mm(6インチ)で、厚みが5mmとなるように加工し、無酸素銅製のバッキングプレートに金属インジウムを用いてボンディングし、実施例1に係るスパッタリングターゲットを得た。
焼成温度を1400℃(実施例2)、900℃(実施例3)、1500℃(比較例1)、800℃(比較例2)とした以外は実施例1と同様の条件にて酸化物焼結体を得た。
平均粒径が1.0μm以下のZnO粉末およびSiO2粉末を原料粉末とし、Si/(Zn+Si)原子数比が0原子%(比較例3)、0.1原子%(実施例4)、10原子%(実施例5)、15原子%(比較例4)とした以外は実施例1と同様の条件にて酸化物焼結体を得た。
平均粒径が1.0μm以下のZnO粉末、SiO2粉末、添加元素として第三金属元素の酸化物粉末を原料粉末とし、Si/(Zn+Si)原子数比が3.0原子%、第三金属元素をMとして、M/(Zn+Si+M)原子数比が2.0原子%の条件で、第三添加元素がMg(参考例6)、Al(参考例7)、Ti(参考例8)、Ga(参考例9)、In(参考例10)、Sn(参考例11)、Al+Ga(参考例12)、および、M/(Zn+Si+M)原子数比が10原子%の条件で、第三添加元素がAl(参考例7の2)、Ga(参考例9の2)、Al+Ga(参考例12の2)とした以外は実施例1と同様の条件にて酸化物焼結体を得た。
粒径が3.0mmである硬質ZrO2ボールが投入されたボールミル装置を用いて、原料粉の平均粒径0.5μm以下となるまで湿式粉砕を行った以外は実施例1と同様の条件にて酸化物焼結体を得た。
平均粒径が1.3μmのZnO粉末および平均粒径が1.5μmのSiO2粉末を原料粉末とした以外は実施例1と同様の条件にて酸化物焼結体を得た。
平均粒径が1.0μm以下のZnO粉末およびSiO2粉末を原料粉末とし、Si/(Zn+Si)原子数比が3.0原子%となるようにそれぞれ秤量した。
焼成温度を1400℃(実施例14)、900℃(実施例15)、1500℃(比較例7)、700℃(比較例8)とした以外は実施例13と同様の条件にて酸化物焼結体を得た。
平均粒径が0.4μmのZnO粉末およびSiO2粉末を原料粉末とし、Si/(Zn+Si)原子数比が4.0原子%となる割合で調合し、粒径3.0mmの硬質ZrO2ボールが投入されたボールミル装置を用いて、原料粉の平均粒径が0.3μm以下となるまで乾式粉砕を行い、造粒粉を得た。
平均粒径が0.1μmのZnO粉末、SiO2粉末およびAl2O3粉末を原料粉末とし、Si/(Zn+Si)原子数比が1.1原子%、Al/(Zn+Si+Al)原子数比が3.5原子%となる割合で調合し、純水、有機バインダー、分散剤と混合し、原料粉末濃度が60wt%となるように混合し、混合タンクにてスラリーを作製した。
平均粒径が0.1μmのZnO粉末、SiO2粉末およびGa2O3粉末を原料粉末とし、Si/(Zn+Si)原子数比が0.85原子%、Ga/(Zn+Si+Ga)原子数比が4.0原子%となる割合で調合し、純水、有機バインダー、分散剤と混合し、原料粉末濃度が60wt%となるように混合し、混合タンクにてスラリーを作製した。
平均粒径が0.1μmのZnO粉末、SiO2粉末およびAl2O3粉末を原料粉末とし、Si/(Zn+Si)原子数比が0.7原子%、Al/(Zn+Si+Al)原子数比が4.7原子%となる割合で調合し、純水、有機バインダー、分散剤と混合し、原料粉末濃度が60wt%となるように混合し、混合タンクにてスラリーを作製した。
平均粒径が1.0μm以下のZnO粉末、SiO2粉末およびAl2O3粉末を原料粉末とし、Si/(Zn+Si)原子数比が6.8原子%、Al/(Zn+Si+Al)原子数比が3.1原子%となる割合で調合し、粉砕は行わず乾式混合のみを行い、造粒粉を得た。
平均粒径が1.0μm以下のZnO粉末およびSiO2粉末を原料粉末とし、Si/(Zn+Si)原子数比が5.0原子%となる割合で調合し、これ等の原料粉末を粒径が3.0mmである硬質ZrO2ボールが投入されたボールミル装置を用いて、20時間混合、乾燥し、混合分を得た。
平均粒径が5.0μmのZnO粉末、SiO2粉末、Al2O3粉末およびMgO粉末を、それぞれSi/(Zn+Si)原子数比が0.5原子%、(Al+Mg)/(Zn+Si+Al+Mg)原子数比が5.1原子%となるよう秤量、準備した。
Claims (8)
- 酸化亜鉛を主成分とし、Si以外の添加元素を含有しないZn−Si−O系酸化物焼結体において、
700〜900℃の温度域を昇温速度5℃/分以上の速さで昇温させると共に900〜1400℃の焼成温度で上記酸化物焼結体が製造され、かつ、
Siの含有量がSi/(Zn+Si)原子数比で0.1〜10原子%であり、
Si元素がウルツ鉱型酸化亜鉛相に固溶していると共に、
CuKα線を使用した焼結体粉末のX線回折、並びに、透過型電子顕微鏡を用いた焼結体薄片の電子線回折による2つの検出方法でSiO2相および珪酸亜鉛(Zn2SiO4)であるスピネル型複合酸化物相が検出されないことを特徴とするZn−Si−O系酸化物焼結体。 - 請求項1に記載のZn−Si−O系酸化物焼結体を加工して得られることを特徴とするスパッタリングターゲット。
- 請求項1に記載のZn−Si−O系酸化物焼結体からなることを特徴とする蒸着用タブレット。
- 請求項1に記載のZn−Si−O系酸化物焼結体の製造方法において、
ZnO粉末およびSiO2粉末を、純水、有機バインダー、分散剤と混合し得られるスラリーを、乾燥、造粒する第一工程と、
得られた造粒粉を加圧成形して成形体を得る第二工程と、
得られた成形体を焼成し、焼結体を得る第三工程を有すると共に、
上記焼結体を得る第三工程が、700〜900℃の温度域を昇温速度5℃/分以上の速さで昇温させる工程と、成形体を焼成炉内において900℃〜1400℃で焼成する工程からなることを特徴とするZn−Si−O系酸化物焼結体の製造方法。 - 上記第三工程において、900℃〜焼結温度までの温度域を昇温速度3℃/分以下の速さで昇温させることを特徴とする請求項4に記載のZn−Si−O系酸化物焼結体の製造方法。
- 上記第一工程において、ZnO粉末とSiO2粉末、ZnO粉末とSiO2粉末を混合し仮焼して得た仮焼粉末、および、純水、有機バインダー、分散剤を、原料粉末であるZnO粉末、SiO2粉末および仮焼粉末の合計濃度が50〜80wt%となるように混合し、10時間以上混合攪拌して上記スラリーを得ることを特徴とする請求項4に記載のZn−Si−O系酸化物焼結体の製造方法。
- ZnO粉末とSiO2粉末を混合し900℃〜1400℃の条件で仮焼して上記仮焼粉末を得ていることを特徴とする請求項6に記載のZn−Si−O系酸化物焼結体の製造方法。
- 平均粒径が1.0μm以下のZnO粉末とSiO2粉末を用いることを特徴とする請求項4〜7のいずれかに記載のZn−Si−O系酸化物焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013108602A JP5761253B2 (ja) | 2013-05-23 | 2013-05-23 | Zn−Si−O系酸化物焼結体とその製造方法およびスパッタリングターゲットと蒸着用タブレット |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013108602A JP5761253B2 (ja) | 2013-05-23 | 2013-05-23 | Zn−Si−O系酸化物焼結体とその製造方法およびスパッタリングターゲットと蒸着用タブレット |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011207198A Division JP5339100B2 (ja) | 2011-09-22 | 2011-09-22 | Zn−Si−O系酸化物焼結体とその製造方法およびスパッタリングターゲットと蒸着用タブレット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013212981A JP2013212981A (ja) | 2013-10-17 |
JP5761253B2 true JP5761253B2 (ja) | 2015-08-12 |
Family
ID=49586637
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013108602A Expired - Fee Related JP5761253B2 (ja) | 2013-05-23 | 2013-05-23 | Zn−Si−O系酸化物焼結体とその製造方法およびスパッタリングターゲットと蒸着用タブレット |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5761253B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116751032A (zh) * | 2023-06-21 | 2023-09-15 | 深圳众诚达应用材料股份有限公司 | 一种zto靶材及其制备方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62154411A (ja) * | 1985-12-26 | 1987-07-09 | 三井金属鉱業株式会社 | 透明導電膜 |
JPH062130A (ja) * | 1992-06-15 | 1994-01-11 | Mitsubishi Materials Corp | 酸化亜鉛系スパッタリング用ターゲット |
JPH11322332A (ja) * | 1998-05-21 | 1999-11-24 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ZnO系焼結体およびその製造方法 |
JP2010120803A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Tosoh Corp | 複合酸化物焼結体 |
-
2013
- 2013-05-23 JP JP2013108602A patent/JP5761253B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013212981A (ja) | 2013-10-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5339100B2 (ja) | Zn−Si−O系酸化物焼結体とその製造方法およびスパッタリングターゲットと蒸着用タブレット | |
US9202603B2 (en) | Sputtering target, transparent conductive film and transparent electrode | |
TWI519502B (zh) | Zn-Sn-O系氧化物燒結體及其製造方法 | |
JP5768290B2 (ja) | 酸化物焼結体とその製造方法、ターゲット、および透明導電膜 | |
JP4760154B2 (ja) | 酸化物焼結体、酸化物透明導電膜、およびこれらの製造方法 | |
TWI761664B (zh) | 氧化物濺鍍靶及其製造方法、以及使用該氧化物濺鍍靶成膜之氧化物薄膜 | |
JP4885274B2 (ja) | アモルファス複合酸化膜、結晶質複合酸化膜、アモルファス複合酸化膜の製造方法および結晶質複合酸化膜の製造方法 | |
WO2007141994A1 (ja) | 酸化物焼結体、ターゲット、およびそれを用いて得られる透明導電膜、並びに透明導電性基材 | |
JP5764828B2 (ja) | 酸化物焼結体およびそれを加工したタブレット | |
WO2014148189A1 (ja) | 酸化亜鉛系焼結体とその製造方法およびスパッタリングターゲットと透明導電膜 | |
JP2007246318A (ja) | 酸化物焼結体、その製造方法、酸化物透明導電膜の製造方法、および酸化物透明導電膜 | |
JP2004123479A (ja) | 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット | |
JP5761253B2 (ja) | Zn−Si−O系酸化物焼結体とその製造方法およびスパッタリングターゲットと蒸着用タブレット | |
WO2014021374A1 (ja) | 酸化物焼結体およびそれを加工したタブレット | |
JP6414527B2 (ja) | Sn−Zn−O系酸化物焼結体とその製造方法 | |
JP2012148937A (ja) | 導電性複合酸化物、酸化亜鉛系焼結体、その製造方法およびターゲット | |
JP5822034B2 (ja) | スパッタリングターゲットとその製造方法 | |
WO2013140838A1 (ja) | In-Ga-Zn-O系酸化物焼結体とその製造方法およびスパッタリングターゲットと酸化物半導体膜 | |
JP2012132089A (ja) | 酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法、酸化亜鉛系透明導電膜および透明導電性基板 | |
JP2015024927A (ja) | 酸化物焼結体及びその製造方法、並びに酸化物膜 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141112 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141120 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141226 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150512 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150525 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5761253 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |