JP5748069B2 - ゲッター層を有する有機電界発光表示装置の製造方法 - Google Patents
ゲッター層を有する有機電界発光表示装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5748069B2 JP5748069B2 JP2012512946A JP2012512946A JP5748069B2 JP 5748069 B2 JP5748069 B2 JP 5748069B2 JP 2012512946 A JP2012512946 A JP 2012512946A JP 2012512946 A JP2012512946 A JP 2012512946A JP 5748069 B2 JP5748069 B2 JP 5748069B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- getter layer
- getter
- sealing substrate
- module
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 63
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 49
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 claims description 11
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 claims description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 10
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 6
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 claims description 3
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N selenium dioxide Chemical compound O=[Se]=O JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- -1 alumina Chemical class 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- ZIJTYIRGFVHPHZ-UHFFFAOYSA-N selenium oxide(seo) Chemical compound [Se]=O ZIJTYIRGFVHPHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
- H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
- H01L23/26—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device including materials for absorbing or reacting with moisture or other undesired substances, e.g. getters
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/874—Passivation; Containers; Encapsulations including getter material or desiccant
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/851—Division of substrate
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
前記ゲッター層を形成することは、前記封止基板上にゲッターフィルムを圧着する方法または蒸発法を用いて行ってもよい。前記封止基板上に前記ゲッターフィルムを圧着する前に、前記ゲッターフィルムの少なくとも一面上に提供された保護フィルムを除去することができる。蒸発法を用いて前記ゲッター層を形成することは、多孔性ナノ粒子と単量体(monomer)を蒸発させて前記封止基板上に積層させることであってもよい。
前記モジュールを形成する前に、前記ゲッター層を熱処理してもよい。前記ゲッター層を熱処理することはホットプレート、チャンバーまたはエアーナイフを用いて行ってもよい。
前記ゲッター層は光透過性ゲッター層であってもよい。
本発明は、多様な変更を加えることができ、種々の実施例を持つことができるので、特定の実施例を図面に例示し、詳細な説明に詳細に説明しようとする。ところが、これは本発明を特定の実施形態について限定しようとするものではなく、本発明の思想および技術範囲に含まれる全ての変更、均等物ないし代替物を含むものと理解されるべきである。各図面を説明しながら、同様の参照符号を同様の構成要素に付した。
本発明で使用した用語は、特定の実施例を説明するために使用されたもので、本発明を限定しようとする意図ではない。単数の表現は文脈上明白に異なる意味ではない限り、複数の表現を含む。本発明において、「含む」または「有する」などの用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらの組み合わせが存在することを指定しようとするものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や、数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらの組み合わせの存在または付加可能性を予め排除しないものと理解されるべきである。
別途定義されない限り、ここで使用される技術的または科学的な用語を含む全ての用語は、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者によって一般に理解されるものと同一の意味を持っている。一般に使用される辞書に定義されているような用語は関連技術の文脈上の意味と一致する意味を持つものと解釈されるべきであり、本発明で明白に定義しない限り、理想的または過度に形式的な意味で解釈されるべきである。
図1〜図5は本発明の一実施例に係る有機電界発光表示装置の製造方法を順次示す概略図である。具体的に、図2は図1のA−A’線に沿った断面図である。
図1および図2を参照すると、原封止基板10が提供される。前記原封止基板10は、スクライビングライン10aによって定義された多数の単位封止基板10uを備える。前記単位封止基板10uは、前記原張封止基板10と区別するために使用された用語であって、封止基板とも呼ばれることがある。前記原張封止基板10はガラスまたはプラスチックなどの光透過性絶縁基板であってもよい。
前記封止基板10u上に乾式法を用いてゲッター層Gを形成する。この場合、前記原張封止基板10が大型の場合に適し、多様な形態のゲッター層Gを形成することができる。
乾式法の一例として、前記ゲッター層GはゲッターフィルムGFを前記封止基板10uに圧着することにより形成することができる。
前記ゲッターフィルムGFは、その少なくとも一面上に保護フィルムが提供されたものであってもよい。この場合、ゲッターフィルムを前記封止基板10u上に圧着する前に、前記保護フィルムを除去することができる。
具体的に、上面および下面上にそれぞれ上部保護フィルムが提供されたゲッターフィルムGFを適切なサイズに切断し、真空吸着器50を用いて前記ゲッターフィルムGFの上面を吸着した後、前記ゲッターフィルムGFの下面上に提供された下部保護フィルムを除去することができる。前記ゲッターフィルムGFの下面を熱処理して表面状態を改善することができる。その後、前記ゲッターフィルムGFを前記封止基板10u上に圧着してゲッター層Gを形成することができる。この際、前記封止基板10uまたは前記真空吸着器50を、例えば40〜100℃で加熱して前記ゲッター層Gと前記封止基板10cとの間の接着力を向上させることができる。次いで、前記封止基板10uを常温以下に冷却させた後、前記ゲッター層Gの上面上に位置する上部保護フィルムも除去することができる。
前記真空除去器50は前記単位封止基板10uの列に対応して複数個使用されてもよい。一方、前記ゲッター層Gは、全ての単位封止基板10u上に形成されず、一部の単位封止基板10u上に選択的に形成されてもよい。
前記ゲッターフィルムGFおよび前記ゲッター層Gは、光透過性ゲッターであってもよく、多孔性ナノ粒子と高分子バインダーを備えてもよい。前記多孔性ナノ粒子は金属酸化物、例えばアルミナ、シリカ、酸化カルシウム(CaO)、酸化セレニウム(SeO)、酸化バリウム(BaO)または炭素化合物でありうる。前記アルミナ、シリカまたは炭素化合物の場合、高分子バインダーに化学的に結合していてもよい。前記CaO、SeOまたはBaOの場合、高分子バインダーとしてアクリル系樹脂が採用できる。
次いで、前記ゲッター層Gを熱処理することができる。前記熱処理はホットプレート、チャンバーまたはエアーナイフを用いて行うことができる。その結果、前記ゲッター層G内に含まれた水分または溶媒を除去することができ、ひいては前記ゲッター層Gの表面状態を改善することができる。
その後、前記ゲッター層Gを冷却させて固化させることができる。
図3を参照すると、前記原張封止基板10をスクライブライン10aに沿って切断して単位封止基板10u別に分離させる。
図4を参照すると、多数の単位有機電界発光素子23を備える素子アレイELaが形成された素子基板20uを提供する。
前記単位有機電界発光素子23は、下部電極23a、上部電極23cおよびこれらの電極の間に位置する有機機能膜23bを備える。前記有機機能膜23bは少なくとも有機発光層を備え、前記下部電極23aおよび前記上部電極23cはそれぞれアノードおよびカソードでありうる。この場合、前記有機機能膜23bは、前記下部電極23aと前記有機発光層との間に正孔注入層および/または正孔輸送層をさらに備えることができ、前記有機発光層と前記上部電極23cとの間に電子注入層および/または電子輸送層をさらに備えることができる。
前記電極23a、23cのうち少なくとも上部電極23cは光透過性電極であってもよい。このような上部電極23cがカソードの場合、光が透過しうる程度の厚さを持つMgAg膜またはITO膜でありうる。仕事関数の差を考慮すると、前記カソードとしての上部電極23cがMgAg膜の場合、前記アノードとしての下部電極23aはITO膜であってもよく、前記カソードとしての上部電極23cがITO膜の場合、前記アノードとしての下部電極23aは金Auまたは白金Pt膜であってもよい。
前記素子基板20u上に素子アレイELaを形成する一例を詳細に説明すると、次のとおりである。まず、素子基板20u上に、第1方向に延長された下部電極23aを形成することができる。前記下部電極23a上に画素定義膜25を形成することができる。前記画素定義膜25上に、前記第1方向と交差する第2方向に延長された分離パターン27を形成することができる。前記下部電極23a上に有機機能膜23bおよび上部電極23cを順次形成することができる。この際、前記分離パターン27上にも有機機能膜23bおよび上部電極23cが順次形成できる。
次いで、素子アレイELaの周辺領域上にシーラント30を塗布する。前記シーラント30の塗布された素子基板20u上に、前記ゲッター層Gが前記素子基板20uに対向するように封止基板10uを位置させる。真空で前記封止基板10uと前記素子基板20uを加圧して合着することにより、単位モジュールMを形成する。前記単位モジュールMの内部、すなわち前記封止基板10uと前記素子基板20uとの間は真空状態でありうる。
図5を参照すると、前記ゲッター層Gに流動性を与え、前記素子アレイELaの上面および側面を覆うようにする。前記ゲッター層Gに流動性を与える工程は真空より高い圧力、例えば常圧状態で行うことができる。この場合、真空状態の単位モジュールMの内部より外部の圧力が大きい。したがって、前記ゲッター層Gに流動性を与えると、前記封止基板10uと前記素子基板20uとの間隔が減ることにより、前記ゲッター層Gが前記素子アレイELaの上面および側面を覆うことができる。
この場合、外部から浸透する水分などの汚染物質は、前記ゲッター層Gを通過すれば前記有機機能膜23bに達するので、前記ゲッター層Gは、前記有機機能膜23bを水分および汚染物質から十分保護することができる。結論的に、有機電界発光素子23の耐湿性が大きく向上しうる。ひいては、前記ゲッター層Gは前記素子基板20u、前記封止基板10uおよび前記シーラント30間の空間を全て満たすことができる。
前記ゲッター層Gに流動性を与えることは、単位モジュールMを熱処理することにより実現することができる。前記熱処理段階で、熱処理温度は前記ゲッター層Gが流動性を持つことが可能な温度、例えば前記ゲッター層G内に含有された高分子バインダーのガラス転移温度Tg以上の温度でありうる。ところが、単位モジュールを熱処理する過程で前記有機機能膜23bが損傷するおそれがあるので、最大限低い温度で行うことが好ましい。一例として、前記熱処理温度は40〜100℃であってもよい。前記単位モジュールを熱処理することはホットプレート、チャンバーまたはエアーナイフを用いて行うことができる。
図6は本発明の他の実施例に係る有機電界発光表示装置の製造方法を示す図である。本実施例に係る製造方法は、後述することを除いては、図1〜図5を参照して説明した実施例に係る製造方法と同様である。
図6を参照すると、ゲッター層GはゲッターフィルムGFを前記封止基板10u上に圧着することにより形成することができる。具体的に、前記ゲッターフィルムGFはベースフィルム70の下面上に配置できる。前記ベースフィルム70は貫通孔70aを備えて前記各ゲッターフィルムGFを単位封止基板10uに対応するように分離させることができる。
前記ゲッターフィルムGFの下面上に保護フィルムが提供されていてもよい。この場合、ゲッターフィルムを前記封止基板10u上に圧着する前に、前記保護フィルムを除去することができる。前記ゲッターフィルムGFの下面を熱処理して表面状態を改善することができる。
その後、加圧器、例えばローラー80を用いて前記ベースフィルム70の上面を加圧することによりゲッター層Gを形成することができる。この際、前記封止基板10uまたは前記ローラー80を例えば40〜100℃で加熱して前記ゲッター層Gと前記封止基板10uとの間の接着力を向上させることができる。次いで、前記封止基板10uを常温以下に冷却させた後、前記ゲッター層Gの上面上に位置するベースフィルム70を除去することができる。
前記ローラー80は、前記単位封止基板10uの列に対応して複数使用されてもよい。一方、前記ゲッター層Gは、全ての単位封止基板10u上に形成されず、一部の単位封止基板10u上に選択的に形成されてもよい。
図7は本発明の別の実施例に係る有機電界発光表示装置の製造方法を示す図である。本実施例に係る製造方法は、後述することを除いては、図1〜図5を参照して説明した実施例に係る製造方法と同様である。
図7を参照すると、ゲッター層Gは、蒸発法、例えば気相蒸着重合法(vapor deposition polymerization)を用いて形成することができる。具体的に、多孔性ナノ粒子および単量体が蓄えられた坩堝95に熱を加えてそれらを蒸発させて封止基板10u上に積層させることにより、前記ゲッター層Gを形成することができる。この際、シャドーマスク(shadow mask)90を用いて前記ゲッター層Gが前記各単位封止基板10u上に分離されて形成されるようにすることができる。この過程で、前記単量体は重合されて高分子バインダーを形成することができる。場合によっては、前記坩堝95に重合開始剤を蓄えて多孔生ナノ粒子、単量体と共に蒸発させることができる。
前記多孔性ナノ粒子は、金属酸化物、例えばアルミナ、シリカ、酸化カルシウム(CaO)、酸化セレニウム(SeO)、酸化バリウム(BaO)または炭素化合物でありうる。前記アルミナ、シリカまたは炭素化合物の場合、単量体に化学的に結合していてもよく、前記CaO、SeOまたはBaOの場合、金属酸化物と単量体を異なる坩堝に入れて共蒸発(co−evaporation)させて前記ゲッター層Gを形成することができる。
前記ゲッター層Gの形成過程で、原張封止基板10を回転させて前記ゲッター層Gの厚さのバラツキを減らすことができる。
一方、前記ゲッター層Gは、全ての単位封止基板10u上に形成されず、一部の単位封止基板10u上に選択的に形成されてもよい。このために、シャドーマスク90の一部の貫通口90aは閉鎖されることもある。
以上、本発明を好適な特定実施例を参照して説明したが、本発明の単純な変形ないし変更はいずれも本発明の領域に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲を添付された特許請求の範囲によって明確になるであろう。
Claims (6)
- 封止基板上にゲッター層を形成する段階と、
多数の単位有機電界発光素子を備える素子アレイが形成された素子基板を提供する段階と、
前記ゲッター層が前記素子アレイに対向するように前記素子基板と前記封止基板とを合着してモジュールを形成する段階と、
前記素子アレイの上面および側面を覆うように前記ゲッター層に流動性を与える段階と、を含み、
前記ゲッター層は、多孔性ナノ粒子と高分子バインダーの単量体を蒸発させて前記封止基板上に積層させることによって形成され、前記多孔性ナノ粒子は、アルミ、シリカ、酸化カルシウム、酸化セレニウム、酸化バリウム、及び炭素化合物のいずれか1つであり、前記高分子バインダーはアクリル樹脂であることを特徴とする、有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記モジュールを熱処理して前記ゲッター層に流動性を与えることを特徴とする、請求項1に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記ゲッター層は多孔性ナノ粒子および高分子バインダーを含有するフィルムであり、
前記モジュールを熱処理することは前記高分子バインダーのガラス転移温度以上の温度で行うことを特徴とする、請求項2に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記モジュールを熱処理することはホットプレート、チャンバーまたはエアーナイフを用いて行うことを特徴とする、請求項2に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記モジュールを形成する前に、前記ゲッター層を熱処理する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記ゲッター層を熱処理することはホットプレート、チャンバーまたはエアーナイフを用いて行うことを特徴とする、請求項5に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2009-0046850 | 2009-05-28 | ||
KR1020090046850A KR101086880B1 (ko) | 2009-05-28 | 2009-05-28 | 게터층을 갖는 유기전계발광표시장치 제조방법 |
PCT/KR2010/002840 WO2010137805A2 (ko) | 2009-05-28 | 2010-05-04 | 게터층을 갖는 유기전계발광표시장치 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012528449A JP2012528449A (ja) | 2012-11-12 |
JP5748069B2 true JP5748069B2 (ja) | 2015-07-15 |
Family
ID=43223192
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012512946A Expired - Fee Related JP5748069B2 (ja) | 2009-05-28 | 2010-05-04 | ゲッター層を有する有機電界発光表示装置の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120070923A1 (ja) |
EP (1) | EP2437327A4 (ja) |
JP (1) | JP5748069B2 (ja) |
KR (1) | KR101086880B1 (ja) |
CN (1) | CN102449804B (ja) |
WO (1) | WO2010137805A2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014060245A (ja) | 2012-09-18 | 2014-04-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
KR102113600B1 (ko) * | 2012-12-07 | 2020-05-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 다이오드 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
WO2015190096A1 (ja) * | 2014-06-12 | 2015-12-17 | 株式会社Joled | 有機el表示パネル |
CN108630829B (zh) * | 2017-03-17 | 2019-11-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板的制作方法、显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63251921A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-10-19 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
JP2000068047A (ja) * | 1998-08-20 | 2000-03-03 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 有機el素子とその製造方法 |
US6465953B1 (en) * | 2000-06-12 | 2002-10-15 | General Electric Company | Plastic substrates with improved barrier properties for devices sensitive to water and/or oxygen, such as organic electroluminescent devices |
US6936131B2 (en) * | 2002-01-31 | 2005-08-30 | 3M Innovative Properties Company | Encapsulation of organic electronic devices using adsorbent loaded adhesives |
KR100480361B1 (ko) * | 2002-04-18 | 2005-03-30 | 네오뷰코오롱 주식회사 | 박막형 게터층이 형성된 밀봉형 유기 발광 소자 및 그제조방법 |
US20040189195A1 (en) * | 2003-03-24 | 2004-09-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Devices including, methods using, and compositions of reflowable getters |
TWI383527B (zh) * | 2004-06-11 | 2013-01-21 | Organic semiconductor components | |
KR100683674B1 (ko) * | 2004-06-29 | 2007-02-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
JP2006024432A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Japan Science & Technology Agency | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
KR101182434B1 (ko) * | 2004-11-08 | 2012-09-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자용 투명 흡습막 형성용 조성물의제조방법 |
KR100669751B1 (ko) * | 2004-11-08 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법 |
JP4731902B2 (ja) * | 2004-12-22 | 2011-07-27 | 東北パイオニア株式会社 | 自発光パネルの製造方法 |
JP2006228519A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Canon Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
JP2006272190A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Jsr Corp | 透明吸湿組成物、成形体、並びにフィルム及びその製造方法 |
KR100736872B1 (ko) * | 2005-11-02 | 2007-07-06 | 엘지전자 주식회사 | 게터층을 포함하는 초박막 봉지 구조를 갖는 유기 전계발광 소자 |
JP2007197517A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Three M Innovative Properties Co | 接着性封止組成物、封止フィルム及び有機el素子 |
JP4776393B2 (ja) | 2006-02-20 | 2011-09-21 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 有機el表示装置 |
WO2007123039A1 (ja) * | 2006-04-18 | 2007-11-01 | Komatsu Seiren Co., Ltd. | ホットメルト型部材及び有機el表示パネル |
KR100722464B1 (ko) * | 2006-07-14 | 2007-05-28 | 주식회사 두산 | 패키징용 게터, 고활성 산화칼슘, 및 고활성 산화칼슘의제조방법 |
JP2008065994A (ja) * | 2006-09-04 | 2008-03-21 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス装置、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法並びに電子機器 |
JP2008130312A (ja) * | 2006-11-20 | 2008-06-05 | Toppan Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法及びエレクトロルミネッセンス素子パネル用封止基板 |
JP4977548B2 (ja) * | 2007-07-31 | 2012-07-18 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法 |
JP4974368B2 (ja) * | 2007-10-03 | 2012-07-11 | キヤノントッキ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
US10103359B2 (en) * | 2008-04-09 | 2018-10-16 | Agency For Science, Technology And Research | Multilayer film for encapsulating oxygen and/or moisture sensitive electronic devices |
-
2009
- 2009-05-28 KR KR1020090046850A patent/KR101086880B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-05-04 EP EP10780716.6A patent/EP2437327A4/en not_active Withdrawn
- 2010-05-04 WO PCT/KR2010/002840 patent/WO2010137805A2/ko active Application Filing
- 2010-05-04 CN CN201080022937.9A patent/CN102449804B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-05-04 US US13/321,686 patent/US20120070923A1/en not_active Abandoned
- 2010-05-04 JP JP2012512946A patent/JP5748069B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102449804A (zh) | 2012-05-09 |
EP2437327A2 (en) | 2012-04-04 |
WO2010137805A3 (ko) | 2011-02-24 |
US20120070923A1 (en) | 2012-03-22 |
KR20100128454A (ko) | 2010-12-08 |
JP2012528449A (ja) | 2012-11-12 |
KR101086880B1 (ko) | 2011-11-24 |
EP2437327A4 (en) | 2017-07-12 |
WO2010137805A2 (ko) | 2010-12-02 |
CN102449804B (zh) | 2015-12-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2018113006A1 (zh) | 柔性oled显示面板的制作方法 | |
JP5190525B2 (ja) | 有機発光デバイスのための環境バリヤー材料及びその製造方法 | |
KR101086881B1 (ko) | 광투과성 게터층을 갖는 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 | |
JP2006049308A (ja) | 表示装置、その製造方法、及びその製造装置 | |
JP5748069B2 (ja) | ゲッター層を有する有機電界発光表示装置の製造方法 | |
JP2004227792A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
US8022437B2 (en) | Organic electroluminescence element and method for manufacturing thereof | |
WO2020220523A1 (zh) | 有机发光二极管显示装置及其制作方法 | |
JP4101547B2 (ja) | 有機elディスプレイの製造方法および有機elディスプレイ用基板 | |
JP4736602B2 (ja) | 有機el素子の封止方法及び封止装置 | |
JP2002373778A (ja) | 有機elパネル及びその製造方法 | |
JP2003100449A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスパネル | |
JP2011076759A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法およびパッシベーション層成膜用マスク | |
JP6064351B2 (ja) | 有機el装置およびその製造方法 | |
JP2007287613A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 | |
JP2008108545A (ja) | 封止基板及びその製造方法、エレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法 | |
JP2008130312A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法及びエレクトロルミネッセンス素子パネル用封止基板 | |
JP2005353287A (ja) | 有機el素子及びその製造方法 | |
KR20100128459A (ko) | 게터층을 갖는 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 | |
JP2008077951A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 | |
WO2015190096A1 (ja) | 有機el表示パネル | |
JP2006106036A (ja) | パネルの製造方法 | |
JP6171713B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 | |
JP2007200628A (ja) | 有機el発光装置およびその製造方法 | |
JP2003017252A (ja) | 有機エレクトロ・ルミネッセンス表示素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130214 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130627 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130709 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20131008 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20131018 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20131108 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20131115 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131206 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140311 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140610 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140630 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140703 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140807 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140808 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140827 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140902 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141111 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150210 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150331 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150428 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5748069 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |