JP5747294B1 - 電磁コイル付マグネト・インピーダンス・センサ素子および電磁コイル付マグネト・インピーダンス・センサ - Google Patents
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Abstract
Description
現在の微細加工プロセスで製作したコイルは、基板上に設置した溝付きタイプの凹状コイル方式(特許文献1)や、ワイヤ上部に凸状に形成したコイル方式(特許文献2)で製作されている。基板上に固定または仮固定するための深い溝や高いガイド用ポールを設け、それらを使ってワイヤを基板上に整列固定している。これらの方法だとマスクと基板底面との間に大きな間隙ができて、露光時に光の回折現象により微細な配線を焼き付けることができず、現状ではコイルピッチは30μmとなっている。また、液状樹脂を使ってワイヤを仮固定するため、樹脂がコイルとワイヤ間に介在する分、コイル厚みが大きくなり、コイルピッチの微細化の障害となっている。
よって、現状のコイル形成方式では、ワイヤ径10μm〜15μmに対応したコイル厚みは30μm〜50μm程度で、コイルピッチは30μmが限界であった。つまりコイルアスペクト比を1.7から2以上に大幅に改善しない限り、コイルピッチ14μm以下を実現することは困難である。
また、コイル線はコイル抵抗を小さくするために線厚み7μ程度とされているが、厚みをそのままでコイルピッチの微細化は困難である。コイルピッチの微細化を達成するためには、蒸着プロセスで薄膜コイルを製作する必要があるが、コイル線の断面積が小さくなるとコイル抵抗が大きくなって、コイル電圧はコイル電流による電圧降下で、出力電圧のアップは期待できない。
以上、基板面上に設置するコイルピッチの微細化については、コイルアスペクト比の改善を図る課題、およびコイル線の断面積の縮小によるコイル抵抗の増大に対処できる電子回路の考案、また素子を小型化できても集積回路とワイヤボンディング接合している限りMIセンサの小型化は困難である。同時に寄生容量の増加による出力電圧の低下などの問題があった。
さらに、その微細ピッチコイル線の薄膜化に伴ってコイル抵抗が大幅アップする課題については、従来のサンプルホールド回路に代えて、パルス対応型のバッファー回路付のサンプルホールド回路と本素子を組合せることおよび寄生容量を大きくするワイヤボンディング接続を排して半田で直接集積回路チップに接続する方式を採用することによって解決するという着想を考案するに至った。
多層凹凸の構造にすることにより3次元コイルのコイルアスペクト比を3倍に増加させ、コイル巻き数を増やすことが容易にできる。
絶縁素材で被覆した磁性ワイヤを採用することで、コイルとワイヤ間の絶縁問題は無くなり、ワイヤを基板に固定するにあたって、磁石を埋め込んだ基板固定台を使ってワイヤを基板に仮止めして、コイル下部の上面とワイヤとの間並びにコイル上部とワイヤとの間には接着材を介せずに固定して、コイル厚みをワイヤ径とコイル線厚みの合計程度まで薄くすることができる。ワイヤ端部の絶縁被膜については固定後溝内にあるワイヤ上部に存在する絶縁被膜を除去して金属表面を露出させて、露出したワイヤ上部とワイヤ電極とを接続する。
本発明では、ワイヤを浅い溝に整列固定することが必要であるが、接着仮止め用の液状樹脂を塗布すると溝を浅くしてしまうので好ましくない。基板固定台に磁石を取り付けて、磁力によってワイヤを仮止めして、その後樹脂を薄く塗布すると、表面張力の力で溝面とワイヤ間に樹脂が浸透し、その状態でキュア処理を行ってワイヤを固定する。磁石と浅い溝のガイド機能を活用して接着材を極力薄くすることで、コイル厚みを小さくしマスクと基板底面の間隙を小さくしてコイルピッチの微細化を容易にする。
これら組み合わせることにより、ワイヤ長さとMI素子の長さを、従来の0.60mmから0.30mm以下と小さくすることができる。測定レンジは、ワイヤ長さに反比例するので、±12Gから±48G以上に大幅に改善できる。しかもワイヤ長さを短くしてもコイル巻き数は逆に増加させることができて、センサ感度の向上を図ることができる。つまり従来品のMIセンサに比べて10倍以上の機能性の向上が実現する。生体内など超小型センサが要求される用途において、性能を維持したままで小型化することが必要であるが、コイルピッチの微細化により容易に実現できる。
生体磁気のようなピコテスラレベルの超微小磁界を検知する場合、200回以上のコイル巻き数が必要であるが、この巻き数は、コイルピッチを7μm以下とさらに微細化して、素子の長さ(ワイヤ長さ)を1mm以上とすることで実現することができる。
ワイヤボンディングを省略して、MIセンサの小型化を実現すると同時に素子の寄生容量を低減してコイル抵抗の増加に伴うIRドロップ(電圧降下)を小さくして、MIセンサの感度の向上を図るものである。
従来のサンプルホールド回路では、MI素子の抵抗が大きくなると、IRドロップによる電圧降下でコイル巻き数を増やしてもそれに比例した出力電圧を取り出すことができない。通常のバッファー回路では、周波数帯域が1MHz程度で、MIセンサ用のGHzのパルス電圧に対応できないと考えられる。周波数帯域をGHzに高めるためにはバッファー回路の消費電流が著しく増大し実用的ではない。この問題に対して、バッファー回路と入力側にMI素子のみの高インピーダンス回路、出力側に電子スイッチとコンデンサ(容量は5pF程度)と増幅器からなる高インピーダンス回路を組み合わせた場合、コイルにパルス電圧が発生するナノ秒の一瞬のみ、出力側が低インピーダンスとなりバッファー回路として機能して、コンデンサにコイルと同様の電圧がホールドされることを見出した。つまりこの構成においては、ナノ秒の一瞬バッファー回路の周波数帯域がGHzまで高まったとみなすことができる。この構成をパルス対応型のバッファー回路と呼ぶことにする。
第6発明は、微細コイルを持つMI素子とパルス対応型のバッファー回路とを組み合わせることで、MIセンサの感度を大幅に改善したものである。
第1実施形態の電磁コイル付マグネト・インピーダンス・センサ素子は、図1、図2および図6に示されるMI素子において、電極配線基板1上に磁界を検知するCo合金の絶縁被膜付アモルファス磁性ワイヤ2と絶縁物を介して3層構造の電磁コイル3、つまり凹状のコイル下部と凸状のコイル上部およびそれを連結するジョイント部からなる構造のコイルを形成し、このときの電磁コイル3はコイルピッチ14μm以下、内径40μm以下、コイルアスペクト比2以上として、ワイヤ2とコイル3の端子を基板1上のそれぞれの電極22、36に接続し、そこに半田ボールを設置して集積回路と接続する。ワイヤ2に高周波またはパルス電流を流した時、電磁コイル3に発生する外部磁界の強度に応じた電圧を出力する。その電圧を集積回路で検知するものである。
また、本実施形態は、コイル厚みは、ワイヤ径に対して1.005ないし10倍に設定することによって、コイルアスペクト比が同じでも、いろいろな径のワイヤを使った場合においてもコイルピッチを小さくすることができて、高感度化と低ノイズ化を可能にする素子となる。
また、本実施形態は、コイルピッチを14μm以下にすることで、前記のMI素子において素子の長さを0.30mm以下としても、現行MI素子と同等のコイル巻数を確保することが出来て、高い感度を保持した状態で、小型化を可能にする素子となる。
さらに、本実施形態は、ワイヤ電極、コイル電極に半田ボールを接続して、直接集積回路に接続することによってMIセンサの小型化を実現することができる。
第2実施形態は、第1実施形態のMI素子とバッファー回路付のサンプルホールド回路と組合せて使用するMIセンサに関するものである。ファインピッチコイルの電気抵抗は、コイル間隔を1/2としてコイル巻数を2倍とすると、コイル線厚みが同じならコイル線の断面積が1/2となり、しかもコイル長さは2倍となり、その結果電気抵抗は4倍となる。コイル出力電圧を、直接電子スイッチを介してサンプルホールドすると、コイルに電流が流れて降下電圧が4倍大きくなり、コイル出力電圧を大きく損なうことになる。そこでバッファー回路と電子スイッチを介してサンプルホールドする回路を採用することによって、電圧降下を抑制してコイル数に比例した出力電圧を得ることができるようにしたMIセンサである。
第1実施例の電磁コイル付マグネト・インピーダンス・センサ素子について、図1〜図6を用いて以下に説明する。
ワイヤ電極22の上に半田ボールを設置して、また、電磁コイル3のコイル端子35からのびるコイル電極36にも半田ボールを設置して、加熱して集積回路側の端子に直接接続する。これによりセンサの小型化が実現する。なおワイヤボンディングを廃止することで、パルス発振時の電磁ノイズの低減にも役立っている。さらにワイヤとMI素子のワイヤ電極とは半田で強く接合されMI素子の機械的強度が高いものとなった。
電子回路は、パルス発信器61と前記MI素子10とバッファー回路63を有する信号処理回路62とからなる。 信号は、500MHzに相当する100mAの強さのパルス信号で、信号間隔は1μsecである。 パルス信号はアモルファスワイヤ2に入力され、そのパルス印加中に電磁コイル3には外部磁界に比例した電圧が発生する。
用されている。この結果から、本実施例の微細ピッチコイルによる感度改善効果してはコイル巻数3倍で、感度も3倍になることが分かる。
第1実施例で製作した電子コンパスは、動的3次元方位計が要求する高い感度と低いノイズを実現しており、その応用が期待される。
2:アモルファスワイヤ、21:ワイヤ端子、22:ワイヤ電極、23:接続部、
3:電磁コイル、31:コイル下部、32:コイル上部、33:ジョイント部、
34:クランク部、35:コイル端子、36:コイル電極
4:樹脂層
6: 電子回路
61:パルス発振器 62:信号処理回路 63:バッファー回路 64:検波タイミング調整回路、65:電子スイッチ、66:サンプルホールド回路、67:増幅器
Claims (6)
- 電極配線基板上に、感磁体である絶縁素材で被覆された磁性ワイヤとその周りに巻きつけたコイルおよびそれらの端部に外部の集積回路と連結するための4つの端子を形成した電磁コイル付マグネト・インピーダンス・センサ素子において、
コイルは、凹形状のコイル下部と凸形状のコイル上部および両者の間にある段差を介して両者を連結するジョイント部の3層構造または段差がゼロの特殊な場合は2層の凹凸構造からなり、磁性ワイヤの下部のみをコイル下部配線を施した基板溝に埋設し、それを接着機能およびレジスト機能を有する樹脂で固定し、ワイヤ上部は樹脂の表面張力で薄く覆われ、もしくは一部露出した状態で、コイル上部配線を行ない、コイル下部の端部とコイル上部の端部を段差がある場合には両者を連結するジョイント部を介して電気的に接合し、また段差がない場合にはコイル下部の端部とコイル上部の端部を直接電気的に接合して電磁コイルを形成すること、
および、ワイヤ端部の絶縁被覆については樹脂で埋もれているワイヤ下部を除いたワイヤ上部の絶縁被膜を除去した後、露出したワイヤ上部とワイヤ電極とを配線を施すことを特徴とする電磁コイル付マグネト・インピーダンス・センサ素子。 - 請求項1において、前記感磁体が、直径1μmから20μmのアモルファスの導電性の磁性ワイヤからなり、コイルはコイルピッチ14μm以下、コイル厚み30μm以下、厚みは前記感磁体のワイヤ径に対して2.5倍以下、かつコイルアスペクト比2以上のコイルで、コイル線の厚さを2μm以下で、ワイヤ長さが0.30mm以下でコイル巻数20回以上に設定されていることを特徴とする電磁コイル付マグネト・インピーダンス・センサ素子。
- 請求項1において、前記感磁体が、直径1から20μmのアモルファスの導電性の磁性ワイヤからなり、コイルはコイルピッチ7μm以下、コイル厚み25μm以下、コイル厚みは前記感磁体のワイヤ径に対して2倍以下、かつコイルアスペクト比5以上のコイル、コイル線の厚さを2μm以下で、ワイヤ長さが1.00mm以上でコイル巻数200回以上に設定されていることを特徴とする電磁コイル付マグネト・インピーダンス・センサ素子。
- 請求項1ないし請求項3のいずれかに記載された電磁コイル付マグネト・インピーダンス・センサ素子において、磁性ワイヤの端部の絶縁被膜を除去したワイヤ上部の金属表面とワイヤ電極端子とを直接金属蒸着層で結合することを特徴とする電磁コイル付マグネト・インピーダンス・センサ素子。
- 請求項1ないし請求項4のいずれかに記載された電磁コイル付マグネト・インピーダンス・センサ素子において、4つの電極上に半田ボールを取り付け、この半田ボールで当該素子の端子と集積回路面の端子を結合することを特徴とする電磁コイル付マグネト・インピーダンス・センサ素子。
- 請求項1ないし請求項5のいずれかに記載された電磁コイル付マグネト・インピーダス・センサ素子において、電磁コイルの電圧出力をパルス対応型バッファー回路を介してサンプルホールド回路にて検知することを特徴とする電磁コイル付マグネト・インピーダンス・センサ。
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