JP5743928B2 - 窒化ガリウム系半導体エピタキシャルウェハ及びその製造方法 - Google Patents
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Description
11 窒化ガリウム基板
12 バッファ層
13 窒化物半導体層
14 中間層
15 量子ドット
Claims (6)
- 窒化ガリウム基板上に窒化ガリウムからなるバッファ層と1層以上の窒化物半導体層とを備える窒化ガリウム系半導体エピタキシャルウェハにおいて、
前記窒化ガリウム基板よりも前記窒化物半導体層の方がオフ角バラツキが小さいと共に、
前記窒化ガリウム基板と前記バッファ層との間に、量子ドットからなる窒化インジウムガリウム中間層を備えることを特徴とする窒化ガリウム系半導体エピタキシャルウェハ。 - 前記中間層のインジウム組成が0.1以上0.4以下である請求項1に記載の窒化ガリウム系半導体エピタキシャルウェハ。
- 前記量子ドットの直径が10nm以上200nm以下である請求項1または2に記載の窒化ガリウム系半導体エピタキシャルウェハ。
- 前記窒化ガリウム基板の中心と、当該中心を通る40mmの第1線分の両端点と、前記中心を通ると共に前記第1線分と直交する第2線分の両端点との合計5点で前記窒化物半導体層のオフ角を測定した時に、前記窒化物半導体層のオフ角バラツキが0.2度以下である請求項1〜3のいずれかに記載の窒化ガリウム系半導体エピタキシャルウェハ。
- 窒化ガリウム基板上に窒化ガリウムからなるバッファ層と1層以上の窒化物半導体層とをエピタキシャル成長させる窒化ガリウム系半導体エピタキシャルウェハの製造方法において、
前記窒化ガリウム基板上に窒化インジウムガリウムからなる中間層をエピタキシャル成長させる第1の工程と、
前記中間層上に窒化ガリウムからなるバッファ層をエピタキシャル成長させる第2の工程と、
前記バッファ層上に1層以上の窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる第3の工程と、
を備え、
前記第1の工程では、インジウム組成を0.1以上0.4以下として、直径が10nm以上200nm以下の量子ドットからなる中間層をエピタキシャル成長させることを特徴とする窒化ガリウム系半導体エピタキシャルウェハの製造方法。 - 前記第2の工程では、層厚が500nm以上のバッファ層をエピタキシャル成長させる請求項5に記載の窒化ガリウム系半導体エピタキシャルウェハの製造方法。
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