JP5741012B2 - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5741012B2 JP5741012B2 JP2011014111A JP2011014111A JP5741012B2 JP 5741012 B2 JP5741012 B2 JP 5741012B2 JP 2011014111 A JP2011014111 A JP 2011014111A JP 2011014111 A JP2011014111 A JP 2011014111A JP 5741012 B2 JP5741012 B2 JP 5741012B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- intermediate layer
- imaging device
- state imaging
- chip lens
- microlens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 108
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 32
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 49
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 188
- 239000000463 material Substances 0.000 description 59
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 26
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 20
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 18
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 16
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 15
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 description 14
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 13
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 12
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 10
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 10
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 10
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B3/00—Simple or compound lenses
- G02B3/0006—Arrays
- G02B3/0037—Arrays characterized by the distribution or form of lenses
- G02B3/005—Arrays characterized by the distribution or form of lenses arranged along a single direction only, e.g. lenticular sheets
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B3/00—Simple or compound lenses
- G02B3/0006—Arrays
- G02B3/0037—Arrays characterized by the distribution or form of lenses
- G02B3/0056—Arrays characterized by the distribution or form of lenses arranged along two different directions in a plane, e.g. honeycomb arrangement of lenses
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B3/00—Simple or compound lenses
- G02B3/0006—Arrays
- G02B3/0037—Arrays characterized by the distribution or form of lenses
- G02B3/0062—Stacked lens arrays, i.e. refractive surfaces arranged in at least two planes, without structurally separate optical elements in-between
- G02B3/0068—Stacked lens arrays, i.e. refractive surfaces arranged in at least two planes, without structurally separate optical elements in-between arranged in a single integral body or plate, e.g. laminates or hybrid structures with other optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/745—Circuitry for generating timing or clock signals
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/7795—Circuitry for generating timing or clock signals
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
1.本開示の固体撮像装置の概略構成例
2.第1実施形態(凸型のオンチップレンズ+凸型のマイクロレンズを用いた例)
3.第2実施形態(凸型のオンチップレンズ+凹型のマイクロレンズを用いた例)
4.第3実施形態(凹型のオンチップレンズ+凹型のマイクロレンズを用いた例)
5.第4実施形態(電子機器の実施形態)
尚、各実施形態および変形例において共通の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
図1に、本開示の各実施形態の製造方法を適用して作製される固体撮像装置の一例として、MOS型の固体撮像装置の概略構成を示す。
[第1実施形態の固体撮像装置の構成]
図2は、第1実施形態の固体撮像装置1aの要部断面図である。この図に示す固体撮像装置は、いわゆる複眼系の固体撮像装置(Light Field Camera)であって、以下のように構成されている。
図4および図5は、第1実施形態の固体撮像装置の製造手順を示す断面工程図である。以下、これらの図に従って、図2に示した第1実施形態の固体撮像装置の製造方法を説明する。
先ず図4Aに示すように、例えば単結晶シリコンからなる基板2の一主面側の各画素3に、マスク上からのイオン注入とその後の熱処理によって不純物領域からなる光電変換部21を形成する。また必要に応じて基板2の内部に他の不純物領域を形成し、さらに基板2上にゲート絶縁膜およびゲート電極を形成する。その後、基板2上に保護絶縁膜23を成膜する。この際、保護絶縁膜23は、以降に形成するオンチップレンズの焦点距離を考慮し、オンチップレンズの焦点が光電変換部21内に位置するように調整された膜厚で形成される。その後、保護絶縁膜23上部における各画素3に、各色のカラーフィルタをパターン形成する。これにより、保護絶縁膜23上にカラーフィルタ層25を形成する。
次に図4Bに示すように、カラーフィルタ層25上に、オンチップレンズ27aを形成する。ここでは、先に説明したように、窒化シリコン(屈折率n0=1.9)からなるオンチップレンズ27aを形成する。この際、先ずカラーフィルタ層25上に窒化シリコン膜を成膜し、この上部の各画素部分に対応させて独立した島状のレジストパターンを形成する。次に、メルト・フロー法を適用し、熱処理を行うことによりレジストパターンを流動させ、表面張力によって凸型のレンズ形状に整形する。その後、凸型のレンズ形状を有するレジストパターンの上部から、レジストパターンと共に窒化シリコン膜をエッチングし、レジストパターンの曲面形状を窒化シリコン膜に転写する。これにより、窒化シリコンからなる凸型のオンチップレンズ27aを、各光電変換部21上に形成する。
次いで図4Cに示すように、オンチップレンズ27aのレンズ形状を埋め込む状態で、第1中間層29を成膜する。ここでは、オンチップレンズ27aを構成する窒化シリコンに対して、十分な屈折率差を有する透明材料を用いる。このような材料として、ここではフッ素含有ポリシロキサン樹脂(屈折率n1=1.42)を用い、スピンコート法を適用して第1中間層29を成膜する。この際、先ず溶媒としてプロプレングリコールモノメチルエーテルアセテ−ト(PEGMEA)にフッ素含有ポリシロキサン樹脂を溶解させた溶液を、オンチップレンズ27a上にスピンコートする。この際、PEGMEAに対するフッ素含有ポリシロキサン樹脂の飽和溶解量は小さく、溶液は極めて低粘度である。このため、オンチップレンズ27a上へのスピンコートによる溶液の塗布膜厚には限界がある。しかしながら、ここではオンチップレンズ27aのレンズ形状が埋め込まれて表面平坦に溶液が塗布されれば良く、塗布膜厚の厚膜化が要求されることはなく、例えばオンチップレンズ27aの頂部から1μm程度の塗布膜厚で溶液を塗布する。尚、このような飽和溶解量が小さい溶液用いたスピンコート法においては、溶液が極めて低粘度であるため、オンチップレンズ27aの埋め込み性が良好となり、ボイド起因による画質欠陥が少ない良好な画質を提供することができる。
次に、図4Dに示すように、第1中間層29上に第2中間層31を成膜する。ここでは、ある程度の厚膜で成膜可能な透明材料を用いて第2中間層31を成膜する。このような材料として、ここではアクリル樹脂(屈折率n2=1.50)を用い、スピンコート法を適用して第2中間層31を成膜する。この際、先ず溶媒としてPEGMEAにアクリル樹脂を溶解させた溶液を、第1中間層29上にスピンコートする。この際、PEGMEAに対するアクリル樹脂の飽和溶解量は、フッ素含有ポリシロキサン樹脂よりも大きく、溶液は高粘度である。したがって、スピンコートによる溶液の塗布膜厚は、厚膜化が可能である。ここでは、第2中間層31の必要膜厚に応じて、例えば塗布膜厚6.0μm程度に溶液を塗布する。
次に図5Aに示すように、リソグラフィー法を適用して第2中間層31上にレジストパターン35を形成する。このレジストパターン35は、先に説明したマイクロレンズの形成位置に対応して形成され、例えば3×3で二次元配列された9個のオンチップレンズ27a毎に対応して独立した島状に形成される。レジスト材料としては、ノボラック樹脂系レジスト材料(屈折率n3=1.6)を用い、先ずスピンコート法によって、第2中間層31上に未硬化のレジスト材料を膜厚1.5μm程度で塗布成膜する。次いで120℃、1分の熱処理を行うことで塗布成膜したレジスト膜中の溶媒を乾燥除去する。次に、レジスト膜に対してi線露光装置を用いたパターン露光を行う。その後、パターン露光されたレジスト膜に対して、2.38wt%のテトラメチルアンモニウムハイドライド(TMAH)の水溶液を用いた現像処理を行うことにより、第2中間層31上にレジストパターン35を形成する。
次に、図5Bに示すように、メルト・フローおよび硬化のためのポストエクスポージャベイク処理を行う。ここでは、例えば200℃、5分の熱処理を行うことにより、レジストパターン35を流動させ、表面張力によって凸状の曲面形状に整形すると共に、整形されたレジストパターン35を硬化させる。これによって、レジストパターン35をレンズ形状に整形してなるマイクロレンズ10aを形成する。
以上説明した第1実施形態によれば、オンチップレンズ27aと、この上部において複数のオンチップレンズ27a毎に対応して配置されたマイクロレンズ10aとの間に、第1中間層29および第2中間層31からなる透明材料層を挟持させた。これにより、オンチップレンズ27a下の光電変換部21からマイクロレンズ10aまでが、空間部を介することなく一体化された構成となる。このため、高温高湿の使用環境下においても、オンチップレンズ27aとマイクロレンズ10aとの間に、熱膨張係数差による光軸ずれが発生し難くなる。この結果、使用環境によらずに、複眼系の固体撮像装置においての撮像画質の向上を図ることが可能になる。またこの固体撮像装置1aは、空間部を介することなく一体化された構造であるため、感度特性に優れ、かつフレアゴーストが低減された良好な画質を提供することが可能である。
[第2実施形態の固体撮像装置の構成]
図6は、第2実施形態の固体撮像装置1bの要部断面図である。この図に示す複眼系の固体撮像装置が第1実施形態の固体撮像装置と異なるところは、マイクロレンズ10bが凹型で構成されているところにあり、他の構成は同様であることとする。
図7および図8は、第2実施形態の固体撮像装置の製造手順を示す断面工程図である。以下、これらの図に従って、図6に示した第2実施形態の固体撮像装置の製造方法を説明する。
先ず図7Aに示すように、ガラスやプラスチック材料からなる透明基板41上に、マイクロレンズを形成するためのレンズ材料膜43を成膜する。ここでは、例えばプラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法によって、窒化シリコンからなるレンズ材料膜43を成膜する。この際、一例として、成膜ガスとしてシラン(SiH4)、アンモニア(NH3)、窒素(N2)の混合ガス種を用い、雰囲気温度400℃、RF電力800Wの条件で窒化シリコンからなるレンズ材料膜43を成膜する。
次いで図7Bに示すように、メルト・フロー法を適用し、レジストパターン45をレンズ形状に整形する。この際、例えば200℃、5分の熱処理を行うことにより、レジストパターン45を流動させ、表面張力によって凸状の曲面形状に整形すると共に、整形されたレジストパターン45を硬化させる。これによって、レジストパターン45をレンズ形状に整形する。
次に図7Cに示すように、レンズ形状に整形されたレジストパターン45の上部から、レジストパターン45と共に窒化シリコンからなるレンズ材料膜43をエッチングする。この際、エッチングガスとして四フッ化炭素(CF4)/酸素(O2)の混合ガスを用い、バイアス電力150W、ソース電力1000Wに設定したドライエッチングを行う。これにより、レジストパターン45の曲面形状をレンズ材料膜43に転写し、レンズ材料膜43からなるマイクロレンズ10bを形成する。
次いで図7Dに示すように、マイクロレンズ10bが形成された透明基板41上に、第2中間層31を形成する。この第2中間層31は、次に形成する第1中間層と合わせてマイクロレンズ10bの焦点距離を考慮した膜厚t2で形成されることとする。ここでは、例えば樹脂シートを用いた真空ラミネートにより、マイクロレンズ10bの上部に第2中間層31を貼り合わせる。この際、貼り合わせ後には、窒素(N2)雰囲気中において、130℃、5分の熱処理を行う。これにより、アクリル樹脂(屈折率n2=1.5)からなる第2中間層31の貼り合わせ面におけるボイドの除去と、表面平坦化を行う。
また図8Aに示すように、例えば単結晶シリコンからなる基板2の一主面側に光電変換部21、保護絶縁膜23、カラーフィルタ層25、オンチップレンズ27a、および第1中間層29を形成しておく。これらの形成方法は、第1実施形態において図4A〜図4Cを用いて説明した手順と同様に行う。
次いで図8Bに示すように、基板2と透明基板41とを、第1中間層29−第2中間層31間で貼り合わせる。この際、110℃の加熱条件下での熱接着を行う。その後、窒素(N2)雰囲気中において、130℃、5分の熱処理を行う。これによりアクリル樹脂シートからなる第2中間層31を硬化させると共に、例えばフッ素含有ポリシロキサン樹脂(屈折率n1=1.42)からなる第1中間層29との接着を確実にする。
以上説明した第2実施形態では、オンチップレンズ27aと、この上部において複数のオンチップレンズ27a毎に対応して配置されたマイクロレンズ10bとの間に、第1中間層29および第2中間層31からなる透明材料層を挟持させた。これにより第1実施形態と同様に、オンチップレンズ27a下の光電変換部21からマイクロレンズ10bまでが、空間部を介することなく一体化された構成となる。このため、第1実施形態と同様に、高温高湿の使用環境下においても、オンチップレンズ27aとマイクロレンズ10bとの間に、熱膨張係数差による光軸ずれが発生し難くなる。この結果、使用環境によらずに、複眼系の固体撮像装置においての撮像画質の向上を図ることが可能になる。またこの固体撮像装置1bは、空間部を介することなく一体化された構造であるため、感度特性に優れ、かつフレアゴーストが低減された良好な画質を提供することが可能である。
[第3実施形態の固体撮像装置の構成]
図9は、第3実施形態の固体撮像装置1cの要部断面図である。この図に示す複眼系の固体撮像装置が他の固体撮像装置と異なるところは、オンチップレンズ27bが凹型で構成されているところにある。ここでは、オンチップレンズ27b以外の他の構成は、第2実施形態と同様であることとする。
図10および図11は、第3実施形態の固体撮像装置の製造手順を示す断面工程図である。以下、これらの図に従って、図9に示した第3実施形態の固体撮像装置の製造方法を説明する。
先ず図10Aに示すように、ガラスやプラスチック材料からなる透明基板41上に、マイクロレンズ10bを形成する。マイクロレンズ10bの形成は、一例として第2実施形態において図7A〜図7Cを用いて説明した手順と同様に行う。
先ず図10Bに示すように、マイクロレンズ10bが形成された透明基板41上に、第2中間層31を形成する。この第2中間層31は、次に形成する第1中間層と合わせてマイクロレンズ10bの焦点距離を考慮した膜厚t2で形成されることとする。このような第2中間層31の形成は、第1実施形態において図4Dを用いて説明したスピンコート法、または印刷法のような塗布法、さらには第2実施形態において図7Dを用いて説明した樹脂シートの貼り合わせによって行う。
先ず図10Cに示すように、第2中間層31上に、表面に凸レンズ形状を有する第1中間層29を形成する。ここでは例えば、例えばメルト・フロー法を適用することにより、レジストパターンを凸レンズ形状に形成し、各凸レンズ形状を底部で連続させた第1中間層29を形成する。この際、各マイクロレンズ10bに対して3×3個分の凸レンズ形状を形成する。
その後、図10Dに示すように、第2中間層31上に、当該第2中間層31の表面に形成した凸レンズ形状を埋め込むと共に表面平坦にレンズ材料膜を成膜することにより、各凸レンズ形状に倣った凹レンズ形状を有するオンチップレンズ27bを形成する。
また図11Aに示すように、例えば単結晶シリコンからなる基板2の一主面側に光電変換部21、保護絶縁膜23、およびカラーフィルタ層25を形成しておく。これらの形成方法は、第1実施形態において図4Aを用いて説明した手順と同様に行う。
その後、図11Bに示すように、基板2と透明基板41とを、カラーフィルタ層25−オンチップレンズ27b間で貼り合わせる。この際、加熱条件下での熱接着を行う。その後、必要に応じて窒素(N2)雰囲気中において熱処理を行い、オンチップレンズ27bとカラーフィルタ層25との接着を確実にする。
以上説明した第3実施形態であっても、オンチップレンズ27bと、この上部において複数のオンチップレンズ27b毎に対応して配置されたマイクロレンズ10bとの間に、第1中間層29および第2中間層31からなる透明材料層を挟持させた。これにより他の実施形態と同様に、オンチップレンズ27b下の光電変換部21からマイクロレンズ10bまでが、空間部を介することなく一体化された構成となる。このため、他の実施形態と同様に、高温高湿の使用環境下においても、オンチップレンズ27bとマイクロレンズ10bとの間に、熱膨張係数差による光軸ずれが発生し難くなる。この結果、使用環境によらずに、複眼系の固体撮像装置においての撮像画質の向上を図ることが可能になる。またこの固体撮像装置1cは、空間部を介することなく一体化された構造であるため、感度特性に優れ、かつフレアゴーストが低減された良好な画質を提供することが可能である。
上述の各実施形態で説明した本開示に係る固体撮像装置は、例えばデジタルカメラやビデオカメラ等のカメラシステムや、撮像機能付の小型携帯端末やコンピュータ、さらには撮像機能を備えたロボットビジョンなどの電子機器に適用することができる。
(1)
二次元配列された光電変換部と、
前記各光電変換部に対応して当該光電変換部の上方に二次元配列されたオンチップレンズと、
前記オンチップレンズのうちの複数毎に対向配置されたマイクロレンズと、
前記オンチップレンズと前記マイクロレンズとの間に挟持された透明材料層とを備えた
固体撮像装置。
前記透明材料層は、
前記オンチップレンズを覆って表面平坦化された第1中間層と、
前記第1中間層と前記マイクロレンズとの間に配置された第2中間層とを備えた
(1)に記載の固体撮像装置。
前記オンチップレンズの屈折率n0、前記第1中間層の屈折率n1、前記第2中間層の屈折率n2とした場合、|n0−n1|>|n0−n2|である
(2)に記載の固体撮像装置。
前記第2中間層の膜厚は、前記第1中間層の膜厚よりも厚い
(2)または(3)に記載の固体撮像装置。
前記オンチップレンズの焦点距離は、前記光電変換部が配置された各画素のサイズよりも小さい
(1)〜(4)の何れかに記載の固体撮像装置。
二次元配列された光電変換部の上部に当該各光電変換部に対応して配置されたオンチップレンズと、当該オンチップレンズのうちの複数毎に対向配置されるマイクロレンズとの間に挟持される透明材料層を、前記光電変換部および前記オンチップレンズが形成された基板上、または前記マイクロレンズが形成された基板上に形成する工程を含む
固体撮像装置の製造方法。
前記透明材料層を形成する工程は、
前記オンチップレンズを覆った状態で表面平坦化された第1中間層を形成する工程と、
前記第1中間層と前記マイクロレンズとの間に配置される第2中間層を形成する工程とを含む
(6)に記載の固体撮像装置の製造方法。
前記オンチップレンズの屈折率n0、前記第1中間層の屈折率n1、前記第2中間層の屈折率n2とした場合、|n0−n1|>|n0−n2|である
(7)に記載の固体撮像装置の製造方法。
前記光電変換部とこの上部の前記オンチップレンズが形成された基板上に、前記第1中間層および前記第2中間層をこの順に形成する工程と、
前記第2中間層の上部に前記マイクロレンズを形成する工程とを含む
(7)または(8)に記載の固体撮像装置の製造方法。
前記オンチップレンズが形成された基板上に、前記第1中間層を形成する工程と、
前記マイクロレンズが形成された基板上に、前記第2中間層を形成する工程と、
前記第1中間層と前記第2中間層とを対向させて前記2つの基板を張り合わせる工程とを含む
(7)または(8)に記載の固体撮像装置の製造方法。
前記マイクロレンズが形成された基板上に、当該マイクロレンズを覆って表面平坦化された前記第2中間層を形成する工程と、
前記第2中間層上に前記オンチップレンズを反転させたレンズ形状を表面に有する前記第1中間層を形成する工程と、
前記第1中間層上に、当該第1中間層のレンズ形状を埋め込んで表面平坦化された前記オンチップレンズを形成する工程と、
前記光電変換部が形成された基板と、前記オンチップレンズが形成された基板とを、当該光電変換部と当該オンチップレンズとを対向させて張り合わせる工程とを含む
(7)または(8)に記載の固体撮像装置の製造方法。
二次元配列された光電変換部と、
前記各光電変換部に対応して当該光電変換部の上方に二次元配列されたオンチップレンズと、
前記オンチップレンズのうちの複数毎に対向配置されたマイクロレンズと、
前記オンチップレンズと前記マイクロレンズとの間に挟持された透明材料層と、
前記マイクロレンズに入射光を導く光学系と、
前記光電変換部からの出力信号を処理する信号処理回路とを備えた
電子機器。
Claims (3)
- 二次元配列された光電変換部と、前記各光電変換部に対応して当該光電変換部の上方に二次元配列されたオンチップレンズと、前記オンチップレンズのうちの複数毎に対向配置されたマイクロレンズと、前記オンチップレンズを覆って表面平坦化された第1中間層と、前記第1中間層と前記マイクロレンズとの間に配置された第2中間層とを備えた固体撮像装置の製造方法であって、
前記オンチップレンズが形成された基板上に、前記第1中間層を形成する工程と、
前記マイクロレンズが形成された基板上に、前記第2中間層を形成する工程と、
前記第1中間層と前記第2中間層とを対向させて前記2つの基板を張り合わせる工程とを含む
固体撮像装置の製造方法。 - 二次元配列された光電変換部と、前記各光電変換部に対応して当該光電変換部の上方に二次元配列されたオンチップレンズと、前記オンチップレンズのうちの複数毎に対向配置されたマイクロレンズと、前記オンチップレンズを覆って表面平坦化された第1中間層と、前記第1中間層と前記マイクロレンズとの間に配置された第2中間層とを備えた固体撮像装置の製造方法であって、
前記マイクロレンズが形成された基板上に、当該マイクロレンズを覆って表面平坦化された前記第2中間層を形成する工程と、
前記第2中間層上に前記オンチップレンズを反転させたレンズ形状を表面に有する前記第1中間層を形成する工程と、
前記第1中間層上に、当該第1中間層のレンズ形状を埋め込んで表面平坦化された前記オンチップレンズを形成する工程と、
前記光電変換部が形成された基板と、前記オンチップレンズが形成された基板とを、当該光電変換部と当該オンチップレンズとを対向させて張り合わせる工程とを含む
固体撮像装置の製造方法。 - 前記オンチップレンズの屈折率n0、前記第1中間層の屈折率n1、前記第2中間層の屈折率n2とした場合、|n0−n1|>|n0−n2|である
請求項1または2記載の固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011014111A JP5741012B2 (ja) | 2011-01-26 | 2011-01-26 | 固体撮像装置の製造方法 |
TW100147563A TW201236146A (en) | 2011-01-26 | 2011-12-20 | Solid-state image pickup device, method for manufacturing solid-state image pickup device, and electronic apparatus |
US13/635,262 US9110210B2 (en) | 2011-01-26 | 2012-01-17 | Solid-state imaging apparatus having a micro-lens arranged in correspondence with a plurality of on-chip lenses, method of manufacturing solid-state imaging apparatus, and electronic apparatus |
PCT/JP2012/050837 WO2012102135A1 (ja) | 2011-01-26 | 2012-01-17 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器 |
CN201280001152.2A CN102859692B (zh) | 2011-01-26 | 2012-01-17 | 固体摄像装置、固体摄像装置的制造方法和电子机器 |
KR1020127024314A KR101923740B1 (ko) | 2011-01-26 | 2012-01-17 | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 제조 방법, 및 전자 기기 |
EP12739727.1A EP2669948A1 (en) | 2011-01-26 | 2012-01-17 | Solid-state image pickup device, method for manufacturing solid-state image pickup device, and electronic apparatus |
US14/808,101 US9813679B2 (en) | 2011-01-26 | 2015-07-24 | Solid-state imaging apparatus with on-chip lens and micro-lens |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011014111A JP5741012B2 (ja) | 2011-01-26 | 2011-01-26 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012156311A JP2012156311A (ja) | 2012-08-16 |
JP5741012B2 true JP5741012B2 (ja) | 2015-07-01 |
Family
ID=46580707
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011014111A Expired - Fee Related JP5741012B2 (ja) | 2011-01-26 | 2011-01-26 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9110210B2 (ja) |
EP (1) | EP2669948A1 (ja) |
JP (1) | JP5741012B2 (ja) |
KR (1) | KR101923740B1 (ja) |
CN (1) | CN102859692B (ja) |
TW (1) | TW201236146A (ja) |
WO (1) | WO2012102135A1 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20140183334A1 (en) * | 2013-01-03 | 2014-07-03 | Visera Technologies Company Limited | Image sensor for light field device and manufacturing method thereof |
JP2014154755A (ja) * | 2013-02-12 | 2014-08-25 | Canon Inc | 撮影レンズの瞳分割手段を備えた撮像素子を有する撮像装置および撮像素子の製造方法 |
TWI636557B (zh) * | 2013-03-15 | 2018-09-21 | 新力股份有限公司 | Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, and electronic device |
TWI612649B (zh) * | 2013-03-18 | 2018-01-21 | Sony Corp | 半導體裝置及電子機器 |
JP2014187160A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Toshiba Corp | 固体撮像装置および携帯情報端末 |
EP3916786A3 (en) * | 2013-05-21 | 2022-03-09 | Photonic Sensors & Algorithms, S.L. | Monolithic integration of plenoptic lenses on photosensor substrates |
CN103531596B (zh) * | 2013-09-22 | 2015-09-23 | 华中科技大学 | 一种基于单眼套叠的全色复眼成像探测芯片 |
DE102014112812B4 (de) * | 2014-09-05 | 2017-12-14 | Snaptrack, Inc. | Verfahren zur Herstellung einer Abdeckung für ein Bauelement und Bauelement mit mehreren Abdeckungen |
WO2016060292A1 (ko) * | 2014-10-15 | 2016-04-21 | 엠피닉스 주식회사 | 마이크로 어레이 렌즈의 제조방법 |
JP2016096163A (ja) * | 2014-11-12 | 2016-05-26 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置および製造方法、並びに電子機器 |
KR101638022B1 (ko) * | 2015-09-21 | 2016-07-12 | 광주과학기술원 | 다수의 렌즈를 이용한 촬상장치 |
CN105182553B (zh) * | 2015-10-15 | 2018-01-09 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示装置 |
US10269847B2 (en) * | 2016-02-25 | 2019-04-23 | Semiconductor Components Industries, Llc | Methods of forming imaging pixel microlenses |
JP2017175004A (ja) * | 2016-03-24 | 2017-09-28 | ソニー株式会社 | チップサイズパッケージ、製造方法、電子機器、および内視鏡 |
CN106098579B (zh) * | 2016-06-20 | 2018-12-04 | 安徽林驰电子有限公司 | 一种集成电路板的视觉检测装置 |
JP2019036788A (ja) * | 2017-08-10 | 2019-03-07 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2019087545A (ja) * | 2017-11-01 | 2019-06-06 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2020031127A (ja) * | 2018-08-22 | 2020-02-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置、撮像装置、および電子機器 |
US11329083B2 (en) | 2018-09-26 | 2022-05-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer level image sensor package |
US11569291B2 (en) | 2020-11-05 | 2023-01-31 | Visera Technologies Company Limited | Image sensor and method forming the same |
US20220293655A1 (en) * | 2021-03-11 | 2022-09-15 | Visera Technologies Company Limited | Semiconductor device |
CN116338833A (zh) * | 2021-12-24 | 2023-06-27 | 长鑫存储技术有限公司 | 微透镜组件、光电转换设备及制造方法和成像*** |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2833941B2 (ja) * | 1992-10-09 | 1998-12-09 | 三菱電機株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法 |
JP3178629B2 (ja) * | 1992-11-24 | 2001-06-25 | 株式会社ニコン | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2001309395A (ja) * | 2000-04-21 | 2001-11-02 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2002171430A (ja) | 2000-11-30 | 2002-06-14 | Canon Inc | 複眼撮像系、撮像装置および電子機器 |
JP3789365B2 (ja) * | 2002-01-31 | 2006-06-21 | シャープ株式会社 | 層内レンズ付き半導体装置およびその製造方法 |
JP4443865B2 (ja) * | 2002-06-24 | 2010-03-31 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
US6903391B2 (en) * | 2003-09-10 | 2005-06-07 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Solid state image pickup device |
JP2007184322A (ja) * | 2006-01-04 | 2007-07-19 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその製造方法、並びにカメラ |
JP2007184323A (ja) * | 2006-01-04 | 2007-07-19 | Renesas Technology Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2007311563A (ja) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Sharp Corp | 固体撮像装置および電子情報機器 |
US7729055B2 (en) * | 2008-03-20 | 2010-06-01 | Aptina Imaging Corporation | Method and apparatus providing concave microlenses for semiconductor imaging devices |
JP5332423B2 (ja) * | 2008-09-08 | 2013-11-06 | ソニー株式会社 | 撮像装置 |
-
2011
- 2011-01-26 JP JP2011014111A patent/JP5741012B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-12-20 TW TW100147563A patent/TW201236146A/zh unknown
-
2012
- 2012-01-17 EP EP12739727.1A patent/EP2669948A1/en not_active Withdrawn
- 2012-01-17 US US13/635,262 patent/US9110210B2/en active Active
- 2012-01-17 WO PCT/JP2012/050837 patent/WO2012102135A1/ja active Application Filing
- 2012-01-17 KR KR1020127024314A patent/KR101923740B1/ko active IP Right Grant
- 2012-01-17 CN CN201280001152.2A patent/CN102859692B/zh active Active
-
2015
- 2015-07-24 US US14/808,101 patent/US9813679B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9813679B2 (en) | 2017-11-07 |
US20150334358A1 (en) | 2015-11-19 |
US20130037698A1 (en) | 2013-02-14 |
TW201236146A (en) | 2012-09-01 |
CN102859692A (zh) | 2013-01-02 |
EP2669948A1 (en) | 2013-12-04 |
KR101923740B1 (ko) | 2018-11-29 |
KR20140001734A (ko) | 2014-01-07 |
WO2012102135A1 (ja) | 2012-08-02 |
JP2012156311A (ja) | 2012-08-16 |
CN102859692B (zh) | 2016-06-08 |
US9110210B2 (en) | 2015-08-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5741012B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
US20230178575A1 (en) | Semiconductor device and electronic apparatus | |
JP6314969B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 | |
US20110292271A1 (en) | Camera module and fabrication method thereof | |
JP4621048B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
US7986019B2 (en) | Solid-state imaging device and its manufacturing method | |
US11605666B2 (en) | Solid-state imaging device, manufacturing method of the same, and electronic apparatus having filters of different thicknesses | |
JP2007053324A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
CN101814515B (zh) | 固态图像拾取装置和电子装置 | |
KR20230058729A (ko) | 촬상 소자, 촬상 장치, 제조 장치 및 방법 | |
JP2006114887A (ja) | Cmos方式のイメージセンサーとその製造方法 | |
JP2012204354A (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器 | |
WO2015045933A1 (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 | |
JP2008103478A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP2010021573A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
WO2015186512A1 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 | |
JP4136374B2 (ja) | 固体撮像装置および撮像システム | |
JP2003249634A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
JP2011049203A (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
JP2015115386A (ja) | 固体撮像素子、電子機器、および固体撮像素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140408 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140526 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20141209 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150225 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20150304 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150331 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150413 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5741012 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |