JP5736930B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5736930B2 JP5736930B2 JP2011092711A JP2011092711A JP5736930B2 JP 5736930 B2 JP5736930 B2 JP 5736930B2 JP 2011092711 A JP2011092711 A JP 2011092711A JP 2011092711 A JP2011092711 A JP 2011092711A JP 5736930 B2 JP5736930 B2 JP 5736930B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- semiconductor layer
- region
- layer
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 300
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 29
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 247
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 66
- 239000010408 film Substances 0.000 description 28
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 20
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 14
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910018885 Pt—Au Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 7
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 InGaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002846 Pt–Sn Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 3
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000962 AlSiC Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018879 Pt—Pd Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019836 RhO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004349 Ti-Al Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004692 Ti—Al Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Description
また、前記複数の部分は、前記半導体層の周縁部に達しないことが好ましい。
また、前記複数の部分の長手方向の長さは、30〜50μmであることが好ましい。
また、前記複数の部分の長手方向の長さは、100〜200μmであることが好ましい。
また、本明細書において、層上などでいう「上」とは、必ずしも上面に接触して形成される場合に限られず、離間して上方に形成される場合も含んでおり、部材と部材との間に介在する部材が存在する場合も包含する意味で使用する。
第一の実施形態について図面を用いて詳述する。図1は、第一の実施形態に係る半導体発光素子の電極と第1領域、第2領域を示す概略平面図である。図2、3は、第一の実施形態に係る半導体発光素子の概略断面図であり、図2は、図1のA−A’における断面図を、図3は図1のB−B’における断面図をそれぞれ示す。
次に、第二の実施形態に係る半導体発光素子について説明する。図4は、第二の実施形態に係る半導体発光素子の電極と第1領域、第2領域を示す概略平面図である。図5は、第二の実施形態に係る半導体発光素子の電極と第1領域、第2領域を示す概略断面図であり、図4のC−C’における断面図を示す。第二の実施形態に係る半導体発光素子200は、パッド電極20と補助電極21とが第2領域23と第1領域24上に設けられる以外は、第一の実施形態と実質的に同様である。
次に、第三の実施形態に係る半導体発光素子について説明する。図6は、第三の実施形態に係る半導体発光素子の電極と第1領域、第2領域を示す概略平面図である。第三の実施形態に係る半導体発光素子300は、電極35の構造が相違している以外は、第一の実施形態と実質的に同様である。
半導体発光素子300は、半導体層32上に3本の平行な補助電極31を有し、外側の2本の補助電極31に重なるようにそれぞれ一つのパッド電極30が設けられる。3本の平行な補助電極31のうち、内側の補助電極31と、外側の各々のパッド電極30との間で、これらを連結する補助電極を備えることができる。パッド電極30が延伸方向の異なる複数の補助電極31の交点に位置する場合は、複数の補助電極31の交点とパッド電極30とを離間させた際に生じ得る、交点とパッド電極30との間への電流集中を緩和し、発熱等の問題を効果的に回避することができる。このように、補助電極31は交差、分岐することにより、パッド電極30や補助電極31を連結させることができ、電極面積を増やすと共に電流分布を均一化できる。また、補助電極は十字状に交差して、交点部分に電流が集中する事態を回避することもできる。
次に、第四の実施形態に係る半導体発光素子について説明する。図7は、第四の実施形態に係る半導体発光素子の電極と第1領域、第2領域を示す概略平面図である。第四の実施形態に係る半導体発光素子400は、半導体層42上面の第2領域43及び第1領域44の形状及び配置が相違している以外は、第三の実施形態と実質的に同様である。
次に、第五の実施形態に係る半導体発光素子について説明する。図8は、第五の実施形態に係る半導体発光素子の電極と第1領域、第2領域を示す概略平面図である。第五の実施形態に係る半導体発光素子500は、半導体層52上面の第2領域53と第1領域54の形状及び配置が相違している以外は、第三又は第四の実施形態と実質的に同様である。
次に、第六の実施形態に係る半導体発光素子について説明する。図9は、第六の実施形態に係る半導体発光素子の電極と第1領域、第2領域を示す概略平面図である。第六の実施形態に係る半導体発光素子600は、半導体層62上面の電極65、第2領域63と第1領域64の形状及び配置が相違している以外は、第四又は第五の実施形態と実質的に同様である。
次に、第七の実施形態に係る半導体発光素子について説明する。図10は、第七の実施形態に係る半導体発光素子の電極と第1領域、第2領域を示す概略平面図である。第七の実施形態に係る半導体発光素子700は、半導体層72上面の電極75、第2領域73と第1領域74の形状及び配置が相違している以外は、第四〜六の実施形態と実質的に同様である。
発光層を有する半導体層は、当該分野で公知の方法及び構造を有して作製されるいかなる半導体構造であってもよい。成長基板上に第2導電型半導体層、発光層、第1導電型半導体層を有する半導体構造を形成する。成長基板は、半導体層である窒化物半導体をエピタキシャル成長させることができる基板であればよく、成長基板の大きさや厚さ等は特に限定されない。この成長基板としては、C面、R面、及びA面のいずれかを主面とするサファイアやスピネル(MgAl2O4)のような絶縁性基板、また炭化珪素(6H、4H、3C)、シリコン、ZnS、ZnO、Si、GaAsが挙げられる。また、GaNやAlN等の窒化物半導体基板を用いることもできる。
組成は、GaN、InGaNが良い。井戸層の膜厚は、好ましくは1nm以上30nm以
下であり、1つの井戸層の単一量子井戸、障壁層等を介した複数の井戸層の多重量子井戸
構造とできる。
第2導電型半導体層の表面にRh、Ag、Ni、Au、Ti、Al、Pt等からなる第2電極をパターン形成する。第2電極は、光反射側であるため、反射構造を有すること、具体的には反射率の高い、反射層を有すること、特に第2導電型半導体層接触側に有することが好ましい。その他に、光透過する薄膜の密着層を介して、例えば密着層/反射層の順に積層した多層構造とすることもできる。具体的な第2電極としては、半導体層側からAg/Ni/Ti/Ptとできる。また、第2電極は、上面から見て、第1電極が形成される領域を除く窒化物半導体層のほぼ全領域に形成されると、電流注入の発光領域を大きくでき、好ましい。また平面視において、第1及び第2の電極が、発光層を挟んで重なる領域を有すれば、電極へと吸収され光損失を招くため、ずらすのがよい。
半導体発光素子の周辺部等を保護するために、保護膜を設けても良い。第2導電型半導体層上に設ける場合は、その第2電極から露出した領域に形成され、互いに隣接若しくは離間して設けられる。これに限らず、第2電極の一部を覆うように設けることもできる。この保護膜を絶縁膜として、第2導電型半導体層の表面上に選択的に設けられた第2電極から半導体層に導通されている。絶縁性の保護膜として、具体的な材料としては、SiO2、Nb2O5、Al2O3、ZrO2、TiO2等の酸化膜や、AlN、SiN等の窒化膜の、単層膜または多層膜を用いることができる。さらに、保護膜にAl、Ag、Rh等の高反射率の金属膜を被覆してもよい。さらにSiO2/Ti/Ptのように、第二電極の多層構造の一部を絶縁膜の接着層側に設けてもよい。
次に、第2電極上に、貼り合わせ時に合金化させるための半導体層側接着層を形成する。半導体層側接着層は、Au、Sn、Pd、Inからなる群から選ばれる少なくとも1つを含有する合金から形成される。半導体層側接着層は密着層、バリア層、共晶層からなる3層構造が好ましい。密着層は、Ni、Ti、RhO、W、Moからなる群から選ばれる少なくとも一を含有する。バリア層は、Pt、Ti、Pd、TiN、W、Mo、WN、Auからなる群から選ばれる少なくとも一を含有する。共晶層は、Au、Sn、Pd、Inからなる群より選ばれる少なくとも一を含有する。また、半導体層側接着層の膜厚は5μm以下とする。例えば、Ti/Pt/Au/Sn/Auを用いることができ、また保護膜に第2電極の多層構造の一部を設ける場合は、密着層を省略し、Pt/Au/Sn/Auとすることもできる。
他方、支持基板を用意する。支持基板は、主に、Si基板の他、GaAsの半導体基板、Cu、Ge、Niの金属材料、Cu−Wの複合材料等の導電性基板が挙げられる。加えて、Cu−Mo、AlSiC、AlN、SiC、Cu−ダイヤ等の金属とセラミックの複合体等も利用できる。例えば、Cu−W、Cu−Moの一般式をCuxW100−x(0≦x≦30)、CuxMo100−x(0≦x≦50)のようにそれぞれ示すことができる。またSiを用いる利点は安価でチップ化がしやすい点である。支持基板の好ましい膜厚としては50〜500μmである。支持基板の膜厚をこの範囲に設定することで放熱性が良くなる。一方で、支持基板に導電性基板を使用すれば、基板側からの電力供給が可能になる他、高い静電耐圧及び放熱性に優れた素子とできる。また、通常は、Si、Cu(Cu−W)等の不透光性の材料で、それと半導体層との間、例えば電極、若しくは半導体層内に反射構造を設ける構造として、放熱性、発光特性に優れ好ましい。また、メッキにより、窒化物半導体層上にメッキ部材を形成して、支持基板、支持基板との間の接着部を形成することもできる。また、支持基板を設けない素子でも良く、発光装置の載置部、基台上に直接実装されても良く、メッキによる金属部材等を半導体層上に設ける形態でも良い。
や、上述した窒化物半導体層の表面(ここでは第2導電型半導体層の表面)に、分布型ブラッグ反射膜(distributed Bragg reflector:DBR)等、屈折率の異なる材料が周期的に交互に積層された多層薄膜を形成することもできる。多層薄膜は例えば誘電体多層膜、GaN/AlGaNの半導体から構成されて、半導体層内、その表面、例えば保護膜等に、単独若しくは反射用の電極と共に形成されて、反射構造を設けることができる。
そして、半導体層側接着層の表面と支持基板側接着層の表面を対向させ、支持基板を加熱圧接により窒化物半導体層側の第2電極上に貼り合わせる。この加熱圧接は、プレスをしながら150℃以上の熱を加えて行われる。これにより接着層を介して半導体層側と支持基板側が接合される。
その後、成長基板を除去して、半導体層を露出させる。成長基板は、成長基板側からエキシマレーザやフェムト秒レーザ等を照射して剥離・除去する(Laser Lift Off:LLO)か、又は研削によって取り除かれる。成長基板を除去後、露出した窒化物半導体の表面をCMP(ケミカル・メカニカル・ポリッシュ)処理することで所望の膜である第1導電型半導体層を露出させる。このとき、半導体発光素子の光に対し吸収率の高い下地層、例えば高温成長したGaN層を除去、あるいは膜厚を低減することによって、例えば紫外領域の発光波長を持つLEDにおいても吸収の影響を低減することができる。この処理によりダメージ層の除去や窒化物半導体層の厚みを調整、表面の面粗さの調整ができる。
さらに、チップ状に半導体層を分割する。具体的には、RIE等で外周エッチングを行い、外周の半導体層を除去して分離し、保護膜を露出させる。
そして、半導体層上面に第1領域、第2領域からなる凹凸構造を形成する。第1導電型半導体層の上面にフォトリソグラフィーにより所定のパターンを有するレジストマスクを形成する。レジストマスクにより、第1導電型半導体層を0.5〜2μm、好ましくは0.5〜1μmRIEする。このとき、RIEに限らずウェットエッチング等で第1領域、第2領域からなる凹凸構造を形成してもよく、また、電極直下に位置する第1導電型半導体層にも凹凸構造を形成してもよい。
次いで、第1導電型半導体層の上面に、上記に記した配置構成を満足するよう第1電極が形成される。すなわち、第1電極は、半導体層の上面からの平面視において、発光層を挟んで位置する第2電極の形成領域と重畳領域を持たないようにずれて配置される。この構造により、半導体層の積層方向において、その中心軸を異とする双方の電極間を、キャリアが立体的に移動するため、面内拡散が促進される結果、内部量子効率を高められる。
続いて、支持基板及び接着層からなる支持台において、半導体発光素子の境界領域におけるダイシング位置でもってダイシングすることにより、チップ化された半導体発光素子を得られる。
また、各電極との半導体層間に電流拡散を促す拡散層を備えることもできる。拡散層としては、各電極よりも幅広、大面積で設けられて拡散機能を有し、透光性であることで光の出射(第1電極側)、反射(第2電極側)の機能を低下させないものが良く、例えば透光性導電層が採用できる。導電層は、露出した半導体層のほぼ全面に形成されることにより、電流を半導体層全体に均一に広げることができる。透光性導電層は、具体的には、ITO、ZnO、In2O3、SnO2等、Zn、In、Snの酸化物を含む透光性導電層を形成することが望ましく、好ましくはITOを使用する。あるいはNi等のその他の金属を薄膜、酸化物、窒化物、それらの化合物、複合材料としたものでもよい。
上記の構造を有する半導体発光素子において、接着層を導電性とし、かつ支持基板をSiC等の導電性の基板とすれば、第2電極の一方の主面を第2導電型半導体層に接触させ、第2電極の他方の主面側から外部接続できる。すなわち、第2電極の一方の主面(上面)は半導体と接触させるための面であり、第2電極の他方の主面(下面)は外部接続用の面として機能できる。そして、貼り合わせる支持基板を第2電極に電気的に接続し、半導体発光素子の底面側を、第2電極のパッド部とできる。例えば支持基板の裏面に設けた電極を介して、外部回路との接続が可能となる。また、支持基板を絶縁性材料とした場合では、半導体積層構造側に形成された支持基板の電極と、その反対側の裏面に形成された電極とを、支持基板の立体配線や、配線用ビアホール等の配線電極によって接続するようにしても、支持基板の裏面側からの電極取り出しが可能となる。いずれにしても、露出されたワイヤを用いずに、第2電極と外部電極とを電気的に接続できる。さらに、支持基板に、別個の放熱部材を連結することで、一層の放熱効果を得ることもできる。
実施例1として、図1〜3に示すように、第一の実施形態に係る半導体発光素子を以下 の仕様で作製した。
実施例1に係る半導体発光素子は、第2導電型半導体層(p型半導体層)112、発光層113、第1導電型半導体層(n型半導体層)111からなる半導体層12と、第1電極(n電極)15と、第2電極(p電極)16と、保護膜107と、支持基板104、接着層105からなる支持台103と、を少なくとも備える。
より具体的には、半導体層12として窒化ガリウム系半導体、第1電極15としてTi(13nm)/Pt(200nm)/Au(1000nm)、第2電極16としてAg(100nm)/Ni(100nm)/Ti(100nm)/Pt(100nm)、保護膜107としてSiO2(400nm)、接合層105としてAu(500nm)/Pt(200nm)/TiSi2(3nm)、支持基板104としてSi基板を用いた。
さらに、第1導電型半導体層(n型半導体層)に第1、第2領域のパターンを、第1、第2領域の厚みの差が1μmで形成し、半導体発光素子(a)とした。
半導体発光素子(a)の大きさは2mm四方であり、nパッド電極の直径は100μm、n補助電極の幅は20μmとした。また、第1、第2領域のストライプ幅を各々20μmとした。
参考例として、図1のn電極パターンを有し、かつn電極形成部分以外の第1導電型半導体層(n型半導体層)に第1領域を形成した以外は実施例1と同様にして、半導体発光素子(b)を作製した。
比較例として、図1のn電極パターンを有し、第1領域を形成しない以外は実施例と同様にして、半導体発光素子(Ref)を作製した。
号機、照明式スイッチ、各種センサ及び各種インジケータ等に好適に利用できる。
11,21,31,41,51,61,71 補助電極
12,22,32,42,52,62,72 半導体層
13,23,33,43,53,63,73 第2領域
14,24,34,44,54,64,74 第1領域
15,25,35,45,55,65,75 第1電極
16 第2電極
100,200,300,400,500,600,700 半導体発光素子
103 支持台
104 支持基板
105 接着層
107 保護膜
111 第1導電型半導体層
112 第2導電型半導体層
113 発光層
Claims (7)
- 半導体層と、前記半導体層の上面に配置された第1電極と、前記半導体層の下面に配置された第2電極と、を備える半導体発光素子であって、
前記半導体層の上面は第1領域と、前記第1領域よりも前記半導体層の厚みが厚い第2領域とを有し、
前記第1電極はパッド電極と、前記パッド電極から延伸する補助電極と、を備え、
前記第1電極は前記第2領域上にあり、
前記第2領域は、前記補助電極に沿った部分と、
前記補助電極に沿った部分から前記補助電極と異なる方向に延伸する複数の部分と、を有し、
前記複数の部分は、前記半導体層の周縁部に達しておらず、
前記複数の部分の長さは、100〜200μmであることを特徴とする半導体発光素子。 - 半導体層と、前記半導体層の上面に配置された第1電極と、前記半導体層の下面に配置された第2電極と、を備える半導体発光素子であって、
前記半導体層の上面は第1領域と、前記第1領域よりも前記半導体層の厚みが厚い第2領域とを有し、
前記第1電極はパッド電極と、前記パッド電極から延伸する補助電極と、を備え、
前記第1電極は前記第2領域上にあり、
前記第2領域は、前記補助電極に沿った部分と、
前記補助電極に沿った部分から前記補助電極と異なる方向に延伸する複数の部分と、を有し、
前記複数の部分は、前記半導体層の周縁部に達しておらず、
前記複数の部分の長さは、30〜50μmであることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記第2領域が複数あり、互いに連結されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体発光素子。
- 前記複数の部分は、前記補助電極に沿った部分に対して垂直であることを特徴とする請求項1から3のいずれか一に記載の半導体発光素子。
- 前記第2領域が複数あり、ストライプ状に配列していることを特徴とする請求項1から4のいずれか一に記載の半導体発光素子。
- 前記半導体層の上面は、粗面であることを特徴とする請求項1から5のいずれか一に記載の半導体発光素子。
- 前記半導体層は、p型とn型の窒化物半導体層を有し、
前記第2領域は、前記n型窒化物半導体層上に設けられていることを特徴とする請求項1から6のいずれか一に記載の半導体発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011092711A JP5736930B2 (ja) | 2011-04-19 | 2011-04-19 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011092711A JP5736930B2 (ja) | 2011-04-19 | 2011-04-19 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012227311A JP2012227311A (ja) | 2012-11-15 |
JP5736930B2 true JP5736930B2 (ja) | 2015-06-17 |
Family
ID=47277149
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011092711A Active JP5736930B2 (ja) | 2011-04-19 | 2011-04-19 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5736930B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6287317B2 (ja) | 2013-02-28 | 2018-03-07 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2834922B2 (ja) * | 1991-11-25 | 1998-12-14 | シャープ株式会社 | 発光ダイオード |
JP2000174339A (ja) * | 1998-12-04 | 2000-06-23 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | GaN系半導体発光素子およびGaN系半導体受光素子 |
JP2006128227A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
KR100610639B1 (ko) * | 2005-07-22 | 2006-08-09 | 삼성전기주식회사 | 수직 구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자 및 그 제조방법 |
JP2008066554A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-03-21 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光素子 |
KR101346538B1 (ko) * | 2007-09-26 | 2013-12-31 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광소자 및 그것을 이용한 발광장치 |
JP4993371B2 (ja) * | 2007-11-21 | 2012-08-08 | サンケン電気株式会社 | 半導体発光素子用ウエーハの粗面化方法及び半導体発光素子 |
JP5334158B2 (ja) * | 2008-07-15 | 2013-11-06 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法 |
JP2010045288A (ja) * | 2008-08-18 | 2010-02-25 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
US8237180B2 (en) * | 2009-02-18 | 2012-08-07 | Hitachi Cable, Ltd. | Light emitting element including center electrode and thin wire electrode extending from periphery of the center electrode |
KR101064006B1 (ko) * | 2009-03-03 | 2011-09-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
-
2011
- 2011-04-19 JP JP2011092711A patent/JP5736930B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012227311A (ja) | 2012-11-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8823031B2 (en) | Semiconductor light emitting device including metal reflecting layer | |
TWI766356B (zh) | 發光二極體晶片 | |
JP5333226B2 (ja) | 発光素子及びそれを用いた発光装置 | |
JP5840744B2 (ja) | 発光ダイオード | |
JP5634003B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5186800B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子、これを備える発光装置及び窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
JP6056150B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
TWI604634B (zh) | 半導體發光元件 | |
JP2009164423A (ja) | 発光素子 | |
JP2011199221A (ja) | 発光ダイオード | |
JP5560674B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
CN113169256A (zh) | 用于发光二极管芯片的互连 | |
JP6011244B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2018530924A (ja) | 半導体素子、半導体素子パッケージ、およびこれを含む照明システム | |
KR20120002130A (ko) | 플립칩형 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
KR20150107400A (ko) | 발광 다이오드 | |
JP5736930B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
TWI604632B (zh) | 發光二極體裝置 | |
JP6964421B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
KR20140122970A (ko) | 전류 스프레딩이 향상된 발광다이오드 | |
TW202315170A (zh) | 在發光二極體晶片中用於光整形的邊緣結構 | |
KR20160132658A (ko) | 발광 소자 및 발광 소자 패키지 | |
TW201743465A (zh) | 發光二極體裝置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140128 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140521 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140603 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140728 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150106 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150304 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150324 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150406 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5736930 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |