JP5727518B2 - ビーム加工装置 - Google Patents

ビーム加工装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5727518B2
JP5727518B2 JP2012551767A JP2012551767A JP5727518B2 JP 5727518 B2 JP5727518 B2 JP 5727518B2 JP 2012551767 A JP2012551767 A JP 2012551767A JP 2012551767 A JP2012551767 A JP 2012551767A JP 5727518 B2 JP5727518 B2 JP 5727518B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing
processing apparatus
workpiece
control
laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2012551767A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2012093471A1 (ja
Inventor
清之 近藤
清之 近藤
Original Assignee
清之 近藤
清之 近藤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 清之 近藤, 清之 近藤 filed Critical 清之 近藤
Publication of JPWO2012093471A1 publication Critical patent/JPWO2012093471A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5727518B2 publication Critical patent/JP5727518B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/0006Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/035Aligning the laser beam
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/0643Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising mirrors
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/082Scanning systems, i.e. devices involving movement of the laser beam relative to the laser head
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/02Iron or ferrous alloys
    • B23K2103/04Steel or steel alloys
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/54Glass

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Description

本発明は、ビームをワークの加工面に照射し、当該加工面を加工するビーム加工装置に関する。
従来から、レーザビームを用いてワークを加工するレーザ加工装置として、ワークに文字等を形成するレーザマーカ、ワークを所定形状に切断するレーザ切断機、ワークの溶接を行うレーザ溶接機等がある。また、半田付けを行うレーザ半田付装置、太陽電池等におけるガラスの接合や封止をレーザビームを用いて行うガラス封止機等、種々のレーザ加工装置が開発されている。
これらのレーザ加工装置では、レーザビームをワークの加工面に対して相対的に移動させるため、大別して次の2種類の方法が用いられている。
例えば、特許文献1に開示されたレーザ加工装置では、2つのガルバノミラーを用いてレーザビームを2方向に振り、Fθレンズを介してレーザビームを加工面に導いている(以下、「振り法」という。)。なお、この特許文献1では、加工面で反射されたレーザビームを検出して加工面までの距離を演算し、ガルバノミラーの上流側に配設した焦点調節手段を制御することにより、加工面にレーザビームを高精度に合焦させることが可能である。
また、特許文献2に開示されたレーザ加工装置では、三次元的に動作可能な3自由度ステージにワークを載置し、レーザビームに対してこのステージを移動させることにより、レーザビームを加工面の任意の位置に導いている(以下、「移動法」という。)。なお、この特許文献2では、ステージを三次元的に動作可能とすることにより、レーザビームを加工面に常に垂直に照射させ、高精度な加工を行うことが可能である。
特開2010−142846号公報 特開2000−334594号公報
しかしながら、振り法では、レーザビームがガルバノミラーの反射面を中心として扇形に振られるため、振り角度が大きくなると、レーザビームを加工面に垂直に照射することができなくなる。レーザビームが加工面に垂直に照射されないと、加工面でのビームスポット形状が大きく歪んでしまうため、高精度な加工を行うことができない。なお、ガルバノミラーと加工面との間に配設されるFθレンズは、レーザビームの焦点を絞り、ビームスポット形状をある程度調整することはできるが、調整可能な範囲は、Fθレンズの大きさと性能によって制限され、通常、100mm〜300mm程度である。従って、生産ラインの幅やワークのサイズに合わせた大きさのFθレンズを採用することは、コストの点から見て、現実的とは言えない。一方、長焦点の対物レンズを用いれば、広い範囲の加工面にレーザビームを垂直に近い状態で照射することが可能であるが、この場合、レーザ加工装置が大型になってしまう。例えば、加工面の加工範囲を300mmとすると、レーザビームを±4°振るために、照射範囲の約15倍の4500mmの距離からレーザビームを振る必要がある。また、加工面上でビームスポットを1mm移動させる角度は、約0.0127°であり、そのための制御が極めて困難である。
また、移動法では、重量の関係から、ステージを高速度に移動させることは困難であり、従って、振り法に比較して、レーザビームをワークの加工面に対して高速に移動させることができないため、迅速なレーザ加工は望めない。また、ステージを移動制御するため、複雑な機構を要するだけでなく、消費エネルギも増大する欠点がある。
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、ワークの加工面を高速且つ高精度に加工できるとともに、装置を大型化することなく広範囲の加工面を加工することのできるビーム加工装置を提供することを目的とする。
本発明に係るビーム加工装置は、ビームをワークの加工面に照射し、当該加工面を加工するビーム加工装置において、前記ビームを出力する出力源と、前記出力源から出力された前記ビームを移動させるビーム移動手段と、前記ビーム移動手段と前記加工面との間の前記ビームの光路中に配設され、前記ビーム移動手段により移動される前記ビームを反射し、前記加工面に導く複数の反射鏡と、を備え、前記複数の反射鏡は、前記ビーム移動手段によって移動された前記ビームを前記加工面の異なる位置に略垂直に導くように、前記ビームの入射方向に応じた傾斜角度に設定されることを特徴とする。
前記ビーム加工装置において、前記複数の反射鏡は、前記出力源から前記複数の反射鏡を介して前記加工面に至るまでの各光路長が略等しくなる位置に配設されることを特徴とする。
前記ビーム加工装置において、前記複数の反射鏡と前記加工面との間に配設され、前記加工面に照射される前記ビームの加工パターンを設定する加工パターン設定手段を備えることを特徴とする。
前記ビーム加工装置において、前記ビーム移動手段と前記複数の反射鏡との間に配設され、前記ビーム移動手段により移動された前記ビームを反射して前記複数の反射鏡に分配する複数の分配鏡を備えることを特徴とする。
前記ビーム加工装置において、前記複数の反射鏡と前記加工面との間に配設され、前記ビームを前記加工面に集光させる集光レンズを備えることを特徴とする。
前記ビーム加工装置において、前記集光レンズを前記加工面に沿って移動させるレンズ移動手段と、前記レンズ移動手段を制御し、前記加工面における前記ビームの集光点の位置制御を行う位置制御手段と、を備えることを特徴とする。
前記ビーム加工装置において、前記ビームと同軸の制御ビームを前記加工面に照射する制御ビーム照射手段と、前記加工面によって反射された前記制御ビームを検出する制御ビーム検出手段と、前記制御ビーム検出手段により検出された前記制御ビームに基づき、前記加工面における前記ビームの照射位置及び/又は前記ビームの出力を制御するビーム制御手段と、を備えることを特徴とする。
前記ビーム加工装置において、前記加工面の画像を撮影するカメラと、前記カメラにより撮影された画像に基づき、前記加工面における前記ビームの照射位置を制御するビーム制御手段と、を備えることを特徴とする。
本発明のビーム加工装置では、出力源から出力されたビームをビーム移動手段により移動させた後、複数の反射鏡によって反射させ、ワークの加工面に略垂直に導くことにより、加工面を高速且つ高精度に加工することができる。また、装置を大型化することなく、ビームをワークの広範囲に導いて加工を行うことができる。また、ワークの加工面に対し、ビームを略垂直に落射させることにより、例えば、マスク板を用いた高精度な加工や画像計測を行うことができる。
本発明に係る実施形態1のレーザ加工装置の構成図である。 実施形態1のレーザ加工装置におけるレーザビームの光路説明図である。 図3Aは、実施形態1のレーザ加工装置を構成するビーム移動ユニットの構成図、図3Bは、ビーム移動ユニットを構成するカメラ用ミラーの説明図である。 実施形態1のレーザ加工装置を構成するビーム移動ユニットの配置説明図である。 図5A〜図5Cは、実施形態1のレーザ加工装置における平面反射鏡の配置を含むパラメータの説明図である。 図6Aは、本発明に係る実施形態2のレーザ加工装置の左半分の構成図、図6Bは、図6Aの側面構成図、図6Cは、実施形態2のレーザ加工装置を構成する分配鏡の配置とワークの加工領域との対応関係の説明図である。 図7Aは、本発明に係る実施形態3のレーザ加工装置の左半分の構成図、図7Bは、図7Aの側面構成図、図7Cは、実施形態3のレーザ加工装置を構成する分配鏡の配置とワークの加工領域との対応関係の説明図である。 図8A及び図8Bは、本発明に係るレーザ加工装置の変形例の説明図である。 図9Aは、本発明に係る実施形態4のレーザ加工装置の左半分の構成図、図9Bは、図9Aの側面構成図である。 図10Aは、本発明に係るレーザ加工装置に組み込まれる対物レンズをワークの前面に配置した状態の側面図、図10Bは、図10Aの平面図、図10Cは、他の態様の側面図、図10Dは、図10Cの平面図、図10Eは、さらに他の態様の側面図、図10Fは、図10Eの平面図である。 本発明に係るレーザ加工装置に組み込まれる焦点位置修正機構の構成図である。 図12A及び図12Bは、本発明に係るレーザ加工装置に組み込まれる対物レンズの他の構成の説明図である。 図13Aは、本発明に係るレーザ加工装置に組み込まれるマスク板の斜視説明図、図13Bは、マスク板の平面図である。 図14A及び図14Bは、ワーク上の半田の画像の説明図、図14Cは、半田の画像に基づいてビーム制御を行うフローチャートである。 図15Aは、加工対象であるワークの説明図、図15Bは、図15Aのワークの画像の説明図、図15Cは、加工対象である他のワークの説明図、図15Dは、図15Cのワークの画像の説明図である。 レーザビームの出力パルスと、ワークの温度との関係説明図である。 図17A〜図17Eは、本発明に係るレーザ加工装置の全体制御フローチャートである。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
<実施形態1>
<装置構成>
図1は、本発明に係るビーム加工装置が適用される実施形態1のレーザ加工装置10の構成図であり、図2は、レーザ加工装置10におけるレーザビームLBの光路説明図である。また、図3Aは、レーザ加工装置10を構成するビーム移動ユニット12(ビーム移動手段)の構成図であり、図3Bは、ビーム移動ユニット12を構成するカメラ用ミラー26の説明図である。
レーザ加工装置10は、レーザビームLBをワークWの加工面に照射し、加工面を移動させることで、ワークWを所望の状態に加工する装置である。レーザ加工装置10は、例えば、レーザマーカ、レーザ切断機、レーザ溶接機、レーザ半田付装置、ガラス封止機等、種々のレーザ加工装置に適用することができる。加工態様に応じて、レーザビームLBを制御してワークWに導くことにより、ワークWに所望の加工パターンを形成することができる。
レーザ加工装置10は、ワークW上を移動するレーザビームLBを生成するビーム移動ユニット12と、ビーム移動ユニット12により生成されたレーザビームLBを反射し、ワークWの加工面に導く複数の平面反射鏡14とを備える。各平面反射鏡14は、円弧状の支持枠16の内周面に固定される。ワークWは、図1の矢印X方向に長尺な加工面を有しており、平面反射鏡14は、ワークWに対向した状態で、矢印X方向に所定間隔に配列される。各平面反射鏡14は、ビーム移動ユニット12とワークWの加工面との間のレーザビームLBの光路中に配設され、ビーム移動ユニット12から出力されるレーザビームLBを反射し、ワークWの加工面の異なる位置に略垂直に分配落射させるよう、それぞれがレーザビームLBの入射方向に応じて所定角度傾斜した状態で支持枠16に固定される。なお、「分配」とは、ワークWの加工面を平面反射鏡14毎に分配することを言う。平面反射鏡14を固定する支持枠16の内周面の形状は、ビーム移動ユニット12から各平面反射鏡14を介してワークWの加工面に至る各レーザビームLBの光路長が略同じになる形状に構成される。従って、各平面反射鏡14は、ビーム移動ユニット12から平面反射鏡14を介して加工面に至るまでの各光路長が略等しくなる位置に配設される。
ここで、「光路長が同じ」とは、ワークWの加工面における各レーザビームLBのビームスポット径が、必要とされるビームスポット径の許容範囲に収まる場合、それらの光路長は同じであることを意味するものとする。ビームスポット径の許容範囲であるビームスポット面積の誤差の比率を一定とすると、ビームスポット径が小さい場合の光路長の許容誤差は、ビームスポット径に比例して小さくなる。但し、ワークWの上に対物レンズを置いた場合の光路長は、対物レンズに対する必要ビームスポット径の範囲内とする。対物レンズに対する光路長の誤差が必要ビームスポット径の範囲内であり、収束又は発散しない平行ビームを用いた場合、平面反射鏡14は、円弧状に配置する必要はなく、自由な位置に置くことができる。
ビーム移動ユニット12は、図3Aに示すように、レーザビームLBを出力するレーザ光源18(出力源)と、レーザビームLBとは波長が異なる制御ビームCBを出力するLED20(制御ビーム照射手段)と、ワークWの加工面によって反射された制御ビームCBを受光するカメラ22(制御ビーム検出手段)とを備える。また、ビーム移動ユニット12は、レーザビームLBを反射させる一方、制御ビームCBを透過させるハーフミラー24と、LED20から出力された制御ビームCBが通過する開口部26aを有し、ハーフミラー24を透過した制御ビームCBを反射してカメラ22に導くミラー26(図3B)と、レーザビームLBをワークWの矢印Y方向に移動させるガルバノミラー28Yと、レーザビームLBをワークWの矢印X方向に移動させるガルバノミラー28Xと、ガルバノミラー28Y及び28Xをそれぞれ回転させるガルバノモータ30Y及び30X(図1)とを備える。カメラ22には、受光した制御ビームCBのビームプロファイル又は受光量に従い、レーザビームLBのワークW上における照射点40の照射位置の制御及び/又はレーザビームLBの出力制御を行う制御部42(ビーム制御手段)が接続される。
レーザ光源18及びLED20の光軸は、ハーフミラー24とワークWとの間で同軸に設定される。ミラー26に形成される開口部26aは、図3Bに示すように、LED20から出力された制御ビームCBがワークW上で円形の照射点40となるように、制御ビームCBの光軸に対して略45°傾斜しているミラー26の反射面の鏡面コーティングを楕円状に剥離して形成される。また、開口部26aの面積は、ワークWによって反射された制御ビームCBをカメラ22に充分に導くことができるように、例えば、カメラ22が受光する制御ビームCBの受光面積の1/25以下となるように設定することが好ましい。なお、LED20とミラー26の開口部26aとの間を光ファイバで連結してもよい。カメラ22とワークWとの間の光路長は、カメラ22により撮影されるレーザビームLBの照射点40を含む観察・計測視野に基づいて設定される。
レーザ光源18は、図2に示すように、レーザ発振器32、ビームエキスパンダ34、ビーム絞り36及びビーム焦点レンズ38から構成される。なお、ビーム絞り36と、ビーム焦点レンズ38と、ビーム焦点レンズ38の下流に配設されるハーフミラー24との配列順は、任意である。ビーム焦点レンズ38は、レーザ発振器32から出力されたレーザビームLBをワークWの加工面に集光させ、照射点40を形成する。レーザ発振器32には、ワークWの加工面に所望の加工パターンを形成するため、レーザビームLBの制御を行う制御部42が接続される(図3A)。
図4は、ビーム移動ユニット12がレーザビームLBの光路を遮らない位置に配置されている状態を示す。すなわち、ビーム移動ユニット12は、ワークWと平面反射鏡14との間に配置されるのではなく、図1における矢印Y方向、図4においては、左側に所定量だけずらせた位置に配置される。従って、レーザビームLBは、平面反射鏡14によって反射された後、ビーム移動ユニット12により遮られることなく、ワークWの加工面に導かれる。なお、レーザビームLBをワークWの加工面に略垂直に導くため、平面反射鏡14は、図1の矢印Y方向に対して所定角度だけ傾斜して配設される。ビーム移動ユニット12から平面反射鏡14を介してワークWに至るレーザビームLBの光路長と、平面反射鏡14の傾斜角度とは、コンピュータシミュレーションにより計算し、又は、幾何演算により求めることができる。
次に、図5A〜図5Cに基づき、平面反射鏡14の配置を含むパラメータについて説明する。なお、図5Aは、図1に示すレーザ加工装置10の左半分のみを示す。
平面反射鏡14の配列方向の幅Mwは、レーザビームLBの平面反射鏡14上でのビーム径をφLBとすると、図5Bに示すように、平面反射鏡14の有効幅Lwにビーム径φLBを加算した値である。有効幅Lwは、ガルバノミラー28Xの回転中心CXPに対するレーザビームLBの振り角度Raと、回転中心CXPから平面反射鏡14の中心までの距離Rと、ワークWの加工面を基準として、平面反射鏡14の中心に入射するレーザビームLBの角度La(図5C)と、ビーム径φLBとを用いて、
Lw=2R・sin((π/2+La−Ra)/2)・sinRa+φLB
…(1)
として設定される。
また、各平面反射鏡14の位置は、ガルバノミラー28Xの回転中心CXPから、任意に選択した2枚の平面反射鏡14の中心までの距離をそれぞれR1、R2、選択した2枚の平面反射鏡14の中心からワークWの加工面までの距離をそれぞれH1、H2とすると、光路長が同じとなる条件として、
H1+R1≒H2+R2 …(2)
として設定される。なお、各平面反射鏡14によって反射されたレーザビームLBが移動するワークWの加工面上の矢印X方向(図1)の幅bpは、略同じであるものとする。
さらに、ワークWの加工面を基準とする平面反射鏡14の取付角度Maは、レーザビームLBがワークWの加工面に略垂直に落射されることを条件として、
Ma=(π/2−La)/2 …(3)
として設定される。
<実施形態1の動作説明>
次に、上記のレーザ加工装置10の動作について説明する。
制御部42は、ビーム移動ユニット12のLED20を駆動し、制御ビームCBをLED20から出力させる。LED20から出力された制御ビームCBは、ミラー26の中央の開口部26aを通過し、ハーフミラー24を透過した後、ガルバノモータ30X及び30Yで回転駆動されるガルバノミラー28X及び28Yにより、X方向及びY方向に移動される。移動された制御ビームCBは、支持枠16に固定された各平面反射鏡14によって反射され、ワークWの加工面に照射される。次いで、加工面によって反射された制御ビームCBは、同じ光路を遡り、ビーム移動ユニット12のミラー26によって反射された後、カメラ22により受光される。制御部42は、カメラ22が受光した制御ビームCBの画像を処理し、照射点40の位置情報、受光した制御ビームCBの受光光量情報、ワークWの種別情報等を照射点40の情報として取得する。
一方、制御部42は、制御ビームCBの出力と同時、又は、制御ビームCBに基づく上記情報を取得した後、ビーム移動ユニット12のレーザ発振器32を駆動し、レーザビームLBを出力させる。レーザ発振器32から出力されたレーザビームLBは、ハーフミラー24により反射された後、制御ビームCBと同様に、ガルバノミラー28X及び28YによりX方向及びY方向に移動される。移動されたレーザビームLBは、支持枠16に固定された各平面反射鏡14によって反射され、ワークWの加工面に照射される。このとき、制御部42は、カメラ22によって取得した照射点40の情報に基づき、レーザビームLBの照射位置や出力を調整して制御することにより、ワークWの加工面にレーザビームLBを高精度に照射し、所望の加工パターンを形成することができる。
この場合、レーザ加工装置10では、ビーム絞り36とハーフミラー24との間に、液晶マスクやデジタルミラーデバイス(DLP)を配設し、レーザビームLBを変調して所望の加工パターンを生成させることにより、照射点40に画像や文字を露光し、又は、焼き付けることができる。これにより、従来のレーザーマーカ等を用いてワークWを加工する場合に比較すると、文字列やパターン、マーク、暗号模様等を高速且つ広範囲に形成することができる。また、照射点40のビームスポット径を任意に調整し、高精細な微小回路の露光を行うことができる。しかも、照射点40近傍の画像をカメラ22により撮影し、描画模様を確認しながら、照射点40の位置に応じて描画模様を変更、調整しながら加工を行うことができる。従って、連続した照射点40を組み合わせた、異なる回路や画像パターンを加工することができる。
<実施形態2>
図6A及び図6Bは、実施形態2のレーザ加工装置50の構成図である。また、図6Cは、レーザ加工装置50を構成する5枚の分配鏡52a〜52eの配置と、ワークWの加工領域A1〜A5との対応関係を示す。なお、図6A及び図6Bは、図5Aと同じく、レーザ加工装置50の左半分のみを示している。
レーザ加工装置50は、5枚の分配鏡52a〜52eと、それに対応する5枚の平面反射鏡14とを備える。分配鏡52a〜52eは、ビーム移動ユニット12と複数の平面反射鏡14との間に配置される。分配鏡52a〜52eの傾きは、対応する平面反射鏡14と同じ傾きに設定される。ビーム移動ユニット12から出力されたレーザビームLBは、Fθレンズ54を介して各分配鏡52a〜52cに入射した後、対応する平面反射鏡14a〜14cに向かって反射される。なお、図示していないが、分配鏡52d、52eに入射したレーザビームLBも同様に、図6Aの右側に配設されている対応する平面反射鏡14に向かって反射される。各平面反射鏡14によって反射されたレーザビームLBは、図6Cに示すように、ワークWの対応する加工領域A1〜A5に導かれる。
なお、図1に示すレーザ加工装置10との相違点は、レーザビームLBの光路長がFθレンズ54の位置から計算されることである。Fθレンズ54を使用することにより、レーザビームLBの振り角度に応じて光路長が伸びても、ワークWの加工面における照射点40の径が同じであるため、この伸び分を考慮して光路長を計算する。
このように構成されるレーザ加工装置50によれば、最小の光路長で装置を構成することができる。なお、分配鏡52a〜52eの数をさらに増やすことも可能であるが、レーザビームLBの径が大きい場合には、分配鏡52a〜52e間の無効領域が増えるため、非効率的である。
<実施形態3>
図7A及び図7Bは、実施形態3のレーザ加工装置60の構成図である。また、図7Cは、レーザ加工装置60を構成する4枚の分配鏡62a〜62dの配置と、ワークWの加工領域B1〜B4との対応関係を示す。なお、図7A及び図7Bは、図6A及び図6Bと同じく、レーザ加工装置60の左半分のみを示している。
レーザ加工装置60は、レーザ加工装置50からFθレンズ54を除去し、反射面を長く設定した左右4枚の分配鏡62a〜62dをビーム移動ユニット12と平面反射鏡14との間の光路中に配設したものである。この場合、各分配鏡62a〜62dは、それぞれ2枚の平面反射鏡14に対して同時にレーザビームLBを導くことができる。なお、CXPは、ビーム移動ユニット12を構成するガルバノミラー28Xの回転中心であり、CYPは、ガルバノミラー28Yの回転中心である。
このように構成されるレーザ加工装置60によれば、レーザ加工装置50よりもレーザビームLBの分割数が少ない分、ワークWをより効率的に加工することができる。
<変形例>
図8Aは、例えば、ガラス瓶、ボトル、鋼管等のような湾曲面を有するワークW1に対して、レーザビームLBの光路長が同じであり、且つ、ワークW1の加工面に略垂直にレーザビームLBが照射されるように、平面反射鏡14を配設した場合を示す。
図8Bは、図1に示すレーザ加工装置10において、ワークW2と平面反射鏡14との間の所定位置であって、平面反射鏡14と光路長が同じになる位置に小反射鏡70を挿入して構成したものである(図4)。この場合、例えば、半田72を回路基板等のワークW2上に塗布し、その上に回路素子等のチップ74を載置したワークW2に対して、レーザビームLBを小反射鏡70を介して照射することにより、チップ74の影となる部分の半田72を溶融させることができる。
<実施形態4>
図9A及び図9Bは、実施形態4のレーザ加工装置90の構成図である。
レーザ加工装置90は、平行光束からなるレーザビームLBを、ワークWに沿って配列された各平面反射鏡14によって反射させ、ワークWの加工面に導くように構成される。この場合、平面反射鏡14に導かれるレーザビームLBは、平行光束であるため、各平面反射鏡14に入射するレーザビームLBの光路長に関わらず、ワークWの加工面に形成される照射点40の径を一定にすることができる。従って、平面反射鏡14は、自由な位置に配置することができる。なお、レーザビームLBを平行光束としてワークWに照射すると、加工に必要なエネルギを加工面に付与できなくなるおそれがある。この場合には、ワークWの前面に対物レンズ76を配置して、レーザビームLBを集光するようにすればよい。
<対物レンズの構成>
上記の各実施形態において、ワークW(W1、W2)の前面であって、ワークWの加工面と平面反射鏡14との間には、必要に応じて対物レンズを挿入することができる。その態様につき、図10A〜図10Fに基づいて説明する。
図10Aは、対物レンズ76をワークWの前面に配置した状態の側面図、図10Bは、その平面図である。半球状の対物レンズ76は、ワークWに沿って配設された防護ガラス78に、平面側を接するようにして固定される。防護ガラス78は、入射したレーザビームLBがビーム移動ユニット12側に戻らないように、例えば、レーザビームLBに対して法線を2°以上傾けて配置する。これにより、レーザビームLBがレーザ発振器32に入射して破壊される事態を回避することができる。なお、防護ガラス78を傾斜させることなく、対物レンズ76及び防護ガラス78の表面に、無反射コーティングを施してもよい。
図10Cは、複数の対物レンズ80をワークWの前面に配置した状態の側面図、図10Dは、その平面図である。レーザビームLBは、複数の対物レンズ80によって異なる複数の位置に集光し、ワークWの加工面に複数の照射点40を形成することができる。なお、複数の対物レンズ80の配置及び形状の組み合わせを選択することにより、加工面に所望の加工パターンを形成することができる。
図10Eは、プリズム型の対物レンズ82をワークWの前面に配置した状態の側面図、図10Fは、その平面図である。レーザビームLBは、対物レンズ82によって異なる2つの位置に集光し、ワークWの加工面に2つの照射点40を形成することができる。
このように、対物レンズ76、80又は82をワークWの前面に挿入することにより、ワークWの加工面における照射点40の拡大率に応じて、照射点40の位置を細かく調整することができる。例えば、対物レンズ76の拡大率が10倍であるとき、対物レンズ76に対するレーザビームLBの落射位置を100μm単位で制御する場合、ワークW上での照射点40の移動は10μm単位となる。また、対物レンズ76を用いてワークW上の制御ビームCBの集光点を拡大させてカメラ22で検出する場合、レーザビームLBの位置精度や、カメラ22の検出精度のスペックを変えることなく、高精度な位置決め制御を行うことができる。
なお、対物レンズ76、80又は82をワークWに沿って移動制御させれば、平面反射鏡14の間隙の影響を受けることなく、レーザビームLBを加工面に隙間無く照射させることができる。
ここで、ワークW上で照射点40を移動させる方法としては、レーザビームLBの落射位置に合わせて、対物レンズ76、80又は82の範囲内でレーザビームLBを移動させる場合と、レーザビームLBに対して対物レンズ76、80又は82を移動させる場合とがある。
例えば、レーザビームLBに対して対物レンズ76を移動させる場合、対物レンズ76は、ビーム移動ユニット12のガルバノモータ30X又は30Yを利用して動かすことができる。照射点40の移動量は、図5に示すように、平面反射鏡14に入射するレーザビームLBの角度Laに比例するため、照射点40の移動方向に合わせて対物レンズ76を移動させる。この場合、図10Aに示すように、対物レンズ76の焦点と照射点40の位置とがずれると、レーザビームLBの位置をティーチングした座標とずれてしまうため、焦点位置の修正処理が必要になる。
<焦点位置修正機構>
そこで、図11に示す構成に従い、焦点位置を修正する焦点位置修正機構92について説明する。
焦点位置修正機構92は、防護ガラス78の両側部に沿って矢印X方向に延在する2本のガイドレール94a、94bと、これらのガイドレール94a、94bに沿って矢印X方向に移動可能な移動体96とを備える。ガイドレール94b側には、ボールねじ98がガイドレール94bと平行に配設され、このボールねじ98に移動体96の端部が螺合する。また、移動体96は、矢印Y方向に延在するガイドレール98を有し、対物レンズ76がガイドレール99に沿って矢印Y方向に移動可能に配設される。
ボールねじ98には、ギアトレイン100を介してビーム移動ユニット12を構成するガルバノモータ30Xが連結される。従って、移動体96は、ガルバノモータ30Xによるガルバノミラー28Xの回転に基づき、レーザビームLBの焦点位置とカメラ22の視野の中心とが対応する位置となるように、矢印X方向に移動可能である。また、対物レンズ76には、ワイヤ102の一端部が連結され、ワイヤ102の他端部が連結されるギアトレイン104を介して、ビーム移動ユニット12を構成するガルバノモータ30Yが連結される。従って、対物レンズ76は、ガルバノモータ30Yによるガルバノミラー28Yの回転に基づき、レーザビームLBの焦点位置とカメラ22の視野の中心とが対応する位置となるように、矢印Y方向に移動可能である。ガルバノモータ30X及び30Yは、対物レンズ76を加工面に沿って移動させるレンズ移動手段であり、位置制御手段である制御部42により制御されることで、加工面におけるレーザビームLBの集光点の位置制御が行われる。なお、対物レンズ76の移動は、ガルバノモータ30X及び30Yとは別の駆動手段を用いて行うようにしてもよい。
ガルバノモータ30X及び30Yによるガルバノミラー28X及び28Yの回転に基づき、対物レンズ76をワークWに沿ってレーザビームLBの照射領域SW内で移動させることにより、対物レンズ76の焦点位置を、加工面に照射されるレーザビームLBのティーチングした座標に修正することができる。なお、焦点位置と照射点40とは、正確に一致させる必要はない。例えば、10μm単位で照射点40を移動制御する場合、対物レンズ76の位置精度は、1mm単位でよい。従って、対物レンズ76を駆動するギアトレイン100、104、ワイヤ102等は、多少の誤差を含むものであってもよい。
図11の焦点位置修正機構92において、レーザビームLBの照射点40の位置に合わせて、1つの対物レンズ76を移動範囲XW、YWの全範囲で高速に移動させることが困難な場合には、図12A又は図12Bに示すように、多数の対物レンズ106又は108を用いて対処することができる。
図12Aの場合、六角形の対物レンズ106を照射領域SWの全範囲を網羅するように配設することにより、個々の対物レンズ106をその大きさの範囲XW、YWで移動させるだけで、図11に示す焦点位置修正機構92と同等の効果を得ることができる。また、図12Bの場合、円形の対物レンズ108を所定間隔で矢印X方向に配設し、隣接する対物レンズ108の矢印X方向の移動範囲XWと、照射範囲SWの矢印Y方向の移動範囲YWとで対物レンズ108を移動させることにより、図11に示す焦点位置修正機構92と同等の効果を得ることができる。
ここで、図9A及び図9Bに示すレーザ加工装置90の場合、ワークWに照射されるレーザビームLBが集光ビームではなく平行光束であるため、対物レンズ76は、ガルバノモータ30X及び30Yを用いて移動させるのではなく、他の独立したモータを用いて移動させる。この場合、各平面反射鏡14に対応する照射点40の位置と、ガルバノミラー28X及び28Yの回転角度と、光路長との相関テーブルを作成し、この相関テーブルを用いて照射点40の座標を計算することにより、対物レンズ76の位置制御、照射点40の拡大縮小、焦点位置修正の各処理を行う。
なお、相関テーブルは、平面反射鏡14、カメラ22及びビーム移動ユニット12に取付誤差があるため、ビーム移動ユニット12に測長器を導入し、必要な照射点40の位置毎に撮影した画像に基づき、ガルバノミラー28X及び28Yの回転角度と光路長とを記録して作成する。この相関テーブルは、他のレーザ加工装置10、50、60における焦点位置修正機構に対しても適用することができる。
<マスク板の構成>
上記の各実施形態において、ワークW(W1、W2)の前面であって、ワークWの加工面と平面反射鏡14との間には、必要に応じて、マスクパターンが形成されたマスク板(加工パターン設定手段)を挿入することができる。その態様につき、図13Aの斜視説明図及び図13Bの平面図に基づいて説明する。なお、マスク板は、上述した対物レンズ76、106、108とともに使用することができる(図2)。
マスク板110は、レーザビームLBの透過率が部分的に異なるマスクパターン112を有する。マスクパターン112は、ワークWの加工面に形成されるレーザビームLBの加工パターンに対応して、例えば、ドーナツ形状、矩形形状、十字形状等、種々の形状とすることができる。また、マスクパターン112は、透過率が0%に近いもの、又は、透過率が連続的に変化するものとして形成することができる。マスクパターン112を透過したレーザビームLBは、その透過率に従った熱をワークWの加工面に付与することにより、加工面を所定の状態に加工する。
マスク板110の材料としては、マスクパターン112を形成したステンレス板を使用できる他、例えば、レーザビームLB及び制御ビームCBを透過させることのできるガラス板を使用し、その表面の一部をマスクパターン112に応じた磨りガラス状に加工することでレーザビームLBを散乱させ、ワークWに焦点を結ばせないように構成することもできる。また、制御ビームCBを透過させる一方、レーザビームLBを透過させない膜をガラス板の表面にコーティングしてもよい。
さらに、マスク板110として、マスクパターン112をクリーム半田で形成し、ワークWに接触するように載置すれば、マスク板110に照射されたレーザビームLBの熱エネルギによってクリーム半田が溶融し、ワークWにマスクパターン112に対応した形状の半田を転写させることができる。
なお、図10C又は図10Eに示すように、防護ガラス78に固定した対物レンズ80又は82の配置によって、所望のマスクパターンを形成することもできる。
このようなマスクパターン112を種々選択し、レーザビームLBの加工面での形状や熱エネルギの分布を規定することにより、半田付け、穿孔、切断、加熱等、様々な範囲に適用することができる。
<加工例>
図14A及び図14Bは、加工面に半球状の半田を乗せたワークWに制御ビームCBを照射し、その反射光をカメラ22で撮影して得られた画像114、116であり、各図の上段の画像114、116は、レーザビームLBを照射する前の画像であり、下段の画像114、116は、レーザビームLBをワークWに所定時間照射した後の画像である。
この場合、ワークWに入射する制御ビームCBの光軸に垂直な面で反射された制御ビームCBは、大半が散乱することなくカメラ22に戻るため、明るい輝点118として画像114、116に表れる。この輝点118は、レーザビームLBの熱により半田が溶融して形状がくずれることで、形状や位置が大きく変化する。従って、輝点118の状態を観測して制御すれば、半田の所望の溶融状態を得ることができる。
図14Cは、図3に示す制御部42によるレーザビームLBのビーム制御のフローチャートである。制御部42は、LED20から出力され、ワークWに照射された制御ビームCBによる画像をカメラ22を介して取り込む(ステップS1)。次いで、制御部42は、取り込んだ画像を処理し、輝点118の位置や形状に従い、レーザ発振器32から出力されるレーザビームLBの出力を調整してワークWに照射する(ステップS2)。また、制御部42は、輝点118の位置や形状から、半田の変形、融解の状態を判断し(ステップS3)、画像を再び取り込んで、レーザビームLBを調整する処理を繰り返す。このようにビーム制御を行うことにより、半田を所望の溶融状態とすることができる。
図15Aは、加工対象として、矩形状の銅箔120の上に長方形状のリード122を載置したワークを示す。図5Bは、上段がレーザビームLBを照射する前のワークの画像124であり、下段がレーザビームLBを所定時間照射することで、リード122の上に塗布または載置した半田、又は、リード122が溶融した後の画像126である。この場合、レーザビームLBは、リード122の形状に対応した長方形状の加工パターンとしてワークに照射される。
図15Cは、加工対象として、リング状の銅箔128の上に円柱形状のリード130を載置したワークを示す。図5Dは、上段がレーザビームLBを照射する前のワークの画像132であり、下段がレーザビームLBを所定時間照射することで、リード130の上に塗布又は載置した半田、又は、リード130が溶融した後の画像134である。この場合、レーザビームLBは、銅箔128の形状に対応した円形の加工パターンでワークに照射される。
図16は、図15A〜15Dのワークに照射されるレーザビームLBの出力パルスと、銅箔120、128、リード122、130及び半田の温度との関係を示す。適切な半田付けは、対象物と同じ温度であることが理想であるが、レーザビームLBのような熱線を対象物に照射する場合、銅箔120、128、リード122、130及び半田の反射率は異なるため、熱線の熱吸収率も大きく異なる。例えば、リード122、130及び半田は808nmの熱線を吸収し、銅箔120、128はこの熱線を反射する。また、酸化した銅箔120、128は、半田溶融する前に融けて孔が空いてしまう。従って、レーザビームLBの出力パルスは、銅箔120、128及びリード122、130の熱吸収率を考慮して設定する。なお、適切な半田付けを行うため、ビーム移動ユニット12に赤外線カメラを組み込み、対象物の温度を計測して、レーザビームLBの出力パルスを調整することが好適である。
<全体制御フロー>
次に、上述したレーザ加工装置10、50、60、90に対して、図11に示す焦点位置修正機構92を組み込んだシステムの全体の動作につき、図17A〜図17Eのフローチャートに基づいて説明する。
システムが起動されると、制御部42は、加工プログラムから制御コマンドを取り出し(ステップS11、図17A)、その制御コマンドが検査コマンドである場合(ステップS12、YES)、レーザビームLBの検査処理を実行する(ステップS13)。
検査処理では、先ず、焦点位置の修正処理が行われる(ステップS13A、図17B)。
そこで、制御部42は、ビーム移動ユニット12のガルバノモータ30X及び30Yを駆動し(ステップSA1、図17C)、ギアトレイン100、104を介して対物レンズ76を矢印X方向及びY方向に移動させる(図11)。制御部42は、LED20から出力された制御ビームCBをワークWに導き、ワークWによって反射された制御ビームCBを含む加工面をカメラ22により撮影し、加工面の画像を取り込む(ステップSA2)。次いで、制御部42は、取り込んだ画像を処理して、ワークWの加工面における対象物の形状を認識し、認識した形状に従い、ワークWに対する対物レンズ76の位置決めを行う。この場合、カメラ22に入射する制御ビームCBに基づく画像の視野は、レーザビームLBのビームスポットの範囲よりも格段に大きく設定されるため、制御部42は、この視野内の撮影された画像に基づき、対物レンズ76の焦点位置を、レーザビームLBの照射位置である加工位置にラフに修正することができる。
(ステップSA3)。対物レンズ76の位置を修正してもなお、対物レンズ76の焦点位置がティーチングによって得られた照射点40の所望の位置からずれており、焦点位置の修正が必要と判断された場合(ステップSA4、YES)、制御部42は、ステップSA1からの処理を繰り返す。一方、焦点位置を修正する必要がなく(ステップSA4、NO)、形状認識ができている場合には(ステップSA5、NO)、位置決め処理を終了する。また、形状認識ができていない場合には(ステップSA5、YES)、エラー処理を行って終了する(ステップSA6)。
焦点位置の修正処理が終了すると、制御部42は、その他の各種検査を行い(ステップS13B、図17B)、検査データを記録し、又は、登録する(ステップS13C)。
次に、制御部42は、制御コマンドが加工コマンドである場合(ステップS14、YES)、レーザビームLBによるワークWの加工処理を実行する(ステップS15)。
加工処理において、制御部42は、レーザビームLBの波長やカメラ22を含む計測系の焦点の位置ずれに伴うレーザビームLBの焦点位置を修正した後(ステップS15A、図17D)、レーザビームLBを制御してワークWを加工する(ステップS15B)。
ビーム制御において、制御部42は、カメラ22により撮影した制御ビームCBの画像を取り込み(ステップSB1、図17E)、取り込んだ画像を処理することにより、レーザビームLBの照射前の画像と照射後の画像、又は、照射中の所定時間間隔の前後における画像の差分を求める(ステップSB2)。制御部42は、求めた差分に基づき、レーザビームLBの出力を調整し、又は、レーザビームLBをON/OFFさせることで照射時間を調整してワークWの加工を行う(ステップSB3)。レーザビームLBの出力又は照射時間を調整しても、前記差分に十分な変化がないとき(ステップSB4、NO)、ステップSB1からの処理を繰り返し、レーザビームLBの出力又は照射時間を調整する。一方、レーザビームLBの出力が十分に変化した場合(ステップSB4、YES)、ビーム制御処理を終了する。
次に、制御部42は、次の処理が有る場合(ステップS16)、ステップS11からの処理を繰り返す。また、次の処理がない場合には(ステップS16、NO)、終了処理を行い(ステップS17)、全ての処理を終了する。
なお、本発明のレーザ加工装置は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で変更することが可能である。
例えば、レーザ加工装置10、50、60、90は、鉛直上方向からレーザビームLBをワークWに落射するものとして説明しているが、この方向に限定されるものではなく、上方向や横方向に配置されたワークWに対してレーザビームLBを照射する装置を含む。
また、ワークWを加工するビームとしては、レーザビームLB以外に、例えば、電子ビームや電磁波を含む任意のビームを用いることができる。
また、ワークWによって反射された制御ビームCBを検出する制御ビーム検出手段としては、CCDカメラ、フォトマルチプライア等の光電変換器、光検出器、検波器等を用いることができる。なお、ワークWの加工面を照明して画像を取得できるのであれば、制御ビームCB以外の照明光を照射してもよい。
また、ビーム移動ユニット12に対して、液晶マスクやデジタルミラーデバイス(DLP)等の光変調手段を組み込み、この光変調手段を画像情報に従って制御することにより、レーザ発振器32から出力されるレーザビームLBを変調し、所望の加工パターンをワークWの加工面に形成することができる。
また、例えば、図5Aでは、左右6枚、計12枚の平面反射鏡14を用いる場合について説明したが、これは、光路長が300mm〜400mmで、レーザビームLBのビーム径が平面反射鏡14上で10mm以上となる場合であり、光路長の誤差を1mm以内とした最適値である。従って、条件が異なれば、平面反射鏡14を種々の枚数とすることができる。
また、ビーム移動ユニット12を構成するガルバノモータ30X、30Yに代えて、例えば、停止精度の高い超音波モータを採用することができる。
また、レーザビームLBを移動させるビーム移動手段として、ガルバノミラー28X、2Yに代えて、例えば、ポリゴンミラーを採用することができる。
また、ビーム移動手段は、レーザビームLBを二次元方向に移動させる場合に限定されるものではなく、一次元方向にのみ移動させるものであってもよい。
本発明のレーザ加工装置は、実装ラインにおいて、手作業の半田付けや半田ロボットによる飛び出しピンの多いLED電極の多数点の加工処理に代えて、高効率なクリーム半田システムを提供することができる。
本発明のレーザ加工装置は、従来のような個々の狭い範囲で処理を行うことなく、広い範囲での処理ができるため、例えば、太陽電地基板や300mm幅以上のシート、パネルの穿孔や溶接、封し、検査等に適している。
本発明のレーザ加工装置は、ステージ移動を減らし、又は、無くすることにより、面積の大きな液体を載せた容器やフイルム、培養プレートや液浸物の検査や加工処理等に適している。固定して任意位置に細かく動かすことが難しい人体や動物、植物の多数位置を高速処理するのに適している。
本発明のレーザ加工装置は、フレキシブルシートの回路加工等を、ロールシートのまま、裁断することなく多数の穿孔、溶接、切断、半田付けを高速に行うことができる。
本発明のレーザ加工装置は、気体や液体の流れの上や中に設置し、その中を通過する物体の計測や加工に適している。例えば、河川の漂流物の計測、魚の計測を行うことができる。
本発明のレーザ加工装置は、マスク板を使いて、大面積に必要に応じてビーム露光できるので、液晶パネルや太陽電池パネルやシート、パネル、洋服生地、食品、包装容器等に所望のパターンや文字を形成することができる。
10、50、60、90…レーザ加工装置
12…ビーム移動ユニット
14…平面反射鏡
16…支持枠
18…レーザ光源
20…LED
22…カメラ
24…ハーフミラー
26…カメラ用ミラー
26a…開口部
28X、28Y…ガルバノミラー
30X、30Y…ガルバノモータ
32…レーザ発振器
34…ビームエキスパンダ
36…ビーム絞り
38…ビーム焦点レンズ
40…照射点
42…制御部
52a〜52e、62a〜62d…分配鏡
54…Fθレンズ
70…小反射鏡
72…半田
74…チップ
76、80、82…対物レンズ
78…防護ガラス
92…焦点位置修正機構
94a、94b、99…ガイドレール
96…移動体
98…ボールねじ
100、104…ギアトレイン
102…ワイヤ
110…マスク板
112…マスクパターン
118…輝点
120、128…銅箔
122、130…リード
CB…制御ビーム
LB…レーザビーム
W…ワーク

Claims (8)

  1. ビームをワークの加工面に照射し、当該加工面を加工するビーム加工装置において、
    前記ビームを出力する出力源と、
    前記出力源から出力された前記ビームを移動させるビーム移動手段と、
    前記ビーム移動手段と前記加工面との間の前記ビームの光路中に配設され、前記ビーム移動手段により移動される前記ビームを反射し、前記加工面に導く複数の反射鏡と、
    を備え、
    前記複数の反射鏡は、前記ビーム移動手段によって移動された前記ビームを前記加工面の異なる位置に略垂直に導くように、前記ビームの入射方向に応じた傾斜角度に設定されることを特徴とするビーム加工装置。
  2. 請求項1記載のビーム加工装置において、
    前記複数の反射鏡は、前記出力源から前記複数の反射鏡を介して前記加工面に至るまでの各光路長が略等しくなる位置に配設されることを特徴とするビーム加工装置。
  3. 請求項1又は2項に記載のビーム加工装置において、
    前記複数の反射鏡と前記加工面との間に配設され、前記加工面に照射される前記ビームの加工パターンを設定する加工パターン設定手段を備えることを特徴とするビーム加工装置。
  4. 請求項1〜3のいずれか1項に記載のビーム加工装置において、
    前記ビーム移動手段と前記複数の反射鏡との間に配設され、前記ビーム移動手段により移動された前記ビームを反射して前記複数の反射鏡に分配する複数の分配鏡を備えることを特徴とするビーム加工装置。
  5. 請求項1〜4のいずれか1項に記載のビーム加工装置において、
    前記複数の反射鏡と前記加工面との間に配設され、前記ビームを前記加工面に集光させる集光レンズを備えることを特徴とするビーム加工装置。
  6. 請求項5記載のビーム加工装置において、
    前記集光レンズを前記加工面に沿って移動させるレンズ移動手段と、
    前記レンズ移動手段を制御し、前記加工面における前記ビームの集光点の位置制御を行う位置制御手段と、
    を備えることを特徴とするビーム加工装置。
  7. 請求項1〜6のいずれか1項に記載のビーム加工装置において、
    前記ビームと同軸の制御ビームを前記加工面に照射する制御ビーム照射手段と、
    前記加工面によって反射された前記制御ビームを検出する制御ビーム検出手段と、
    前記制御ビーム検出手段により検出された前記制御ビームに基づき、前記加工面における前記ビームの照射位置及び/又は前記ビームの出力を制御するビーム制御手段と、
    を備えることを特徴とするビーム加工装置。
  8. 請求項1〜6のいずれか1項に記載のビーム加工装置において、
    前記加工面の画像を撮影するカメラと、
    前記カメラにより撮影された画像に基づき、前記加工面における前記ビームの照射位置を制御するビーム制御手段と、
    を備えることを特徴とするビーム加工装置。
JP2012551767A 2011-01-05 2011-01-05 ビーム加工装置 Active JP5727518B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2011/050022 WO2012093471A1 (ja) 2011-01-05 2011-01-05 ビーム加工装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2012093471A1 JPWO2012093471A1 (ja) 2014-06-09
JP5727518B2 true JP5727518B2 (ja) 2015-06-03

Family

ID=46457339

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012551767A Active JP5727518B2 (ja) 2011-01-05 2011-01-05 ビーム加工装置

Country Status (8)

Country Link
US (1) US10081075B2 (ja)
EP (1) EP2662177A1 (ja)
JP (1) JP5727518B2 (ja)
KR (1) KR20130130769A (ja)
CN (1) CN103282155B (ja)
AU (1) AU2011353979B2 (ja)
RU (1) RU2587367C2 (ja)
WO (1) WO2012093471A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013116488A (ja) * 2011-12-04 2013-06-13 Kiyoyuki Kondo ビーム加工装置及びそれを用いた基板の加工方法

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014079478A1 (en) 2012-11-20 2014-05-30 Light In Light Srl High speed laser processing of transparent materials
EP2754524B1 (de) 2013-01-15 2015-11-25 Corning Laser Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie
EP2781296B1 (de) 2013-03-21 2020-10-21 Corning Laser Technologies GmbH Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser
DE102013217783A1 (de) * 2013-09-05 2015-03-05 Sauer Gmbh Lasertec Verfahren zur Bearbeitung eines Werkstücks mittels eines Laserstrahls, Laserwerkzeug, Lasermaschine, Maschinensteuerung
US9676167B2 (en) 2013-12-17 2017-06-13 Corning Incorporated Laser processing of sapphire substrate and related applications
US20150165560A1 (en) 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Laser processing of slots and holes
US9850160B2 (en) 2013-12-17 2017-12-26 Corning Incorporated Laser cutting of display glass compositions
US9815730B2 (en) 2013-12-17 2017-11-14 Corning Incorporated Processing 3D shaped transparent brittle substrate
US10442719B2 (en) 2013-12-17 2019-10-15 Corning Incorporated Edge chamfering methods
US11556039B2 (en) 2013-12-17 2023-01-17 Corning Incorporated Electrochromic coated glass articles and methods for laser processing the same
US10293436B2 (en) 2013-12-17 2019-05-21 Corning Incorporated Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom
US9701563B2 (en) 2013-12-17 2017-07-11 Corning Incorporated Laser cut composite glass article and method of cutting
US10195692B2 (en) * 2014-06-12 2019-02-05 General Electric Company Parallel direct metal laser melting
EP3166895B1 (en) 2014-07-08 2021-11-24 Corning Incorporated Methods and apparatuses for laser processing materials
JP2017530867A (ja) * 2014-07-14 2017-10-19 コーニング インコーポレイテッド 長さおよび直径の調節可能なレーザビーム焦線を用いて透明材料を加工するためのシステムおよび方法
EP3169635B1 (en) 2014-07-14 2022-11-23 Corning Incorporated Method and system for forming perforations
US10335902B2 (en) 2014-07-14 2019-07-02 Corning Incorporated Method and system for arresting crack propagation
CN107073641B (zh) 2014-07-14 2020-11-10 康宁股份有限公司 接口块;用于使用这种接口块切割在波长范围内透明的衬底的***和方法
US10047001B2 (en) 2014-12-04 2018-08-14 Corning Incorporated Glass cutting systems and methods using non-diffracting laser beams
JP2018507154A (ja) 2015-01-12 2018-03-15 コーニング インコーポレイテッド マルチフォトン吸収方法を用いた熱強化基板のレーザー切断
WO2016154284A1 (en) 2015-03-24 2016-09-29 Corning Incorporated Laser cutting and processing of display glass compositions
KR20170131638A (ko) 2015-03-27 2017-11-29 코닝 인코포레이티드 가스 투과성 유리창 및 이의 제작방법
JP7082042B2 (ja) 2015-07-10 2022-06-07 コーニング インコーポレイテッド 可撓性基体シートに孔を連続形成する方法およびそれに関する製品
US10263609B2 (en) * 2016-04-04 2019-04-16 Ciena Corporation Oven controlled crystal oscillator device cover
MY194570A (en) 2016-05-06 2022-12-02 Corning Inc Laser cutting and removal of contoured shapes from transparent substrates
US10410883B2 (en) 2016-06-01 2019-09-10 Corning Incorporated Articles and methods of forming vias in substrates
US10794679B2 (en) 2016-06-29 2020-10-06 Corning Incorporated Method and system for measuring geometric parameters of through holes
CN109803934A (zh) 2016-07-29 2019-05-24 康宁股份有限公司 用于激光处理的装置和方法
US10522963B2 (en) 2016-08-30 2019-12-31 Corning Incorporated Laser cutting of materials with intensity mapping optical system
CN107868976B (zh) * 2016-09-23 2020-06-12 株式会社村田制作所 处理装置、部件输送装置以及处理方法
CN109803786B (zh) 2016-09-30 2021-05-07 康宁股份有限公司 使用非轴对称束斑对透明工件进行激光加工的设备和方法
JP6877951B2 (ja) * 2016-10-21 2021-05-26 川崎重工業株式会社 光照射装置及び光読取装置
KR102428350B1 (ko) 2016-10-24 2022-08-02 코닝 인코포레이티드 시트형 유리 기판의 레이저 기반 기계 가공을 위한 기판 프로세싱 스테이션
US10752534B2 (en) 2016-11-01 2020-08-25 Corning Incorporated Apparatuses and methods for laser processing laminate workpiece stacks
KR102603393B1 (ko) * 2016-12-06 2023-11-17 삼성디스플레이 주식회사 레이저 가공 장치
US10688599B2 (en) 2017-02-09 2020-06-23 Corning Incorporated Apparatus and methods for laser processing transparent workpieces using phase shifted focal lines
US10580725B2 (en) 2017-05-25 2020-03-03 Corning Incorporated Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same
US11078112B2 (en) 2017-05-25 2021-08-03 Corning Incorporated Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same
US10626040B2 (en) 2017-06-15 2020-04-21 Corning Incorporated Articles capable of individual singulation
RU2661165C1 (ru) * 2017-10-25 2018-07-12 Акционерное общество "Новосибирский приборостроительный завод" Способ и устройство формирования микроканалов на подложках из оптического стекла, оптических кристаллов и полупроводниковых материалов фемтосекундными импульсами лазерного излучения
US11554984B2 (en) 2018-02-22 2023-01-17 Corning Incorporated Alkali-free borosilicate glasses with low post-HF etch roughness
CN111438441A (zh) * 2020-05-08 2020-07-24 华南理工大学 一种激光焊接装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56500529A (ja) * 1979-05-07 1981-04-23 Baasel Carl Lasertech
JPS5918121A (ja) * 1982-07-21 1984-01-30 Toshiba Corp ガラス系部材用溶接装置
JPH0498385U (ja) * 1991-01-28 1992-08-25
JP2002519715A (ja) * 1998-06-24 2002-07-02 オプティカル エンジニアリング インコーポレイテッド 孔部連動レーザー走査装置
JP2002346775A (ja) * 2001-05-29 2002-12-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザ加工装置及び方法
JP2004020983A (ja) * 2002-06-18 2004-01-22 Sumitomo Heavy Ind Ltd ビーム走査方法及び装置
JP2008286865A (ja) * 2007-05-15 2008-11-27 Canon Inc 画像形成装置、及びその制御方法
JP2010188396A (ja) * 2009-02-19 2010-09-02 Hitachi High-Technologies Corp レーザ加工方法、レーザ加工装置及びソーラパネル製造方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS583478B2 (ja) * 1978-03-03 1983-01-21 株式会社日立製作所 レ−ザ加熱方法および装置
RU2034687C1 (ru) 1992-06-08 1995-05-10 Александр Михайлович Любченко Установка для лазерной обработки деталей
US5393482A (en) * 1993-10-20 1995-02-28 United Technologies Corporation Method for performing multiple beam laser sintering employing focussed and defocussed laser beams
US5784155A (en) * 1996-02-08 1998-07-21 Kabushiki Kaisha Topcon Laser survey instrument
JPH09107168A (ja) * 1995-08-07 1997-04-22 Mitsubishi Electric Corp 配線基板のレーザ加工方法、配線基板のレーザ加工装置及び配線基板加工用の炭酸ガスレーザ発振器
JP2000334594A (ja) 1999-05-25 2000-12-05 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザー加工装置及びレーザー加工方法
US6573162B2 (en) * 1999-12-24 2003-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus and method of fabricating a semiconductor device
US6373633B1 (en) 2000-07-06 2002-04-16 Mems Optical, Llc Shaping irradiance profiles using optical elements with positive and negative optical powers
EP1451907A4 (en) * 2001-06-13 2007-05-09 Orbotech Ltd MULTI-RAY MICRO-PROCESSING SYSTEM AND METHOD
KR100700997B1 (ko) * 2001-06-21 2007-03-28 삼성전자주식회사 기판 다중 절단 방법 및 이를 수행하기 위한 기판 다중절단 장치
US6770546B2 (en) * 2001-07-30 2004-08-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
US6750423B2 (en) * 2001-10-25 2004-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method, laser irradiation apparatus, and method of manufacturing a semiconductor device
JP3934536B2 (ja) * 2001-11-30 2007-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射装置およびレーザ照射方法、並びに半導体装置の作製方法
US6756563B2 (en) * 2002-03-07 2004-06-29 Orbotech Ltd. System and method for forming holes in substrates containing glass
WO2003080283A1 (fr) 2002-03-26 2003-10-02 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Dispositif de positionnement de faisceau laser destine a un appareil laser
SE521787C2 (sv) 2002-04-05 2003-12-09 Volvo Aero Corp Anordning och förfarande för kontroll av ett svetsområde, inrättning och förfarande för styrning av en svetsoperation, datorprogram och datorprogramprodukt
US7521651B2 (en) * 2003-09-12 2009-04-21 Orbotech Ltd Multiple beam micro-machining system and method
US7728954B2 (en) * 2006-06-06 2010-06-01 Asml Netherlands B.V. Reflective loop system producing incoherent radiation
CN200967824Y (zh) 2006-10-26 2007-10-31 华中科技大学温州先进制造技术研究院 一种皮革密集微孔激光打孔装置
RU2382693C1 (ru) 2008-07-17 2010-02-27 Открытое акционерное общество Национальный институт авиационных технологий (ОАО НИАТ) Способ газолазерной резки композиционных материалов
RU2371704C1 (ru) 2008-07-25 2009-10-27 Государственное Научное Учреждение "Институт Физики Имени Б.И. Степанова Национальной Академии Наук Беларуси" Устройство для контроля лазерных технологических процессов
JP2010142846A (ja) 2008-12-19 2010-07-01 Panasonic Electric Works Co Ltd 3次元走査型レーザ加工機
CN201677138U (zh) * 2010-05-11 2010-12-22 苏州市博海激光科技有限公司 辊类表面单头集成聚焦高功率激光毛化加工装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56500529A (ja) * 1979-05-07 1981-04-23 Baasel Carl Lasertech
JPS5918121A (ja) * 1982-07-21 1984-01-30 Toshiba Corp ガラス系部材用溶接装置
JPH0498385U (ja) * 1991-01-28 1992-08-25
JP2002519715A (ja) * 1998-06-24 2002-07-02 オプティカル エンジニアリング インコーポレイテッド 孔部連動レーザー走査装置
JP2002346775A (ja) * 2001-05-29 2002-12-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザ加工装置及び方法
JP2004020983A (ja) * 2002-06-18 2004-01-22 Sumitomo Heavy Ind Ltd ビーム走査方法及び装置
JP2008286865A (ja) * 2007-05-15 2008-11-27 Canon Inc 画像形成装置、及びその制御方法
JP2010188396A (ja) * 2009-02-19 2010-09-02 Hitachi High-Technologies Corp レーザ加工方法、レーザ加工装置及びソーラパネル製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013116488A (ja) * 2011-12-04 2013-06-13 Kiyoyuki Kondo ビーム加工装置及びそれを用いた基板の加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012093471A1 (ja) 2012-07-12
JPWO2012093471A1 (ja) 2014-06-09
RU2013136304A (ru) 2015-02-10
AU2011353979A1 (en) 2013-07-18
RU2587367C2 (ru) 2016-06-20
CN103282155B (zh) 2015-08-05
KR20130130769A (ko) 2013-12-02
EP2662177A1 (en) 2013-11-13
US20130270240A1 (en) 2013-10-17
US10081075B2 (en) 2018-09-25
AU2011353979B2 (en) 2016-03-03
CN103282155A (zh) 2013-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5727518B2 (ja) ビーム加工装置
US8390795B2 (en) Multiple mirror calibration system
JP2003164985A (ja) レーザー光による材料の同時一括溶融方法及び装置
JP6735234B2 (ja) 露光ヘッド、露光装置、および露光ヘッドを作動させる方法
JP2007283403A (ja) レーザ溶接装置およびその調整方法
JP2003200286A (ja) レーザマイクロスポット溶接装置
US20130082037A1 (en) Method of ablating a three-dimensional surface using a laser ablation device and through the use of a calibration step; device for implementing such a method
JP2008119716A (ja) レーザ加工装置およびレーザ加工装置における焦点維持方法
JP2018512059A (ja) アライメントフィーチャを用いた独立側部測定を介する適応部分プロファイル生成
JP2013130856A (ja) レンズユニットおよびレーザ加工装置
JP2013130856A5 (ja)
JP2000202655A (ja) レ―ザ―マ―キング装置
JP2011000625A (ja) 広域落射ビーム機
JP5268749B2 (ja) 基板状態検査方法及びレーザ加工装置並びにソーラパネル製造方法
JP2007029959A (ja) レーザ加工機
JP5371514B2 (ja) レーザ光状態検査方法及び装置並びにソーラパネル製造方法
CN113547228A (zh) 一种激光加工装置、方法及***
JP5328406B2 (ja) レーザ加工方法、レーザ加工装置及びソーラパネル製造方法
KR20180115618A (ko) 집광점 위치 검출 방법
TWI517924B (zh) 光束加工裝置
KR20200068811A (ko) 레이저 가공 장치
TW202241623A (zh) 雷射加工裝置的調整方法以及雷射加工裝置
JP2016133370A (ja) レーザー光線の検査方法
JP7355629B2 (ja) レーザー加工装置の調整方法
KR20060088276A (ko) 광센서부 및 빔 제어수단을 구비한 레이저 가공장치

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150303

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150402

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5727518

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250