JP5721658B2 - アルミン酸マグネシウム質焼結体 - Google Patents
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Description
面積%を超える結晶を主結晶相とする。
θ=42.5°〜43.5°の間のMgNiO2のX線回折ピーク強度I2とのピーク強度比(I2/I1)が、0.001≦I2/I1≦0.2であることが好適である。X線回折チャートにおける主結晶相であるMgAl2O4のピーク強度I1に対し、MgNiO2のピーク強度I2の比率(I2/I1)を上記範囲内とすることにより、アルミン酸マグネシウム質焼結体中に含まれるMgNiO2の量を適正化することができるため、耐食性を向上させることができるとともに、結晶粒界に存在するMgNiO2結晶が、主結晶相であるMgAl2O4の粒成長を抑制して微細で均質な結晶組織となるため、緻密性を向上させることが可能となる。
るまで湿式粉砕した後、スプレードライヤーで噴霧造粒して本実施形態のアルミン酸マグネシウム質焼結体の原料粉末を得る。
理論定比の質量比率で混合するのがより好適である。
であると、特に、明度が小さくなる傾向があるため、入射光の反射を抑制できる傾向がある。
供給ノズル7が設けられている。また、上部容器1の周囲には、誘導コイル8が設けられている。
、真空ポンプ9により容器3内を所定の真空度まで排気して、次いで、静電チャック5により半導体ウエハ6を静電吸着した後、ガス供給ノズル7からエッチングガスとして、例えばハロゲン系腐食性ガスを供給しつつ、RF電源から誘導コイル8に通電する。これにより、半導体ウエハ6の上方部分にエッチングガスのプラズマが形成され、半導体ウエハ6が所定パターンにエッチングされる。
5質量%および純水100質量%を添加してアルミナボールを使用したボールミルにより混
合し、スプレードライヤーで噴霧造粒し試料No.1の原料粉末を得た。
し、得られたX線回折チャートの各ピークをJCPDSカードに基づき主結晶相を同定するとともに、MgNiO2の結晶およびMgAl2O4の結晶の有無を確認した。
測定の条件で測定し、得られたX線回折チャートの各ピークをJCPDSカードに基づき同定した後、主結晶相であるMgAl2O4のピーク強度I1と、MgNiO2のピーク強度I2の比率I2/I1を求めた。
以上0.2以下である試料No.5〜9は、気孔率が0.1%以下となっており、エッチングレート比が0.85以下で特に耐食性が良好となることがわかった。
2:下部容器
3:容器
4:支持テーブル
5:静電チャック
6:半導体ウエハ
7:ガス供給ノズル
8:誘導コイル
9:真空ポンプ
10:プラズマエッチング装置
Claims (2)
- アルミン酸マグネシウムを主結晶相とし、かつMgNiO2の結晶を含むことを特徴とするアルミン酸マグネシウム質焼結体。
- 前記アルミン酸マグネシウムがMgAl2O4であって、2θ=36.8°〜36.9°の間のMgAl2O4のX線回折ピーク強度I1と、2θ=42.5°〜43.5°の間のMgNiO2のX線回折ピーク強度I2とのピーク強度比(I2/I1)が、0.001≦I2/I1≦0.2であることを特徴とする請求項1に記載のアルミン酸マグネシウム質焼結体。
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JP2012080744A JP5721658B2 (ja) | 2012-03-30 | 2012-03-30 | アルミン酸マグネシウム質焼結体 |
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JP2012080744A JP5721658B2 (ja) | 2012-03-30 | 2012-03-30 | アルミン酸マグネシウム質焼結体 |
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