JP5716268B2 - ハードディスク装置およびその駆動方法 - Google Patents
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Description
本発明は、光源として半導体レーザを備え、熱アシスト磁気記録を行うハードディスク装置およびその駆動方法に関するものである。
図１は、ハードディスク装置の構成の一例を示す図である。
このハードディスク装置１は、ヘッド・ディスク・アセンブリ２、信号処理回路３、モーター・ドライバ４、そしてシステム全体を制御するシステムコントローラ（マイクロコンピュータ：マイコン）５、の大きく４つに分かれている。
ヘッド・ディスク・アセンブリ２は、情報を格納する磁気ディスク２１と、それを回転させるスピンドル・モータ２２、磁気ディスク２１への情報の記録・再生を行う記録ヘッド２３と再生ヘッド２４、リードライトアンプ２５などを有する。
ヘッド・ディスク・アセンブリ２は、これの機構部品とボイスコイル・モータ２６等が一体になって構成されている。
記録ヘッド２３と再生ヘッド２４は、磁気ディスク２１上を半径方向に移動するために、キャリッジの先端に取り付けられており、そのキャリッジはボイスコイル・モータ２６によって駆動される。
また、記録ヘッド２３を駆動するライト・アンプ２５Ｗ、再生ヘッド２４からの信号を増幅するリード・アンプ２５Ｒは、通常リード／ライト・アンプ２５として一つのＩＣで形成されている。
近年の高転送レート化に対応するため、記録ヘッド２３・再生ヘッド２４への配線長を短くするため、リード／ライト・アンプ２５もキャリッジ上に搭載されるようになっている。
ヘッド・ディスク・アセンブリ２は、これの機構部品とボイスコイル・モータ２６等が一体になって構成されている。
記録ヘッド２３と再生ヘッド２４は、磁気ディスク２１上を半径方向に移動するために、キャリッジの先端に取り付けられており、そのキャリッジはボイスコイル・モータ２６によって駆動される。
また、記録ヘッド２３を駆動するライト・アンプ２５Ｗ、再生ヘッド２４からの信号を増幅するリード・アンプ２５Ｒは、通常リード／ライト・アンプ２５として一つのＩＣで形成されている。
近年の高転送レート化に対応するため、記録ヘッド２３・再生ヘッド２４への配線長を短くするため、リード／ライト・アンプ２５もキャリッジ上に搭載されるようになっている。
信号処理回路３は、変調回路３１、記録補償回路３２、リード・チャネル回路３３、サーボ・データ検出回路３４、ＥＣＣ符号化スクランブル回路３５、ＥＣＣ復号化デスクランブル回路３６、ホストインタフェース（Ｉ／Ｆ）３７を有する。
また、信号処理回路３は、ＳＤＲＡＭ３８、および記録クロック部３９を有する。
また、信号処理回路３は、ＳＤＲＡＭ３８、および記録クロック部３９を有する。
信号処理回路３は、ホストから送られたユーザー・データから記録データを生成したり、再生信号からユーザー・データを再生してホストに送る。
ホストから送られたユーザー・データは、ＥＣＣコードの付加・符号化・スクランブルなどの処理を行い、変調回路３１において記録クロックに同期した記録データが生成され、ライト・アンプ２５Ｗに送られる。
ライト・アンプ２５Ｗが記録データに従ってシステムコントローラ５から指示される記録電流で磁界ヘッドを駆動することにより、変調磁界が生成される。
近年の高密度記録においては、近接して生成された磁区の影響により磁化反転位置がずれてしまう現象が見られており、記録補償回路３２によりそのずれをあらかじめ補償する技術が用いられている。
リード・アンプ２５Ｒから送られてくる再生信号は、リード・チャネル回路３３において、波形等化・ビタビ復号・復調などいわゆるＰＲＭＬに基づく信号処理が行われる。
さらに、スクランブルの解除・復号・エラー訂正などの処理を経て、ユーザー・データが生成される。
ホストから送られたユーザー・データは、ＥＣＣコードの付加・符号化・スクランブルなどの処理を行い、変調回路３１において記録クロックに同期した記録データが生成され、ライト・アンプ２５Ｗに送られる。
ライト・アンプ２５Ｗが記録データに従ってシステムコントローラ５から指示される記録電流で磁界ヘッドを駆動することにより、変調磁界が生成される。
近年の高密度記録においては、近接して生成された磁区の影響により磁化反転位置がずれてしまう現象が見られており、記録補償回路３２によりそのずれをあらかじめ補償する技術が用いられている。
リード・アンプ２５Ｒから送られてくる再生信号は、リード・チャネル回路３３において、波形等化・ビタビ復号・復調などいわゆるＰＲＭＬに基づく信号処理が行われる。
さらに、スクランブルの解除・復号・エラー訂正などの処理を経て、ユーザー・データが生成される。
システムコントローラ５は、図１ではサーボ信号処理部だけを記しているが、ホストから指示される動作コマンドに応じて、システム全体の制御をつかさどる。
サーボ信号処理部５１には再生信号から検出したサーボ・データが送られ、ボイスコイル・モータ２６やスピンドル・モータ２２などを制御する。
サーボ信号処理部５１には再生信号から検出したサーボ・データが送られ、ボイスコイル・モータ２６やスピンドル・モータ２２などを制御する。
モーター・ドライバ４は、サーボ信号処理部５１からの指示にしたがって、ボイスコイル・モータ２６やスピンドル・モータ２２を駆動する。
［ゾーン・ビット・レコーディング］
ここで、ゾーン・ビット・レコーディングについて説明する。
ハードディスク装置１では、磁気ディスク２１は一定の回転数で回転している。
外周ほど線速度（ヘッド・媒体の相対速度）は高くなるため、一定のチャネル・クロック周波数で記録していると、外周ほど線密度が低くなってしまう。
そこで、図２（Ａ）に示すように、１枚のディスクをチャネル・クロック周波数の異なる複数のゾーンに分けている。
図２（Ｂ）のように、外周側のゾーンにいくほどチャネル・クロック周波数を高くすることにより、線密度の低下を回避し、１枚のディスクに格納できる情報量を増やしている。
一つのゾーンのなかでは、チャネル・クロック周波数は一定であるが、半径によって線速度・線密度は徐々に変化していく。
ここで、ゾーン・ビット・レコーディングについて説明する。
ハードディスク装置１では、磁気ディスク２１は一定の回転数で回転している。
外周ほど線速度（ヘッド・媒体の相対速度）は高くなるため、一定のチャネル・クロック周波数で記録していると、外周ほど線密度が低くなってしまう。
そこで、図２（Ａ）に示すように、１枚のディスクをチャネル・クロック周波数の異なる複数のゾーンに分けている。
図２（Ｂ）のように、外周側のゾーンにいくほどチャネル・クロック周波数を高くすることにより、線密度の低下を回避し、１枚のディスクに格納できる情報量を増やしている。
一つのゾーンのなかでは、チャネル・クロック周波数は一定であるが、半径によって線速度・線密度は徐々に変化していく。
［熱アシスト磁気記録］
次に、熱アシスト磁気記録について説明する。
記録密度の向上にともない熱揺らぎによるデータ消失のリスクが高まっており、その対策として熱アシスト磁気記録が提案されている（たとえば特許文献１参照）。
熱アシスト磁気記録は、保持力の高い媒体を用いることで熱揺らぎの問題を回避するものである。
この高保持力媒体は、一般的な記録ヘッドでは記録できない。
微小な光スポット照射して媒体温度を上げることにより保持力を低下させることができ、従来同様の記録ヘッドで記録することができる。
微小な光スポットを作る光源としては、小型で出射光の波長・位相がそろった半導体レーザが適している。
次に、熱アシスト磁気記録について説明する。
記録密度の向上にともない熱揺らぎによるデータ消失のリスクが高まっており、その対策として熱アシスト磁気記録が提案されている（たとえば特許文献１参照）。
熱アシスト磁気記録は、保持力の高い媒体を用いることで熱揺らぎの問題を回避するものである。
この高保持力媒体は、一般的な記録ヘッドでは記録できない。
微小な光スポット照射して媒体温度を上げることにより保持力を低下させることができ、従来同様の記録ヘッドで記録することができる。
微小な光スポットを作る光源としては、小型で出射光の波長・位相がそろった半導体レーザが適している。
図３は、熱アシスト磁気記録における媒体の様子を示す図である。
従来の記録方式では、記録密度を上げるために記録ヘッドを小さくすると、発生できる磁界が小さくなってしまい記録に必要な磁界が得られない、という問題があった。
この方式では、微小な光スポットを形成することにより、光スポット相当の記録ヘッドよりも小さい磁区を形成することができ、線方向・トラック方向の両方について記録密度を上げることができる。
従来の記録方式では、記録密度を上げるために記録ヘッドを小さくすると、発生できる磁界が小さくなってしまい記録に必要な磁界が得られない、という問題があった。
この方式では、微小な光スポットを形成することにより、光スポット相当の記録ヘッドよりも小さい磁区を形成することができ、線方向・トラック方向の両方について記録密度を上げることができる。
図４（Ａ）および（Ｂ）は、熱アシスト磁気記録における、記録磁界・光波形を示す図である。
図４（Ａ）に示す記録磁界は、通常の磁気記録と同様に記録データに応じた交番磁界である。
一方、図４（Ｂ）に示す光スポットは、チャネル・クロック周期で間欠的に照射させる。
この光スポットにより媒体温度が上昇し保持力が下がった領域について、記録磁界に従った磁区が形成される。
光スポットの波形は、媒体の温度分布、ひいては、形成される磁区の形状を決めることになる。
したがって、高密度記録を実現するためには、記録磁界に対する光波形の位相をはじめ、そのパルス幅・光パワーを適切に制御する必要がある。
図４（Ａ）に示す記録磁界は、通常の磁気記録と同様に記録データに応じた交番磁界である。
一方、図４（Ｂ）に示す光スポットは、チャネル・クロック周期で間欠的に照射させる。
この光スポットにより媒体温度が上昇し保持力が下がった領域について、記録磁界に従った磁区が形成される。
光スポットの波形は、媒体の温度分布、ひいては、形成される磁区の形状を決めることになる。
したがって、高密度記録を実現するためには、記録磁界に対する光波形の位相をはじめ、そのパルス幅・光パワーを適切に制御する必要がある。
ところで、ハードディスク装置は磁気ディスクの回転数が一定のため、半径によって線速度が変化する。さらに、ゾーン・ビット・レコーディングでは、ゾーンによってチャネル・クロック周波数を変化させる。
その結果、外周ほど線速度は速くなり、チャネル・クロック周波数は高くなる。
その結果、外周ほど線速度は速くなり、チャネル・クロック周波数は高くなる。
光スポットがディスク上を走査していく熱アシスト磁気記録では、線速度やチャネル・クロック周波数の変化により媒体の温度分布が変化する。
したがって、線速度やチャネル・クロック周波数に応じて、光スポットの記録磁界に対する位相・パルス幅・光パワーを変化させる仕組みが必要である。
したがって、線速度やチャネル・クロック周波数に応じて、光スポットの記録磁界に対する位相・パルス幅・光パワーを変化させる仕組みが必要である。
本発明は、線速度やチャネル・クロック周波数の変化の下でも、良好な記録特性を得ることができるハードディスク装置およびその駆動方法を提供することにある。
本発明の第１の観点のハードディスク装置は、一定の回転数で回転され、半径方向に、データを記録するためのチャネル・クロック周波数が異なる複数のゾーンに分割され、一つのゾーンの中では上記チャネル・クロック周波数は一定とされ、半径によって線密度が徐々に変化するディスク状磁気記録媒体と、上記磁気記録媒体に情報を記録する記録ヘッドと、記録クロック周期で発光制御されて光スポットを上記磁気記録媒体に照射して上記記録ヘッドによる磁気記録の熱アシストを行う半導体レーザと、発光タイミング信号に応じたタイミングおよびレーザパワー制御信号に応じた光パワーで半導体レーザを駆動するレーザ駆動回路と、上記磁気記録媒体、上記半導体レーザ、上記記録ヘッドの少なくともひとつの特性に応じてレーザパワーを設定し、線速度および上記チャネル・クロック周波数の少なくとも一方に応じてレーザパワーを変化させるように上記レーザパワー制御信号を上記レーザ駆動回路に出力するコントローラと、記録クロックを遅延量制御信号に応じた遅延量をもって遅延させ、この遅延させた記録クロックを出力する可変遅延回路と、上記可変遅延回路で遅延された上記記録クロックに同期したパルス列を生成して発光タイミング信号として上記レーザ駆動回路に出力し、当該パルス幅をパルス幅制御信号に応じて変化させることが可能なパルス生成回路と、を含み、上記パルス生成回路は、発光タイミング信号のパルス幅が上記記録クロック周期未満の幅を持つようにパルス幅制御信号に応じてパルス幅を変化させ、上記コントローラは、線速度変化に対する制御において、線速度の上昇に対して、光パワーを高くし、記録磁界に対する遅延量を大きくし、かつパルス幅を狭くするように、上記レーザパワー制御信号、上記遅延量制御信号、および上記パルス幅制御信号を生成し、上記記録クロックから上記記録ヘッドおよび上記半導体レーザへの遅延差を吸収して記録磁界に対する発光タイミングを調整し、線速度および上記チャネル・クロック周波数の少なくとも一方に応じて、上記半導体レーザの発光タイミングを変化させ、上記磁気記録媒体、上記半導体レーザ、上記記録ヘッドの少なくともひとつの特性に応じて遅延量およびパルス幅を設定し、線速度および上記チャネル・クロック周波数の少なくとも一方に応じて、上記遅延量を変化させるように上記遅延量制御信号を上記可変遅延回路に出力し、発光パルス幅を変化させるように上記遅延量制御信号および上記パルス幅制御信号を上記パルス生成回路に出力し、上記レーザ駆動回路は、パルス幅が調整された発光タイミング信号に応じたタイミングで、上記レーザパワー制御信号で指示されるレーザ駆動パワーで上記半導体レーザを駆動する。
本発明の第２の観点のハードディスク装置の駆動方法は、一定の回転数で回転され、半径方向に、データを記録するためのチャネル・クロック周波数が異なる複数のゾーンに分割され、一つのゾーンの中では上記チャネル・クロック周波数は一定とされ、半径によって線密度が徐々に変化するディスク状磁気記録媒体と、上記磁気記録媒体に情報を記録する記録ヘッドと、記録クロック周期で発光制御されて光スポットを上記磁気記録媒体に照射して上記記録ヘッドによる磁気記録の熱アシストを行う半導体レーザと、発光タイミング信号に応じたタイミングおよびレーザパワー制御信号に応じた光パワーで半導体レーザを駆動するレーザ駆動回路と、を有し、上記磁気記録媒体、上記半導体レーザ、上記記録ヘッドの少なくともひとつの特性に応じてレーザパワーを設定し、線速度および上記チャネル・クロック周波数の少なくとも一方に応じてレーザパワーを変化させてハードディスク装置の半導体レーザを駆動するに際し、記録クロックを遅延量制御信号に応じた遅延量をもって遅延させ、上記遅延された上記記録クロックに同期したパルス列を生成して発光タイミング信号として上記レーザ駆動回路に出力するとともに、上記発光タイミング信号のパルス幅が上記記録クロック周期未満の幅を持つようにパルス幅制御信号に応じてパルス幅を変化させ、さらに、上記記録クロックから上記記録ヘッドおよび上記半導体レーザへの遅延差を吸収して記録磁界に対する発光タイミングを調整し、線速度および上記チャネル・クロック周波数の少なくとも一方に応じて、上記半導体レーザの発光タイミングを変化させ、上記磁気記録媒体、上記半導体レーザ、上記記録ヘッドの少なくともひとつの特性に応じて遅延量およびパルス幅を設定し、線速度および上記チャネル・クロック周波数の少なくとも一方に応じて、上記遅延量を変化させるように上記遅延量制御信号を生成し、かつ、発光パルス幅を変化させるように上記遅延量制御信号および上記パルス幅制御信号を生成し、かつ、線速度変化に対する制御において、線速度の上昇に対して、光パワーを高くし、記録磁界に対する遅延量を大きくし、かつパルス幅を狭くするように、上記レーザパワー制御信号、上記遅延量制御信号、および上記パルス幅制御信号を生成し、上記レーザ駆動回路において、パルス幅が調整された発光タイミング信号に応じたタイミングで、上記レーザパワー制御信号で指示されるレーザ駆動パワーで上記半導体レーザを駆動する。
本発明によれば、線速度やチャネル・クロック周波数の変化の下でも、良好な記録特性を得ることができる。
以下、本発明の実施形態を図面に関連付けて説明する。
なお、説明は以下の順序で行う。
１．ハードディスク装置の全体構成例
２．半導体レーザの駆動系の具体的な構成および動作
３．線速度変化に対する制御
なお、説明は以下の順序で行う。
１．ハードディスク装置の全体構成例
２．半導体レーザの駆動系の具体的な構成および動作
３．線速度変化に対する制御
＜１．ハードディスク装置の全体構成例＞
図５は、本発明の実施形態に係る熱アシスト・ハードディスク装置の構成例を示す図である。
図５は、本発明の実施形態に係る熱アシスト・ハードディスク装置の構成例を示す図である。
本ハードディスク装置１００は、ヘッド・ディスク・アセンブリ１１０、信号処理回路１２０、モーター・ドライバ１３０、およびシステム全体を制御するシステムコントローラ（マイクロコンピュータ：マイコン）１４０を有する。
ヘッド・ディスク・アセンブリ１１０は、情報を格納する磁気ディスク１１１と、それを回転させるスピンドル・モータ１１２、磁気ディスク１１１への情報の記録・再生を行う記録ヘッド１１３と再生ヘッド１１４、リードライトアンプ１１５を有する。
さらに、ヘッド・ディスク・アセンブリ１１０は、熱アシスト磁気記録のための半導体レーザ１１６とレーザ駆動回路１１７とを備え、ボイスコイル・モータ１１８等を含んで構成されている。
さらに、ヘッド・ディスク・アセンブリ１１０は、熱アシスト磁気記録のための半導体レーザ１１６とレーザ駆動回路１１７とを備え、ボイスコイル・モータ１１８等を含んで構成されている。
熱アシスト・ハードディスク装置１００は、記録クロック周期で半導体レーザ１１６を発光させることにより熱アシスト磁気記録を行う。
レーザ駆動回路１１７は、信号処理回路１２０による発光タイミング信号ＳＬＴに応じたタイミング、および、システムコントローラ１４０によるレーザパワー制御信号ＳＬＰＣに応じたパワーで半導体レーザ１１６を駆動する。
この半導体レーザ１１６の駆動系については、信号処理回路１２０を含めて後で詳述する。
レーザ駆動回路１１７は、信号処理回路１２０による発光タイミング信号ＳＬＴに応じたタイミング、および、システムコントローラ１４０によるレーザパワー制御信号ＳＬＰＣに応じたパワーで半導体レーザ１１６を駆動する。
この半導体レーザ１１６の駆動系については、信号処理回路１２０を含めて後で詳述する。
ヘッド・ディスク・アセンブリ１１０においては、記録ヘッド１１３と再生ヘッド１１４は、磁気ディスク１１１上を半径方向に移動するために、キャリッジの先端に取り付けられており、そのキャリッジはボイスコイル・モータ１１８によって駆動される。
また、記録ヘッド１１３を駆動するライト・アンプ１１５Ｗ、再生ヘッド１１４からの信号を増幅するリード・アンプ１１５Ｒは、通常リード／ライト・アンプ１１５として一つのＩＣで形成されている。
近年の高転送レート化に対応するため、記録ヘッド１１３・再生ヘッド１１４への配線長を短くするため、リード／ライト・アンプ１１５もキャリッジ上に搭載されるようになっている。
また、記録ヘッド１１３を駆動するライト・アンプ１１５Ｗ、再生ヘッド１１４からの信号を増幅するリード・アンプ１１５Ｒは、通常リード／ライト・アンプ１１５として一つのＩＣで形成されている。
近年の高転送レート化に対応するため、記録ヘッド１１３・再生ヘッド１１４への配線長を短くするため、リード／ライト・アンプ１１５もキャリッジ上に搭載されるようになっている。
信号処理回路１２０は、変調回路１２１、記録補償回路１２２、リード・チャネル回路１２３、サーボ・データ検出回路１２４、ＥＣＣ符号化スクランブル回路１２５、ＥＣＣ復号化デスクランブル回路１２６、ホストインタフェース（Ｉ／Ｆ）１２７を有する。
また、信号処理回路１２０は、ＳＤＲＡＭ１２８、および記録クロック部１２９を有する。
さらに、信号処理回路１２０は、可変遅延回路１２０１およびパルス生成回路１２０２を有する。
また、信号処理回路１２０は、ＳＤＲＡＭ１２８、および記録クロック部１２９を有する。
さらに、信号処理回路１２０は、可変遅延回路１２０１およびパルス生成回路１２０２を有する。
可変遅延回路１２０１は、記録クロックに対して調整可能な遅延を加えてから、遅延出力信号Ｓ１２０１としてパルス生成回路１２０２に出力する。
可変遅延回路１２０１は、記録クロックから記録ヘッドおよび半導体レーザ１１６への遅延差を吸収して記録磁界に対する発光タイミングを調整するとともに、線速度やチャネル・クロック周波数に応じて、レーザの発光タイミングを適応的に変化させる。
パルス生成回路１２０２は、記録クロックに同期した調整可能な幅をもつパルス列を生成してレーザ駆動回路１１７に出力する。
パルス生成回路１２０２は、媒体や半導体レーザ１１６・記録ヘッド１１３などの特性に応じてパルス幅を設定するとともに、線速度やチャネル・クロック周波数に応じて、発光パルス幅を適応的に変化させる。
可変遅延回路１２０１は、記録クロックから記録ヘッドおよび半導体レーザ１１６への遅延差を吸収して記録磁界に対する発光タイミングを調整するとともに、線速度やチャネル・クロック周波数に応じて、レーザの発光タイミングを適応的に変化させる。
パルス生成回路１２０２は、記録クロックに同期した調整可能な幅をもつパルス列を生成してレーザ駆動回路１１７に出力する。
パルス生成回路１２０２は、媒体や半導体レーザ１１６・記録ヘッド１１３などの特性に応じてパルス幅を設定するとともに、線速度やチャネル・クロック周波数に応じて、発光パルス幅を適応的に変化させる。
本実施形態においては、この可変遅延回路１２０１およびパルス生成回路１２０２の指示に応じてレーザ駆動回路１１７が半導体レーザ１１６を適応的に駆動することが可能となる。
この構成によれば、光スポットの記録磁界に対する位相やパルス幅および光パワーについて、媒体や半導体レーザ・記録ヘッドなどの特性に応じて、適切に設定するだけでなく、線速度やチャネル・クロック周波数に応じて適応的に変化させることができる。
これにより、本実施形態に係るハードディスク装置１００は、ディスク全面にわたって密度の高い記録を実現することが可能となっている。
この構成によれば、光スポットの記録磁界に対する位相やパルス幅および光パワーについて、媒体や半導体レーザ・記録ヘッドなどの特性に応じて、適切に設定するだけでなく、線速度やチャネル・クロック周波数に応じて適応的に変化させることができる。
これにより、本実施形態に係るハードディスク装置１００は、ディスク全面にわたって密度の高い記録を実現することが可能となっている。
信号処理回路１２０は、ホストから送られたユーザー・データから記録データを生成したり、再生信号からユーザー・データを再生してホストに送る。
ホストから送られたユーザー・データは、ＥＣＣコードの付加・符号化・スクランブルなどの処理を行い、変調回路１２１において記録クロックに同期した記録データが生成され、ライト・アンプ１１５Ｗに送られる。
ライト・アンプ１１５Ｗが記録データに従ってシステムコントローラ１４０から指示される記録電流で磁界ヘッドを駆動することにより、変調磁界が生成される。
近年の高密度記録においては、近接して生成された磁区の影響により磁化反転位置がずれてしまう現象が見られており、記録補償回路１２２によりそのずれをあらかじめ補償する技術が用いられている。
リード・アンプ１１５Ｒから送られてくる再生信号は、リード・チャネル回路１２３において、波形等化・ビタビ復号・復調などいわゆるＰＲＭＬに基づく信号処理が行われる。
さらに、スクランブルの解除・復号・エラー訂正などの処理を経て、ユーザー・データが生成される。
ホストから送られたユーザー・データは、ＥＣＣコードの付加・符号化・スクランブルなどの処理を行い、変調回路１２１において記録クロックに同期した記録データが生成され、ライト・アンプ１１５Ｗに送られる。
ライト・アンプ１１５Ｗが記録データに従ってシステムコントローラ１４０から指示される記録電流で磁界ヘッドを駆動することにより、変調磁界が生成される。
近年の高密度記録においては、近接して生成された磁区の影響により磁化反転位置がずれてしまう現象が見られており、記録補償回路１２２によりそのずれをあらかじめ補償する技術が用いられている。
リード・アンプ１１５Ｒから送られてくる再生信号は、リード・チャネル回路１２３において、波形等化・ビタビ復号・復調などいわゆるＰＲＭＬに基づく信号処理が行われる。
さらに、スクランブルの解除・復号・エラー訂正などの処理を経て、ユーザー・データが生成される。
システムコントローラ１４０は、図５ではサーボ信号処理部１４１だけを記しているが、ホストから指示される動作コマンドに応じて、システム全体の制御をつかさどる。
サーボ信号処理部１４１には再生信号から検出したサーボ・データが送られ、ボイスコイル・モータ１１８やスピンドル・モータ１１２などを制御する。
サーボ信号処理部１４１は、信号処理回路１２０の可変遅延回路１２０１に対して調整すべき遅延量ＤＬＹ情報を与える。
サーボ信号処理部１４１は、信号処理回路１２０のパルス生成回路１２０２に対して調整すべきパルス幅ＰＷＤ情報を与える。
サーボ信号処理部１４１は、ヘッド・ディスク・アセンブリ１１０に対してレーザパワー信号ＳＬＰＳを与える。
サーボ信号処理部１４１には再生信号から検出したサーボ・データが送られ、ボイスコイル・モータ１１８やスピンドル・モータ１１２などを制御する。
サーボ信号処理部１４１は、信号処理回路１２０の可変遅延回路１２０１に対して調整すべき遅延量ＤＬＹ情報を与える。
サーボ信号処理部１４１は、信号処理回路１２０のパルス生成回路１２０２に対して調整すべきパルス幅ＰＷＤ情報を与える。
サーボ信号処理部１４１は、ヘッド・ディスク・アセンブリ１１０に対してレーザパワー信号ＳＬＰＳを与える。
モーター・ドライバ１３０は、サーボ信号処理部１４１からの指示に従って、ボイスコイル・モータ１１８やスピンドル・モータ１１２を駆動する。
以下に、本実施形態の特徴的な構成である光源である半導体レーザ１１６を適応的に駆動するための、レーザ駆動回路１１７、可変遅延回路１２０１、パルス生成回路１２０２を中心とした具体的な構成および動作について説明する。
＜２．半導体レーザの駆動系の具体的な構成および動作＞
この回路の動作を、図６（Ａ）〜（Ｄ）の発光タイミング信号の生成例と合わせて説明する。
図６（Ａ）は記録クロックＷＣＬＫを、図６（Ｂ）は記録データＷＤＴを、図６（Ｃ）は可変遅延回路１２０１の出力信号Ｓ１２０１を、図６（Ｄ）は発光タイミング信号ＳＬＴを、それぞれ示している。
この回路の動作を、図６（Ａ）〜（Ｄ）の発光タイミング信号の生成例と合わせて説明する。
図６（Ａ）は記録クロックＷＣＬＫを、図６（Ｂ）は記録データＷＤＴを、図６（Ｃ）は可変遅延回路１２０１の出力信号Ｓ１２０１を、図６（Ｄ）は発光タイミング信号ＳＬＴを、それぞれ示している。
ホストから送られてきたユーザー・データにＥＣＣ符号化スクランブル回路１２５でＥＣＣ・符号化・スクランブルなどの処理を施したのち、変調回路１２１において、図６（Ａ）に示す記録クロックＷＣＬＫに同期した図６（Ｂ）の記録データＷＤＴが生成される。
記録ヘッド１１３はこの記録データＷＤＴに従って駆動され、図４（Ａ）のような記録磁界を生成する。
ここでは、記録補償回路１２２により磁化反転位置のずれを補償する作用については省略している。
また、システムコントローラ１４０のサーボ信号処理部１４１では、サーボ・データに含まれるアドレス情報から、その場所におけるチャネル・クロック周波数・線速度を決めることができる。
サーボ信号処理部１４１は、その情報を元に、スピンドル・モータの回転数や記録クロック周波数を制御するだけでなく、下記制御に必要なレーザパワー制御信号ＳＬＰＣ、パルス幅制御信号ＰＷＤＣ、遅延量制御信号ＤＬＹＣを生成する。
一方、図６（Ａ）に示す記録クロックＷＣＬＫはレーザ駆動回路１１７に向けて、可変遅延回路１２０１に供給される。
記録ヘッド１１３はこの記録データＷＤＴに従って駆動され、図４（Ａ）のような記録磁界を生成する。
ここでは、記録補償回路１２２により磁化反転位置のずれを補償する作用については省略している。
また、システムコントローラ１４０のサーボ信号処理部１４１では、サーボ・データに含まれるアドレス情報から、その場所におけるチャネル・クロック周波数・線速度を決めることができる。
サーボ信号処理部１４１は、その情報を元に、スピンドル・モータの回転数や記録クロック周波数を制御するだけでなく、下記制御に必要なレーザパワー制御信号ＳＬＰＣ、パルス幅制御信号ＰＷＤＣ、遅延量制御信号ＤＬＹＣを生成する。
一方、図６（Ａ）に示す記録クロックＷＣＬＫはレーザ駆動回路１１７に向けて、可変遅延回路１２０１に供給される。
可変遅延回路１２０１においては、記録クロックＷＣＬＫを、サーボ信号処理部１４１により供給された遅延量制御信号ＤＬＹＣに従って、図６（Ｃ）に示すように遅延させ、パルス生成回路１２０２に送る。
［可変遅延回路の構成例］
ここで、可変遅延回路１２０１の構成の一例について説明する。
図７は、本実施形態に係る可変遅延回路の構成の一例を示す図である。
ここで、可変遅延回路１２０１の構成の一例について説明する。
図７は、本実施形態に係る可変遅延回路の構成の一例を示す図である。
この例では、複数の遅延ゲート（ここではバッファ）ＤＧＴ１〜ＤＧＴｎが縦続接続され、各段間の接続ノードと遅延出力端との間にタップ選択用のスイッチＳＷ１〜ＳＷｎが設けられている。
そして、セレクタＳＬＣが、サーボ信号処理部１４１により供給された遅延量制御信号ＤＬＹＣの情報に応じて、いずれかのスイッチＳＷをＯＮにする。
これにより、入力信号である記録クロックＷＣＬＫは、遅延量制御信号ＤＬＹＣに応じた時間遅れてから遅延出力信号Ｓ１２０１が出力される。
そして、セレクタＳＬＣが、サーボ信号処理部１４１により供給された遅延量制御信号ＤＬＹＣの情報に応じて、いずれかのスイッチＳＷをＯＮにする。
これにより、入力信号である記録クロックＷＣＬＫは、遅延量制御信号ＤＬＹＣに応じた時間遅れてから遅延出力信号Ｓ１２０１が出力される。
パルス生成回路１２０２は、可変遅延回路１２０１により遅延された記録クロックＷＣＬＫである信号Ｓ１２０１を、パルス幅制御信号ＰＷＤＣに応じてゼロからチャネル・クロック周期未満の幅をもつ、入力クロックに同期したパルス信号を生成する。
パルス生成回路１２０２は、生成したパルス信号を発光タイミング信号ＳＬＴとしてレーザ駆動回路１１７に出力する。
パルス生成回路１２０２は、生成したパルス信号を発光タイミング信号ＳＬＴとしてレーザ駆動回路１１７に出力する。
［パルス生成回路の構成例］
ここで、パルス生成回路１２０２の構成の一例について説明する。
図８は、本実施形態に係るパルス生成回路の構成の一例を示す図である。
ここで、パルス生成回路１２０２の構成の一例について説明する。
図８は、本実施形態に係るパルス生成回路の構成の一例を示す図である。
図８のパルス生成回路１２０２は、１／２分周器ＤＶＤ、遅延部ＤＬＰ、および排他的論理和ゲートＧＥＸＯＲを有する。
このパルス生成回路１２０２は、入力クロックを１／２分周器ＤＶＤで１／２分周した後、その分周信号と、たとえば図７のような遅延回路により遅らせた信号とのＥＸ−ＯＲ（排他的論理輪）をとる。
これにより、パルス生成回路１２０２は、ゼロからチャネル・クロック周期未満の幅をもつ、入力クロックに同期したパルス信号を生成できる。
この構成により、図６（Ｄ）のように、遅延した記録クロックに同期し、パルス幅制御信号ＰＷＤＣで指示された幅をもつパルス列を生成できる。
これが発光タイミング信号ＳＬＴとして、レーザ駆動回路に送られる。
このパルス生成回路１２０２は、入力クロックを１／２分周器ＤＶＤで１／２分周した後、その分周信号と、たとえば図７のような遅延回路により遅らせた信号とのＥＸ−ＯＲ（排他的論理輪）をとる。
これにより、パルス生成回路１２０２は、ゼロからチャネル・クロック周期未満の幅をもつ、入力クロックに同期したパルス信号を生成できる。
この構成により、図６（Ｄ）のように、遅延した記録クロックに同期し、パルス幅制御信号ＰＷＤＣで指示された幅をもつパルス列を生成できる。
これが発光タイミング信号ＳＬＴとして、レーザ駆動回路に送られる。
レーザ駆動回路１１７は、入力された発光タイミング信号ＳＬＴに応じたタイミングでレーザパワー制御信号ＳＬＰＣで指示されるレーザ駆動電流ＤＩを半導体レーザ１１６に供給する。
［レーザ駆動回路の構成例］
ここで、レーザ駆動回路１１７の構成の一例について説明する。
図９は、本実施形態に係るレーザ駆動回路の構成の一例を示す図である。
ここで、レーザ駆動回路１１７の構成の一例について説明する。
図９は、本実施形態に係るレーザ駆動回路の構成の一例を示す図である。
図９のレーザ駆動回路１１７は、ｎｐｎ型トランジスタＱ１〜Ｑ４、および抵抗素子Ｒ１〜Ｒ３を有する。
このレーザ駆動回路１１７は、トランジスタＱ１およびＱ２により形成されるカレント・ミラー回路により、レーザパワー制御信号ＳＬＰＣに応じた定電流がトランジスタＱ２に生成される。
そして、トランジスタＱ３およびＱ４により形成される差動スイッチングは、発光タイミング信号ＳＬＴ（＋）／ＳＬＴ（−）に応じて交互にＯＮ、ＯＦＦされる。
トランジスタＱ４がＯＮとなる期間だけ、トランジスタＱ２で生成された定電流が半導体レーザ１１６を駆動する。
このレーザ駆動回路１１７は、トランジスタＱ１およびＱ２により形成されるカレント・ミラー回路により、レーザパワー制御信号ＳＬＰＣに応じた定電流がトランジスタＱ２に生成される。
そして、トランジスタＱ３およびＱ４により形成される差動スイッチングは、発光タイミング信号ＳＬＴ（＋）／ＳＬＴ（−）に応じて交互にＯＮ、ＯＦＦされる。
トランジスタＱ４がＯＮとなる期間だけ、トランジスタＱ２で生成された定電流が半導体レーザ１１６を駆動する。
この構成により、入力された発光タイミング信号ＳＬＴに応じたタイミングで、レーザパワー制御信号ＳＬＰＣで指示されるレーザ駆動電流ＤＩを半導体レーザ１１６に供給する。
その結果、図４（Ｂ）に示すような光波形が生成される。
その結果、図４（Ｂ）に示すような光波形が生成される。
上述したように、レーザ駆動電流を制御するレーザパワー制御信号ＳＬＰＣ、発光タイミング信号ＳＬＴのパルス幅を制御するパルス幅制御信号ＰＷＤＣ、記録クロックの遅延量を制御する遅延量制御信号ＳＬＹＣのいずれもサーボ信号処理部１４１で生成される。
これらの制御信号は、システムコントローラ１４０のサーボ信号処理部１４１において、サーボ・データに含まれるアドレス情報から、線速度・チャネル・クロック周波数に基づいて生成される。
以上の構成により、線速度・チャネル・クロック周波数に応じた最適な位相・パルス幅・光パワーで半導体レーザを発光させることができる。
これらの制御信号は、システムコントローラ１４０のサーボ信号処理部１４１において、サーボ・データに含まれるアドレス情報から、線速度・チャネル・クロック周波数に基づいて生成される。
以上の構成により、線速度・チャネル・クロック周波数に応じた最適な位相・パルス幅・光パワーで半導体レーザを発光させることができる。
＜３．線速度変化に対する制御＞
以下、具体的な制御例として、まず線速度変化に対する制御について述べる。
以下、具体的な制御例として、まず線速度変化に対する制御について述べる。
図１０（Ａ）〜（Ｄ）は、本実施形態に係る線速度変化に対するレーザ駆動電流制御について説明するための図である。
図１０（Ａ）は、ある線速度における、光スポットの光パワー・媒体上の温度分布・形成される磁区の様子を示す図である。横軸は時間ではなく、媒体上の位置である。
光スポットは、図４（Ｂ）に示したように一定時間媒体を照射することにより媒体の温度を上昇させる。光スポットが発光している間もディスクは回転しているので、光スポットの大きさよりも広い範囲に光スポットは照射される。
さらに、光スポットにより媒体に与えられた熱は、媒体の面方向にも拡散する。
その結果、図１０（Ａ）に示すように、媒体上の温度分布は、光スポットが照射された範囲よりも広がったものとなる。
ここで、Ｔｏは、媒体の温度上昇により保持力が低下し、記録磁界を下回る温度を示している。温度分布のうち、Ｔｏを上回る領域は、記録磁界に応じた磁区が形成される。
さらに、光スポットにより媒体に与えられた熱は、媒体の面方向にも拡散する。
その結果、図１０（Ａ）に示すように、媒体上の温度分布は、光スポットが照射された範囲よりも広がったものとなる。
ここで、Ｔｏは、媒体の温度上昇により保持力が低下し、記録磁界を下回る温度を示している。温度分布のうち、Ｔｏを上回る領域は、記録磁界に応じた磁区が形成される。
次に、図１０（Ｂ）以降では、同図（Ａ）よりも線速度が速い場合について考える。
図１０（Ｂ）は、同図（Ａ）と同じ波形で光スポットを照射した場合を示している。
図１０（Ｂ）は、同図（Ａ）と同じ波形で光スポットを照射した場合を示している。
線速度が速いときは、光スポットは媒体上のより広い範囲に照射され、単位面積当たりに照射される時間が短くなる。その結果、温度分布はより広い範囲に分布し、最大温度は低くなる。
図１０（Ｂ）では、最大温度がＴｏを超えることがないため、媒体の保持力が記録磁界を下回ることがなくなり、記録磁界に応じた磁区は形成されない。
図１０（Ｂ）では、最大温度がＴｏを超えることがないため、媒体の保持力が記録磁界を下回ることがなくなり、記録磁界に応じた磁区は形成されない。
そこで、媒体上の最大温度を上げるために、光パワーを高くした場合を図１０（Ｃ）に示している。
光パワーを上げたことにより、媒体上の温度分布の最高温度が高くなり、Ｔｏを超える領域を形成することができる。
しかしながら、温度分布は広がったままなので、Ｔｏを超える領域も広くなってしまい、図１０（Ａ）の例を適正な磁区サイズとすると、それよりも過大な磁区が形成されてしまうことになる。
この状態では、順次記録されていく磁区の遷移点がずれてデータエラーの原因となりうる。また、Ｔｏを超える領域がトラック方向にも広くなることから、隣接トラックの記録済み磁区までも変化させてしまう可能性が高くなる。
光パワーを上げたことにより、媒体上の温度分布の最高温度が高くなり、Ｔｏを超える領域を形成することができる。
しかしながら、温度分布は広がったままなので、Ｔｏを超える領域も広くなってしまい、図１０（Ａ）の例を適正な磁区サイズとすると、それよりも過大な磁区が形成されてしまうことになる。
この状態では、順次記録されていく磁区の遷移点がずれてデータエラーの原因となりうる。また、Ｔｏを超える領域がトラック方向にも広くなることから、隣接トラックの記録済み磁区までも変化させてしまう可能性が高くなる。
さらに、媒体上の温度分布の広がりを抑制するために、光スポットのパルス幅を細くした場合を、図１０（Ｄ）に示す。
光スポットの（時間的な）パルス幅を狭くすることにより、媒体上の光スポットが照射される範囲も狭くなることから、媒体上の温度分布も狭くできる。
Ｔｏを超える領域も狭くできることから、線速度が速い場合においても、図１０（Ａ）と同様に適正なサイズの磁区を形成することができる。
光スポットの（時間的な）パルス幅を狭くすることにより、媒体上の光スポットが照射される範囲も狭くなることから、媒体上の温度分布も狭くできる。
Ｔｏを超える領域も狭くできることから、線速度が速い場合においても、図１０（Ａ）と同様に適正なサイズの磁区を形成することができる。
図１１は、以上の挙動を鑑みた光スポット波形の制御方法について説明するための図である。
線速度の上昇に対して、光パワーを高くするだけでなく、記録磁界に対する遅延量を大きくし、かつ、パルス幅を細くしていく。
また、図１０では、媒体上の位置に対する光スポットの波形を示したが、時間軸に対する光スポット波形を示したものが、図１２（Ａ）および（Ｂ）である。
図１２（Ａ）は、図１０（Ａ）に相当するものとして、ある線速度における記録磁界と光スポットの波形を描いたものである。
一般に、記録磁界が飽和して平坦になったところで光スポットを照射することにより、良好な記録特性が得られるものと考えられる。
図１２（Ａ）は、図１０（Ａ）に相当するものとして、ある線速度における記録磁界と光スポットの波形を描いたものである。
一般に、記録磁界が飽和して平坦になったところで光スポットを照射することにより、良好な記録特性が得られるものと考えられる。
図１２（Ｂ）は、図１０（Ｄ）に相当するものとして、線速度が速い場合に、光パワーを高くするだけではなく、記録時間に対する遅延をふやし、さらに、パルス幅を狭くするよう制御している。
このように、光スポットを制御することにより、線速度が異なる場合でも良好な記録を行うことができる。
このように、光スポットを制御することにより、線速度が異なる場合でも良好な記録を行うことができる。
チャネル・クロック周波数変化にともなう波形変化に対する制御の現実的な問題として、チャネル・クロックがたとえば１ＧＨｚといった高い周波数になった場合に記録ヘッドおよびその駆動回路の帯域制限により記録磁界波形がなまってしまうことが避けられない。
図１３（Ａ）は、あるチャネル・クロック周波数における、記録磁界と光スポットの
波形の一例を示したものである。
波形の一例を示したものである。
記録磁界は、ライト・アンプ１１５Ｗや記録ヘッド１１３による帯域制限により、立上り・立下りがなまった応答をもっている。
このような記録磁界波形において、記録磁界が飽和して平坦になったところで、光スポットを照射することにより磁区を形成することが好ましい。
そのようなタイミングで光スポットが発光するように、記録磁界に対する位相（遅延量）が調整される。
このような記録磁界波形において、記録磁界が飽和して平坦になったところで、光スポットを照射することにより磁区を形成することが好ましい。
そのようなタイミングで光スポットが発光するように、記録磁界に対する位相（遅延量）が調整される。
図１３（Ｂ）は、チャネル・クロック周波数がより高くなった場合であり、記録磁界の応答速度の制限により、記録磁界に平坦な部分がなくなってしまっている。
このような場合には、記録磁界の平坦部分で光スポットを発光させることはできないものの、記録磁界ができるだけ大きくなった瞬間に光スポットを照射することが好ましい。
したがって、図１２（Ａ）よりも記録磁界に対する遅延を少なくなるように制御することにより、チャネル・クロック周波数が高い場合においても、記録することができるようになる。
このような場合には、記録磁界の平坦部分で光スポットを発光させることはできないものの、記録磁界ができるだけ大きくなった瞬間に光スポットを照射することが好ましい。
したがって、図１２（Ａ）よりも記録磁界に対する遅延を少なくなるように制御することにより、チャネル・クロック周波数が高い場合においても、記録することができるようになる。
図１４は、以上の挙動を鑑みた光スポット波形の制御方法について説明するための図である。
あるチャネル・クロック周波数よりも高くなると、記録磁界が平坦になる部分がなくなってくるのに合わせて、記録磁界に対する光スポットの遅延量を少なくすることにより、チャネル・クロック周波数が高い領域でも記録できるようになる。
あるチャネル・クロック周波数よりも高くなると、記録磁界が平坦になる部分がなくなってくるのに合わせて、記録磁界に対する光スポットの遅延量を少なくすることにより、チャネル・クロック周波数が高い領域でも記録できるようになる。
［光スポットの制御方法のまとめ］
以上、線速度に対する制御とチャネル・クロック周波数（記録磁界波形）に対する制御の例を記した。
それぞれの制御をまとめた図１１と図１４では、チャネル・クロック周波数に対する制御方向が逆となっている。
両者の影響を勘案した制御を行うことで、線速度やチャネル・クロック周波数の変化の下でも、良好な記録特性を得ることができる。
以上、線速度に対する制御とチャネル・クロック周波数（記録磁界波形）に対する制御の例を記した。
それぞれの制御をまとめた図１１と図１４では、チャネル・クロック周波数に対する制御方向が逆となっている。
両者の影響を勘案した制御を行うことで、線速度やチャネル・クロック周波数の変化の下でも、良好な記録特性を得ることができる。
以上説明したように、本実施形態によれば、ハードディスク装置１００は、磁気記録媒体１１１と、磁気記録媒体に情報を記録する記録ヘッド１１３と、を有する。
ハードディスク装置１００は、記録クロック周期で発光制御されて光スポットを磁気記録媒体に照射して記録ヘッドによる磁気記録の熱アシストを行う半導体レーザ１１６を有する。
さらに、発光タイミング信号とレーザパワー制御信号に応じたタイミングおよび光パワーで半導体レーザを駆動するレーザ駆動回路１１７と、コントローラ１４０を有する。
コントローラ１４０は、磁気記録媒体、半導体レーザ、記録ヘッドの少なくともひとつの特性に応じてレーザパワーを設定する。そして、コントローラ１４０は、線速度およびチャネル・クロック周波数の少なくとも一方に応じてレーザパワーを適応的に変化させるようにレーザパワー制御信号をレーザ駆動回路に出力する。
ハードディスク装置１００は、記録クロック周期で発光制御されて光スポットを磁気記録媒体に照射して記録ヘッドによる磁気記録の熱アシストを行う半導体レーザ１１６を有する。
さらに、発光タイミング信号とレーザパワー制御信号に応じたタイミングおよび光パワーで半導体レーザを駆動するレーザ駆動回路１１７と、コントローラ１４０を有する。
コントローラ１４０は、磁気記録媒体、半導体レーザ、記録ヘッドの少なくともひとつの特性に応じてレーザパワーを設定する。そして、コントローラ１４０は、線速度およびチャネル・クロック周波数の少なくとも一方に応じてレーザパワーを適応的に変化させるようにレーザパワー制御信号をレーザ駆動回路に出力する。
したがって、本実施形態によれば、線速度やチャネル・クロック周波数の変化の下でも、良好な記録特性を得ることができる利点がある。
１００・・・ハードディスク装置、１１０・・・ヘッド・ディスク・アセンブリ、１１１・・・磁気ディスク（磁気記録媒体）、１１３・・・記録ヘッド、１１６・・・半導体レーザ、１１７・・・レーザ駆動回路、１２０・・・信号処理回路、１２０１・・・可変遅延回路、１２０２・・・パルス生成回路、１３０・・・モーター・ドライバ、１４０・・・システムコントローラ。
Claims (8)
- 一定の回転数で回転され、半径方向に、データを記録するためのチャネル・クロック周波数が異なる複数のゾーンに分割され、一つのゾーンの中では上記チャネル・クロック周波数は一定とされ、半径によって線密度が徐々に変化するディスク状磁気記録媒体と、
上記磁気記録媒体に情報を記録する記録ヘッドと、
記録クロック周期で発光制御されて光スポットを上記磁気記録媒体に照射して上記記録ヘッドによる磁気記録の熱アシストを行う半導体レーザと、
発光タイミング信号に応じたタイミングおよびレーザパワー制御信号に応じた光パワーで半導体レーザを駆動するレーザ駆動回路と、
上記磁気記録媒体、上記半導体レーザ、上記記録ヘッドの少なくともひとつの特性に応じてレーザパワーを設定し、線速度および上記チャネル・クロック周波数の少なくとも一方に応じてレーザパワーを変化させるように上記レーザパワー制御信号を上記レーザ駆動回路に出力するコントローラと、
記録クロックを遅延量制御信号に応じた遅延量をもって遅延させ、この遅延させた記録クロックを出力する可変遅延回路と、
上記可変遅延回路で遅延された上記記録クロックに同期したパルス列を生成して発光タイミング信号として上記レーザ駆動回路に出力し、当該パルス幅をパルス幅制御信号に応じて変化させることが可能なパルス生成回路と、を含み、
上記パルス生成回路は、
発光タイミング信号のパルス幅が上記記録クロック周期未満の幅を持つようにパルス幅制御信号に応じてパルス幅を変化させ、
上記コントローラは、
線速度変化に対する制御において、線速度の上昇に対して、光パワーを高くし、記録磁界に対する遅延量を大きくし、かつパルス幅を狭くするように、上記レーザパワー制御信号、上記遅延量制御信号、および上記パルス幅制御信号を生成し、
上記記録クロックから上記記録ヘッドおよび上記半導体レーザへの遅延差を吸収して記録磁界に対する発光タイミングを調整し、線速度および上記チャネル・クロック周波数の少なくとも一方に応じて、上記半導体レーザの発光タイミングを変化させ、
上記磁気記録媒体、上記半導体レーザ、上記記録ヘッドの少なくともひとつの特性に応じて遅延量およびパルス幅を設定し、線速度および上記チャネル・クロック周波数の少なくとも一方に応じて、上記遅延量を変化させるように上記遅延量制御信号を上記可変遅延回路に出力し、発光パルス幅を変化させるように上記遅延量制御信号および上記パルス幅制御信号を上記パルス生成回路に出力し、
上記レーザ駆動回路は、
パルス幅が調整された発光タイミング信号に応じたタイミングで、上記レーザパワー制御信号で指示されるレーザ駆動パワーで上記半導体レーザを駆動する
ハードディスク装置。 - 上記コントローラは、
レーザ駆動パワーを制御する上記レーザパワー制御信号、発光タイミング信号のパルス幅を制御する上記パルス幅制御信号、記録クロックの遅延量を制御する上記遅延量制御信号は、サーボ・データに含まれるアドレス情報から、線速度および上記チャネル・クロック周波数に基づいて生成する
請求項１記載のハードディスク装置。 - 上記コントローラは、
記録磁界が飽和するタイミングで光スポットを発光するように上記遅延量を制御する
請求項１または２記載のハードディスク装置。 - 上記コントローラは、
記録磁界が飽和しない上記チャネル・クロック周波数である場合、記録磁界に対する遅延が少なくなるように上記遅延量を制御する
請求項１から３のいずれか一に記載のハードディスク装置。 - 一定の回転数で回転され、半径方向に、データを記録するためのチャネル・クロック周波数が異なる複数のゾーンに分割され、一つのゾーンの中では上記チャネル・クロック周波数は一定とされ、半径によって線密度が徐々に変化するディスク状磁気記録媒体と、
上記磁気記録媒体に情報を記録する記録ヘッドと、
記録クロック周期で発光制御されて光スポットを上記磁気記録媒体に照射して上記記録ヘッドによる磁気記録の熱アシストを行う半導体レーザと、
発光タイミング信号に応じたタイミングおよびレーザパワー制御信号に応じた光パワーで半導体レーザを駆動するレーザ駆動回路と、を有し、上記磁気記録媒体、上記半導体レーザ、上記記録ヘッドの少なくともひとつの特性に応じてレーザパワーを設定し、線速度および上記チャネル・クロック周波数の少なくとも一方に応じてレーザパワーを変化させてハードディスク装置の半導体レーザを駆動するに際し、
記録クロックを遅延量制御信号に応じた遅延量をもって遅延させ、
上記遅延された上記記録クロックに同期したパルス列を生成して発光タイミング信号として上記レーザ駆動回路に出力するとともに、上記発光タイミング信号のパルス幅が上記記録クロック周期未満の幅を持つようにパルス幅制御信号に応じてパルス幅を変化させ、さらに、
上記記録クロックから上記記録ヘッドおよび上記半導体レーザへの遅延差を吸収して記録磁界に対する発光タイミングを調整し、線速度および上記チャネル・クロック周波数の少なくとも一方に応じて、上記半導体レーザの発光タイミングを変化させ、
上記磁気記録媒体、上記半導体レーザ、上記記録ヘッドの少なくともひとつの特性に応じて遅延量およびパルス幅を設定し、線速度および上記チャネル・クロック周波数の少なくとも一方に応じて、上記遅延量を変化させるように上記遅延量制御信号を生成し、かつ、発光パルス幅を変化させるように上記遅延量制御信号および上記パルス幅制御信号を生成し、かつ、線速度変化に対する制御において、線速度の上昇に対して、光パワーを高くし、記録磁界に対する遅延量を大きくし、かつパルス幅を狭くするように、上記レーザパワー制御信号、上記遅延量制御信号、および上記パルス幅制御信号を生成し、
上記レーザ駆動回路において、
パルス幅が調整された発光タイミング信号に応じたタイミングで、上記レーザパワー制御信号で指示されるレーザ駆動パワーで上記半導体レーザを駆動する
ハードディスク装置の駆動方法。 - レーザ駆動パワーを制御する上記レーザパワー制御信号、発光タイミング信号のパルス幅を制御する上記パルス幅制御信号、記録クロックの遅延量を制御する上記遅延量制御信号は、サーボ・データに含まれるアドレス情報から、線速度および上記チャネル・クロック周波数に基づいて生成する
請求項５記載のハードディスク装置の駆動方法。 - 記録磁界が飽和するタイミングで光スポットを発光するように上記遅延量を制御する
請求項５または６記載のハードディスク装置の駆動方法。 - 記録磁界が飽和しない上記チャネル・クロック周波数である場合、記録磁界に対する遅延が少なくなるように上記遅延量を制御する
請求項５から７のいずれか一に記載のハードディスク装置の駆動方法。
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