JP5709465B2 - 描画装置、および、物品の製造方法 - Google Patents
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Description
前記基板を保持するステージと、
前記ステージに保持された基板に前記アレイを投射する投射系と、
前記基板上の描画領域を変更するように前記ステージと前記投射系との間の所定方向における相対移動を行わせる駆動手段と、
制御手段と、を有し、
前記投射系は、
前記アレイは、前記基板上において、前記所定方向にスペースをもって離散的に配列された複数のサブアレイを含み、かつ、
前記所定方向における前記スペースの幅(第2幅)は、前記所定方向における前記サブアレイの幅(第1幅)の[n1/n2]倍(n1、n2は正の整数、かつn2は2以上)となる、ように構成され、
前記制御手段は、前記第1幅の[1/n2]倍ずつ前記所定方向にずれている[n1+n2]組の描画領域に前記複数のサブアレイのうちの対応するサブアレイで順次描画が行われてn2を多重度とする描画がなされるように、前記投射系と前記駆動手段とを制御し、
前記投射系は、n1/n2<1を満たすように構成されている、
ことを特徴とする描画装置である。
図1は、実施形態に係る描画装置の構成例を示す図であって、荷電粒子線のアレイで基板に描画を行う描画装置の構成例を示すものである。本実施形態では、荷電粒子線として電子線を用いる場合について説明するが、電子線はイオン線など他の荷電粒子線に置換可能である。図1において、COSは、後述するステージに保持された基板に電子線のアレイを投射する投射系である。111は、クロスオーバ112を形成する電子源(荷電粒子源)である。114、115は、クロスオーバ112から発散した電子(荷電粒子)の軌道を示す。クロスオーバ112から発散した電子は、電界および磁界の少なくとも一方を生成するコリメーターレンズ113の作用により平行なビームとなり、116に入射する。116は、アパーチャアレイであって、アパーチャアレイ116に入射した電子線は複数の電子線に分割され、電子線のアレイ(荷電粒子線のアレイ)となる。アパーチャアレイ116には、例えば、2次元状に規則的かつ離散的に配列された複数の開口(例えば円形状開口)が形成されている。ここで、電子線のアレイは、電子線のサブアレイが所定のスペースをもって離散的に配列されたものとなっている。ここで、サブアレイ内の電子線の配列や、サブアレイ間のスペースは、アパーチャアレイ116内の開口の配列によって決まるものである。なお、サブアレイやスペースのサイズは、荷電粒子線のアレイを荷電粒子線のサブアレイから構成する要因から決められる。当該要因としては、サブアレイごとに荷電粒子線の偏向を行う偏向器のサイズ、または、荷電粒子線光学系の光学素子(レンズや偏向器等)に含まれる電極等の薄板の撓みを低減するために配置されるスペーサまたは梁のサイズや間隔等を例示することができる。
図7は、本実施形態に係るサブアレイの別の配置例を示す図である。図7は、基板122上での電子線のサブアレイの配置を示している。同図中、図2の構成要素と同一の構成要素には、それと同一の符号を付し、その説明は省略する。実施形態1の構成とは異なる点に関して説明する。図7は、n1/n2=1/2の場合を示している。実施形態1(図2)との違いは、サブアレイ間のスペースの幅がサブアレイの幅より狭いことである。ここでは、SX=CX/2、SY=CY/2を満たすようにサブアレイが配列されている。n1/n2<1を満たす場合、実施形態1(n1/n2=1)の構成例と比較して、アパーチャアレイ116の開口率が高く、電子線源からの電子線の利用効率が高いことになる。この場合、例えば、電子線アレイにおける電子線の本数を増加させることができる。また、この場合、電子線アレイにおける電子線の本数を同じとすれば、サブアレイ描画領域(画角、または、アパーチャアレイ116において開口が配列されている範囲)が狭くなり、電子線源に要求されるエミッタンスを低減させることができる。この点で、n1/n2<1を満たすサブアレイ配置の構成は好ましいといえる。
本発明の実施形態に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。該製造方法は、感光剤が塗布された基板の該感光剤に上記の描画装置を用いて潜像パターンを形成する工程(基板に描画を行う工程)と、当該工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含みうる。さらに、該製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
COS 投射系
100 コントローラー(制御手段)
Claims (6)
- 荷電粒子線のアレイで基板に描画を行う描画装置であって、
前記基板を保持するステージと、
前記ステージに保持された基板に前記アレイを投射する投射系と、
前記基板上の描画領域を変更するように前記ステージと前記投射系との間の所定方向における相対移動を行わせる駆動手段と、
制御手段と、を有し、
前記投射系は、
前記アレイは、前記基板上において、前記所定方向にスペースをもって離散的に配列された複数のサブアレイを含み、かつ、
前記所定方向における前記スペースの幅(第2幅)は、前記所定方向における前記サブアレイの幅(第1幅)の[n1/n2]倍(n1、n2は正の整数、かつn2は2以上)となる、ように構成され、
前記制御手段は、前記第1幅の[1/n2]倍ずつ前記所定方向にずれている[n1+n2]組の描画領域に前記複数のサブアレイのうちの対応するサブアレイで順次描画が行われてn2を多重度とする描画がなされるように、前記投射系と前記駆動手段とを制御し、
前記投射系は、n1/n2<1を満たすように構成されている、
ことを特徴とする描画装置。 - 前記所定方向は、互いに直交する2つの方向のうちのそれぞれの方向である、ことを特徴とする請求項1に記載の描画装置。
- 前記投射系は、前記2つの方向のいずれであるかによってn1およびn2の少なくとも一方の値が異なるように構成されている、ことを特徴とする請求項2に記載の描画装置。
- 前記制御手段は、前記基板上に隣接して配列された複数のショット領域に対して順次描画が行われるように、前記投射系と前記駆動手段とを制御する、ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の描画装置。
- 前記制御手段は、前記基板上に隣接して配列された複数のショット領域に対して順次描画が行われるように、前記投射系と前記駆動手段とを制御し、
前記複数のショット領域の配列は、隣接するショット領域の存在しないショット領域の端部領域であって前記多重描画の多重度が不足する端部領域が、前記基板に対して設定された有効領域と重ならないように、前記基板に対して設定されている、
ことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の描画装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
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