JP5708160B2 - 高周波回路基板用樹脂基板および高周波回路基板 - Google Patents
高周波回路基板用樹脂基板および高周波回路基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5708160B2 JP5708160B2 JP2011082459A JP2011082459A JP5708160B2 JP 5708160 B2 JP5708160 B2 JP 5708160B2 JP 2011082459 A JP2011082459 A JP 2011082459A JP 2011082459 A JP2011082459 A JP 2011082459A JP 5708160 B2 JP5708160 B2 JP 5708160B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- resin substrate
- formula
- structural unit
- carbon atoms
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Polyethers (AREA)
Description
すなわち、本発明は、以下の[1]〜[6]を提供するものである。
1GHzおよび10GHzにおける比誘電率が3.2以下、1GHzにおける誘電正接が0.0050以下ならびに10GHzにおける誘電正接が0.010以下である、高周波回路基板用樹脂基板。
[2] 前記樹脂基板が、下記式(1)で表わされる構造単位および下記式(2)で表わされる構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位(i)を有する芳香族ポリエーテル系重合体を含んでなる、[1]に記載の樹脂基板。
[5] 前記芳香族ポリエーテル系重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算の重量平均分子量が5,000〜500,000である、[1]〜[4]のいずれかに記載の樹脂基板。
[6] [1]〜[5]のいずれかに記載の樹脂基板を含む、高周波回路基板。
また、高温、高湿度下における電気特性の劣化の少ない樹脂基板を得ることができる。
さらに本発明によれば、伝送速度が速く、伝送損失の小さい高周波回路基板を得ることができる。
本発明の高周波回路基板用樹脂基板(以下「樹脂基板」ともいう。)は、26℃、相対湿度45%RHでの、1GHzおよび10GHzにおける比誘電率が3.2以下、1GHzにおける誘電正接が0.0050以下ならびに10GHzにおける誘電正接が0.010以下である。
このような樹脂基板を用いることで、伝送速度が速く、高周波域での低伝送損失の少ない高周波回路を得ることができる。
1GHzにおける比誘電率は好ましくは3.1以下であり、
10GHzにおける比誘電率は好ましくは3.1以下であり、
1GHzにおける誘電正接は好ましくは0.003以下であり、
10GHzにおける誘電正接は好ましくは0.008以下である。
前記樹脂基板の所望の周波数における比誘電率および誘電正接は、26℃、相対湿度45%RHの環境下で、ベクトルネットワークアナライザWiltron37169A(Wiltron製)を用いて摂動方式共振法により測定される。
樹脂基板の1GHz以上の高周波帯域における比誘電率および誘電正接が前記範囲にあることで、より伝送速度が速く、高周波域での低伝送損失の少ない高周波回路を得ることができる。
炭素数1〜12の1価の有機基としては、炭素数1〜12の1価の炭化水素基、ならびに酸素原子および窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも1種の原子を含む炭素数1〜12の1価の有機基等を挙げることができる。
エステル結合を有する総炭素数1〜12の有機基としては、炭素数2〜12のアシルオキシ基等が挙げられる。具体的には、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、イソプロピオニルオキシ基およびベンゾイルオキシ基等が挙げられる。
炭素数1〜12の1価の有機基としては、前記式(1)における炭素数1〜12の1価の有機基と同様の有機基等を挙げることができる。
ここで、力学的特性とは、重合体の引張強度、破断伸びおよび引張弾性率等の性質のことをいう。
炭素数1〜12の1価の有機基としては、前記式(1)における炭素数1〜12の1価の有機基と同様の有機基等を挙げることができる。
ここで、力学的特性とは、重合体の引張強度、破断伸びおよび引張弾性率等の性質のことをいう。
但し、mが0の時、R7はシアノ基ではない。
また、(B)成分は、必要に応じて下記式(8)で表わされる化合物を含むことが好ましい。化合物(6)は、(B)成分100モル%中に、50モル%〜100モル%含まれていることが好ましく、80モル%〜100モル%含まれていることがより好ましく、90モル%〜100モル%含まれていることがさらに好ましい。
方法(I'):
(B)成分を有機溶媒中でアルカリ金属化合物と反応させて、(B)成分(化合物(6)および/または化合物(8)等)のアルカリ金属塩を得た後に、得られたアルカリ金属塩と、(A)成分とを反応させる。なお、(B)成分とアルカリ金属化合物との反応を(A)成分の存在下で行うことで、(B)成分のアルカリ金属塩と(A)成分とを反応させることもできる。
前記重合体(I)のガラス転移温度は、例えばRigaku社製8230型DSC測定装置(昇温速度20℃/分)を用いて測定される。
1GHzにおける比誘電率は好ましくは3.2以下であり、より好ましくは3.1以下であり、
10GHzにおける比誘電率は好ましくは3.2以下であり、より好ましくは3.1以下であり、
1GHzにおける誘電正接は好ましくは0.005以下であり、より好ましくは0.003以下であり、
10GHzにおける誘電正接は好ましくは0.01以下であり、より好ましくは0.008以下である。
所望の周波数における比誘電率および誘電正接は、26℃、相対湿度45%RHの環境下で、ベクトルネットワークアナライザWiltron37169A(Wiltron製)を用いて摂動方式共振法により測定される。
重合体(I)の1GHz以上の高周波帯域における比誘電率および誘電正接が前記範囲にあると、本発明の樹脂基板を容易に製造することができ、伝送速度が速く、高周波域での低伝送損失が少なく、電気的特性等に優れる高周波回路基板を形成するための樹脂基板を提供することができる。
前記樹脂基板の製造方法としては、特に制限されないが、前記重合体(I)と有機溶媒とを含む組成物を支持体上に塗布して塗膜を形成する工程と、前記塗膜から前記有機溶媒を蒸発させることにより除去することで樹脂基板を得る工程とを含むことが好ましい。
本発明の樹脂基板の厚みは、所望の用途に応じて適宜選択されるが、例えば1〜250μmであり、好ましくは2〜150μmであり、より好ましくは5〜125μmである。
本発明の樹脂基板が、このようなガラス転移温度を有すると、該基板上に配線等を形成する際の加熱や熱処理、半田リフロー工程を高温で行うことができるため、電気特性に優れた高周波回路基板を容易に製造することができる。
前記高周波回路基板は、前記樹脂基板を含む。具体的には、前記樹脂基板の片面または両面に配線部を設けることで得られる。このような高周波回路基板は、前記樹脂基板を含むため、伝送速度が大きく、伝送損失が小さく、高温、高湿度下などの過酷な環境下でもこれらの電気特性を維持することができる。また、前記樹脂基板は、透明性、耐熱性、耐熱着色性、力学的強度、絶縁性、寸法安定性および配線部との密着性等に優れるため、特にピッチ幅が30μm以下の配線パターンを有する高周波回路基板を製造することも可能である。
なお、配線部を形成する前に、必要に応じて、樹脂基板の表面を改質しておいてもよい。
下記実施例で得られた重合体の構造分析は、IR(ATR法、FT−IR,6700(NICOLET社製)およびNMR(ADVANCE500型,BRUKAR社製)により行った。
下記実施例で得られた重合体の重量平均分子量(Mw)、数平均分子量(Mw)および分子量分布(Mw/Mn)は、TOSOH製HLC−8220型GPC装置(カラム:TSKgelα―M、展開溶剤:THF)を用いて測定した。
下記実施例および比較例で得られた評価用フィルムを用いて、ベクトルネットワークアナライザWiltron37169A(Wiltron製)を用いて摂動方式共振法により、26℃、相対湿度45%RHの環境下で、1GHz、10GHzにおける比誘電率および誘電正接を測定した。
真空プレス装置を用い、下記実施例および比較例で得られた評価用フィルム(30μm厚)と銅箔(厚み18μm)を270℃で40kg/cm2の圧力で加熱圧着し、銅張積層板を得た。銅箔を塩化第二鉄水溶液で部分的に除去することにより図1に示す回路基板(Z0(特性インピーダンス)=50Ω、伝送距離=30mm)を得た。この回路基板を用いてネットワークアナライザーを用いて周波数10GHzでの伝送損失(S21パラメータ)を測定した。
下記実施例および比較例で得られた重合体または評価用フィルムのガラス転移温度は、Rigaku社製8230型DSC測定装置を用いて、昇温速度20℃/minとして測定した。
下記実施例および比較例で得られた評価用フィルムを、3cm×4cmの大きさに3枚切り出し、減圧乾燥下180℃で8時間乾燥させた。乾燥後の樹脂層の質量を測定した後、蒸留水に25℃で24時間浸漬させた。浸漬後樹脂層表面の水滴をふき取り、浸漬前後の質量変化から吸水率を算出し、3枚の平均値を算出した。
3Lの4つ口フラスコに(A)成分:2,6−ジフルオロベンゾニトリル(以下「DFBN」ともいう。)35.12g(0.253mol)、(B)成分:9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン(以下「BPFL」ともいう。)70.08g(0.200mol)およびレゾルシノール(以下「RES」ともいう。)5.51g(0.050mol)、炭酸カリウム41.46g(0.300mol)、N,N−ジメチルアセトアミド(以下「DMAc」ともいう。)443gならびにトルエン111gを添加した。続いて、4つ口フラスコに温度計、撹拌機、窒素導入管付き三方コック、Dean−Stark管および冷却管を取り付けた。
反応後、室温(25℃)まで冷却し、生成した塩をろ紙で除去し、ろ液をメタノールに投じて再沈殿させ、ろ別によりろ物(残渣)を単離した。得られたろ物を60℃で一晩真空乾燥し、白色粉末(重合体)を得た(収量95.67g、収率95%)。
RESの代わりに2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン11.41g(0.050mol)を使用した以外は、実施例1と同様に行った。得られた評価用フィルムおよび回路基板の物性を表1に示す。
(B)成分として、BPFL70.08gおよびRES5.51gの代わりに、BPFL78.84g(0.225mol)および2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン8.41g(0.025mol)を使用した以外は実施例1と同様に行った。得られた評価用フィルムおよび回路基板の物性を表1に示す。
(B)成分として、BPFL70.08gおよびRES5.51gの代わりに、9,9−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)フルオレン125.65g(0.250mol)を使用した以外は実施例1と同様に行った。得られた評価用フィルムおよび回路基板の物性を表1に示す。
(B)成分として、BPFL70.08gおよびRES5.51gの代わりに、BPFL87.60g(0.250mol)を使用した以外は実施例1と同様に行った。得られた評価用フィルムおよび回路基板の物性を表1に示す。
(B)成分として、BPFL70.08gおよびRES5.51gの代わりに、BPFL78.84g(0.225mol)および9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン6.71g(0.025mol)を使用した以外は実施例1と同様に行った。得られた評価用フィルムおよび回路基板の物性を表1に示す。
(A)成分として、DFBN35.12gの代わりに、DFBN28.10g(0.202mol)および4,4−ジフルオロベンゾフェノン11.02g(0.051mol)を用いた以外は実施例5と同様に行った。得られた評価用フィルムおよび回路基板の物性を表1に示す。
(A)成分の配合量を、DFBN17.56g(0.126mol)および4,4−ジフルオロベンゾフェノン27.55g(0.126mol)に変更した以外は実施例7と同様に行った。得られた評価用フィルムおよび回路基板の物性を表1に示す。
(A)成分として、DFBN35.12gの代わりに4,4−ジフルオロジフェニルスルホン(DFDS)78.84g(0.250mol)を使用した以外は実施例5と同様に行った。得られた評価用フィルムおよび回路基板の物性を表1に示す。
ポリイミドフィルム(Kapton 100H, 25μm)を用いた他は、実施例1と同様にして、1GHz、10GHzにおける比誘電率、誘電正接を測定し、回路基板を用いて周波数10GHzでの伝送損失(S21パラメータ)を測定した。測定結果を表1に示す。
Claims (5)
- 26℃、相対湿度45%RHでの、
1GHzおよび10GHzにおける比誘電率が3.2以下、1GHzにおける誘電正接が0.0050以下ならびに10GHzにおける誘電正接が0.010以下であり、
下記式(1)で表わされる構造単位および下記式(2)で表わされる構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位(i)を有する芳香族ポリエーテル系重合体を含んでなる、
高周波回路基板用樹脂基板。
- 前記芳香族ポリエーテル系重合体が、さらに、下記式(3)で表わされる構造単位および下記式(4)で表わされる構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位(ii)を有する、請求項1に記載の樹脂基板。
- 前記芳香族ポリエーテル系重合体において、前記構造単位(i)と、前記構造単位(ii)とのモル比(構造単位(i):構造単位(ii))が50:50〜100:0である、請求項2に記載の樹脂基板。
- 前記芳香族ポリエーテル系重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算の重量平均分子量が5,000〜500,000である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の樹脂基板。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の樹脂基板を含む、高周波回路基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011082459A JP5708160B2 (ja) | 2011-04-04 | 2011-04-04 | 高周波回路基板用樹脂基板および高周波回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011082459A JP5708160B2 (ja) | 2011-04-04 | 2011-04-04 | 高周波回路基板用樹脂基板および高周波回路基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012221968A JP2012221968A (ja) | 2012-11-12 |
JP5708160B2 true JP5708160B2 (ja) | 2015-04-30 |
Family
ID=47273198
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011082459A Active JP5708160B2 (ja) | 2011-04-04 | 2011-04-04 | 高周波回路基板用樹脂基板および高周波回路基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5708160B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6452335B2 (ja) * | 2013-08-09 | 2019-01-16 | 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 | エポキシ樹脂組成物及びその硬化物 |
JP6228799B2 (ja) | 2013-09-30 | 2017-11-08 | 新日鉄住金化学株式会社 | エポキシ樹脂組成物及びその硬化物 |
JP2015127117A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-09 | 新日鉄住金化学株式会社 | 金属張積層体及び回路基板 |
TWI641628B (zh) * | 2014-10-24 | 2018-11-21 | 新日鐵住金化學股份有限公司 | 環氧樹脂組成物及其硬化物 |
EP3684146A4 (en) * | 2017-09-15 | 2021-06-02 | JSR Corporation | PRINTED CIRCUIT CARD |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000269616A (ja) * | 1999-03-17 | 2000-09-29 | Kuraray Co Ltd | 高周波回路基板 |
JP4601552B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2010-12-22 | 株式会社日本触媒 | 複合誘電体用樹脂組成物および複合誘電体、該誘電体を使用した電気回路基板 |
JP2006199746A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-08-03 | Jsr Corp | 芳香族ポリエーテルおよびその製造方法 |
JP2009016169A (ja) * | 2007-07-04 | 2009-01-22 | Nippon Shokubai Co Ltd | 複合誘電体用樹脂組成物および複合誘電体、該誘電体を使用した電気回路基板 |
-
2011
- 2011-04-04 JP JP2011082459A patent/JP5708160B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012221968A (ja) | 2012-11-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5910493B2 (ja) | フィルム、樹脂組成物および重合体 | |
JP5708160B2 (ja) | 高周波回路基板用樹脂基板および高周波回路基板 | |
JP5187462B2 (ja) | 新規重合体、その製造方法およびフィルム | |
JP5621847B2 (ja) | 重合体、その製造方法、フィルムおよびその製造方法 | |
JP5229435B2 (ja) | 樹脂組成物、絶縁膜、膜形成方法および電子部品 | |
WO2009116500A1 (ja) | ポリイミド系材料、ポリイミドフィルム及びそれらの製造方法 | |
JP2010152004A (ja) | 光学部材用基板 | |
JP2012018360A (ja) | 偏光子保護フィルムおよびそれを含む表示装置 | |
JP2012218163A (ja) | 透明導電性フィルム、積層体、タッチパネルおよび表示装置 | |
JP2012038785A (ja) | 基板の製造方法ならびにそれに用いられるフィルムおよび組成物 | |
JP5724554B2 (ja) | 発光素子および発光素子形成用樹脂組成物 | |
JP5088446B2 (ja) | プリント配線用基板およびそれに用いる樹脂組成物 | |
JP6891564B2 (ja) | 透明耐熱性積層フィルム、透明フレキシブルプリント基板、透明電極基板、照明装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
JPWO2012005345A1 (ja) | 複合体およびそれを含む表示装置 | |
JP2012224763A (ja) | 重合体、フィルム、樹脂組成物およびフィルムの製造方法 | |
JP2018002963A (ja) | ポリイミド前駆体、樹脂組成物、ポリイミド含む樹脂膜及びその製造方法 | |
JP2015108047A (ja) | 高分子シート、導電性フィルム及び芳香族ポリエーテル | |
JP6264300B2 (ja) | 重合体、樹脂組成物及び膜形成方法 | |
JP2012219104A (ja) | 芳香族ポリエーテル系重合体成形品の表面改質方法、該方法を用いて得られた表面改質芳香族ポリエーテル系重合体成形品、該表面改質芳香族ポリエーテル系重合体に金属皮膜を形成する方法および金属皮膜付き芳香族ポリエーテル系重合体成形品 | |
JP2010123889A (ja) | プリント配線用基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140205 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140808 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140819 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140911 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20141104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141204 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20150105 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150216 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5708160 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |