JP5707742B2 - 垂直共振器型面発光レーザ - Google Patents
垂直共振器型面発光レーザ Download PDFInfo
- Publication number
- JP5707742B2 JP5707742B2 JP2010129283A JP2010129283A JP5707742B2 JP 5707742 B2 JP5707742 B2 JP 5707742B2 JP 2010129283 A JP2010129283 A JP 2010129283A JP 2010129283 A JP2010129283 A JP 2010129283A JP 5707742 B2 JP5707742 B2 JP 5707742B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- semiconductor layer
- insulating layer
- vertical cavity
- emitting laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 119
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 64
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 61
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 35
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 13
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 220
- 238000000034 method Methods 0.000 description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 48
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 21
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 20
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 16
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 13
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 10
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 7
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 238000001810 electrochemical catalytic reforming Methods 0.000 description 4
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 SiN Chemical class 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017937 Ag-Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017984 Ag—Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018575 Al—Ti Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017398 Au—Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015365 Au—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018885 Pt—Au Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018879 Pt—Pd Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021476 group 6 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
また、窒化物半導体を用いた垂直共振器型面発光レーザについても、その研究が進められている(例えば、非特許文献1〜3)。
また、前記導電性材料は、前記絶縁層の開口部と一致するように開口部を有する、もしくは前記絶縁層の開口部よりも外側で絶縁層を覆うように開口部を有することが好ましい。
また、前記導電性材料と、前記透光性電極は異なる材料であることが好ましい。
また、前記導電性材料の導電率は、前記透光性電極の導電率より大きいことが好ましい。
前記導電性材料は、前記絶縁層と透光性電極の間に形成されることが好ましい。
前記導電性材料は、p型半導体層側に形成されることが好ましい。
前記反射鏡の外周側面には、前記透光性電極と電気的に接続するように設けられた電極を有し、前記導電性材料の外周端部は、前記電極の外周側面よりも内側であることが好ましい。
前記導電性材料は、いずれかの層にTi、NiまたはCrを含む積層構造であることが好ましい。
なお、説明の便宜上、「第2反射鏡50b」との区別のため「反射鏡50a」を「第1反射鏡」と記載することがある。また、「第2電極70」との区別のため「電極60」を「第1電極」と記載することがある。
本発明の垂直共振器型面発光レーザは、図1に示すように、窒化物半導体層10の表面に、開口部を有する絶縁層20と、開口部を被覆するように絶縁層上に設けられた透光性電極40と、透光性電極を介して開口部上に設けられた反射鏡50aとを有し、絶縁層20と反射鏡50aの間に導電性材料30が設けられている。
また、窒化物半導体層10は、n型半導体層11、活性層12及びp型半導体層13を含んで形成される。また、反射鏡50aの外周側面には、透光性電極40と電気的に接続するように設けられた電極60を有している。また、n型半導体層11の表面には、第2反射鏡50b及び第2電極70が形成されている。
(窒化物半導体層)
窒化物半導体層は、後述する成長基板上に形成し、得ることができる。
窒化物半導体層は、例えば、一般式InxAlyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)で示されるものが好ましい。これに加えて、III族元素としてBが一部に置換されたものを用いてもよいし、V族元素としてNの一部をP、Asで置換されたものを用いてもよい。本発明の垂直共振器型面発光レーザとしては、300nm〜650nm程度の波長域のレーザ光を得られるように活性層の組成を調整することが適当である。
不純物は、5×1016/cm3〜1×1021/cm3程度の濃度範囲で含有されていることが好ましい。ただし、n型半導体層及びp型半導体層を構成する半導体層の全てが必ずしも不純物を含有していなくてもよい。
また、n型半導体層、活性層、p型半導体層は、それぞれ単一膜構造、多層膜構造又は組成比が互いに異なる2層を含む超格子構造等であってもよい。これらの層は、組成傾斜層、濃度傾斜層を備えたものであってもよい。活性層は、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造等の量子井戸構造を用いることができる。
なお、本明細書において、「活性領域」は、図1(a)中にMで示すように、対向する反射鏡に挟まれた窒化物半導体層のうち、p型半導体層側の表面が透光性電極と接触して規定される領域、あるいは、絶縁層の開口部で規定される領域とする。
なお、「横方向」は、レーザ光の出射方向に実質的に垂直な向きを指し、窒化物半導体層の積層面と平行な方向を指す。「縦方向」は、レーザ光の出射方向に実質的に平行な向きを指し、半導体層の積層方向と平行な方向を指す。
この凸部は、p型半導体層側若しくはn型半導体層側のいずれに突出するように設けてもよい。n型半導体層側に凸部が設けられる場合は、成長基板を剥離した後に設けられることが好ましい。また、凸部の高さは特に限定されず、p型半導体層側から設けられた凸部の底面が、p型半導体層、活性層やn型半導体層のいずれであってもよいし、n型半導体層側から設けられた凸部についても同様である。好ましくは、p型半導体層側から設けられ、p型半導体層の途中に底面を有するような凸部であり、これによってより効果的に横方向の光閉じ込めをすることができる。上面視したときの凸部の形状は特に限定されず、円、楕円、矩形等を選択できる。
また凸部は、公知の加工方法としてウェットエッチング又はドライエッチング等を用いて設けることができ、なかでも、反応性イオンエッチング(RIE)を用いることが好ましい。例えば、窒化物半導体層表面に凸部形状を決定するための適当な大きさ及び形状を有するマスクパターンを形成し、このマスクパターンをマスクとしてエッチングする方法が挙げられる。マスクパターンは、レジスト、SiO2等の絶縁体をフォトリソグラフィ及びエッチングする方法等により形成することができる。
本発明の垂直共振器型面発光レーザでは、窒化物半導体層の少なくとも一方の表面に、開口部を有する絶縁層が形成される。絶縁層は、所望の領域に電流を注入するために設けられる。特に、p型半導体層表面に絶縁層を設けることで、効果的に活性領域への電流注入を行うことができる。
また、絶縁層は、窒化物半導体及び/又は後述する透光性電極よりも屈折率が小さい材料であることが好ましい。これにより、横方向の光の閉じ込めを行うことができる。また、絶縁層の屈折率が透光性電極よりも大きい材料を用いると、高次の横モードの発生を抑制することができるという点で好ましい。
絶縁層の具体的な材料としては例えば、SiO2、Ga2O3、Al2O3、ZrO2等の酸化物、SiN、AlN及びAlGaN等の窒化物等が例示される。その膜厚としては、5〜1000nm程度、好ましくは、10〜100nm程度が例示される。
開口部の形成方法としては、公知の方法を用いて形成することが可能であるが、リフトオフ法、フォトリソグラフィを用いたエッチング(ドライエッチング、ウェットエッチング)などの方法でパターニングし、開口部を設けることが好ましい。
また、所望の領域に電流を注入する方法として、イオン注入、選択酸化(熱酸化、陽極酸化など)等の当該分野で公知の方法を組み合わせて用いてもよい。
絶縁層の開口部を被覆するように透光性電極が設けられる。つまり、透光性電極は、窒化物半導体層表面に接触して、絶縁層上に跨るように形成される。また、透光性電極は、その一部は、絶縁層を介して窒化物半導体層上に配置されている。
このような配置としては、例えば、図1に示すように、p型半導体層上の中央部分が透光性電極に直接接触し、この中央部分を取り囲む領域では、絶縁層を介して透光性電極が配置している形態等が例示される。
また、詳細は後述するが、電極60と電気的に接続させるために、開口部上に設けられる反射鏡50aから露出するように形成することが好ましい。
透光性電極の膜厚は特に限定されず、3〜100nm程度が例示される。また、20nm以下、特に、5〜20nm程度とすることで、透光性電極による光の吸収を軽減することができる一方で、電流が外周付近に偏り、活性領域内への電流の広がりが不十分となる傾向にあり、発熱が増大するため、本発明を適用するとより効果的である。
図1等に示すように、反射鏡は、透光性電極を介して開口部上に設けられる。また、反射鏡は、その一部が絶縁層と対向するように設けられる。つまり、反射鏡は絶縁層の開口部を被覆するように、絶縁層の開口部よりも大きく設けられる。
具体的な誘電体材料としては、例えば、Si、Mg、Al、Hf、Nb、Zr、Sc、Ta、Ga、Zn、Y、B、Ti等の酸化物、窒化物(例えば、AlN、AlGaN、GaN、BN、SiN等)又はフッ化物等が挙げられる。具体的には、SiO2、TiO2、ZrO2、Ta2O5、HfO2等が例示される。これらの誘電体のうち、屈折率が異なる2種以上の材料層を交互に積層することにより誘電体多層膜を得ることができる。例えば、SiO2/Nb2O5、SiO2/ZrO2、SiO2/AlN、Al2O3/Nb2O5等の多層膜が好ましい。
本発明の垂直共振器型面発光レーザでは、絶縁層と反射鏡の間に導電性材料が設けられる。この導電性材料は、活性領域への電流の供給を促進させ、活性領域に供給される電流分布を均一にし、しきい値電流の低い垂直共振器型面発光レーザを提供するために寄与するものである。
反射鏡は、その材料及び膜厚により反射率が決定され、それによってレーザの特性が大きく左右される。また、反射鏡は、誘電体材料で形成されるため、窒化物半導体層表面の全面に形成されると、外部と電気的に接続させることができない。そのため、図1(a)に示すように、窒化物半導体層表面の一部の領域に形成する必要があるが、一部の領域に形成する場合、その全体において同一の膜厚で形成することはきわめて困難であり、特にその外周部付近で膜厚の分布及び膜質の劣化が起こってしまう。活性領域内で反射鏡に膜厚及び/又は膜質の分布がある場合、反射率が低下して、所望の特性の垂直共振器型面発光レーザが得られず、発振自体が困難となることがある。また、外周部での光の散乱や吸収によって、損失が増加する恐れがある。そのため、活性領域の全体で所望の反射率を有する反射鏡を形成する必要があり、活性領域よりも大きく反射鏡を形成することで活性領域の全体で所望の反射率を有する反射鏡を形成することができる。
さらに、このような構造とすると、図1(b)中のWで示すように、反射鏡と絶縁層とが対向するような領域が設けられる。この反射鏡と絶縁層に挟まれた部分では、透光性電極のみで電流を供給することになるので、絶縁層上のその他の領域(電極60が形成された領域)よりも横方向の電流の広がりが悪くなる。
そこで、絶縁層と反射鏡の間に導電性材料を形成することによって、反射鏡と絶縁層の間、言い換えると絶縁層上に形成された反射鏡の下部において、透光性電極40に加えて、導電性材料30、特に、図1(b)中のWとHで囲まれた部分にも電流が流れ、絶縁層上における電流の広がりを改善し、活性領域への電流の拡散を促し、活性領域に均一に電流を注入することができ、ひいてはしきい値が低く、横モードの安定した垂直共振器型面発光レーザを得ることができる。さらに、素子内部で発生する熱を低減させることができ、高出力で長寿命の垂直共振器型面発光レーザを得ることができると考えられる。
また、図4に示すように、絶縁層の開口部よりも外側で絶縁層を覆うように開口部を有するように形成すると、導電性材料に金属を用いた場合に、図4(b)中の矢印aに示すように、活性領域の外周部において絶縁層と接触する部材を透光性電極とすることができ、活性領域の外周部における光の吸収や散乱の影響を低減させることができるため好ましい。
導電性材料の開口部の形成方法としては、公知の方法を用いて形成することが可能であるが、リフトオフ方法、フォトリソグラフィを用いたエッチング(ドライエッチング、ウェットエッチング)などを用いたパターニングにより開口部を設けることができる。そのなかでも、リフトオフ法を用いて形成することが好ましい。
電極は、透光性電極と電気的に接続される。また、例えば、図2に示すように、導電性の支持基板と貼り合わせるような場合に、外部と電気的に接続するために形成される。電極は、透光性電極に接触するように形成されることが好ましい。また、反射鏡の側面に接触するように形成されるか、反射鏡を貫通して透光性電極に接触するように形成することが好ましい。ただし、透光性電極に電流を供給し得る形態であれば、これら以外の形態で電極を形成してもよいし、垂直共振器型面発光レーザの構造によっては省略することもできる。
電極は、絶縁層上の透光性電極と接触するように設けることが好ましい。透光性電極が窒化物半導体層と接触している領域に電極を配置すると、電極の直下にのみに電流が流れ、活性領域の中心部まで電流が広がりにくくなるが、これを防ぐことができる。
電極は、抵抗が低く、熱伝導率の大きい材料が好ましい。例えば、ニッケル(Ni)、金(Au)、白金(Pt)、アルミニウム(Al)、パラジウム(Pd)、ロジウム(Rh)、チタン(Ti)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、タングステン(W)、銅(Cu)、銀(Ag)、これらの酸化物又は窒化物、ITO、ZnO、In2O3等の透明導電性酸化物からなる群から選択された少なくとも一種を含む金属、合金の単層膜又は積層膜により形成することができる。具体的には、Ti−Rh−Au、Cr−Pt−Au、Ni−Au、Ni−Au−Pt、Pd−Pt、Ni−Pt、Cr−Rh−Au等が挙げられる。
形成方法としては、当該分野で公知の方法によって形成することができる。例えば、蒸着法、スパッタ法、反応性スパッタ法、ECRプラズマスパッタ法、マグネトロンスパッタ法等が挙げられる。
図2及び3に本発明の垂直共振器型面発光レーザの一例を示す。図3は、本発明の垂直共振器型面発光レーザの上面図であり、図2は、図3中のI−I´断面の断面図である。
図2は、図1の垂直共振器型面発光レーザの反射鏡50aが形成された側を接着層80を介して支持基板90に接合したものである。また、図3に示すように、略矩形で形成された垂直共振器型面発光レーザの活性領域に、円形で第2の反射鏡50bが設けられており、透光性電極40は、窒化物半導体層との接触面積が第2の反射鏡50bよりも小さくなるように第2の反射鏡50bと対向して設けられている。
また、本発明の垂直共振器型面発光レーザは、図2に示すように、p型半導体層側を支持基板に接合し、矢印で示すようにn型半導体層側からレーザ光を取り出すことが好ましい。
支持基板の具体的な材料としては、AlN、Si、SiC、Ni、Au、Cu、CuW、Ge等が挙げられる。なかでも、導電性を有し、熱伝導率が高いものが好ましい。機械的特性、弾性変形、塑性変形性、物理的強度、放熱性等の観点からは、Ni、Au、Cuからなる金属基板が好ましい。また、Si基板は、安価であり、加工容易性の点から好ましい。支持基板の厚さは、例えば、50〜500μm程度が適している。
接着層の材料としては、(Ti/Si)−Pt−Pd、Ti−Pt−Au−(Au/Sn)、Ti−Pt−Au−(Au/Si)、Ti−Pt−Au−(Au/Ge)、Ti−Pt−Au−In、Au−Sn、In、Au−Si、Au−Ge、Al−Rh−Au−(Au/Sn)等が挙げられる。
また、支持基板側にも同様の接着層が形成されていることが好ましい。この接着層は、反射鏡上に形成する接着層と同様の材料、膜厚、方法により形成することができる。
垂直共振器型面発光レーザと支持基板の接合方法としては、例えば、接合面を合わせた後所定の温度及び圧力下で保持することによって接合する方法が挙げられる。しかし、支持基板の形成方法は特に限定されず、当該分野で通常使用される方法を利用することができる。具体的には、熱圧着法、ダイレクトボンディング法、電解めっき法等が挙げられる。
成長基板の除去方法は、特に限定されず、当該分野で公知の方法により行うことができる。例えば、レーザリフトオフ法、研磨、エッチング等を利用することができる。
加工方法としては、CMP(化学機械研磨)法やエッチング等を利用することができる。これらの方法や加工条件については、当該分野で公知のものを適宜用いて行うことができる。例えば、CMPの研磨剤としては、燐酸、水酸化カリウム、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)等を用いることができる。また、ウェットエッチングは、エッチャントとして、水酸化カリウム、水酸化ナトリウムなどのアルカリ水溶液、リン酸、硫酸、王水等の酸性溶液等を用い、窒化物半導体層を所定時間浸漬するなどしてエッチャントに晒すことにより行うことができる。ドライエッチングのエッチングガスとしては、CF4のようなフッ素系、Cl2、CCl4、SiCl4のような塩素系、HIのようなヨウ素系ガスの単独又は混合ガスを適宜選択することができる。
また、上述したように、窒化物半導体層にエッチングストップ層を含む場合、エッチングにより、窒化物半導体層を一部除去し、エッチングストップ層を露出させることで、共振器長の制御を高精度に行うことができる。この場合、エッチングは全面で行ってもよいし活性領域を含む一部の領域だけ行ってもよい。
また、この加工後の残りの窒化物半導体層の膜厚が、垂直共振器型面発光レーザの共振器長となる。窒化物半導体層の残りの膜厚が0.3〜6.0μm程度となるように加工することが好ましい。
第2電極は、n型半導体層に電流を供給し得る形態であれば、その形成位置や接触面積などは限定されない。例えば、図3に示すように、第2反射鏡を取り囲むように配置される例が挙げられる。第2電極とn型半導体層との接触面積は、用いる材料、垂直共振器型面発光レーザの大きさ等によって適宜調整することができる。また、第2電極は、第2反射鏡の上もしくは下に外周の一部が重なるように形成してもよい。また、成長基板に導電性基板を用いる場合には、成長基板を一部残しておき第2電極を形成してもよい。
第2電極は、第1電極の材料と同様の材料、膜厚、方法により形成することができる。
また、第2電極は、対向するように形成することには限定されず、p型半導体層及び活性層が除去されて露出されたn型半導体層表面に形成されていてもよい。
また、第2反射鏡は、第1反射鏡よりも面積を大きく、第1反射鏡と対向する領域を被覆するように設けられることが好ましい。第2反射鏡をこのように形成することで、効率の良い垂直共振器型面発光レーザを簡便に、再現性よく製造することができる。
なお、本発明では導電性材料、絶縁層及び透光性電極は、p型半導体層側に形成されることには限定されず、n型半導体層側にも同様にして形成することができる。
また、本発明では、第2反射鏡を半導体材料で形成してもよい。その場合、成長基板上にn型半導体層を形成する前に第2反射鏡が形成されることが好ましい。その材料としては、AlN/GaN、AlGaN/GaN等が例示される。
なお、任意の段階で、ウエハ状態で形成された窒化物半導体層に溝部を設けることで、予め個々の垂直共振器型面発光レーザを規定してもよい。例えば、成長基板を除去した後、成長基板を除去後に窒化物半導体層表面を加工した後、あるいは、第2電極及び/又は第2反射鏡を形成する前後、又はこれ以外の適当な段階に行うことができる。
また、必ずしも各々の活性領域の間でウエハを分割することには限定されず、任意にウエハを分割することができる。例えば、複数の活性領域をもつような垂直共振器型面発光レーザアレイとしてもよい。
また、得られた素子を金属や樹脂等で形成される種々のパッケージに実装してレーザ装置を得ることができる。
絶縁膜の材料としては、例えば、SiO2、Ga2O3、Al2O3、ZrO2等の酸化物、SiN、AlN及びAlGaN等の窒化物等が例示される。絶縁膜の膜厚は、例えば、20〜1000nm程度が挙げられる。絶縁膜の形成は、当該分野で公知の方法を利用して行うことができる。
(実施例1)
本実施例の垂直共振器型面発光レーザ100は、図2に示すように、支持基板90であるシリコン基板上に、接着層80、誘電体多層膜からなる反射鏡50a、ITOからなる透光性電極40、窒化物半導体層10、誘電体多層膜からなる第2反射鏡50bが形成されている。また、透光性電極40と窒化物半導体層10の間には部分的にSiO2からなる絶縁層20が配置され、活性領域を規定している。さらに、絶縁層20と反射鏡50aの間には、導電性材料30が形成されている。また、導電性材料は、図6に示すように、積層構造で形成されている。
また、反射鏡50aの側面には、接着層80と透光性電極40の双方と電気的に接続された電極60が形成されている。さらに、第2反射鏡50bの外周には、窒化物半導体層と電気的に接続された第2電極70が形成されている。
まず、成長基板であるサファイア基板上に、AlGaN層を10nm、アンドープのGaN層を1.5μm積層する。その上に、n型半導体層11として、SiをドープしたGaNを膜厚2μm積層する。次に、SiドープInGaNよりなる障壁層を13nm、アンドープInGaNよりなる井戸層を10nmの膜厚で積層する。これを2回繰り返し、最後にアンドープInGaNよりなる膜厚の13nm障壁層を積層して活性層12を形成する。次に、p型半導体層13として、MgをドープしたAlGaN層を7.5nmの膜厚で積層し、MgをドープしたGaN層を63nmの膜厚で積層する。
次に、絶縁層と同様の形状で、Ti/Rh/Ti(10nm/50nm/10nm)からなる導電性材料を形成する。
次に、導電性材料30の上に、開口部を被覆するように膜厚50nmのITOからなる透光性電極40を形成し、熱処理を行う。
次に、反射鏡の形成予定位置である活性領域をフォトリソグラフィによりレジストで覆い、Ti/Rh/Au(1.5nm/200nm/1100nm)を成膜し、リフトオフ法により電極60を形成する。
次に、活性領域に透光性電極40を介して直径18μmの円形で反射鏡50aを形成する。反射鏡は、Nb2O5/SiO2(40nm/70nm)の12ペアで形成し、1層目のNb2O5を20nmで形成する。
その後、レーザアシスト・エピタキシャル・リフトオフによって、成長基板を除去し、n型半導体層11の表面を露出させる。続いて、n型半導体層11の表面をCMP法により研磨し、窒化物半導体層10の全膜厚を1.1μm程度に調整する。
次に、n型半導体層11の上に、活性領域を中心として、直径28μmの円形の開口部を有する形状に、Ti/Pt/Au/Ni(膜厚:17nm/200nm/500nm/6nm)からなる第2電極70を形成する。
次に、活性領域を被覆するようにn型半導体層11上に直径48μmの円形で誘電体多層膜からなる第2反射鏡50bを形成する。第2反射鏡は、SiO2/Nb2O5(70nm/40nm)の7ペアで形成する。
最後に、ダイシングを行う領域の窒化物半導体層を除去し、ダイシングによりチップ状に分離して垂直共振器型面発光レーザを得る。
比較例の垂直共振器型面発光レーザは、本発明の垂直共振器型面発光レーザと比較してしきい値電流が高くなり、得られる最大の出力が小さくなり、寿命が短くなる。本発明の垂直共振器型面発光レーザは、活性領域に供給される電流分布が均一になり、透光性電極での発熱が低減して放熱性が向上する。その結果、しきい値電流が低く、横モードの安定した、高出力で長寿命の垂直共振器型面発光レーザが得られる。
本実施例では、図4に示すような垂直共振器型面発光レーザについて、実施例1と同様に接着層80を介して支持基板90に接合したものを作製する。
実施例1と異なる点は、絶縁層上に形成された導電性材料の開口部を絶縁層の開口部よりも大きくなるように形成した点であり、具体的には、絶縁層を形成した後、絶縁層を形成したマスクよりも直径で5μm大きいマスクを設け、同様にして導電性材料を形成する。それ以外は、実施例1と同様にして作製する。
本実施例の垂直共振器型面発光レーザは、実施例1の垂直共振器型面発光レーザと比較して、活性領域の外周部での光の吸収や散乱の影響を低減させることができ、しきい値電流の低い垂直共振器型面発光レーザが得られる。
本実施例では、図5に示すような垂直共振器型面発光レーザについて、実施例1と同様に接着層80を介して支持基板90に接合したものを作製する。
実施例1と異なる点は、導電性材料及び透光性電極の外周端部が、電極の外周側面よりも内側になるように形成した点であり、具体的には、絶縁層を形成した後、開口部の大きさは同じで、活性領域の外周の絶縁層上に幅10μmのリング状に、同様の条件で導電性材料を形成する。続いて、開口部はなく、素子領域よりも直径で20μm大きくなるように直径28μmの円形状に透光性電極を形成する。それ以外は、実施例1と同様にして作製する。
本実施例の垂直共振器型面発光レーザは、実施例1の垂直共振器型面発光レーザと比較して導電性材料の面積を減らすことで密着性の問題が軽減され、導電性材料に導電率、熱伝導率の高い材料を用いることができるので、発熱低減、放熱性向上の効果が得られる。
本実施例では、図1に示すような垂直共振器型面発光レーザについて、実施例1と同様に接着層80を介して支持基板90に接合したものを作製する。
本実施例は、導電性材料をAu(70nm)で形成する点以外は、実施例1と同様の構成であり、同様にして形成することができる。
本実施例の垂直共振器型面発光レーザは、実施例1の垂直共振器型面発光レーザと比較して、放熱性の良好な垂直共振器型面発光レーザが得られる。
本実施例は、成長基板として窒化物半導体基板を用いた点以外は、実施例1と同様の構成であり、同様にして作製することができる。
得られた垂直共振器型面発光レーザ素子は、結晶性のよい窒化物半導体層を形成することができるため、駆動による窒化物半導体層の結晶の劣化を抑制することができ、実施例1と比較して長時間の駆動が可能になる。
本実施例では導電性材料30の材料及び膜厚を変更する。具体的には導電性材料30をAl/Ti(1.3μm/17nm)で形成する。それ以外は実施例1と同様の構成であり、同様にして作製することができる。
得られた垂直共振器型面発光レーザ素子は、実施例1と比較して活性領域に供給される電流分布がより均一になり、放熱性の良好な垂直共振器型面発光レーザ素子が得られる。
10 窒化物半導体層
11 n型半導体層
12 活性層
13 p型半導体層
20 絶縁層
30、30a、30b 導電性材料
40 透光性電極
50、50a 反射鏡
50b 第2反射鏡
60 電極
70 第2電極
80 接着層
90 支持基板
Claims (5)
- n型半導体層、活性層及びp型半導体層を含む窒化物半導体層の少なくとも一方の表面に、
開口部を有する絶縁層と、
前記開口部を被覆するように前記絶縁層上に設けられた透光性電極と、
該透光性電極を介して前記開口部上に設けられた誘電体材料からなる反射鏡とを有し、
前記絶縁層上において、前記絶縁層と前記透光性電極の間に前記透光性電極とは異なる材料である導電性材料を設け、
前記導電性材料は、前記絶縁層の開口部と一致するように開口部を有する、もしくは前記絶縁層の開口部よりも外側で絶縁層を覆うように開口部を有し、且つ前記導電性材料の一部が前記絶縁層と前記反射鏡の間に設けられる垂直共振器型面発光レーザ。 - 前記導電性材料の導電率は、前記透光性電極の導電率より大きい請求項1に記載の垂直共振器型面発光レーザ。
- 前記導電性材料は、p型半導体層側に形成される請求項1又は2のいずれか1項に記載の垂直共振器型面発光レーザ。
- 前記反射鏡の外周側面には、前記透光性電極と電気的に接続するように設けられた電極を有し、前記導電性材料の外周端部は、前記電極の外周側面よりも内側である請求項1乃至3のいずれか1項に記載の垂直共振器型面発光レーザ。
- 前記導電性材料は、いずれかの層にTi、NiまたはCrを含む積層構造である請求項1乃至4のいずれか1項に記載の垂直共振器型面発光レーザ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010129283A JP5707742B2 (ja) | 2009-06-30 | 2010-06-04 | 垂直共振器型面発光レーザ |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009155638 | 2009-06-30 | ||
JP2009155638 | 2009-06-30 | ||
JP2010129283A JP5707742B2 (ja) | 2009-06-30 | 2010-06-04 | 垂直共振器型面発光レーザ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011029607A JP2011029607A (ja) | 2011-02-10 |
JP5707742B2 true JP5707742B2 (ja) | 2015-04-30 |
Family
ID=43637953
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010129283A Active JP5707742B2 (ja) | 2009-06-30 | 2010-06-04 | 垂直共振器型面発光レーザ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5707742B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9935427B2 (en) | 2016-04-18 | 2018-04-03 | Stanley Electric Co., Ltd. | Vertical cavity light-emitting element and method for manufacturing the same |
US10381804B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-08-13 | Stanley Electric Co., Ltd. | Vertical cavity light emitting element |
US10892601B2 (en) | 2018-05-24 | 2021-01-12 | Stanley Electric Co., Ltd. | Vertical cavity light-emitting element |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5633435B2 (ja) * | 2011-03-09 | 2014-12-03 | 日亜化学工業株式会社 | 面発光レーザ素子 |
JP5857707B2 (ja) * | 2011-12-14 | 2016-02-10 | 日亜化学工業株式会社 | 面発光レーザ素子 |
JP6479308B2 (ja) * | 2013-08-09 | 2019-03-06 | ソニー株式会社 | 面発光レーザ素子及びその製造方法 |
JP6723723B2 (ja) * | 2015-10-22 | 2020-07-15 | スタンレー電気株式会社 | 垂直共振器型発光素子及びその製造方法 |
JP6700027B2 (ja) | 2015-11-20 | 2020-05-27 | スタンレー電気株式会社 | 垂直共振器型発光素子 |
JP7027033B2 (ja) * | 2016-09-28 | 2022-03-01 | スタンレー電気株式会社 | 照明用の垂直共振器型発光素子モジュール |
JP7027032B2 (ja) * | 2016-09-28 | 2022-03-01 | スタンレー電気株式会社 | 照明用の垂直共振器型発光素子モジュール |
WO2018083877A1 (ja) * | 2016-11-02 | 2018-05-11 | ソニー株式会社 | 発光素子及びその製造方法 |
CN110268587B (zh) | 2016-11-24 | 2021-09-21 | 索尼公司 | 面发射激光器和电子设备 |
JP2018186213A (ja) * | 2017-04-27 | 2018-11-22 | スタンレー電気株式会社 | 垂直共振器型発光素子 |
WO2018235413A1 (ja) * | 2017-06-20 | 2018-12-27 | ソニー株式会社 | 面発光半導体レーザおよびその製造方法 |
JP2021197437A (ja) * | 2020-06-12 | 2021-12-27 | スタンレー電気株式会社 | 垂直共振器型発光素子 |
JP2023043084A (ja) | 2021-09-15 | 2023-03-28 | スタンレー電気株式会社 | 垂直共振器型発光素子 |
WO2023181716A1 (ja) * | 2022-03-24 | 2023-09-28 | ソニーグループ株式会社 | 面発光レーザ、面発光レーザアレイ、及び電子機器 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1027941A (ja) * | 1996-07-10 | 1998-01-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光型半導体レーザ装置及びその製作方法 |
JP2001223384A (ja) * | 2000-02-08 | 2001-08-17 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
JP2005340567A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Fuji Xerox Co Ltd | 表面発光型半導体レーザ素子およびその製造方法 |
JP2007059672A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザアレイ |
JP2008211164A (ja) * | 2007-01-29 | 2008-09-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体発光装置及びその製造方法 |
-
2010
- 2010-06-04 JP JP2010129283A patent/JP5707742B2/ja active Active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9935427B2 (en) | 2016-04-18 | 2018-04-03 | Stanley Electric Co., Ltd. | Vertical cavity light-emitting element and method for manufacturing the same |
US10381804B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-08-13 | Stanley Electric Co., Ltd. | Vertical cavity light emitting element |
US10892601B2 (en) | 2018-05-24 | 2021-01-12 | Stanley Electric Co., Ltd. | Vertical cavity light-emitting element |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011029607A (ja) | 2011-02-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5707742B2 (ja) | 垂直共振器型面発光レーザ | |
JP5521478B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子の製造方法及び窒化物半導体発光素子 | |
JP6962330B2 (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
CN107851967B (zh) | 发光元件 | |
US9160138B2 (en) | Light-emitting element array | |
JP4986714B2 (ja) | 窒化物系半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
JP7441980B2 (ja) | 発光素子 | |
JP2007536732A (ja) | SiC基板上に形成されたGaN膜に対するリフトオフプロセスおよびその方法により作製されたデバイス | |
JP2002353563A (ja) | 半導体発光素子およびその製法 | |
JP2007103690A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
JP5127644B2 (ja) | 窒化物系半導体レーザ素子 | |
JP2011513954A (ja) | オプトエレクトロニクス素子およびオプトエレクトロニクス素子の製造方法 | |
JP2010067858A (ja) | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 | |
WO2018221042A1 (ja) | 発光素子および発光素子の製造方法 | |
JP4529372B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP2013251496A (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
JP2012094564A (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
JP2009188249A (ja) | 発光ダイオードおよびその製造方法、発光ダイオードアレイ | |
WO2020026573A1 (ja) | 面発光半導体レーザ | |
JP4360071B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子の製造方法 | |
JP5127642B2 (ja) | 窒化物系半導体レーザ素子 | |
WO2020184148A1 (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
JP5391804B2 (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
JP5326643B2 (ja) | 窒化物半導体素子の製造方法 | |
US20200176952A1 (en) | Surface emitting laser and method of manufacturing the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130426 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131224 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131225 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140219 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140819 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141119 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20141126 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150216 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5707742 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |