JP5705976B2 - 配線欠陥検査方法および配線欠陥検査装置、並びに半導体基板の製造方法 - Google Patents
配線欠陥検査方法および配線欠陥検査装置、並びに半導体基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5705976B2 JP5705976B2 JP2013512411A JP2013512411A JP5705976B2 JP 5705976 B2 JP5705976 B2 JP 5705976B2 JP 2013512411 A JP2013512411 A JP 2013512411A JP 2013512411 A JP2013512411 A JP 2013512411A JP 5705976 B2 JP5705976 B2 JP 5705976B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- resistance value
- short
- voltage
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims description 147
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 141
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 113
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 82
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 45
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 claims description 37
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 53
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 40
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 33
- 239000010408 film Substances 0.000 description 32
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N25/00—Investigating or analyzing materials by the use of thermal means
- G01N25/72—Investigating presence of flaws
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2801—Testing of printed circuits, backplanes, motherboards, hybrid circuits or carriers for multichip packages [MCP]
- G01R31/281—Specific types of tests or tests for a specific type of fault, e.g. thermal mapping, shorts testing
- G01R31/2812—Checking for open circuits or shorts, e.g. solder bridges; Testing conductivity, resistivity or impedance
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/50—Testing of electric apparatus, lines, cables or components for short-circuits, continuity, leakage current or incorrect line connections
- G01R31/66—Testing of connections, e.g. of plugs or non-disconnectable joints
- G01R31/70—Testing of connections between components and printed circuit boards
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/006—Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
- H02S50/00—Monitoring or testing of PV systems, e.g. load balancing or fault identification
- H02S50/10—Testing of PV devices, e.g. of PV modules or single PV cells
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2801—Testing of printed circuits, backplanes, motherboards, hybrid circuits or carriers for multichip packages [MCP]
- G01R31/2806—Apparatus therefor, e.g. test stations, drivers, analysers, conveyors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Immunology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Pathology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
Description
半導体基板に設けられた配線の抵抗値を測定することにより、配線短絡部の有無を判定する抵抗値測定工程と、
上記抵抗値測定工程において上記配線短絡部を有すると判定された半導体基板の該配線短絡部を含む短絡経路に、該抵抗値測定工程で測定された抵抗値に基づいて特定された電圧を印加して、該短絡経路を発熱させる発熱工程と、
上記発熱工程において発熱した短絡経路を、赤外線カメラで撮影して、該撮影の情報に基づいて上記配線短絡部の位置を特定する位置特定工程と、
を含むことを特徴としている。
半導体基板に設けられた配線の予め測定された抵抗値を取り込むデータ取り込み部と、
上記配線に電圧を印加する電圧印加部と、
上記電圧印加部を制御する制御部と、
上記制御部による制御を受けた電圧印加によって発熱した半導体基板から赤外線を検出する赤外線カメラと、
を備えており、
上記制御部は、上記データ取り込み部によって取り込まれた抵抗値に基づいて、上記発熱のための印加電圧の電圧値を制御する構成となっている、ことを特徴とする。
半導体基板に設けられた配線に電圧を印加する電圧印加部と、
上記配線の抵抗値を測定する抵抗測定部と、
上記電圧印加部を制御する制御部と、
上記制御部による制御を受けた電圧印加によって発熱した半導体基板から赤外線を検出する赤外線カメラと、
を備えており、
上記制御部は、上記抵抗測定部によって測定された抵抗値に基づいて、上記発熱のための印加電圧の電圧値を制御する構成となっている、ことを特徴としている。
上記半導体基板に設けられた上記配線の抵抗値を測定することにより、配線短絡部の有無を判定する抵抗値測定工程と、
上記抵抗値測定工程において上記配線短絡部を有すると判定された半導体基板の当該配線短絡部を含む短絡経路に、当該抵抗値測定工程で測定された抵抗値に基づいて特定された電圧を印加して、当該短絡経路を発熱させる発熱工程と、
上記発熱工程において発熱した短絡経路を、赤外線カメラで撮影して、当該撮影の情報に基づいて上記配線短絡部の位置を特定する位置特定工程と、
を含むことを特徴としている。
本発明に係わる配線欠陥検査方法の一実施形態について、図1〜図5を参照して説明する。
(a)欠陥部23の抵抗値が比較的小さい場合、この欠陥部23の発熱量J2は小さくなる。しかし、上述のように短絡経路の発熱量Jは一定であるので、欠陥部23の発熱量J2が小さくなることにより、配線部分の発熱量J1が大きくなる。したがって、赤外線画像には、よく発熱している配線部分を容易に認識することができる。そして、この認識された部分を更に解析して、配線と配線とが短絡している部分を特定することにより、欠陥部23を検出することができる。
本実施形態によれば、抵抗検査により欠陥の有無を判断し、欠陥が有ると判断された場合は液晶パネル2の短絡経路における抵抗値が取得される。さらに、該抵抗値に基づいて特定された電圧を液晶パネル2に印加することにより、欠陥部23または配線部の何れかが十分に発熱するため、赤外線検査の際に欠陥の位置を容易に認識することができる。
本実施形態では、図1に示すように、配線の抵抗値を測定する抵抗測定部8が設けられた構成について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、配線の予め測定された抵抗値を取り込むデータ取り込み部(不図示)を備えた構成として、主制御部7は、上記データ取り込み部によって取り込まれた抵抗値に基づいて、上記発熱のための印加電圧の電圧値を制御する構成となっていてもよい。
本発明に係わる他の実施形態について説明する。
本発明に係わる配線欠陥検査方法は、
半導体基板に設けられた配線の抵抗値を測定することにより、配線短絡部の有無を判定する抵抗値測定工程と、
上記抵抗値測定工程において上記配線短絡部を有すると判定された半導体基板の該配線短絡部を含む短絡経路に、該抵抗値測定工程で測定された抵抗値に基づいて特定された電圧を印加して、該短絡経路を発熱させる発熱工程と、
上記発熱工程において発熱した短絡経路を、赤外線カメラで撮影して、該撮影の情報に基づいて上記配線短絡部の位置を特定する位置特定工程と、
を含むことを特徴としている。
上記発熱工程において上記配線に印加される上記電圧は、上記抵抗値が大きいほど、高くする、ことが好ましい。
上記発熱工程において上記配線に印加される上記電圧は、上記抵抗値の平方根に比例する値の電圧である、ことが好ましい。
上記発熱工程において上記配線に印加される上記電圧は、上記抵抗値に比例する値の電圧であってもよい。
半導体基板に設けられた配線の予め測定された抵抗値を取り込むデータ取り込み部と、
上記配線に電圧を印加する電圧印加部と、
上記電圧印加部を制御する制御部と、
上記制御部による制御を受けた電圧印加によって発熱した半導体基板から赤外線を検出する赤外線カメラと、
を備えており、
上記制御部は、上記データ取り込み部によって取り込まれた抵抗値に基づいて、上記発熱のための印加電圧の電圧値を制御する構成となっている、ことを特徴とする。
半導体基板に設けられた配線に電圧を印加する電圧印加部と、
上記配線の抵抗値を測定する抵抗測定部と、
上記電圧印加部を制御する制御部と、
上記制御部による制御を受けた電圧印加によって発熱した半導体基板から赤外線を検出する赤外線カメラと、
を備えており、
上記制御部は、上記抵抗測定部によって測定された抵抗値に基づいて、上記発熱のための印加電圧の電圧値を制御する構成となっている、ことを特徴としている。
上記半導体基板に設けられた上記配線の抵抗値を測定することにより、配線短絡部の有無を判定する抵抗値測定工程と、
上記抵抗値測定工程において上記配線短絡部を有すると判定された半導体基板の当該配線短絡部を含む短絡経路に、当該抵抗値測定工程で測定された抵抗値に基づいて特定された電圧を印加して、当該短絡経路を発熱させる発熱工程と、
上記発熱工程において発熱した短絡経路を、赤外線カメラで撮影して、当該撮影の情報に基づいて上記配線短絡部の位置を特定する位置特定工程と、
を含むことを特徴としている。
2 液晶パネル(半導体基板)
3 プローブ
4 プローブ移動手段
5a、5b 赤外線カメラ
6 カメラ移動手段
7 主制御部(制御部)
8 抵抗測定部
9 電圧印加部
10 データ記憶部
11 アライメントステージ
12、16 光学カメラ
13a、13b、13c、13d、13e、13f ガイドレール
14a、14b、14d、14d マウント部
17 画素部
18 駆動回路部
19a、19b、19c、19d 端子部
21a、21b、21c、21d プローブ部
23 欠陥部(配線短絡部)
30、40a、40b 共通線
31、32、33、34、35 走査線
31p、32p、33p、34p、35p 走査線引出線
41、42、43、44、45 信号線
41p、42p、43p、44p、45p 信号線引出線
50 短絡箇所
100 配線欠陥検査装置
Claims (8)
- 半導体基板に設けられた配線の抵抗値を測定することにより、配線短絡部の有無を判定する抵抗値測定工程と、
上記抵抗値測定工程において上記配線短絡部を有すると判定された半導体基板の該配線短絡部を含む短絡経路に、該抵抗値測定工程で測定された抵抗値の正の平方根に比例する値の電圧を印加して、該短絡経路を発熱させる発熱工程と、
上記発熱工程において発熱した短絡経路を、赤外線カメラで撮影して、該撮影の情報に基づいて上記配線短絡部の位置を特定する位置特定工程と、
を含むことを特徴とする配線欠陥検査方法。 - 半導体基板に設けられた配線の抵抗値を測定することにより、配線短絡部の有無を判定する抵抗値測定工程と、
上記抵抗値測定工程において上記配線短絡部を有すると判定された半導体基板の該配線短絡部を含む短絡経路に、該抵抗値測定工程で測定された抵抗値に比例する値の電圧を印加して、該短絡経路を発熱させる発熱工程と、
上記発熱工程において発熱した短絡経路を、赤外線カメラで撮影して、該撮影の情報に基づいて上記配線短絡部の位置を特定する位置特定工程と、
を含むことを特徴とする配線欠陥検査方法。 - 半導体基板に設けられた配線の予め測定された抵抗値を取り込むデータ取り込み部と、
上記配線に電圧を印加する電圧印加部と、
上記電圧印加部を制御する制御部と、
上記制御部による制御を受けた電圧印加によって発熱した半導体基板から赤外線を検出する赤外線カメラと、
を備えており、
上記制御部は、上記データ取り込み部によって取り込まれた抵抗値の正の平方根に比例する値の電圧を印加するよう、上記発熱のための印加電圧の電圧値を制御する構成となっている、ことを特徴とする配線欠陥検査装置。 - 半導体基板に設けられた配線の予め測定された抵抗値を取り込むデータ取り込み部と、
上記配線に電圧を印加する電圧印加部と、
上記電圧印加部を制御する制御部と、
上記制御部による制御を受けた電圧印加によって発熱した半導体基板から赤外線を検出する赤外線カメラと、
を備えており、
上記制御部は、上記データ取り込み部によって取り込まれた抵抗値に比例する値の電圧を印加するよう、上記発熱のための印加電圧の電圧値を制御する構成となっている、ことを特徴とする配線欠陥検査装置。 - 半導体基板に設けられた配線の予め測定された抵抗値を取り込むデータ取り込み部と、
上記配線に電圧を印加する電圧印加部と、
上記電圧印加部を制御する制御部と、
上記制御部による制御を受けた電圧印加によって発熱した半導体基板から赤外線を検出する赤外線カメラと、
を備えており、
上記制御部は、上記データ取り込み部によって取り込まれた抵抗値の正の平方根に比例する値の電圧を印加するよう、上記発熱のための印加電圧の電圧値を制御する構成となっている、ことを特徴とする配線欠陥検査装置。 - 半導体基板に設けられた配線に電圧を印加する電圧印加部と、
上記配線の抵抗値を測定する抵抗測定部と、
上記電圧印加部を制御する制御部と、
上記制御部による制御を受けた電圧印加によって発熱した半導体基板から赤外線を検出する赤外線カメラと、
を備えており、
上記制御部は、上記抵抗測定部によって測定された抵抗値に比例する値の電圧を印加するよう、上記発熱のための印加電圧の電圧値を制御する構成となっている、ことを特徴とする配線欠陥検査装置。 - 基板上に、ゲート電極、ソース電極、および、ドレイン電極のうちの少なくとも1つと、それに繋がる配線と、半導体膜とを形成して、当該配線が形成された半導体基板を形成する半導体基板形成工程と、
上記半導体基板に設けられた上記配線の抵抗値を測定することにより、配線短絡部の有無を判定する抵抗値測定工程と、
上記抵抗値測定工程において上記配線短絡部を有すると判定された半導体基板の当該配線短絡部を含む短絡経路に、当該抵抗値測定工程で測定された抵抗値の正の平方根に比例する値の電圧を印加して、当該短絡経路を発熱させる発熱工程と、
上記発熱工程において発熱した短絡経路を、赤外線カメラで撮影して、当該撮影の情報に基づいて上記配線短絡部の位置を特定する位置特定工程と、
を含むことを特徴とする、半導体基板の製造方法。 - 基板上に、ゲート電極、ソース電極、および、ドレイン電極のうちの少なくとも1つと、それに繋がる配線と、半導体膜とを形成して、当該配線が形成された半導体基板を形成する半導体基板形成工程と、
上記半導体基板に設けられた上記配線の抵抗値を測定することにより、配線短絡部の有無を判定する抵抗値測定工程と、
上記抵抗値測定工程において上記配線短絡部を有すると判定された半導体基板の当該配線短絡部を含む短絡経路に、当該抵抗値測定工程で測定された抵抗値に比例する値の電圧を印加して、当該短絡経路を発熱させる発熱工程と、
上記発熱工程において発熱した短絡経路を、赤外線カメラで撮影して、当該撮影の情報に基づいて上記配線短絡部の位置を特定する位置特定工程と、
を含むことを特徴とする、半導体基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013512411A JP5705976B2 (ja) | 2011-04-25 | 2012-04-25 | 配線欠陥検査方法および配線欠陥検査装置、並びに半導体基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011097531 | 2011-04-25 | ||
JP2011097531 | 2011-04-25 | ||
JP2013512411A JP5705976B2 (ja) | 2011-04-25 | 2012-04-25 | 配線欠陥検査方法および配線欠陥検査装置、並びに半導体基板の製造方法 |
PCT/JP2012/061117 WO2012147807A1 (ja) | 2011-04-25 | 2012-04-25 | 配線欠陥検査方法および配線欠陥検査装置、並びに半導体基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2012147807A1 JPWO2012147807A1 (ja) | 2014-07-28 |
JP5705976B2 true JP5705976B2 (ja) | 2015-04-22 |
Family
ID=47072324
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013512411A Expired - Fee Related JP5705976B2 (ja) | 2011-04-25 | 2012-04-25 | 配線欠陥検査方法および配線欠陥検査装置、並びに半導体基板の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140062521A1 (ja) |
JP (1) | JP5705976B2 (ja) |
CN (1) | CN103492864B (ja) |
TW (1) | TWI575235B (ja) |
WO (1) | WO2012147807A1 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101961097B1 (ko) * | 2012-09-06 | 2019-03-25 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 패키지 검사 장치 |
JP6206864B2 (ja) * | 2012-11-08 | 2017-10-04 | 島根県 | 太陽電池の電気的短絡欠陥を検出する方法及び装置 |
CN103675595A (zh) * | 2013-12-11 | 2014-03-26 | 广州兴森快捷电路科技有限公司 | 线路板内外层线路的短路探测方法 |
KR102592921B1 (ko) * | 2015-12-31 | 2023-10-23 | 삼성전자주식회사 | 패턴 결함 검사 방법 |
WO2017197632A1 (zh) * | 2016-05-20 | 2017-11-23 | 华为技术有限公司 | 一种二维材料的缺陷识别方法以及一种基于二维材料的器件的制备方法 |
DE102016114144A1 (de) * | 2016-08-01 | 2018-02-01 | Endress+Hauser Flowtec Ag | Testsystem zur Prüfung von elektrischen Verbindungen von Bauteilen mit einer Leiterplatte |
DE102016114146A1 (de) * | 2016-08-01 | 2018-02-01 | Endress+Hauser Flowtec Ag | Testsystem zur Überprüfung von elektronischen Verbindungen |
EP3542153A1 (en) | 2016-11-16 | 2019-09-25 | 3M Innovative Properties Company | Temperature-independent verifying of structural integrity of materials using electrical properties |
EP3542155A4 (en) | 2016-11-16 | 2020-08-26 | 3M Innovative Properties Company | PLACEMENT OF ELECTRODES TO CHECK THE STRUCTURAL INTEGRITY OF MATERIALS |
US11060993B2 (en) | 2016-11-16 | 2021-07-13 | 3M Innovative Properties Company | Suppressing thermally induced voltages for verifying structural integrity of materials |
EP3542154A4 (en) * | 2016-11-16 | 2020-06-10 | 3M Innovative Properties Company | VERIFICATION OF THE STRUCTURAL INTEGRITY OF MATERIALS |
EP3555605B1 (en) | 2016-12-16 | 2022-05-04 | 3M Innovative Properties Company | Verifying structural integrity of materials |
WO2018112311A1 (en) | 2016-12-16 | 2018-06-21 | 3M Innovative Properties Company | Verifying structural integrity of materials using reference impedance |
WO2018140148A2 (en) | 2016-12-16 | 2018-08-02 | 3M Innovative Properties Company | Verifying structural integrity of materials |
TWI778072B (zh) * | 2017-06-22 | 2022-09-21 | 以色列商奧寶科技有限公司 | 用於在超高解析度面板中偵測缺陷之方法 |
CN109991489A (zh) * | 2017-12-30 | 2019-07-09 | 深圳市泰瑞达科技有限公司 | 一种发热涂层组件的安全检测电路及其*** |
CN109167306B (zh) * | 2018-10-18 | 2020-12-22 | 珠海格力电器股份有限公司 | 一种辅助接线方法 |
CN109470139B (zh) * | 2018-10-29 | 2019-07-23 | 东莞市微大软件科技有限公司 | 太阳能无网结印刷网版细栅中心线一屏测多线的方法 |
CN109727562B (zh) * | 2019-01-25 | 2022-05-06 | 南京京东方显示技术有限公司 | 一种面板检测装置及检测方法 |
TWI759724B (zh) * | 2020-04-23 | 2022-04-01 | 興城科技股份有限公司 | 玻璃基板檢測方法 |
CN112540471B (zh) * | 2020-12-04 | 2021-11-23 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板、点灯测试方法、点灯测试装置 |
CN113203917B (zh) * | 2021-04-25 | 2022-11-18 | 国网河南省电力公司平顶山供电公司 | 一种预先判断无功补偿装置导流回路发热缺陷的方法 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01185454A (ja) * | 1988-01-21 | 1989-07-25 | Toshiba Corp | ショート欠陥検査方法、ショート欠陥検査装置、及びショート欠陥リペア装置 |
JPH0264594A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マトリクス型画像表示装置用検査装置およびその短絡検査方法、短絡欠陥修正方法、点欠陥検査方法 |
JPH0472552A (ja) * | 1990-07-13 | 1992-03-06 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタ基板の検査方法および薄膜トランジスタ基板の配線修正方法 |
JPH05256794A (ja) * | 1991-09-10 | 1993-10-05 | Photon Dynamics Inc | アクティブマトリックス液晶ディスプレイ基板の検査装置および検査装置用電気光学素子 |
JPH06207914A (ja) * | 1993-01-11 | 1994-07-26 | Hitachi Ltd | 欠陥検出方法と装置および赤外線検出方法と装置 |
JPH09265075A (ja) * | 1996-03-27 | 1997-10-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置の検査方法 |
JPH10246748A (ja) * | 1997-03-03 | 1998-09-14 | Sony Chem Corp | 配線又はパターンの検査装置 |
JPH10318828A (ja) * | 1997-05-14 | 1998-12-04 | Nec Corp | 赤外線アレイセンサの欠陥画素選別装置 |
JPH1194918A (ja) * | 1997-09-17 | 1999-04-09 | Dainippon Printing Co Ltd | 電極検査装置 |
JP2003215081A (ja) * | 2002-01-24 | 2003-07-30 | Central Glass Co Ltd | 板ガラスに形成された導電線の断線検査方法およびその装置 |
JP2005503532A (ja) * | 2000-11-30 | 2005-02-03 | キャンデゼント テクノロジーズ コーポレイション | 電気短絡欠陥を赤外線検出するための方法およびシステム |
JP2011002372A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | Espec Corp | 導通劣化試験装置及び導通劣化試験方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR960002145B1 (ko) * | 1991-07-30 | 1996-02-13 | 가부시기가이샤 히다찌세이사구쇼 | 박막트랜지스터 액정기판의 검사방법 및 그 장치 |
JPH06110069A (ja) * | 1992-09-29 | 1994-04-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の欠陥修復方法および欠陥修復装置 |
KR100326356B1 (ko) * | 1995-08-07 | 2002-06-20 | 가나이 쓰도무 | 정전기대책에 적합한 액티브매트릭스방식의 액정표시장치 |
JP3737176B2 (ja) * | 1995-12-21 | 2006-01-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
JPH1014099A (ja) * | 1996-06-21 | 1998-01-16 | Nec Corp | 過電流検出回路 |
US6509739B1 (en) * | 2000-11-08 | 2003-01-21 | Xilinx, Inc. | Method for locating defects and measuring resistance in a test structure |
US6840666B2 (en) * | 2002-01-23 | 2005-01-11 | Marena Systems Corporation | Methods and systems employing infrared thermography for defect detection and analysis |
JP2009206356A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Toshiba Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
CN101504494B (zh) * | 2009-03-04 | 2010-09-22 | 深圳市宇顺电子股份有限公司 | 一种液晶显示器基板测试装置及其测试方法 |
-
2012
- 2012-04-25 WO PCT/JP2012/061117 patent/WO2012147807A1/ja active Application Filing
- 2012-04-25 CN CN201280020078.9A patent/CN103492864B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-04-25 US US14/113,462 patent/US20140062521A1/en not_active Abandoned
- 2012-04-25 JP JP2013512411A patent/JP5705976B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-04-25 TW TW101114775A patent/TWI575235B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01185454A (ja) * | 1988-01-21 | 1989-07-25 | Toshiba Corp | ショート欠陥検査方法、ショート欠陥検査装置、及びショート欠陥リペア装置 |
JPH0264594A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マトリクス型画像表示装置用検査装置およびその短絡検査方法、短絡欠陥修正方法、点欠陥検査方法 |
JPH0472552A (ja) * | 1990-07-13 | 1992-03-06 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタ基板の検査方法および薄膜トランジスタ基板の配線修正方法 |
JPH05256794A (ja) * | 1991-09-10 | 1993-10-05 | Photon Dynamics Inc | アクティブマトリックス液晶ディスプレイ基板の検査装置および検査装置用電気光学素子 |
JPH06207914A (ja) * | 1993-01-11 | 1994-07-26 | Hitachi Ltd | 欠陥検出方法と装置および赤外線検出方法と装置 |
JPH09265075A (ja) * | 1996-03-27 | 1997-10-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置の検査方法 |
JPH10246748A (ja) * | 1997-03-03 | 1998-09-14 | Sony Chem Corp | 配線又はパターンの検査装置 |
JPH10318828A (ja) * | 1997-05-14 | 1998-12-04 | Nec Corp | 赤外線アレイセンサの欠陥画素選別装置 |
JPH1194918A (ja) * | 1997-09-17 | 1999-04-09 | Dainippon Printing Co Ltd | 電極検査装置 |
JP2005503532A (ja) * | 2000-11-30 | 2005-02-03 | キャンデゼント テクノロジーズ コーポレイション | 電気短絡欠陥を赤外線検出するための方法およびシステム |
JP2003215081A (ja) * | 2002-01-24 | 2003-07-30 | Central Glass Co Ltd | 板ガラスに形成された導電線の断線検査方法およびその装置 |
JP2011002372A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | Espec Corp | 導通劣化試験装置及び導通劣化試験方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103492864B (zh) | 2015-03-11 |
US20140062521A1 (en) | 2014-03-06 |
TW201250238A (en) | 2012-12-16 |
WO2012147807A1 (ja) | 2012-11-01 |
JPWO2012147807A1 (ja) | 2014-07-28 |
CN103492864A (zh) | 2014-01-01 |
TWI575235B (zh) | 2017-03-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5705976B2 (ja) | 配線欠陥検査方法および配線欠陥検査装置、並びに半導体基板の製造方法 | |
JP5744212B2 (ja) | 配線欠陥検出方法および配線欠陥検出装置、並びに半導体基板の製造方法 | |
JP5628410B2 (ja) | 欠陥検査方法、欠陥検査装置、及び基板の製造方法 | |
JP5628139B2 (ja) | 配線欠陥検査方法 | |
US20140184784A1 (en) | Defect inspection device and defect inspection method | |
JP5323906B2 (ja) | 配線欠陥検出方法および配線欠陥検出装置 | |
WO2013145839A1 (ja) | 欠陥検出装置 | |
WO2013128738A1 (ja) | 欠陥検出方法、欠陥検出装置、および半導体基板の製造方法 | |
JP5590043B2 (ja) | Tft基板検査装置およびtft基板検査方法 | |
JP2008058767A (ja) | Tftアレイの検査方法及びtftアレイ検査装置 | |
JP5832909B2 (ja) | 赤外カメラを具備する配線欠陥検出装置、および当該赤外カメラの異常を検知する異常検知方法 | |
JP2013250098A (ja) | 配線欠陥検出方法および配線欠陥検出装置、並びに配線基板の製造方法 | |
JP5826690B2 (ja) | 配線欠陥検出装置、配線欠陥検出方法、配線欠陥検出プログラムおよび配線欠陥検出プログラム記録媒体 | |
JP2014153177A (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP2013108854A (ja) | 配線欠陥検査方法および配線欠陥検査装置 | |
JP2014025902A (ja) | 欠陥検出方法、欠陥検出装置、および半導体基板の製造方法 | |
JP5893436B2 (ja) | 画像表示された線領域の先端位置を特定する先端位置特定方法および先端位置特定装置、並びに、短絡欠陥の位置を特定する位置特定方法および位置特定装置 | |
JP2014009965A (ja) | 配線欠陥検査装置、配線欠陥検査方法、及び半導体基板の製造方法 | |
JP2010085247A (ja) | Tftアレイの検査方法及びtftアレイ検査装置 | |
JPH04219790A (ja) | 短絡欠陥位置検出方法および短絡欠陥修繕装置 | |
JP2004253631A (ja) | 成膜パターン修復装置及び成膜パターン修復方法、並びに電気光学装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141111 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141223 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150127 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150225 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5705976 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |