JP5696024B2 - 化学的平坦化方法及び化学的平坦化装置 - Google Patents
化学的平坦化方法及び化学的平坦化装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5696024B2 JP5696024B2 JP2011245683A JP2011245683A JP5696024B2 JP 5696024 B2 JP5696024 B2 JP 5696024B2 JP 2011245683 A JP2011245683 A JP 2011245683A JP 2011245683 A JP2011245683 A JP 2011245683A JP 5696024 B2 JP5696024 B2 JP 5696024B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- convex portion
- silicon oxide
- contact
- treatment liquid
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 94
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims description 67
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 102
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 102
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 96
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 56
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 18
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 16
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 14
- 238000002386 leaching Methods 0.000 claims description 14
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 13
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 11
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 11
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 8
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 8
- -1 fluorine ions Chemical class 0.000 claims description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 7
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 64
- 229960002050 hydrofluoric acid Drugs 0.000 description 22
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000929 Ru alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CODVACFVSVNQPY-UHFFFAOYSA-N [Co].[C] Chemical compound [Co].[C] CODVACFVSVNQPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001869 cobalt compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- LRCFXGAMWKDGLA-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;hydrate Chemical compound O.O=[Si]=O LRCFXGAMWKDGLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 description 1
- 238000007146 photocatalysis Methods 0.000 description 1
- CFQCIHVMOFOCGH-UHFFFAOYSA-N platinum ruthenium Chemical compound [Ru].[Pt] CFQCIHVMOFOCGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002909 rare earth metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
- H01L21/31055—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step the removal being a chemical etching step, e.g. dry etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Weting (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
本発明の実施形態によれば、化学的平坦化装置は、凹凸を有する酸化シリコン膜が設けられた処理基板を格納可能な処理容器と、前記処理容器内に、酸化シリコンを含む珪フッ化水素酸水溶液を含む処理液を供給する処理液供給部と、前記酸化シリコン膜を前記処理液に接触させた状態で前記処理液の平衡状態を変化させて、前記凹凸の凸部の溶解を生じさせて、前記凹凸の高さを減少させる平衡変化部と、を備える。前記平衡変化部は、前記凸部に接触して前記凸部の温度を低下させる冷却可能な処理板、前記凸部に接触して前記凸部に向けて弗酸を供給する処理板、前記凸部に接触して前記凸部の近傍で弗素イオンを生成させる触媒を含む処理板、及び、前記凸部に接触して前記凸部に電圧を印加して前記凸部の近傍に電荷を供給して前記処理液から弗酸を生成する導電性の処理板、の少なくともいずれかを含む。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1は、第1の実施形態に係る化学的平坦化方法を例示するフローチャート図である。 図1に表したように、本実施形態に係る化学的平坦化方法は、処理液を用意する工程(ステップS110)と、処理液を用いて、凹凸を有する酸化シリコン(SiO2)膜(加工膜)の凹凸の高さを減少させる工程(ステップS120)と、を含む。
図2は、珪フッ化水素酸水溶液における平衡状態を例示している。図2の横軸は、処理液の温度Tmであり、縦軸は、SiO2の飽和溶解量ASSである。
図2に表したように、温度Tmが上昇すると、SiO2の飽和溶解量ASSは低下する。例えば、処理液を作成したときの温度を温度T0とする。温度T0において、処理液は平衡状態Seである。温度T0よりも高い高温Thにおいては、析出状態Ssとなり、SiO2が析出する。温度T0よりも低い低温Tlにおいては、溶解状態Sdとなり、SiO2が溶解する。
H2SiF6 + 2H2O ⇔ SiO2 +6HF (1)
平衡状態Seにおいては、溶液にSiO2が接触してもSiO2は溶解しない。
図3(a)に表したように、本実施形態に係る化学的平坦化方法においては、酸化シリコン膜10は、凹凸11を有する。凹凸11は、凸部11pと、凹部11dと、を有する。凸部11pの上面と、凹部11dの下面と、の間の距離(凹凸11の高さh1)は、例えば、実施形態に係る方法がLSIなどの半導体装置に用いられる場合は、30ナノメートル(nm)以上、2マイクロメートル(μm)程度以下である。さらに、MEMSなどの電子装置に用いられる場合は、高さh1は、例えば20μm程度になることもある。
図4は、第1の実施形態に係る別の化学的平坦化方法を例示する模式的断面図である。 図4に表したように、この例では、弗酸(HF)を浸出可能な処理板40が用いられる。すなわち、平衡状態を変化させる第2の手法では、処理板40として、弗酸を浸出可能な浸出板42が用いられる。
H++ HSiF6 − + 2H2O ⇔ SiO2 + 6H++6F− (2)
処理液30に電極板44を接触させ、電極板44から電子e−を供給すると、電子e−は、水素イオンH+に引き寄せられる。これにより、第2式の左辺で、以下の第3式の反応が生じる。
2H+ + 2e− → H2 (3)
したがって、電子e−の供給により、電極板44の近傍の処理液30の平衡を、第1式の右辺の状態から左辺の状態に移行させることができる。すなわち、凸部11pの近傍で、第1式の平衡状態を右辺から左辺に移行させる。これにより、電極板44に近い凸部11pを優先的に溶解させることができる。これにより、酸化シリコン膜10が平坦化される。
本実施形態においては、凹凸11を有する酸化シリコン膜10を処理液30(飽和濃度で溶解した酸化シリコンを含む珪フッ化水素酸水溶液)に接触(例えば浸漬)させた状態で処理液30の平衡状態を変化させる。これにより、凹凸11の凹部11dでの酸化シリコンの析出を生じさせて、凹凸11の高さを減少させる。第1式において、左辺から右辺に平衡をずらすと、酸化シリコンを析出させることができる。以下、凹凸11の凹部11dでの酸化シリコンの析出の方法のいくつかの例について説明する。
図7に表したように、酸化シリコン膜10を処理液30に接触させた状態で、凸部11pに処理板40(処理体45)を接触させて凸部11pの位置と処理板40の位置とを相対的に変化させつつ、処理液30の平衡状態を変化させて凹部11dに酸化シリコン15を析出させる。例えば、処理液30の温度を上昇させることで、処理液30の平衡状態を変化させて凹部11dに酸化シリコン15を析出させる。
2F− + 2h+ → F2 (4)
したがって、正孔h+の供給により、第1式の平衡状態を左辺から右辺に移行させ、シリコン15を析出させることができる。
第3の実施形態は、電子装置の製造方法に係る。この電子装置は、例えば、半導体層を含む半導体装置を含む。半導体装置は、例えば、半導体メモリ、高速ロジックLSI、システムLSI、メモリ・ロジック混載LSIなどを含む。この電子装置は、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)などの装置を含むこともできる。
図8は、第4の実施形態に係る化学的平坦化装置を例示する模式的断面図である。
図8に表したように、本実施形態に係る化学的平坦化装置110は、処理容器61と、処理液供給部62と、制御部63と、平衡変化部70と、を含む。
また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
Claims (3)
- 飽和濃度で溶解した酸化シリコンを含む珪フッ化水素酸水溶液を含む処理液を用意する工程と、
凹凸を有する酸化シリコン膜を前記処理液に接触させた状態で、前記凸部に接する部分の前記処理液の平衡状態を変化させて、前記凸部の溶解速度を前記凹凸の凹部の溶解速度よりも大きくして、前記凹凸の高さを減少させる工程と、
を備え、
前記平衡状態を変化させることは、
冷却可能な処理板を前記凸部に接触させて前記凸部の温度を低下させる、
弗酸を浸出可能な処理板を前記凸部に接触させて前記凸部に向けて弗酸を供給する、
前記凸部に触媒を含む処理板を接触させて前記凸部の近傍で前記処理液から弗素イオンを生成させる、及び、
前記凸部に導電性の処理板を接触させて前記凸部に電圧を印加して前記凸部の近傍に電荷を供給して前記処理液から弗酸を生成する、
の少なくともいずれかの処理を実施することを含む化学的平坦化方法。 - 前記凹凸の高さを減少させる前記工程は、前記処理液の平衡状態を変化させて、前記凹部での酸化シリコンの析出を生じさせることをさらに含む請求項1記載の化学的平坦化方法。
- 凹凸を有する酸化シリコン膜が設けられた処理基板を格納可能な処理容器と、
前記処理容器内に、酸化シリコンを含む珪フッ化水素酸水溶液を含む処理液を供給する処理液供給部と、
前記酸化シリコン膜を前記処理液に接触させた状態で前記処理液の平衡状態を変化させて、前記凹凸の凸部の溶解を生じさせて、前記凹凸の高さを減少させる平衡変化部と、
を備え、
前記平衡変化部は、
前記凸部に接触させられて前記凸部の温度を低下させる冷却可能な処理板、
前記凸部に接触させられて前記凸部に向けて弗酸を供給する処理板、
前記凸部に接触させられて前記凸部の近傍で弗素イオンを生成させる触媒を含む処理板、及び、
前記凸部に接触させられて前記凸部に電圧を印加して前記凸部の近傍に電荷を供給して前記処理液から弗酸を生成する導電性の処理板、
の少なくともいずれかを含む化学的平坦化装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011245683A JP5696024B2 (ja) | 2011-11-09 | 2011-11-09 | 化学的平坦化方法及び化学的平坦化装置 |
US13/422,969 US9196501B2 (en) | 2011-11-09 | 2012-03-16 | Method for chemical planarization and chemical planarization apparatus |
US14/884,811 US20160035598A1 (en) | 2011-11-09 | 2015-10-16 | Method for chemical planarization and chemical planarization apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011245683A JP5696024B2 (ja) | 2011-11-09 | 2011-11-09 | 化学的平坦化方法及び化学的平坦化装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013102090A JP2013102090A (ja) | 2013-05-23 |
JP5696024B2 true JP5696024B2 (ja) | 2015-04-08 |
Family
ID=48223968
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011245683A Expired - Fee Related JP5696024B2 (ja) | 2011-11-09 | 2011-11-09 | 化学的平坦化方法及び化学的平坦化装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9196501B2 (ja) |
JP (1) | JP5696024B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10481488B2 (en) | 2012-12-27 | 2019-11-19 | Hoya Corporation | Mask blank substrate processing device, mask blank substrate processing method, mask blank substrate fabrication method, mask blank fabrication method, and transfer mask fabrication method |
JP6534507B2 (ja) * | 2013-07-03 | 2019-06-26 | Hoya株式会社 | 基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、及び基板加工装置 |
JP6328502B2 (ja) * | 2013-07-04 | 2018-05-23 | Hoya株式会社 | 基板の製造方法、マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、及び基板製造装置 |
JP6534506B2 (ja) * | 2013-07-05 | 2019-06-26 | Hoya株式会社 | 基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、及び基板加工装置 |
JP6346124B2 (ja) * | 2015-06-02 | 2018-06-20 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP6510348B2 (ja) * | 2015-07-23 | 2019-05-08 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置、基板処理システム、および基板処理方法 |
KR102383394B1 (ko) * | 2017-09-22 | 2022-04-08 | 가부시키가이샤 가네카 | 패터닝 시트 및 에칭 구조물의 제조 방법 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2912457B2 (ja) | 1991-02-01 | 1999-06-28 | 日本板硝子株式会社 | 薄膜コンデンサ |
FR2679898B1 (fr) * | 1991-07-31 | 1993-11-05 | Air Liquide | Procede de formation d'une couche de silice sur une surface d'un objet en verre. |
JP2928664B2 (ja) * | 1991-08-12 | 1999-08-03 | 株式会社東芝 | 酸化珪素成膜方法およびこの方法に用いる成膜装置 |
JPH06302598A (ja) * | 1993-04-15 | 1994-10-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2600600B2 (ja) * | 1993-12-21 | 1997-04-16 | 日本電気株式会社 | 研磨剤とその製法及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP3672685B2 (ja) * | 1996-11-29 | 2005-07-20 | 松下電器産業株式会社 | 研磨方法及び研磨装置 |
KR101004525B1 (ko) * | 2002-08-19 | 2010-12-31 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크용 글래스 기판 제조 방법, 마스크 블랭크제조방법, 전사 마스크 제조 방법, 반도체 디바이스제조방법, 마스크 블랭크용 글래스 기판, 마스크 블랭크,및 전사 마스크 |
US20040259479A1 (en) * | 2003-06-23 | 2004-12-23 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing pad for electrochemical-mechanical polishing |
KR100786948B1 (ko) * | 2005-12-08 | 2007-12-17 | 주식회사 엘지화학 | 연마 선택비 조절제 및 이를 함유한 cmp 슬러리 |
US20090061741A1 (en) * | 2007-09-04 | 2009-03-05 | Zhihong Wang | Ecmp polishing sequence to improve planarity and defect performance |
JP4966223B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2012-07-04 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2011120989A (ja) | 2009-12-09 | 2011-06-23 | Hitachi Cable Ltd | 表面加工方法 |
-
2011
- 2011-11-09 JP JP2011245683A patent/JP5696024B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-03-16 US US13/422,969 patent/US9196501B2/en active Active
-
2015
- 2015-10-16 US US14/884,811 patent/US20160035598A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130115774A1 (en) | 2013-05-09 |
US20160035598A1 (en) | 2016-02-04 |
US9196501B2 (en) | 2015-11-24 |
JP2013102090A (ja) | 2013-05-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5696024B2 (ja) | 化学的平坦化方法及び化学的平坦化装置 | |
US20130105331A1 (en) | Nano-precision photo/electrochemical planarization and polishing methods and apparatus therefor | |
JP6336009B2 (ja) | 反転階調パターニングの方法 | |
CN107946163A (zh) | 将氧化钇化学转化为氟化钇及氟氧化钇以发展用于等离子体部件的预处理的抗腐蚀涂层 | |
US20060118760A1 (en) | Slurry composition and methods for chemical mechanical polishing | |
US20160079521A1 (en) | Dielectric repair for emerging memory devices | |
TWI398336B (zh) | 製造半導體晶圓的方法 | |
TW569330B (en) | Forming a semiconductor structure using a combination of planarizing methods and electropolishing | |
JP2013128096A (ja) | 化学的平坦化方法及び化学的平坦化装置 | |
CN102859048B (zh) | 模具和模具的制造方法 | |
KR20120037373A (ko) | 틸팅된 표면 피쳐를 형성하기 위한 화학적 기계적 제조방법 | |
CN100533674C (zh) | 化学机械抛光的方法与研磨液及半导体器件及其制造方法 | |
US20070187258A1 (en) | Method for electrochemically polishing a conductive material on a substrate | |
US20160064243A1 (en) | Chemical planarization method and apparatus | |
US9620412B2 (en) | Method for modifying the crystalline structure of a copper element | |
CN101562147A (zh) | 一种去除残留缺陷的方法 | |
Saidov et al. | Controlled Stepwise Wet Etching of Polycrystalline Mo Nanowires | |
Yang et al. | Selective electrochemical mechanical polishing of 4H–SiC surface employing porous material impregnated with electrolyte | |
TW202236568A (zh) | 半導體裝置 | |
US6875322B1 (en) | Electrochemical assisted CMP | |
US20100096360A1 (en) | Compositions and methods for barrier layer polishing | |
Kumar et al. | Surface shaping using chemical mechanical polishing | |
JP6548481B2 (ja) | 洗浄装置、洗浄方法、洗浄液製造装置および洗浄液製造方法 | |
TW201737417A (zh) | Tsv結構的平坦化工藝和裝置 | |
US9558961B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140204 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141016 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141017 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141216 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150114 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150209 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5696024 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |