JP5691819B2 - ミリ波通信装置筐体構造およびシールド状態検知方法 - Google Patents
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Description
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、要求RF特性に影響を及ぼす筐体シールド構造の欠陥を外部から確実に把握することを可能とするミリ波通信装置筐体構造およびシールド状態検知方法を提供することを、その目的としている。
本発明の実施形態の説明に先立って、本発明の特徴についてその概要をまず説明する。本発明は、回路基板の表裏両面にシールド用の接地面(GNDプレーン)を形成したミリ波通信装置を実装する筐体構造として、該ミリ波通信装置の実運用状態において、運用中のRF(Radio Frequency:高周波)特性に影響を与えることなく、該ミリ波通信装置のRF特性に影響を及ぼす回路基板のシールド状態の変化を、回路基板の接地面と筐体(筐体カバーやシャーシ)の接地部との接触状態の変化として確実に把握するとともに、シールド状態の変化を示す該接触状態の変化を、より取扱いが容易な電気的な変化量に変換して抽出することを主要な特徴としている。
次に、本発明によるミリ波通信装置の筐体構造の実施形態について詳細に説明する。図1は、本発明によるミリ波通信装置筐体構造の一例を説明するための斜視図であり、筐体の一部を削り取ってその内部構造の一例も示している。
次に、図1ないし図4に一例として示した本発明のミリ波通信装置の動作例について、さらに詳細に説明する。
以上に詳細に説明したように、本実施形態においては、次のような効果が得られる。
次に、本発明の他の実施形態として図1、図2とは異なるミリ波通信装置筐体構造の例について説明する。図5は、図1に示したミリ波通信装置のシールド不安定域10を拡大した他の例を示す拡大斜視図であり、ミリ波通信装置の運用状況において、回路基板6のシールド状態を把握するために、当該シールド不安定域10に配置している検知部9の図2とは異なる配置例を示している。また、図6は、図5のミリ波通信装置のシールド不安定域10の断面構造を示す断面図であり、図5の線IV−IVを通り、回路基板6の表面に垂直な断面を矢印方向から視た場合の断面構造を示している。
2 シールド壁
3 ネジ固定箇所
4 固定ネジ
5 シャーシ
6 回路基板
7 回路基板GNDプレーン
8 シャーシ面接地部
9 検知部
10 シールド不安定域
11 局所センジング・パッドa
12 局所センジング・パッドb
13 隙間(浮き)
14 Via Hole
15 カバー接地面
16 内層配線
17 信号増幅・変換回路
18 AND/OR・選択回路
19 判定・運転制御・状態記録回路
20 SMDデバイス
21 はんだ
22 主回路基板
23 副回路基板
24 はんだ接続欠陥域
25 キャビティ
26 はんだ付け部品
28 フラックス
29 ベース・プレート
30 基板固定ネジ
31 ベース・プレート接触面
91 第1検知部
92 第2検知部
93 第3検知部
9n 第n検知部
171 第1増幅・変換回路
172 第2増幅・変換回路
173 第3増幅・変換回路
17n 第n増幅・変換回路
Claims (10)
- 表裏両面に接地面部が形成された回路基板を、機能ブロックごとに区分けしてシールドするためのシールド壁が形成されている筐体カバーを備え、該筐体カバーを、前記回路基板を搭載したシャーシまたはベース・プレートに取り付けられた状態の前記回路基板を搭載したシャーシに固定ネジで固定した際に、前記シールド壁の底面および前記シャーシの内面にそれぞれ形成されている接地部が前記回路基板の表裏両面に形成された前記接地面部に接触することによって、前記回路基板のシールド状態を実現するミリ波通信装置実装構造であって、前記シールド壁の底面に形成された前記接地部が当接する前記回路基板上の領域内にあり、かつ、前記回路基板上に形成された前記接地面部の面内にある任意の場所に、前記回路基板の前記接地面部と前記シールド壁および前記シャーシそれぞれに形成された前記接地部との接触状態の変化を検知して、電気的な信号の変化量に変換して出力する検知部が配設されていることを特徴とするミリ波通信装置実装構造。
- 前記検知部は、前記回路基板の前記接地面部と前記シールド壁および前記シャーシそれぞれの前記接地部との接触状態が不安定になる可能性があるシールド不安定領域内の前記回路基板上に配設されていることを特徴とする請求項1に記載のミリ波通信装置実装構造。
- 前記検知部は、局所ごとの前記回路基板の前記接地面部と前記シールド壁および前記シャーシそれぞれの前記接地部との接触状態の変化を電気的な信号の変化量として検知する局所センジング・パッドを対にした双極構成とするか、または、前記局所センジング・パッド1個のみの単極構成として、前記回路基板上の1ないし複数の場所にそれぞれ配設されていることを特徴とする請求項1または2に記載のミリ波通信装置実装構造。
- 前記検知部が変換して出力する電気的な信号の変化量として、前記回路基板の前記接地面部と前記シールド壁および前記シャーシそれぞれの前記接地部との接触状態の変化を、静電容量の容量値の変化または電気的な導電量の変化のいずれかに変換して出力することを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載のミリ波通信装置実装構造。
- 前記回路基板上に前記検知部が複数配設されている場合、各前記検知部それぞれから出力される電気的な信号の変化量に基づいて、各前記検知部の配設箇所における局所的なシールド状態を判別するか、または、適宜選択した複数の前記検知部の配設場所を纏めたシールド状態を判別するか、または、複数の前記検知部すべてを統合した全面的なシールド状態を判別するかのいずれを切り替えて選択する選択手段を備えていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載のミリ波通信装置実装構造。
- 表裏両面に接地面部が形成された回路基板を、機能ブロックごとに区分けしてシールドするためのシールド壁が形成されている筐体カバーを備え、該筐体カバーを、前記回路基板を搭載したシャーシまたはベース・プレートに取り付けられた状態の前記回路基板を搭載したシャーシに固定ネジで固定した際に、前記シールド壁の底面および前記シャーシの内面にそれぞれ形成されている接地部が前記回路基板の表裏両面に形成された前記接地面部に接触することによって、前記回路基板のシールド状態を実現するミリ波通信装置実装構造におけるシールド状態を検知するためのシールド状態検知方法であって、前記シールド壁の底面に形成された前記接地部が当接する前記回路基板上の領域内にあり、かつ、前記回路基板上に形成された前記接地面部の面内にある任意の場所に、前記回路基板の前記接地面部と前記シールド壁および前記シャーシそれぞれに形成された前記接地部との接触状態の変化を検知して、電気的な信号の変化量に変換して出力する検知部が配設されており、該検知部が出力する電気的な信号の変化量を用いて、前記回路基板のシールド状態の変化を判別することを特徴とするシールド状態検知方法。
- 前記検知部は、前記回路基板の前記接地面部と前記シールド壁および前記シャーシそれぞれの前記接地部との接触状態が不安定になる可能性があるシールド不安定領域内の前記回路基板上に配設されていることを特徴とする請求項6に記載のシールド状態検知方法。
- 前記検知部は、局所ごとの前記回路基板の前記接地面部と前記シールド壁および前記シャーシそれぞれの前記接地部との接触状態の変化を電気的な信号の変化量として検知する局所センジング・パッドを対にした双極構成とするか、または、前記局所センジング・パッド1個のみの単極構成として、前記回路基板上の1ないし複数の場所にそれぞれ配設されていることを特徴とする請求項6または7に記載のシールド状態検知方法。
- 前記検知部が変換して出力する電気的な信号の変化量として、前記回路基板の前記接地面部と前記シールド壁および前記シャーシそれぞれの前記接地部との接触状態の変化を、静電容量の容量値の変化または電気的な導電量の変化のいずれかに変換して出力することを特徴とする請求項6ないし8のいずれかに記載のシールド状態検知方法。
- 前記回路基板上に前記検知部が複数配設されている場合、各前記検知部それぞれから出力される電気的な信号の変化量に基づいて、各前記検知部の配設箇所における局所的なシールド状態を判別するか、または、適宜選択した複数の前記検知部の配設場所を纏めたシールド状態を判別するか、または、複数の前記検知部すべてを統合した全面的なシールド状態を判別するかのいずれを切り替えて選択する選択ステップを有していることを特徴とする請求項6ないし9のいずれかに記載のシールド状態検知方法。
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