JP5689832B2 - シリコン発光素子の製造方法 - Google Patents
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Description
[実施の形態1]
はじめに、本発明の実施の形態1におけるシリコン発光素子の製造方法について図1を用いて説明する。図1は、本発明の実施の形態におけるシリコン発光素子の製造方法を説明するための説明図である。図1では、製造過程における各工程の状態を、模式的な断面図で示している。
次に、本発明の実施の形態2について図4A〜図4Eを用いて説明する。図4A〜図4Eは、本発明の実施の形態2におけるシリコン発光素子の製造方法を説明するための、製造過程における各工程の状態を示す模式的な断面図である。
次に、本発明の実施の形態3について図5A〜図5Eを用いて説明する。図5A〜図5Eは、本発明の実施の形態3におけるシリコン発光素子の製造方法を説明するための、製造過程における各工程の状態を示す模式的な断面図である。
次に、本発明の実施の形態4について図6A〜図6Cを用いて説明する。図6A〜図6Cは、本発明の実施の形態4におけるシリコン発光素子の製造方法を説明するための、製造過程における各工程の状態を示す模式的な断面図である。
次に、本発明の実施の形態5におけるシリコン発光素子の製造方法について図7A〜図7Cを用いて説明する。図7A〜図7Cは、本発明の実施の形態におけるシリコン発光素子の製造方法を説明するための、製造過程における各工程の状態を示す模式的な断面図である。
Claims (7)
- 基板の上の第1シリコン層に第2シリコン層を貼り合わせる第1工程と、
前記第1シリコン層と前記第2シリコン層との界面に希土類および酸素をドープして前記界面に活性層を形成する第2工程と
を少なくとも備えることを特徴とするシリコン発光素子の製造方法。 - 請求項1記載のシリコン発光素子の製造方法において、
基部の上に埋め込み絶縁層を介して表面シリコン層が形成されているSOI基板の前記表面シリコン層を前記第1シリコン層に貼り合わせ、前記埋め込み絶縁層および前記基部を除去することで、前記第1シリコン層に前記表面シリコン層からなる前記第2シリコン層を貼り合わせることを特徴とするシリコン発光素子の製造方法。 - 基板の上の第1シリコン層に酸化シリコン層を介して第2シリコン層が形成された基板の前記酸化シリコン層に希土類および酸素をドープする第1工程と、
不活性な雰囲気で加熱することで前記酸化シリコン層を消失させ、前記第1シリコン層と前記第2シリコン層との界面に希土類および酸素がドープされた活性層を形成する第2工程と
を少なくとも備えることを特徴とするシリコン発光素子の製造方法。 - 基板の上の第1シリコン層に希土類および酸素をドープしてドープ層を形成する第1工程と、
前記ドープ層を形成した側の前記第1シリコン層の表面に第2シリコン層を貼り合わせる第2工程と、
前記第1シリコン層および前記第2シリコン層を加熱して前記ドープ層の希土類および酸素を拡散させることで、前記第1シリコン層と前記第2シリコン層との界面に希土類および酸素をドープして前記界面に活性層を形成する第3工程と
を少なくとも備えることを特徴とするシリコン発光素子の製造方法。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載のシリコン発光素子の製造方法において、
前記第1シリコン層は第1導電型とし、前記第2シリコン層は第2導電型とすることを特徴とするシリコン発光素子の製造方法。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載のシリコン発光素子の製造方法において、
前記第1シリコン層および前記第2シリコン層は同じ導電型とすることを特徴とするシリコン発光素子の製造方法。 - 請求項1〜6のいずれか1項に記載のシリコン発光素子の製造方法において、
前記希土類は、エルビウムであることを特徴とするシリコン発光素子の製造方法。
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