JP5685617B2 - 発光ダイオード装置の製造方法 - Google Patents
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第1半導体層を基板の上に形成し、
隔離層を該第1半導体層の上に形成し、
該隔離層の一部領域を除去し、該第1半導体層の一部を露出させ、
発光ダイオード構造を該隔離層の前のステップで除去された一部領域に形成し、
該第1半導体層上のその他の該隔離層を除去し、半導体層をエッチングすることなく、該第1半導体層の別の部分を露出させ、
オームコンタクト電極を、半導体層をエッチングすることなく、露出した該第1半導体層上に形成し、
以上のステップを包含することを特徴とする、発光ダイオード装置の製造方法としている。
請求項2の発明は、請求項1記載の発光ダイオード装置の製造方法において、該発光ダイオード構造を形成するステップは、さらに、
発光活性層を該第1半導体の上に形成するステップ、及び、
第2半導体層を該発光活性層の上に形成するステップ、
を包含することを特徴とする、発光ダイオード装置の製造方法としている。
請求項3の発明は、請求項2記載の発光ダイオード装置の製造方法において、該第1半導体層は、n型GaN系III−V族化合物とされ、該発光活性層は多重量子井戸構造であり、該第2半導体層はp型GaN系III−V族化合物とされることを特徴とする、発光ダイオード装置の製造方法としている。
請求項4の発明は、請求項3記載の発光ダイオード装置の製造方法において、さらに、p型オームコンタクト電極を該第2半導体層の上に形成し、且つ該第1半導体層の上のオームコンタクト電極はn型オームコンタクト電極とすることを特徴とする、発光ダイオード装置の製造方法としている。
請求項5の発明は、請求項4記載の発光ダイオード装置の製造方法において、該基板の材料は、サファイアとされ、該n型オームコンタクト電極の材料はTi/Alとされ、該p型オームコンタクト電極の材料はNi/Auとされ、該隔離層の材料は、SiO2とされることを特徴とする、発光ダイオード装置の製造方法としている。
請求項6の発明は、請求項1記載の発光ダイオード装置の製造方法において、バッファ層を該基板の上の該半導体層との間に形成することを特徴とする、発光ダイオード装置の製造方法としている。
請求項7の発明は、請求項6記載の発光ダイオード装置の製造方法において、該バッファ層の形成方法は、MOCVD方式であることを特徴とする、発光ダイオード装置の製造方法としている。
請求項8の発明は、請求項2記載の発光ダイオード装置の製造方法において、該隔離層の厚さは0.5〜1μm、該第1半導体層の厚さは2〜4μm、該第2半導体層の厚さは0.1〜0.2μmとされることを特徴とする、発光ダイオード装置の製造方法としている。
請求項9の発明は、請求項6記載の発光ダイオード装置の製造方法において、該バッファ層はGaNとされ、その厚さは20〜50nmとされることを特徴とする、発光ダイオード装置の製造方法としている。
請求項10の発明は、請求項2記載の発光ダイオード装置の製造方法において、該隔離層はPECVD方式で形成され、該発光活性層はMOCVD方式で形成されることを特徴とする、発光ダイオード装置の製造方法としている。
2 GaNバッファ層
3 SiO2 領域
4 メサ領域
5 多重量子井戸構造
7 p型オームコンタクト電極
8 n型オームコンタクト電極
10 発光ダイオードエピタキシャル構造
11 基板
12 InAlGaN層
13 SiO2領域
14 溝
15 多重量子井戸構造
16 GaNコンタクト層
17 p型オームコンタクト電極
18 n型オームコンタクト電極
20 発光ダイオードエピタキシャル構造
21 基板
22 InAlGaN層
23 SiO2領域
24 溝
25 多重量子井戸構造
26 GaNコンタクト層
27 p型オームコンタクト電極
28 n型オームコンタクト電極
30 発光ダイオードエピタキシャル構造
Claims (10)
- 発光ダイオード装置の製造方法において、
バッファ層を基板の上に形成し、
該バッファ層の一部分の領域を除去し、該バッファ層中に複数の溝を形成し、該基板を露出させ、
該複数の溝において、それぞれの溝中に露出する該基板の上に隔離層を形成し、
該バッファ層を第1半導体層として継続して成長させて、該溝を埋め、
発光活性層を該第1半導体層の上に形成し、
第2半導体層を該発光活性層の上に形成し、
該第2半導体層、該発光活性層と該第1半導体層の堆積構造の一部分を除去し、該第1半導体層を露出させ、
第1オームコンタクト電極を、露出した該第1半導体層上に形成し、第2オームコンタクト電極を該第2半導体層上の一部分に形成し、
以上のステップを包含し、
該バッファ層はInAlGaNとされ、その厚さは0.1μmとされることを特徴とする、発光ダイオード装置の製造方法。 - 請求項1記載の発光ダイオード装置の製造方法において、該第1半導体層は、n型GaN系III−V族化合物とされ、該発光活性層は多重量子井戸構造であり、該第2半導体層はp型GaN系III−V族化合物とされることを特徴とする、発光ダイオード装置の製造方法。
- 請求項2記載の発光ダイオード装置の製造方法において、さらに、p型オームコンタクト電極を該第2半導体層の上に形成し、且つ該第1半導体層の上の該第1オームコンタクト電極はn型オームコンタクト電極とすることを特徴とする、発光ダイオード装置の製造方法。
- 請求項3記載の発光ダイオード装置の製造方法において、該基板の材料は、サファイアとされ、該n型オームコンタクト電極の材料はTi/Alとされ、該p型オームコンタクト電極の材料はNi/Auとされ、該隔離層の材料は、SiO2とされることを特徴とする、発光ダイオード装置の製造方法。
- 請求項1から4のいずれか一項記載の発光ダイオード装置の製造方法において、該バッファ層を該基板の上の該第1半導体層との間に形成することを特徴とする、発光ダイオード装置の製造方法。
- 請求項1から5のいずれか一項記載の発光ダイオード装置の製造方法において、該バッファ層の形成方法は、MOCVD方式であることを特徴とする、発光ダイオード装置の製造方法。
- 請求項1から6のいずれか一項記載の発光ダイオード装置の製造方法において、該第1半導体層の厚さは1〜2μm、該第2半導体層の厚さは0.1〜0.2μmとされることを特徴とする、発光ダイオード装置の製造方法。
- 請求項1から7のいずれか一項記載の発光ダイオード装置の製造方法において、該隔離層はPECVD方式で形成され、該発光活性層はMOCVD方式で形成されることを特徴とする、発光ダイオード装置の製造方法。
- 請求項1から8のいずれか一項記載の発光ダイオード装置の製造方法において、該複数の溝の深さは、それぞれ、該バッファ層の厚さよりも深い、発光ダイオード装置の製造方法。
- 請求項9記載の発光ダイオード装置の製造方法において、該複数の溝の深さは、それぞれ、該バッファ層の厚さよりも、0.2〜5μm深い、発光ダイオード装置の製造方法。
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