JP5679238B2 - 半導体処理方法 - Google Patents
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Description
このような問題に対し、レーザアニール前の非晶質シリコン基板の汚染防止として、基板を収納、搬送するカセットステーションに隣接したスピン洗浄ユニットより洗浄された基板をアニール処理室へ直接搬送することにより、外部装置からの基板搬送中による汚染や膜の自然酸化を減少させる方法が提案されている(特許文献1参照)。
前記チャンバとして、半導体を搬出入するロードロック室と、半導体の処理を行う半導体処理室と、前記ロードロック室と前記半導体処理室との間に連通可能に介在している搬送室と、を備え、
前記排気用真空ポンプは、前記ロードロック室と前記搬送室と前記半導体処理室とにそれぞれ接続された真空排気系に備えられており、
前記高真空ポンプは、前記ロードロック室に接続された前記真空排気系のみに備えられていることを特徴とする。
また、新たな処理室を追加することなく、既存のロードロック室と併用することができるため、設置面積の拡大、スループットの低下を招くことなく本発明を導入することが可能となる。
レーザアニール処理装置は、ロードロック室5、搬送室7、半導体処理室であるアニール処理室8の3つのチャンバを有しており、各室は、ゲート4−2、4−3の開閉によって必要時に開通可能になっている。
ロードロック室5内には、図示しない回転装置などを備え、前記搬送ロボット6−1によって基板収納室3から導入された基板1を前記搬送室7に搬送するように待機させることができる。
アニール処理室8の外部には、レーザ光発振部11を有しており、該レーザ光発振部11から発振されたレーザ光13をアニール処理室8内に導く光学系12が設けられている。
なお、アニール処理室8で処理した基板1は、上記とは逆に、アニール処理室8から搬送室7、ロードロック室5を経て外部に搬出することができる。
それぞれのチャンバは、予め各真空ポンプ14−1、14−2、14−3にて10Pa以下まで真空引きし、大気を除去した後にガス供給系15−1、15−2、15−3より窒素等の安定ガスで満たされる。もしくは、真空引きした後に真空状態を維持することも可能とする。
洗浄処理された基板1は、カセット2に収納され、レーザニール処理に備えられる。本装置立上時には、ゲート4−1を開け、搬送ロボット6−1によってカセット2内の基板1を取り出してロードロック室5に収容し、ゲート4−1を閉じる。このとき、ゲート4−2、4−3は閉じられている。そして、ロードロック室5、搬送室7、アニール室8の3つのチャンバについて、それぞれの真空ポンプ14−1、14−2、14−3によって真空引きされる。この真空排気に際しての真空到達度は、本発明としては特に限定されるものではないが、工業的には1〜10Pa程度に排気される。この段階で各室内の残留空気は10ppm以下となり大気の除去という意味では十分な真空度には達している。
一般的に100Pa以下の圧力領域においては容積排気から表面排気に移行するため、高真空領域では真空にさらされる面からガスが放出される。つまり、基板1に残留しているガス成分が高真空ポンプによって排気され、不純物が除去される。
また、装置立上時に搬送室7とアニール処理室8に関しては前記真空引き後、同種のガスで大気圧に充填しておく。ガラス基板1は、ロードロック室5からアニール処理室8まで、搬送室7内の搬送ロボット6−2を介して搬送される。ロードロック室5から搬送室7、アニール処理室8に至る搬送経路は密閉されているため、途中大気による汚染の影響なく、アニール処理室8まで基板1を搬送することが可能となる。
上記実施形態で説明した本発明のレーザアニール処理装置と、高真空ポンプを備えない以外は、前記本発明レーザアニール処理装置と同構造を有する比較例のレーザアニール処理装置とを用いて半導体にレーザアニール処理を行った。
5 ロードロック室
7 搬送室
8 アニール処理室
14−1、14−2、14−3 真空ポンプ
14−4 高真空ポンプ
15−1、15−2、15−3 真空排気系
Claims (1)
- 雰囲気を調整して半導体の処理を行う半導体処理装置に備えられ、処理対象となる半導体が収納される複数のチャンバのうちロードロック室に前記半導体を搬入して前記ロードロック室内を高真空ポンプとしてクライオポンプを用いて他のチャンバよりも相対的に高真空で、到達真空度が1.0×10 −2 Pa以下になるまで排気し、前記ロードロック室にガス供給されてガス圧が大気圧とし、その後、前記ロードロック室に連通可能でガス供給されてガス圧が大気圧となった他のチャンバに前記半導体を搬送または/および半導体処理を行うステップを有し、前記ロードロック室以外の他のチャンバ内では、ガス供給前に前記高真空よりも低い真空度で到達真空度が10Pa以下になるまで排気を行い、その後、ガス供給されて前記ガス圧を大気圧とすることを特徴とする半導体処理方法。
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