JP5672992B2 - プラスチック表面の親水化方法 - Google Patents
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Description
本発明のプラスチック表面の親水化処理方法は、プラズマを発生可能な装置を用いて実施され、装置の作動条件を前処理及び親水化処理の各条件に設定可能であればよい。装置の一例として、例えば、図1のようなECRプラズマ発生装置等が挙げられる。図1のECRプラズマ発生装置1は、プラスチック製の被処理体Sを支持するための台3及びコイル5を備えるチャンバ7を有し、真空ポンプ(図示略)等を用いて排気口9から脱気することによってチャンバ7内は減圧され、ガス導入口11から供給するガス量を調節することによってチャンバ内圧を制御可能に構成されている。マイクロ波発生装置13によって発生されるマイクロ波は、方向性結合器15及びチューナー17によって波動方向及び周波数が調節され、導波管19を介してチャンバ上部の石英窓21からチャンバ7内に導入され、コイル5による磁場とマイクロ波とによる電子サイクロトロン共鳴(ECR)によって、コイル5内側にプラズマPが発生する。エネルギーを得たガス分子中の電子が原子と解離し、若しくは、ガス分子と衝突し、中性分子(又は原子)やイオン(荷電粒子)が生成する。
従って、プラズマ発生位置(つまりコイル内側)と被処理体との距離をチャンバ7内の台3の位置の調節によって変更可能に構成したプラズマ発生装置や、チャンバ内のガス圧の調節によってイオン種の平均自由工程を変更可能に構成したプラズマ発生装置においては、本発明の親水化処理方法における前処理及び親水化処理の両方を好適に実施することができる。プラズマ発生位置と被処理体との距離の変更においては、前処理における距離は親水化処理における距離より短くなり、ガス圧の調節においては、前処理におけるガス圧は、親水化処理におけるガス圧より低く調節され、低いガス圧においてイオン種の到達可能距離が長くなる。
前処理においては、プラズマ発生位置と被処理体との距離がイオン種の平均自由工程より小さくなる位置に被処理体を配置してプラズマを発生させ、イオン種を被処理体に作用させる。プラズマ中のイオン種は、ラジカル種に比べて寿命が短いので、失速電子との再結合によって急速に消滅し、平均自由工程が小さいが、被処理体をイオン種の平均自由工程内に配置すれば、前処理の効果が得られる。従って、プラズマを発生させるガス圧に関わらず、イオン種の平均自由工程内に被処理体を配置可能である限り、前処理を施すことは可能である。但し、実用的には、ガス圧を低下させて平均自由工程を増加させると、プラズマが拡散してイオン種の到達を調整し易く、条件設定が行い易い。従って、前処理において低いガス圧を適用すると、処理条件を適切に調節してイオン種を良好に被処理体に作用させることが容易である。このような点から、好ましくは1.0×10-2Torr以下、より好ましくは5.0×10-3Torr以下のガス圧に設定すると好適である。前処理においてプラズマ発生に使用するガスは、被処理体に対して不活性なガスが好適であり、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン等の希ガスが好ましく、これらの希ガスを単独又は2種以上を組み合わせて用いても良い。中でもアルゴン及びヘリウムが好ましく、アルゴンが最も有効であり、後続の親水化処理によって付与される親水性を長期間持続させる効果が高い。前処理に供給されるガスは、上述の不活性なガス以外のガスを含んでも良いが、希ガスの割合が低下するとそのイオン種の作用が低下するので、希ガスの割合(全ガス流量比)は、好ましくは75%以上、より好ましくは90%以上であると良い。
プラスチック表面の親水化は、親水基の導入が無くても可能であり、希ガスプラズマによる処理では、表面の粗面化によって親水性が高まる。しかし、この効果のみでは十分ではなく、プラスチック表面の水に対する接触角が20度程度以下に低下するような親水化には親水基の導入が必要である。このためには、親水化作用を有するガスが用いられ、チャンバに親水化作用を有するガスを供給してプラズマを発生させる。親水化作用を有するガスは、親水基の由来となる原料ガスを含有し、原料ガスから生成するラジカル種がプラスチック被処理体の表面に衝突して化学反応により親水基が導入される。親水基の原料となる原料ガスとしては、酸素、窒素、二酸化炭素等が挙げられるが、導入される親水基が付与する親水性の高さの点において、特に酸素が好ましく、水酸基、カルボニル基等が導入される。チャンバに供給するガスは、原料ガス単独である必要はなく、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン等の希ガスを含む混合ガスであっても良く、この場合、原料ガスの割合が高い方が処理効率は高い。従って、原料ガス/希ガスの混合ガスを用いて好適に親水化するには、原料ガスの割合が、好ましくは20%程度以上(全ガス流量比)、より好ましくは50%程度以上であるとよい。親水化処理は、ガス圧が高い方が進行し易い傾向があり、この傾向は、混合ガスを用いた場合により顕著になる。このような傾向が生じる理由は、ガス圧が高いと被処理体に入射するラジカルの選択性が高くなり、ラジカル種による化学的作用、つまり、親水基導入を受け易いことによると考えられる。従って、親水化処理におけるガス圧は、ラジカル種を被処理体に好適に作用させるために、好ましくは0.01Torr程度以上、より好ましくは0.1Torr程度以上に調節するとよく、大気圧でのプラズマ処理による親水化処理は有用である。低圧における親水化処理は、イオンが到達し得る領域外に被処理体を配置することによって可能であるが、処理効率の点からガス圧が高い方が良い。
上述から、本発明の親水化方法の一実施形態として以下のような手順が挙げられる。この実施形態においては、前処理に供給するガスとしてアルゴンガスが、親水基を導入する原料ガスとして酸素ガスが用いられる。
被処理体として、直径25mmのポリスチレン基板を用意し、エタノールで2分間超音波洗浄し、風乾した。これを、図1に示すようなECRプラズマ発生装置(マイクロ波発振周波数:2.45GHz)のチャンバ7内に入れて、コイル5の約30cm下方の台3上に設置した。真空ポンプでチャンバ7内を排気しながら、アルゴンガスを流量15sccmでチャンバに供給してチャンバ内圧3×10-3Torrに維持し、コイル電流30Aの条件でプラズマを発生させて、基板を1分間プラズマ処理した。
(試料の調製)
25mm×25mmのポリスチレン基板を用意し、エタノールで2分間超音波洗浄し、風乾した。これを、ECRプラズマ発生装置(マイクロ波発振周波数:2.45GHz)のチャンバ内に入れて、コイル5の約30cm下方の台3上に設置した。真空ポンプでチャンバ7内を排気しながら、アルゴンガスを流量15sccmでチャンバに供給して、チャンバ内圧3×10-3Torrに維持して、コイル電流28Aの条件でプラズマを発生させ、基板を1分間プラズマ処理した(前処理)。この後、親水化処理として、供給ガスの流量を、アルゴン100sccm、酸素300sccmに変更してアルゴン/酸素混合ガス(酸素含有割合75%)とし、チャンバ内圧を0.1Torrに維持して、コイル電流30Aの条件でプラズマを発生させ、基板を3分間プラズマ処理して(本処理)、試料1のポリスチレン基板を得た。
試料1,2及び未処理のポリスチレン基板の各々について、前述と同様に表面の水に対する接触角を測定した。更に、これらの基板を保存して、表面の接触角の経時変化を調べた。結果を表3のグラフに示す。
図3によれば、未処理基板では接触角の大きな経時変化はみられず、その表面性状はほぼ一定である。一方、プラズマ処理を実施した試料1及び2の基板では、プラズマ処理後の時間経過による接触角の上昇がみられる。しかし、試料1と試料2とでは、プラズマ照射時間は共通であるものの、接触角の上昇程度が大きく異なり、前処理を実施した試料1では接触角の上昇が抑制されている。特に、プラズマ処理から82日経過後も約27度と低い接触角を保つことから、前処理を施した基板では、付与された親水性の経時劣化が抑制されることが明らかである。
プラズマ処理による基板の表面状態の変化を調べるために、上述の試料1の基板及び未処理基板について、X線光電子分光(XPS)による分析を行った。分析において、ディテクタの検出角度は基板表面に対して45度に設定した。得られたスペクトルを図4に示す。
前処理におけるアルゴンガスの流量を増加してチャンバ内圧を1.5×10-2Torrに維持したこと以外は実施例1の試料1と同様の操作を行って、試料3のポリスチレン基板を得た。
前処理におけるアルゴンガスの流量を増加してチャンバ内圧を1.5×10-1Torrに維持したこと以外は実施例1の試料1と同様の操作を行って、試料4のポリスチレン基板を得た。
チャンバ内の台3の位置を100mm下方に下げたこと以外は実施例1の試料1と同様の操作を行って、試料4のポリスチレン基板を得た。
チャンバ内の台3の位置を100mm下方に下げ、前処理におけるアルゴンガスの流量を増加してチャンバ内圧を1.5×10-2Torrに維持したこと以外は実施例1の試料1と同様の操作を行って、試料6のポリスチレン基板を得た。
チャンバ内の台3の位置を100mm下方に下げ、前処理におけるアルゴンガスの流量を増加してチャンバ内圧を1.5×10-1Torrに維持したこと以外は実施例1の試料1と同様の操作を行って、試料7のポリスチレン基板を得た。
試料3〜7のポリスチレン基板の各々について、実施例1の記載と同様にして表面の水に対する接触角を測定した。更に、これらの基板を保存して、表面の接触角の経時変化を調べた。試料3及び4の結果を試料1の結果と併せて図5のグラフに示し、試料5〜7の結果を図6のグラフに示す。
9:排気口、 11:ガス導入口、 13:マイクロ波発生装置、
15:方向性結合器15、 17:チューナー、 19:導波管19、
21:石英窓。
Claims (5)
- プラズマ発生位置との距離がイオン種の平均自由工程より小さくなる位置にプラスチックを配置し、希ガスを1.0×10 −2 Torr以下のガス圧で供給してプラズマを発生させてイオンをプラスチック表面に作用させる前処理と、
親水基の導入原料となるガスを供給してプラズマを発生させてラジカルを選択的にプラスチック表面に作用させる親水化処理と
を有するプラスチック表面の親水化方法。 - 前記前処理において、プラスチック表面はイオンの作用によって活性化し、前記親水化処理において、プラスチック表面にイオンは実質的に作用しないことにより、ラジカルによってプラスチック表面に導入される親水基の安定性が高まる請求項1記載のプラスチック表面の親水化方法。
- 前記希ガスは、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン及びキセノンから選択される少なくとも1種を含み、前記親水化処理において供給されるガスは、酸素、窒素及び二酸化炭素から選択される少なくとも1種を含む請求項1又は2に記載のプラスチック表面の親水化方法。
- 前記親水化処理におけるガス圧は、0.01Torr以上である請求項1〜3の何れか一項に記載のプラスチック表面の親水化方法。
- 前記親水化処理におけるプラスチックとプラズマとの距離を、イオン種の平均自由工程より遠ざける請求項1〜4の何れか一項に記載のプラスチック表面の親水化方法。
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