JP5671436B2 - Manufacturing method of glass substrate - Google Patents

Description

本発明は、ガラス基材に穴を形成することで作製されるガラス基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for producing a glass substrate produced by forming a hole in a glass substrate.

近年、モバイル型電子機器が普及する中、ディスプレーの性能向上が重要視されてきており、スマートフォンやタブレット端末等のタッチパネルに用いられるカバーガラス用のガラス基板はモバイル端末の軽量・小型化のために厚みの薄いガラスが求められている。それに伴いガラス自体の強度もより強いものが求められている。一方でディスプレー面にスピーカーや入力キー等を設置することを目的として、カバーガラスに穴開け加工を行う必要が発生する場合がある。このような場合、加工方法によっては穴の内壁に微細な傷やクラックが発生し、これが原因となってカバーガラスの強度を低下させてしまう場合があった。   In recent years, with the spread of mobile electronic devices, it has become important to improve display performance. Glass substrates for cover glasses used in touch panels such as smartphones and tablet terminals are used to reduce the weight and size of mobile terminals. There is a need for thin glass. Accordingly, a glass having a stronger strength is demanded. On the other hand, in order to install a speaker, an input key, or the like on the display surface, it may be necessary to make a hole in the cover glass. In such a case, depending on the processing method, fine flaws and cracks may occur on the inner wall of the hole, which may reduce the strength of the cover glass.

ガラス基材に穴を形成する方法としてはフォトリソグラフィー方式によるレジスト層のパターニング工程を行った後に、サンドブラスト法やエッチング法等の方法で穴開け工程を行う方法が一般に知られている。フォトリソグラフィー方式によるレジスト層のパターニング工程では、ガラス基材上に光架橋性樹脂からなるレジスト層を形成し、その後レジスト層に対する露光と現像を行うことにより、ガラス基材の穴開け加工位置に相当する部分のレジスト層を選択的に除去することでガラス基材上にレジスト層のパターニングを行う。その後の穴形成工程では、レジスト層が除去された部分のガラス基材のみがサンドブラストやエッチングによる処理を受けることでガラス基材に穴開け加工することができる。サンドブラスト法によるガラス基材への穴形成方法では、研磨材と呼ばれるＳｉＣやアルミナといった材料の粉末をガラス基材に吹き付けることによってガラス基材に穴開け加工を行う。また、エッチング法によるガラス基材への穴形成方法では、フッ化水素やフッ化アンモニウムといった腐食性の物質を含有する処理液を用いてガラスを溶かすことでガラス基材に穴開け加工を行う。   As a method for forming a hole in a glass substrate, a method of performing a hole forming process by a method such as a sandblasting method or an etching method after performing a resist layer patterning step by a photolithography method is generally known. In the resist layer patterning process by the photolithographic method, a resist layer made of a photocrosslinkable resin is formed on a glass substrate, and then the resist layer is exposed and developed, which corresponds to the drilling position of the glass substrate. The resist layer is patterned on the glass substrate by selectively removing a portion of the resist layer to be formed. In the subsequent hole forming step, only the glass substrate of the portion from which the resist layer has been removed can be punched into the glass substrate by being subjected to sandblasting or etching. In the method for forming a hole in a glass substrate by the sand blast method, a hole is formed in the glass substrate by spraying a powder of a material such as SiC or alumina called an abrasive on the glass substrate. In addition, in the method for forming holes in a glass substrate by an etching method, holes are formed in the glass substrate by melting the glass using a treatment liquid containing a corrosive substance such as hydrogen fluoride or ammonium fluoride.

サンドブラスト法を用いたガラスの加工例が特許文献１に示されており、ここではガラス基材に有機ＥＬ素子を収納するための凹部を形成する方法が記載されており、この凹部の形成にサンドブラスト法が用いられている。サンドブラスト法では、研磨材をガラス基材表面に物理的に衝突させて縦穴を形成することになるため、縦穴の内壁に微細なクラックが発生しやすく、ガラス基板の強度を低下させる原因となる。   An example of processing glass using the sand blast method is shown in Patent Document 1, and here, a method for forming a recess for accommodating an organic EL element in a glass substrate is described. The law is used. In the sand blasting method, the abrasive is physically collided with the surface of the glass substrate to form the vertical holes, so that fine cracks are likely to occur on the inner walls of the vertical holes, thereby reducing the strength of the glass substrate.

このような問題を解決するべく、サンドブラスト法に用いる研磨材の粒子をより小さなものに変更することで微細なクラックの発生を抑える手法がとられる場合がある。しかしながら、この場合にはサンドブラストによって発生するガラスの破壊片がとても小さなものになるため、それらを洗浄で取り除くのが困難となり生産性を悪化させてしまう場合があった。   In order to solve such a problem, there is a case where a technique for suppressing the occurrence of fine cracks is taken by changing the abrasive particles used in the sandblasting method to smaller ones. However, in this case, broken pieces of glass generated by sandblasting are very small, and thus it is difficult to remove them by washing, which may deteriorate productivity.

特許文献２には、ガラスエッチング用紫外線硬化型レジスト組成物を使用したガラスエッチング処理方法について記載されている。エッチング法によるガラス基材の加工では、サンドブラスト法による加工で問題になった物理的な衝撃による微細な傷やクラックは発生しない。しかしながら、サンドブラスト法と比較して加工に要する時間が多く必要であるために生産性が悪く、深い穴開け加工が必要な形態のエッチング作業が難しいという問題点がある。   Patent Document 2 describes a glass etching treatment method using an ultraviolet curable resist composition for glass etching. In the processing of the glass substrate by the etching method, fine scratches and cracks due to a physical impact, which is a problem in the processing by the sandblast method, do not occur. However, since a longer time is required for processing as compared with the sandblasting method, productivity is poor, and there is a problem that an etching operation requiring a deep drilling process is difficult.

これらの問題を解決するためのガラス基板の製造方法として、特許文献３では、サンドブラスト処理した後にエッチング処理を行うことにより、サンドブラスト処理によって穴の内壁に生じた微細なクラックをエッチング処理によって平滑にすることにより、穴の内壁の微細なクラックが極めて少ないガラス基板を製造することが可能であるとするガラス基板の製造方法が開示されている。しかしながら、この方法ではガラス基材表面に耐フッ酸性の酸化物皮膜を形成しなくてはならず、工程が複雑であり、生産性が悪化するという問題があった。
Smooth as glass substrate manufacturing method to solve these problems, Patent Document 3, by performing an etching process after the sandblasting, fine cracks occurred on the inner wall of the hole by the sandblast treatment by etching Thus, a method for producing a glass substrate is disclosed in which it is possible to produce a glass substrate with very few fine cracks on the inner wall of the hole. However, this method has a problem that a hydrofluoric acid-resistant oxide film must be formed on the surface of the glass substrate, the process is complicated, and productivity is deteriorated.

特開２００５−５０５９６号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2005-50596 特開２００７−１２８０５２号公報JP 2007-128052 A 特開２００７−１４５６５６号公報JP 2007-145656 A

本発明の課題は、サンドブラスト法とエッチング法を用いたガラス基材の穴形成工程を含むガラス基板の製造方法において、穴の内壁に微細なクラックの無いガラス基板を生産性良く製造することを可能とするガラス基板の製造方法を提供することにある。   It is an object of the present invention to produce a glass substrate having no fine cracks on the inner wall of a hole with high productivity in a method for producing a glass substrate including a step of forming a hole in a glass substrate using a sandblasting method and an etching method. It is in providing the manufacturing method of a glass substrate.

上記課題を解決するために鋭意検討した結果、ガラス基材の少なくとも片面に樹脂層を形成する工程、樹脂層を露光し現像する工程、サンドブラスト処理することでガラスに穴を形成する工程、樹脂層を加熱して架橋を進行させる工程、エッチング処理する工程をこの順に含むことを特徴とするガラス基板の製造方法によって、上記課題を解決できることを見出した。
As a result of intensive studies to solve the above problems, a step of forming a resin layer on at least one surface of a glass substrate, a step of exposing and developing the resin layer, a step of forming a hole in the glass by sandblasting, a resin layer It has been found that the above-mentioned problems can be solved by a method for producing a glass substrate, which comprises a step of heating the substrate to advance crosslinking and a step of etching treatment in this order.

本発明のガラス基板の製造方法により、サンドブラスト法とエッチング法を用いたガラス基材の穴形成工程を含むガラス基板の製造方法において、穴の内壁に微細なクラックの無いガラス基材を生産性良く製造することが可能となるガラス基板の製造方法を提供することができる。   According to the glass substrate manufacturing method of the present invention, in the glass substrate manufacturing method including the glass substrate hole forming step using the sand blasting method and the etching method, a glass substrate having no fine cracks on the inner wall of the hole is obtained with high productivity. A method for manufacturing a glass substrate that can be manufactured can be provided.

以下、本発明のガラス基材の作製方法について詳細に説明する。   Hereinafter, the production method of the glass substrate of the present invention will be described in detail.

アルカリ脱脂や有機溶剤による洗浄等の前処理を施したガラス基材の少なくとも片面に樹脂層を形成する。樹脂層の形成には、例えば、１００℃以上に加熱したゴムロールを加圧して押し当てる熱圧着方式のラミネータ装置を用いることができる。樹脂層を形成した後、樹脂層のキャリアフィルムを剥がし、露光、現像を行って樹脂層のパターニング形成を行い、続いて、サンドブラスト処理を行うことで樹脂層に被覆されていないガラス基材部分が除去されることでガラス基材に穴を形成する。その後、樹脂層を加熱し、続いて、エッチング処理によりガラス基材にあけた穴の内部をエッチングすることで穴の内壁を平滑化し、微細クラックが極めて少ないガラス基材を製造する。   A resin layer is formed on at least one side of a glass substrate that has been subjected to pretreatment such as alkali degreasing and washing with an organic solvent. For the formation of the resin layer, for example, a thermocompression laminator apparatus that presses and presses a rubber roll heated to 100 ° C. or higher can be used. After the resin layer is formed, the carrier film of the resin layer is peeled off, exposure and development are performed to form a pattern of the resin layer, and then the glass base part not covered with the resin layer is formed by sandblasting. By removing, a hole is formed in the glass substrate. Thereafter, the resin layer is heated, and subsequently, the inner walls of the holes are smoothed by etching the inside of the holes formed in the glass substrate by an etching process, thereby producing a glass substrate having very few fine cracks.

本発明に係わるガラス基材はガラス組成に関わらず適用可能であるが、例えばシリカガラス、ソーダ石灰シリカガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス等を用いることができる。   The glass substrate according to the present invention can be applied regardless of the glass composition, and for example, silica glass, soda lime silica glass, lead glass, borosilicate glass, aluminosilicate glass and the like can be used.

本発明に係わる樹脂層としては、光照射部が架橋して現像液に不溶化し、サンドブラスト処理に耐性があり、サンドブラスト処理後の樹脂層を加熱処理することでエッチング処理に耐性を持つようになる特性を持つネガ型のドライフィルムレジストが挙げられる。サンドブラスト処理に耐性を持たせる方法としては、光架橋後の樹脂層にゴム弾性を付与することが有効であることが知られており、ドライフィルムレジストの成分としてウレタン（メタ）アクリレートオリゴマーを加えることが一般的である。また、樹脂層にエッチング耐性を持たせる方法としては、樹脂層の架橋を進行させることで耐水性を向上させ、エッチング液の浸透を妨げる方法が挙げられる。一般的なネガ型のドライフィルムレジストの場合、パターニングを目的とした光照射だけでは樹脂層内に未反応の架橋性成分が残っているため、パターニング後に追加の露光や加熱を行うことにより架橋を進行させることができる。さらに、加熱処理では樹脂層とガラス基材の密着性が向上させることができるので、これによりさらなるエッチング耐性を付与することができる。ドライフィルムレジストは、例えば、カルボキシル基を含むバインダーポリマー、ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマー、分子内に少なくとも１個の重合可能なエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物、光重合開始剤、溶剤、その他添加剤からなる樹脂層をポリエステル等のキャリアフィルム上に塗設し、場合によってはポリエチレン等の保護フィルムで被覆した構成となっている。それらの配合比率は、感度、解像度、架橋度、テンティング性等の要求される性質のバランスによって決定される。ドライフィルムレジストの配合例は「フォトポリマーハンドブック」（フォトポリマー懇話会編、１９８９年刊行、（株）工業調査会刊）や「フォトポリマー・テクノロジー」（山本亜夫、永松元太郎編、１９８８年刊行、日刊工業新聞社刊）等に記載されており、所望の配合を使用することができる。ドライフィルムレジストの厚みは、２０〜１００μｍであることが好ましく、５０〜１００μｍであることがより好ましい。この厚みが２０μｍ未満では、エッチング工程においてエッチング液が樹脂層を浸透しながら通過することにより、本来エッチング処理の必要がない部分まで処理が及んでしまう場合がある。また、１００μｍを超えると、サンドブラストとエッチングの処理に要する時間が長くなり、生産性が悪化する場合がある。   As the resin layer according to the present invention, the light irradiation part is cross-linked and insolubilized in the developing solution, and is resistant to the sand blasting process, and the resin layer after the sand blasting process is resistant to the etching process by heat treatment. Examples include negative dry film resists having characteristics. As a method of imparting resistance to sandblasting, it is known that it is effective to give rubber elasticity to the resin layer after photocrosslinking, and urethane (meth) acrylate oligomer is added as a component of the dry film resist. Is common. Further, as a method for imparting etching resistance to the resin layer, there is a method of improving water resistance by advancing crosslinking of the resin layer and preventing penetration of the etching solution. In the case of a general negative type dry film resist, unreacted crosslinkable components remain in the resin layer only by light irradiation for the purpose of patterning. Therefore, crosslinking is performed by performing additional exposure or heating after patterning. Can be advanced. Furthermore, since the adhesiveness between the resin layer and the glass substrate can be improved in the heat treatment, further etching resistance can be imparted thereby. The dry film resist includes, for example, a binder polymer containing a carboxyl group, a urethane (meth) acrylate oligomer, a photopolymerizable compound having at least one polymerizable ethylenically unsaturated group in the molecule, a photopolymerization initiator, a solvent, In addition, a resin layer composed of other additives is coated on a carrier film such as polyester and, in some cases, is covered with a protective film such as polyethylene. Their blending ratio is determined by a balance of required properties such as sensitivity, resolution, degree of cross-linking and tenting property. Examples of dry film resist formulations are “Photopolymer Handbook” (edited by Photopolymer Social Society, published in 1989, published by Kogyo Kenkyukai Co., Ltd.) and “Photopolymer Technology” (edited by Yamamoto Ao, Nagamatsu Mototaro, published in 1988, Nikkan Kogyo Shimbun) and the like, and a desired composition can be used. The thickness of the dry film resist is preferably 20 to 100 μm, and more preferably 50 to 100 μm. If the thickness is less than 20 μm, the etching solution may pass through the resin layer while penetrating the resin layer, so that the portion that does not need the etching treatment may be processed. On the other hand, when the thickness exceeds 100 μm, the time required for the sandblasting and etching treatment becomes long, and the productivity may deteriorate.

本発明に係わる樹脂層の露光方法としては、キセノンランプ、高圧水銀灯、低圧水銀灯、超高圧水銀灯、ＵＶ蛍光灯を光源とした反射画像露光、フォトツールを用いた片面、両面密着露光や、プロキシミティ方式、プロジェクション方式やレーザー走査露光が挙げられる。走査露光を行う場合には、Ｈｅ−Ｎｅレーザー、Ｈｅ−Ｃｄレーザー、アルゴンレーザー、クリプトンイオンレーザー、ルビーレーザー、ＹＡＧレーザー、窒素レーザー、色素レーザー、エキシマレーザー等のレーザー光源を発光波長に応じてＳＨＧ波長変換して走査露光する、あるいは液晶シャッター、マイクロミラーアレイシャッターを利用した走査露光によって露光することができる。   The resin layer exposure method according to the present invention includes a xenon lamp, a high-pressure mercury lamp, a low-pressure mercury lamp, an ultrahigh-pressure mercury lamp, a reflection image exposure using a UV fluorescent lamp as a light source, a single-sided, double-sided contact exposure using a photo tool, and proximity. Examples include a method, a projection method, and laser scanning exposure. When performing scanning exposure, a laser light source such as a He—Ne laser, He—Cd laser, argon laser, krypton ion laser, ruby laser, YAG laser, nitrogen laser, dye laser, or excimer laser is used according to the emission wavelength. The exposure can be performed by wavelength conversion and scanning exposure, or by scanning exposure using a liquid crystal shutter and a micromirror array shutter.

本発明に係わる現像方法としては、使用する光架橋性樹脂層に見合った現像液を用い、ガラス基材のうち樹脂層を形成した面に向かってスプレーして、レジストパターンとして不要な部分を除去し、サンドブラスト処理に対するレジスト層を形成する。一般的には、１質量％の炭酸ナトリウム水溶液が使用される。   As a developing method according to the present invention, a developer corresponding to the photocrosslinkable resin layer to be used is used, and a glass substrate is sprayed toward the surface on which the resin layer is formed to remove unnecessary portions as a resist pattern. Then, a resist layer for the sandblast treatment is formed. In general, a 1% by weight aqueous sodium carbonate solution is used.

本発明に係わるサンドブラスト処理方法としては、コンプレッサー等による圧縮空気に使用するガラス基材に見合った研磨材を混ぜ、それをガラス基材のうち樹脂層を形成した面に向かって吹き付けることで、樹脂層に覆われていないガラス部分に穴開け加工を行う。研磨材の材質としてはアルミナ、ＳｉＣ、ガーネット、ジルコン、ガラス、鉄、ステンレスを使用することができる。また、サンドブラスト法で使用する研磨材は、最大粒子径が２０〜１５０μｍであることが好ましく、２０〜１００μｍであるとさらに好ましい。研磨材の最大粒子径が２０μｍより小さいと、ガラス基板に穴を形成するための時間が長くなり、生産性が悪化する場合がある。一方、研磨材の最大粒子径が１５０μｍより大きいと、サンドブラスト処理した面の表面粗さが大きくなり、エッチング処理に要する時間が長くなり、生産性が悪化する場合がある。また、サンドブラスト処理の途中で最大粒子径の異なる研磨材に変更することも可能である。   As a sandblasting method according to the present invention, an abrasive material suitable for a glass base material used for compressed air by a compressor or the like is mixed, and then sprayed toward the surface of the glass base material on which the resin layer is formed. Drill a hole in the glass that is not covered by the layer. As the material for the abrasive, alumina, SiC, garnet, zircon, glass, iron, and stainless steel can be used. Further, the abrasive used in the sandblasting method preferably has a maximum particle size of 20 to 150 μm, and more preferably 20 to 100 μm. If the maximum particle size of the abrasive is smaller than 20 μm, the time for forming holes in the glass substrate becomes long, and the productivity may deteriorate. On the other hand, when the maximum particle size of the abrasive is larger than 150 μm, the surface roughness of the surface subjected to the sandblast treatment becomes large, the time required for the etching treatment becomes long, and the productivity may be deteriorated. It is also possible to change to an abrasive having a different maximum particle size during the sandblasting process.

本発明における樹脂層の加熱方法としては、送風乾燥機等の加熱装置にサンドブラスト処理後のガラス基材を投入し、約１００〜１８０℃、約１５〜６０分間の加熱を行う。加熱温度が１００℃を下回ると、加熱に必要な時間が長くなり生産性が悪化する場合がある。また、加熱温度が１８０℃を超える場合には、樹脂層の構成によっては樹脂層が変形する場合があり、この変形によりエッチング処理が必要な部分を樹脂層が覆ってしまい、エッチング不良の原因となる場合がある。   As a method for heating the resin layer in the present invention, the glass substrate after sandblasting treatment is put into a heating device such as a blower dryer, and heated at about 100 to 180 ° C. for about 15 to 60 minutes. When the heating temperature is lower than 100 ° C., the time required for heating becomes long and the productivity may deteriorate. In addition, when the heating temperature exceeds 180 ° C., the resin layer may be deformed depending on the structure of the resin layer, and the resin layer covers a portion that needs to be etched by this deformation, which may cause etching failure. There is a case.

本発明に係わるエッチング方法としては、使用するガラス基材に見合ったエッチング液を用い、ガラス基材のうち樹脂層を形成した面に向かってスプレーすることで、ガラス基材にあけた穴の内壁を溶解することで平滑化し、微細クラックが極めて少ない状態にする。エッチング液はガラスを溶解除去できるものであればよく、具体例としては、フッ化水素酸、ケイフッ化水素酸などのフッ酸系水溶液やこれらの水溶液に硫酸や硝酸、塩酸とを混合した水溶液を処理液として使用することができる。エッチング液中のフッ酸含有量は１〜２０％であることが好ましい。フッ酸含有量が１％未満であると、エッチングに長時間を要することになり、生産性が悪化する場合がある。フッ酸含有量が２０％より大きいと、エッチング速度が速くなり過ぎてしまい、均一なエッチング処理を行うことが困難である場合があることに加えて、フッ酸含有量が高いため取扱上の安全性の点が問題とされる場合がある。エッチング処理条件は、ガラス基材に形成した穴の深さや径にもよるが、例えば、５〜５０℃のエッチング処理液を、０．５〜５分間スプレーすることにより行うことができる。   As an etching method according to the present invention, an inner wall of a hole formed in a glass base material is sprayed using an etching solution suitable for the glass base material to be used and sprayed toward the surface of the glass base material on which the resin layer is formed. Is dissolved so that there are very few fine cracks. The etching solution is not particularly limited as long as it can dissolve and remove glass. Specific examples thereof include hydrofluoric acid aqueous solutions such as hydrofluoric acid and silicohydrofluoric acid, and aqueous solutions obtained by mixing sulfuric acid, nitric acid, and hydrochloric acid with these aqueous solutions. It can be used as a treatment liquid. The hydrofluoric acid content in the etching solution is preferably 1 to 20%. When the hydrofluoric acid content is less than 1%, etching takes a long time, and productivity may deteriorate. If the hydrofluoric acid content is higher than 20%, the etching rate becomes too fast, and it may be difficult to perform uniform etching. In addition, the hydrofluoric acid content is high so that it is safe to handle. Sexuality may be a problem. Although the etching treatment conditions depend on the depth and diameter of the holes formed in the glass substrate, for example, the etching treatment can be performed by spraying an etching treatment solution at 5 to 50 ° C. for 0.5 to 5 minutes.

以下、実施例によって本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited to this Example.

（実施例）
面積１００×１００ｍｍ、厚み１．１ｍｍ、ノンアルカリアルミノホウケイ酸ガラスのガラス基材をアセトンで洗浄し、ドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（三菱製紙（株）製、商品名：ＭＳ７１００、厚み：１００μｍ）を熱圧着し、樹脂層を形成した。 (Example)
A glass substrate of area 100 × 100 mm, thickness 1.1 mm, non-alkali aluminoborosilicate glass was washed with acetone, and dry film resist (Mitsubishi Paper Co., Ltd., trade name: MS7100) using a laminator for dry film resist. , Thickness: 100 μm) was thermocompression bonded to form a resin layer.

次に、直径３００μｍの円形画像を有する露光原稿用フォトマスクを用いて密着露光を行った。続いて、１質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度３０℃、スプレー圧０．１５ＭＰａ）を用いて現像処理を行い、レジスト層を形成した。   Next, contact exposure was performed using an exposure original photomask having a circular image having a diameter of 300 μm. Subsequently, development was performed using a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution (liquid temperature 30 ° C., spray pressure 0.15 MPa) to form a resist layer.

次に、レジスト層を形成した基板をＳｉＣ研磨材（ナニワ研磨工業（株）製、商品名：ＧＣ微粉＃３２０、最大粒子径：９８μｍ）を使用して５分間サンドブラスト処理（スプレー圧：０．２ＭＰａ）を実施し、ガラス基材への穴形成を行った。   Next, the substrate on which the resist layer is formed is subjected to a sand blast treatment (spray pressure: 0. 5 minutes) using an SiC abrasive (manufactured by Naniwa Polishing Co., Ltd., trade name: GC fine powder # 320, maximum particle size: 98 μm). 2 MPa) was performed to form holes in the glass substrate.

次に、穴形成したガラス基材を送付乾燥機にて１５０℃、１０分の条件で加熱処理を実施し、樹脂層を加熱した。   Next, the glass substrate in which the holes were formed was subjected to heat treatment at 150 ° C. for 10 minutes with a sending dryer, and the resin layer was heated.

次に、ガラス基材をエッチング処理液（フッ酸濃度７質量％と硫酸濃度１５質量％の水溶液、液温度：４０℃、スプレー圧０．１５ＭＰａ）を用いて２分間エッチング処理を行った。   Next, the glass substrate was etched for 2 minutes using an etching treatment liquid (aqueous solution having a hydrofluoric acid concentration of 7 mass% and a sulfuric acid concentration of 15 mass%, liquid temperature: 40 ° C., spray pressure 0.15 MPa).

得られたガラス基板の穴内部を走査型電子顕微鏡で観察した結果、ガラス基材には深さ平均３００μｍの穴が形成されていることが確認され、穴の内壁には微細クラックはほとんど存在していないことを確認した。   As a result of observing the inside of the hole of the obtained glass substrate with a scanning electron microscope, it was confirmed that holes with an average depth of 300 μm were formed in the glass substrate, and there were almost no microcracks on the inner wall of the hole. Confirmed not.

（比較例１）
エッチング処理を行わないこと以外は、実施例と同様の方法でガラス基板を作製し、得られたガラス基板の穴内部を走査型電子顕微鏡で観察した。その結果、無数の微細な傷とクラックが存在していることを確認した。このような状態では、ガラス基板の強度が著しく低下してしまう。 (Comparative Example 1)
A glass substrate was produced in the same manner as in Example except that the etching treatment was not performed, and the inside of the hole of the obtained glass substrate was observed with a scanning electron microscope. As a result, it was confirmed that innumerable fine scratches and cracks existed. In such a state, the strength of the glass substrate is significantly reduced.

（比較例２）
サンドブラスト処理を行わないこと、およびエッチング時間を１００分にすること以外は実施例と同様の方法でガラス基板を作製し、得られたガラス基板の穴内部を走査型電子顕微鏡で観察した結果、ガラス基材には深さ平均３００μｍの穴が形成されていることが確認され、穴の内壁には微細クラックはほとんど存在していないことを確認した。しかしながら、比較例２の方法では、実施例と比較して穴開け工程の処理時間に４倍以上の時間がかかっているため、このような方法では生産性が悪くなってしまう。 (Comparative Example 2)
A glass substrate was produced in the same manner as in the examples except that the sandblast treatment was not performed and the etching time was set to 100 minutes, and the inside of the hole in the obtained glass substrate was observed with a scanning electron microscope. It was confirmed that holes with an average depth of 300 μm were formed in the base material, and it was confirmed that there were almost no microcracks on the inner walls of the holes. However, in the method of Comparative Example 2, since the processing time of the drilling process takes four times or more as compared with the Example, productivity becomes worse in such a method.

本発明は、ガラス基材に穴を形成することで作製されるガラス基板の製造に広く利用される。例えば、スマートフォン、タブレット端末、ＰＤＡ、カーナビゲーション装置、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、遊技機等といった電子機器の保護パネルに用いることのできるガラス基板の製造方法として利用することができる。   The present invention is widely used for manufacturing a glass substrate produced by forming holes in a glass substrate. For example, it can be used as a method for manufacturing a glass substrate that can be used for a protective panel of an electronic device such as a smartphone, a tablet terminal, a PDA, a car navigation device, a digital camera, a digital video camera, or a game machine.

Claims (1)

ガラス基材の少なくとも片面に樹脂層を形成する工程、樹脂層を露光し現像する工程、サンドブラスト処理することでガラスに穴を形成する工程、樹脂層を加熱して架橋を進行させる工程、エッチング処理する工程をこの順に含むことを特徴とするガラス基板の製造方法。 A step of forming a resin layer on at least one surface of a glass substrate, a step of exposing and developing the resin layer, a step of forming a hole in the glass by sandblasting, a step of heating the resin layer to advance crosslinking , an etching treatment The manufacturing method of the glass substrate characterized by including the process to perform in this order.