JP5668196B2 - 電磁トランスポンダの結合係数の誘導性評価 - Google Patents
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Description
2 トランスポンダ
23 整流器、整流ブリッジ
27 プロセッサ、処理部
31,33 誘導性素子
32,34 容量性素子
C2 発振回路、コンデンサ、容量性素子
L2 発振回路、インダクタンス、誘導性素子
L31,L33 能動回路、ジャイレータ、誘導性素子
Claims (12)
- 電磁トランスポンダと端末との結合係数を評価する方法であって、
前記トランスポンダの発振回路の2対のインダクタンス値及びキャパシタンス値を、前記発振回路の同調を維持するように選定し、
前記2対のインダクタンス値及びキャパシタンス値に関して得られる前記発振回路の電圧の比率を、1又は複数の閾値と比較し、
比較結果に基づき、前記結合係数を評価することを特徴とする方法。 - 前記発振回路の両端間に設けられている整流器によって与えられる直流電圧を、前記2対のインダクタンス値及びキャパシタンス値の夫々の対に関して測定することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記2対のインダクタンス値及びキャパシタンス値の内の一方の対に関する最適結合係数に基づき、前記結合係数を評価することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記閾値は、前記2対のインダクタンス値及びキャパシタンス値の内のインダクタンス値の関数であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記2対のインダクタンス値及びキャパシタンス値の内の一方の対に関する最適結合係数に基づき、前記結合係数を評価し、
前記最適結合係数は、前記発振回路の電圧が最大であるときの結合係数であることを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 請求項1に記載の方法に基づいて評価された結合係数に基づいて、電磁トランスポンダを過熱から保護する方法であって、
前記結合係数と最適結合係数との比率が、2つの閾値の範囲内にあるか否かを判断し、
前記比率が2つの閾値の範囲内にあるとき、前記発振回路を離調して、前記トランスポンダを過熱から保護することを特徴とする方法。 - 電磁トランスポンダが端末の磁場内にあるとき、直流電圧を与えることが可能な整流器の上流側に設けられた発振回路と、
該発振回路と機能的に並列に接続され得る少なくとも1つの切替可能な誘導性素子及び少なくとも1つの切替可能な容量性素子と、
前記電磁トランスポンダを制御する処理部と
を備えており、
前記処理部は、前記誘導性素子の1対のインダクタンス値及び前記容量性素子の1対のキャパシタンス値を、前記発振回路の同調を維持するように選定し、
前記1対のインダクタンス値及び前記1対のキャパシタンス値に関して測定された前記整流器の電圧の比率を、1又は複数の閾値と比較し、
比較結果に基づき、前記電磁トランスポンダと前記端末との結合係数を評価することを特徴とする電磁トランスポンダ。 - 前記切替可能な誘導性素子及び容量性素子は、前記整流器の出力端子に接続されていることを特徴とする請求項7に記載のトランスポンダ。
- 前記誘導性素子及び容量性素子は夫々2つ備えられており、
一方の前記誘導性素子及び容量性素子は、前記発振回路の第1の端子と固定電位との間に接続されており、
他方の前記誘導性素子及び容量性素子は、前記発振回路の第2の端子と固定電位との間に接続されていることを特徴とする請求項7に記載のトランスポンダ。 - 前記固定電位は、アースであることを特徴とする請求項9に記載のトランスポンダ。
- 前記誘導性素子は、能動回路によって形成されていることを特徴とする請求項7に記載のトランスポンダ。
- 請求項1に記載の方法を実施すべくプログラミングされたプロセッサを更に備えていることを特徴とする請求項7に記載のトランスポンダ。
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