JP5663504B2 - 重ね合わせマーク、重ね合わせマークの設計方法および重ね合わせ測定の方法 - Google Patents
重ね合わせマーク、重ね合わせマークの設計方法および重ね合わせ測定の方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5663504B2 JP5663504B2 JP2012009434A JP2012009434A JP5663504B2 JP 5663504 B2 JP5663504 B2 JP 5663504B2 JP 2012009434 A JP2012009434 A JP 2012009434A JP 2012009434 A JP2012009434 A JP 2012009434A JP 5663504 B2 JP5663504 B2 JP 5663504B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- overlay
- working
- mark
- working zone
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
本発明は例示的に説明されており、これは限定的なものではない。
本発明は、たとえば、以下のような態様で実現することもできる。
適用例1:
基板の2つ以上の連続するレイヤ間の相対的ズレを決定する重ね合わせマークであって、前記重ね合わせマークは、
第1方向における前記基板の第1および第2レイヤ間の相対的ズレを決定する少なくとも一つのテストパターンであって、前記テストパターンはワーキング・ゾーンの第1セットと、ワーキング・ゾーンの第2セットとを有し、
前記第1セットは前記基板の第1レイヤ上に配置され、対角線上に対向し互いに空間的にオフセットされた少なくとも2つのワーキング・ゾーンを有し、
前記第2セットは前記基板の第2レイヤ上に配置され、対角線上に対向し互いに空間的にオフセットされた少なくとも2つのワーキング・ゾーンを有する
重ね合わせマーク。
適用例2:
適用例1の重ね合わせマークであって、前記テストパターンの前記画像は、画像ツールを介してキャプチャされ、前記キャプチャされた画像から前記ワーキング・ゾーンの前記相対的な変位を計算するために分析アルゴリズムが用いられる重ね合わせマーク。
適用例3:
適用例1の重ね合わせマークであって、前記ワーキング・ゾーンはマークの周縁内に位置する重ね合わせマーク。
適用例4:
重ね合わせマークの画像をキャプチャするように構成された画像化装置を介して基板の2つ以上の連続するレイヤ間の相対的ズレを決定する重ね合わせマークであって、前記重ね合わせマークは、
前記基板の第1レイヤ上に配置され、対角線上に対向し互いに空間的にオフセットされ、前記マークの前記周縁内に位置した少なくとも2つのワーキング・ゾーンを有するワーキング・ゾーンの第1セットであって、前記ワーキング・ゾーンのそれぞれはそこに位置する粗くセグメント化された要素の周期的構造を有し、前記粗くセグメント化された要素は第1方向に向いている第1セットと、
前記第1ワーキング・グループに対して斜めに位置したワーキング・ゾーンの第2セットであって、前記第2ワーキング・グループは、前記基板の第2レイヤ上に配置され、対角線上に対向し互いに空間的にオフセットされ、前記マークの前記周縁内に位置した少なくとも2つのワーキング・ゾーンを有し、前記ワーキング・ゾーンのそれぞれはそこに位置する粗くセグメント化された要素の周期的構造を有し、前記粗くセグメント化された要素は第1方向に向いている第2セットと、
を備える重ね合わせマーク。
適用例5:
基板の2つ以上の連続するレイヤ間、または基板の単一レイヤ上に別々に生成された2つ以上のパターン間の相対的ズレを決定する重ね合わせマークであって、前記重ね合わせマークは、
前記基板の第1および第2レイヤ間、または前記基板の単一レイヤ上の第1および第2パターン間のアライメントを計算するために用いられる複数のワーキング・ゾーンであって、前記ワーキング・ゾーンのそれぞれは前記マークの前記周縁内に配置され、前記ワーキング・ゾーンのそれぞれは前記マークの異なる領域を表し、前記ワーキング・ゾーンは前記マークの前記周縁を実質的に埋めることによって、前記ワーキング・ゾーンの前記組み合わされた領域が実質的に前記マークの合計領域に等しいように構成される複数のワーキング・ゾーン、
を備える重ね合わせマーク。
適用例6:
適用例5の重ね合わせマークであって、前記ワーキング・ゾーンは除外ゾーンによって分離されている重ね合わせマーク。
適用例7:
適用例5の重ね合わせマークであって、前記ワーキング・ゾーンは、第1レイヤまたは第1パターン、または第2レイヤまたは第2パターンのうちの一つを表すように構成される重ね合わせマーク。
適用例8:
適用例7の重ね合わせマークであって、前記ワーキング・ゾーンは、等しい数の第1レイヤまたはパターン、および第2レイヤまたはパターンを表す重ね合わせマーク。
適用例9:
基板の2つ以上の連続するレイヤ間、または基板の単一レイヤ上に別々に生成された2つ以上のパターン間の相対的ズレをスキャニングを介して決定する重ね合わせマークであって、前記重ね合わせマークは、
前記基板の第1および第2レイヤ間の第1方向における相対的ズレを決定する少なくとも一つのテストパターンであって、
前記テストパターンは、ワーキング・ゾーンの第1セットおよびワーキング・ゾーンの第2セットを有し、
前記第1セットは、前記基板の第1レイヤ上に配置され、対角線上に対向し互いに空間的にオフセットされた少なくとも2つのワーキング・ゾーンを有し、
前記第2セットは、前記基板の第2レイヤ上に配置され、対角線上に対向し互いに空間的にオフセットされた少なくとも2つのワーキング・ゾーンを有する、
重ね合わせマーク。
適用例10:
適用例1および9の重ね合わせマークであって、前記ワーキング・ゾーンの第1セットは、前記ワーキング・ゾーンの第2セットに対して角度がつけられている重ね合わせマーク。
適用例11:
適用例3、4および5の重ね合わせマークであって、前記マークの前記周縁は、前記重ね合わせマークを画像化するのに用いられる前記計測ツールの視野の光学的周縁に対応し、前記視野は前記計測ツールを介して画像をキャプチャするのに利用できる領域を規定する、重ね合わせマーク。
適用例12:請求項9および11の重ね合わせマークであって、前記ワーキング・ゾーンは実質的に前記マークの前記周縁を埋める重ね合わせマーク。
適用例13:
適用例1、4、5および9の重ね合わせマークであって、前記ワーキング・ゾーンは空間的に互いに分離されることによって隣接するワーキング・ゾーンの部分と重複しない重ね合わせマーク。
適用例14:
適用例1、4、5および9の重ね合わせマークであって、前記ワーキング・ゾーンは、ツールおよびウェーハに起因するズレに対する前記マークにわたっての不均一性の影響を低減するように構成される重ね合わせマーク。
適用例15:
適用例1、4、5および9の重ね合わせマークであって、前記ワーキング・ゾーンのそれぞれの中に位置する周期的構造をさらに備え、前記周期的構造のそれぞれは複数の粗くセグメント化された要素を含む、
重ね合わせマーク。
適用例16:
適用例15の重ね合わせマークであって、前記粗くセグメント化された要素のピッチ、周期およびデューティサイクルは、前記重ね合わせマークを画像化するのに用いられる計測の解像度と、前記レイヤを形成するのに用いられるプロセスのロバスト性とをバランスさせるように構成される、重ね合わせマーク。
適用例17:
適用例15の重ね合わせマークであって、前記粗くセグメント化された要素は平行線である重ね合わせマーク。
適用例18:
適用例15の重ね合わせマークであって、前記ウェーハの前記第1および第2レイヤ間、または単一レイヤ上の2つの別々に生成されたパターン間の相対的ズレが、異なるレイヤまたはパターン上の周期的構造の相対位置を比較することによって決定される重ね合わせマーク。
適用例19:
適用例15の重ね合わせマークであって、前記複数の粗くセグメント化された要素は、複数の細かくセグメント化された要素によって形成される重ね合わせマーク。
適用例20:
適用例19の重ね合わせマークであって、細かくセグメント化された要素は、集積回路の異なるパターン間の相対的なズレにより密接にマッチするズレ情報を提供するように構成される重ね合わせマーク。
適用例21:
適用例1および9の重ね合わせマークであって、
第2方向における前記基板の第1および第2レイヤ間の相対的なズレを決定する第2テストパターンをさらに含む重ね合わせマーク。
適用例22:
適用例21の重ね合わせマークであって、前記第2テストパターンは前記第1テストパターンに直交する重ね合わせマーク。
適用例23:
適用例21の重ね合わせマークであって、前記第1方向は前記X軸方向に対応し、前記第2方向は前記Y軸方向に対応する重ね合わせマーク。
適用例24:
適用例21の重ね合わせマークであって、前記基板の第1および第2レイヤ間の前記第1および第2方向における前記相対的なズレを決定する第3および第4テストパターンをそれぞれさらに含む重ね合わせマーク。
適用例25:
適用例1および4の重ね合わせマークであって、前記第1レイヤは前記第2レイヤの直上または直下に配置される重ね合わせマーク。
適用例26:
基板の単一レイヤ上の2つ以上の別々に生成されたパターン間の相対的ズレを決定する重ね合わせマークであって、前記重ね合わせターゲットは、
前記基板の第1レイヤ上に位置するテスト領域であって、前記第1レイヤは第1プロセスを用いた第1パターンと、第2プロセスを用いた第2パターンとによって形成される、テスト領域と、
前記テスト領域に位置する複数のワーキング・ゾーンであって、前記ワーキング・ゾーンは前記第1および第2パターン間の相対的なズレを決定するのに用いられる前記テスト領域の実際の領域を表し、前記ワーキング・ゾーンの第1部分は前記第1プロセスを用いて形成され、前記ワーキング・ゾーンの第2部分は前記第2プロセスを用いて形成される、ワーキング・ゾーンと、
前記ワーキング・ゾーンのそれぞれの中に位置する周期的構造であって、前記周期的構造のそれぞれは複数の粗くセグメント化された要素を含み、前記粗くセグメント化された要素のそれぞれは複数の細かくセグメント化された要素によって形成される、周期的構造と、
を備える重ね合わせマーク。
適用例27:
基板の2つ以上の連続するレイヤ間、または基板の単一レイヤ上に別々に生成された2つ以上のパターン間の相対的ズレを決定する方法であって、前記方法は、
前記基板上に形成された重ね合わせマークの画像をキャプチャすることであって、前記重ね合わせマークは複数のワーキング・ゾーンを有し、前記ワーキング・ゾーンのそれぞれは粗くセグメント化された要素の周期的構造を含む、キャプチャすることと、
前記キャプチャされた画像から複数のワーキング・ゾーンを選択することであって、それぞれのレイヤまたはパターンから少なくとも一つのワーキング・ゾーンが選択される、選択することと、
前記選択されたワーキング・ゾーンのそれぞれについて情報を持った信号を形成することであって、それぞれのレイヤまたはパターンについて少なくとも一つの信号が形成される、形成することと、
第1レイヤまたはパターンからの前記信号を第2レイヤまたはパターンからの信号と比較することによって異なるレイヤまたはパターン間の前記相対的なズレを決定することと、
を含む方法。
適用例28:
適用例27の方法であって、情報を持った信号を形成することは、Y重ね合わせ計算のためにXにわたって平均し、X重ね合わせ計算のためにYにわたって平均することによって、前記ワーキング・ゾーンの前記2次元画像を1次元信号に折り畳むことで達成される方法。
適用例29:
適用例27の方法であって、第1レイヤまたはパターンからの前記信号を第2レイヤまたはパターンからの信号と比較することによって異なるレイヤまたはパターン間の前記相対的なズレを決定することは、共分散ベースの重ね合わせアルゴリズムを用いて達成される方法。
適用例30:
適用例27の方法であって、第1レイヤまたはパターンからの前記信号を第2レイヤまたはパターンからの信号と比較することによって異なるレイヤまたはパターン間の前記相対的なズレを決定することは、フーリエ分解重ね合わせアルゴリズムを用いて達成される方法。
適用例31:
適用例27の方法であって、前記粗くセグメント化された要素は、複数の細かくセグメント化された要素によって形成される方法。
適用例32:
基板の2つ以上の連続するレイヤ間、または基板の単一レイヤ上に別々に生成された2つ以上のパターン間の相対的ズレを決定するのに用いられる重ね合わせマークを設計する方法であって、前記方法は、
第1スケールにしたがって前記マークの第1要素の幾何学的配置を最適化すること、
第2スケールにしたがって前記マークの第2要素の幾何学的配置を最適化すること、
第3スケールにしたがって前記マークの第3要素の幾何学的配置を最適化すること、
を備える方法。
適用例33:
適用例32の方法であって、前記第1、第2および第3スケールは異なる方法。
適用例34:
適用例33の方法であって、前記第2スケールは前記第1スケールよりも小さく、前記第3スケールは前記第2スケールよりも小さい方法。
適用例35:
適用例32の方法であって、幾何学的配置はサイズ、形状または分布として規定される方法。
適用例36:
適用例32の方法であって、前記第1スケールは、重ね合わせが測定される2つの異なるレイヤまたはパターンについての情報を含む領域の境界を規定する計測カーネルスケールに対応する方法。
適用例37:
適用例36の方法であって、前記計測カーネルスケールは、計測ツールの限界、プロセス問題および回路デザイン条件に基づく方法。
適用例38:
適用例36の方法であって、前記計測カーネルスケールは約4ミクロンから約10ミクロンの範囲である方法。
適用例39:
適用例32の方法であって、前記第1要素の幾何学的配置は、前記第1スケールの上限および下限を特定し、前記上限および下限間の第1幾何学的配置の幾何学的配置を微調整することによって最適化される方法。
適用例40:
適用例39の方法であって、前記第1要素は、
前記重ね合わせマークの前記異なるレイヤまたはパターンを規定し、重ね合わせ測定に用いられる前記重ね合わせマークの実際の領域を表すワーキング・ゾーンに対応する方法。
適用例41:
適用例40の方法であって、微調整は、前記マークの前記周縁を規定し、ツールおよびウェーハに起因するズレに対する前記マークにわたっての不均一性の影響を低減するように構成される複数のワーキング・ゾーンに前記マークを分割することによって実現される方法。
適用例42:
適用例32の方法であって、前記第2スケールは、与えられたプロセスレイヤ内の構造間の境界を規定する画像解像度スケールに対応する方法。
適用例43:
適用例42の方法であって、画像解像度スケールは、計測ツールの限界およびプロセスロバスト性問題に基づく方法。
適用例44:
適用例42の方法であって、前記画像解像度スケールは約0.3ミクロンから2ミクロンの範囲である方法。
適用例45:
適用例32の方法であって、前記第2要素の前記幾何学的配置は、前記第2スケールの上限および下限を特定し、前記上限および下限間の第2要素の前記幾何学的配置を微調整することによって最適化される方法。
適用例46:
適用例45の方法であって、前記第2要素は、エンコードされ、前記マークを画像化するのに用いられる計測ツールに転送される前記マーク要素の相対位置に関する実際の空間情報を含む周期的構造に対応する方法。
適用例47:
適用例46の方法であって、微調整は前記ツールの前記画像解像度を前記プロセスとバランスとることによって実現される方法。
適用例48:
適用例32の方法であって、前記第3スケールは、与えられた構造内のサブ構造の前記境界を規定するリソグラフィ解像度スケールに対応する方法。
適用例49:
適用例48の方法であって、画像解像度スケールは回路のデザインルール、プロセスロバスト性問題および計測ツールの限界に基づく方法。
適用例50:
適用例48の方法であって、前記画像解像度スケールは約0.01ミクロンから約0.5ミクロンの範囲である方法。
適用例51:
適用例32の方法であって、前記第3要素の前記幾何学的配置は、前記第3スケールの上限および下限を特定し、前記上限および下限間の前記第3要素の前記幾何学的配置を微調整することによって最適化される方法。
適用例52:
適用例51の方法であって、前記第3要素は、前記回路構造そのものを反映する情報を含む前記細かくセグメント化された要素に対応する方法。
適用例53:
適用例32の方法であって、前記第1要素はワーキング・ゾーンであり、前記第2要素は前記ワーキング・ゾーン内に位置する粗くセグメント化された要素の周期的構造であり、前記第3要素は前記粗くセグメント化された要素を形成する複数の細かくセグメント化された要素である方法。
適用例54:
重ね合わせマークを設計する方法であって、前記重ね合わせマークは計測ツールの視野に対応する周縁を持ち、前記方法は、
前記重ね合わせマークの前記周縁を複数のワーキング・ゾーンで埋めることであって、前記ワーキング・ゾーンの幾何学的配置は第1デザインスケールに基づく、埋めることと、
前記ワーキング・ゾーンのそれぞれを、粗くセグメント化された線の少なくとも一つの周期的構造で埋めることであって、前記粗くセグメント化された線の幾何学的配置は前記第1スケールよりも小さい第2スケールに基づく、埋めることと、
前記粗くセグメント化された線を複数の細かくセグメント化された要素に分割することであって、前記細かくセグメント化された要素の幾何学的配置は第2スケールよりも小さい第3スケールに基づく、分割することと、
を備える方法。
適用例55:
重ね合わせマークを設計する方法であり、前記方法は、
前記重ね合わせマークの周縁を規定することと、
前記重ね合わせマークを複数のワーキング・ゾーンに分割することであって、前記ワーキング・ゾーンは、第1プロセスに関連する少なくとも第1ワーキング・ゾーンと、第2プロセスに関連する少なくとも第2ワーキング・ゾーンとを含み、前記第2プロセスは前記第1プロセスとは異なる特性を有する、分割することと、
前記ワーキング・ゾーンの幾何学的配置を調節することであって、前記ワーキング・ゾーンの前記幾何学的配置は少なくとも一部は第1スケールに基づく、調節することと、
前記ワーキング・ゾーンのそれぞれの中の周期的構造を位置づけることであって、前記周期的構造は複数の粗くセグメント化された線を有する、位置づけることと、
前記周期的構造の前記幾何学的配置を調整することであって、前記周期的構造の前記幾何学的配置は少なくとも一部は第2スケールに基づき、前記第2スケールは前記第1スケールとは違う特性を持つ、調整すること、
前記粗くセグメント化された線を複数の細かくセグメント化された要素に分割することと、
前記細かくセグメント化された要素の幾何学的配置を調整することであって、前記細かくセグメント化された線の前記幾何学的配置は少なくとも一部は前記第1および第2スケールと異なっている、調整することと、
を備える方法。
適用例56:
基板の2つ以上の連続するレイヤ間、または基板の単一レイヤ上に別々に生成された2つ以上のパターン間の相対的ズレを決定する重ね合わせマークであって、前記重ね合わせマークは、
複数の細かくセグメント化されたバーと少なくとも一つのダークフィールドとによって形成される複数の粗くセグメント化された線であって、前記複数の粗くセグメント化された線は複数の細かくセグメント化されたバーおよび少なくとも一つのクリアフィールドによって分離される
重ね合わせマーク。
適用例57:
基板の2つ以上の連続するレイヤ間、または基板の単一レイヤ上に別々に生成された2つ以上のパターン間の相対的ズレを決定する重ね合わせマークであって、前記重ね合わせマークは、
複数の細かくセグメント化されたバーによって形成され、クリアフィールドによって分離される粗くセグメント化された線の第1グループと、
複数の細かくセグメント化されたバーによって形成され、ダークフィールドによって分離される粗くセグメント化された線の第2グループと、
を備える重ね合わせマーク。
12…内側ボックス
14…外側ボックス
70…マーク
71…周縁
72…ゾーン
72…ワーキング・ゾーン
74…周期的構造
76…線群
78…要素
79…FOV
80…除外ゾーン
81…ダークフィールド
82…クリアフィールド
84…第1周期的構造
85…第2周期的構造
90…マーク
92…ワーキング・ゾーン
94…周期的構造
96…追加構造
100…マーク
102…ワーキング・ゾーン
104…周期的構造
106…線
108…追加構造
110…マーク
112…ワーキング・ゾーン
114…周期的構造
116…要素
118…要素
130…マーク
132…ワーキング・ゾーン
133…除外ゾーン
134…第1ワーキング・グループ
136…第2ワーキング・グループ
138…周期的構造
140…マーク
144…FOV
150…マーク
152…要素
170…マーク
172…ワーキング・ゾーン
174…周期的構造
176…線
178…追加構造
178…要素
190…マーク
192…ワーキング・ゾーン
193…除外ゾーン
194…ワーキング・グループ
194…第1ワーキング・グループ
196…第2ワーキング・グループ
198…周期的構造
200…線群
210…マーク
212…グレーティングパターン
214…線
220…マーク
222…ワーキング・ゾーン
240…マーク
242…ワーキング・ゾーン
250…マーク
252…ワーキング・ゾーン
270…マーク
272…ワーキング・ゾーン
290…マーク
292…ワーキング・ゾーン
320…測定システム
322…ターゲット
324…ウェーハ
326…光学アセンブリ
328…コンピュータ
330…光源
332…光
334…第1パス
335…第1レンズ
336…光ファイバライン
338…第2レンズ
340…ビームスプリッタキューブ
342…パス
344…対物レンズ
346…パス
350…チューブレンズ
352…カメラ
354…フレームグラバ
356…ウェーハステージ
Claims (9)
- 基板上に別々に生成されたパターン間の重ね合わせを決定する多方向重ね合わせマークであって、
前記多方向重ね合わせマークは、
前記基板上に配置される第1レイヤ材料から形成される第1のワーキング・ゾーン・セットであって、複数の第1要素を備え、少なくとも第1のワーキング・ゾーン対を備える第1のワーキング・ゾーン・セットであり、前記複数の第1要素は、第1の方向における重ね合わせ情報を伝達するように各々構成される複数の前記第1要素と、前記第1の方向と異なる第2の方向における重ね合わせ情報を伝達するように各々構成される複数の前記第1要素と、を含み、前記第1のワーキング・ゾーン対は、対角線上で対向し互いに空間的にオフセットされた一対の第1のワーキング・ゾーンを備える、第1のワーキング・ゾーン・セットと、
前記基板上に配置される第2レイヤ材料から形成される第2のワーキング・ゾーン・セットであって、前記第1の方向と前記第2の方向とにおける重ね合わせ情報を伝達するように各々構成される複数の第2要素をそれぞれ備え、対角線上で対向し互いに空間的にオフセットされた少なくとも第2のワーキング・ゾーン対を備える第2のワーキング・ゾーン・セットと、を備え、
前記第1レイヤ材料は前記第2レイヤ材料上に配置され、
前記第1のワーキング・ゾーン・セットと前記第2のワーキング・ゾーン・セットとは、前記第1レイヤ材料と前記第2レイヤ材料との間の重ね合わせを伝達し、同じ繰り返し構造パターンを直交する向きに持つように構成される、多方向重ね合わせマーク。 - 請求項1に記載の多方向重ね合わせマークであって、
前記第1のワーキング・ゾーン・セットと前記第2のワーキング・ゾーン・セットの構成は、それぞれ180度回転対称である、多方向重ね合わせマーク。 - 請求項1に記載の多方向重ね合わせマークであって、さらに、
前記重ね合わせマークの中心に位置する中心構造を備える、多方向重ね合わせマーク。 - 請求項1に記載の多方向重ね合わせマークであって、
前記第1のワーキング・ゾーンと前記第2のワーキング・ゾーンとは、計測ツールの視野に対応する前記重ね合わせマークの周縁内に配置される、多方向重ね合わせマーク。 - 請求項4に記載の多方向重ね合わせマークであって、
前記周縁は、前記複数の第1要素と前記複数の第2要素との間の重ね合わせ誤差を決定するのに利用可能な特定の計測ツールの視野(FOV)と同じか小さい、多方向重ね合わせマーク。 - 請求項5に記載の多方向重ね合わせマークであって、
前記周縁は約10ミクロンから約100ミクロンの間である、多方向重ね合わせマーク。 - 請求項5に記載の多方向重ね合わせマークであって、
前記周縁は約20ミクロンから約50ミクロンの間である、多方向重ね合わせマーク。 - 請求項1に記載の多方向重ね合わせマークであって、さらに、
前記基板上に配置される第3レイヤ材料であって前記第1レイヤ材料および前記第2レイヤ材料と異なる第3レイヤ材料から形成される第3のワーキング・ゾーン・セットであって、前記第1の方向と前記第2の方向とにおける重ね合わせ情報を伝達するように各々構成される複数の第3要素を備え、対角線上で対向し互いに空間的にオフセットされた少なくとも第3のワーキング・ゾーン対を備える第3のワーキング・ゾーン・セットと、
前記基板上に配置される第4レイヤ材料であって前記第1レイヤ材料、前記第2レイヤ材料および前記第3レイヤ材料と異なる第4レイヤ材料から形成される第4のワーキング・ゾーン・セットであって、前記第1の方向と前記第2の方向とにおける重ね合わせ情報を伝達するように各々構成される複数の第4要素を備え、対角線上で対向し互いに空間的にオフセットされた少なくとも第4のワーキング・ゾーン対を備える第4のワーキング・ゾーン・セットと、を備え、
前記第1のワーキング・ゾーン、前記第2のワーキング・ゾーン、前記第3のワーキング・ゾーンおよび前記第4のワーキング・ゾーンは、前記重ね合わせマークの領域上で実質的に分布される、多方向重ね合わせマーク。 - 請求項1に記載の多方向重ね合わせマークであって、さらに、
前記第1レイヤ材料および前記第2レイヤ材料と異なる複数の他のレイヤ材料であって、前記第1の方向と前記第2の方向とにおける重ね合わせ情報を備えるように構成される複数の他のレイヤ材料から形成される複数のワーキング・ゾーン・セットであって、前記複数のワーキング・ゾーンは、各々、複数の要素から形成され、互いに並列に配置される少なくとも4つのワーキング・ゾーン内に配置されて、前記複数の要素から形成される前記複数のワーキング・ゾーンは、各々、互いに交差する位置関係に配置されるワーキング・ゾーン対を備え、前記複数の要素から形成される前記複数のワーキング・ゾーンは、前記重ね合わせマークの領域上で分布される、多方向重ね合わせマーク。
Applications Claiming Priority (12)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US22925600P | 2000-08-30 | 2000-08-30 | |
US60/229,256 | 2000-08-30 | ||
US30176301P | 2001-06-27 | 2001-06-27 | |
US30159101P | 2001-06-27 | 2001-06-27 | |
US30148401P | 2001-06-27 | 2001-06-27 | |
US30161301P | 2001-06-27 | 2001-06-27 | |
US60/301,763 | 2001-06-27 | ||
US09/894,987 US7068833B1 (en) | 2000-08-30 | 2001-06-27 | Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements |
US60/301,613 | 2001-06-27 | ||
US60/301,484 | 2001-06-27 | ||
US60/301,591 | 2001-06-27 | ||
US09/894,987 | 2001-06-27 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002524212A Division JP5180419B2 (ja) | 2000-08-30 | 2001-08-28 | 重ね合わせマーク、重ね合わせマークの設計方法および重ね合わせ測定の方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014098674A Division JP5945294B2 (ja) | 2000-08-30 | 2014-05-12 | 重ね合わせマーク、重ね合わせマークの設計方法および重ね合わせ測定の方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012080131A JP2012080131A (ja) | 2012-04-19 |
JP2012080131A5 JP2012080131A5 (ja) | 2014-06-26 |
JP5663504B2 true JP5663504B2 (ja) | 2015-02-04 |
Family
ID=27559199
Family Applications (8)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002524212A Expired - Lifetime JP5180419B2 (ja) | 2000-08-30 | 2001-08-28 | 重ね合わせマーク、重ね合わせマークの設計方法および重ね合わせ測定の方法 |
JP2012009434A Expired - Lifetime JP5663504B2 (ja) | 2000-08-30 | 2012-01-19 | 重ね合わせマーク、重ね合わせマークの設計方法および重ね合わせ測定の方法 |
JP2014098674A Expired - Lifetime JP5945294B2 (ja) | 2000-08-30 | 2014-05-12 | 重ね合わせマーク、重ね合わせマークの設計方法および重ね合わせ測定の方法 |
JP2015219296A Expired - Lifetime JP6313272B2 (ja) | 2000-08-30 | 2015-11-09 | 重ね合わせマーク、および半導体デバイス |
JP2015219288A Withdrawn JP2016026331A (ja) | 2000-08-30 | 2015-11-09 | 重ね合わせマーク、重ね合わせマークの設計方法および重ね合わせ測定の方法 |
JP2016228018A Pending JP2017062492A (ja) | 2000-08-30 | 2016-11-24 | 重ね合わせマーク、重ね合わせマークの設計方法および重ね合わせ測定の方法 |
JP2016227754A Pending JP2017040941A (ja) | 2000-08-30 | 2016-11-24 | 重ね合わせマーク、重ね合わせマークの設計方法および重ね合わせ測定の方法 |
JP2020040921A Pending JP2020112807A (ja) | 2000-08-30 | 2020-03-10 | 重ね合わせマーク、重ね合わせマークの設計方法および重ね合わせ測定の方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002524212A Expired - Lifetime JP5180419B2 (ja) | 2000-08-30 | 2001-08-28 | 重ね合わせマーク、重ね合わせマークの設計方法および重ね合わせ測定の方法 |
Family Applications After (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014098674A Expired - Lifetime JP5945294B2 (ja) | 2000-08-30 | 2014-05-12 | 重ね合わせマーク、重ね合わせマークの設計方法および重ね合わせ測定の方法 |
JP2015219296A Expired - Lifetime JP6313272B2 (ja) | 2000-08-30 | 2015-11-09 | 重ね合わせマーク、および半導体デバイス |
JP2015219288A Withdrawn JP2016026331A (ja) | 2000-08-30 | 2015-11-09 | 重ね合わせマーク、重ね合わせマークの設計方法および重ね合わせ測定の方法 |
JP2016228018A Pending JP2017062492A (ja) | 2000-08-30 | 2016-11-24 | 重ね合わせマーク、重ね合わせマークの設計方法および重ね合わせ測定の方法 |
JP2016227754A Pending JP2017040941A (ja) | 2000-08-30 | 2016-11-24 | 重ね合わせマーク、重ね合わせマークの設計方法および重ね合わせ測定の方法 |
JP2020040921A Pending JP2020112807A (ja) | 2000-08-30 | 2020-03-10 | 重ね合わせマーク、重ね合わせマークの設計方法および重ね合わせ測定の方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1314198B1 (ja) |
JP (8) | JP5180419B2 (ja) |
WO (1) | WO2002019415A1 (ja) |
Families Citing this family (84)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7541201B2 (en) | 2000-08-30 | 2009-06-02 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for determining overlay of structures having rotational or mirror symmetry |
EP1314198B1 (en) * | 2000-08-30 | 2017-03-08 | KLA-Tencor Corporation | Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements |
US7317531B2 (en) * | 2002-12-05 | 2008-01-08 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry |
SG152898A1 (en) | 2002-09-20 | 2009-06-29 | Asml Netherlands Bv | Alignment systems and methods for lithographic systems |
EP1570232B1 (en) * | 2002-12-05 | 2016-11-02 | KLA-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry |
TW200507228A (en) * | 2003-04-08 | 2005-02-16 | Aoti Operating Co Inc | Overlay metrology mark |
EP1614153A2 (en) * | 2003-04-08 | 2006-01-11 | AOTI Operating Company, Inc. | Overlay metrology mark |
SG108975A1 (en) * | 2003-07-11 | 2005-02-28 | Asml Netherlands Bv | Marker structure for alignment or overlay to correct pattern induced displacement, mask pattern for defining such a marker structure and lithographic projection apparatus using such a mask pattern |
US6937337B2 (en) | 2003-11-19 | 2005-08-30 | International Business Machines Corporation | Overlay target and measurement method using reference and sub-grids |
JP4734261B2 (ja) * | 2004-02-18 | 2011-07-27 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 連続変化するオフセットマークと、オーバレイ決定方法 |
US7065737B2 (en) * | 2004-03-01 | 2006-06-20 | Advanced Micro Devices, Inc | Multi-layer overlay measurement and correction technique for IC manufacturing |
US7678516B2 (en) | 2004-07-22 | 2010-03-16 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Test structures and methods for monitoring or controlling a semiconductor fabrication process |
DE102005007280B4 (de) * | 2005-02-17 | 2009-06-10 | Qimonda Ag | Verfahren zum Bestimmen einer kritischen Dimension einer lateral strukturierten Schicht |
JP4520429B2 (ja) * | 2005-06-01 | 2010-08-04 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 位置合わせ装置への2次元フォトニック結晶の応用 |
US7737566B2 (en) | 2005-06-01 | 2010-06-15 | Asml Netherlands B.V. | Alignment devices and methods for providing phase depth control |
KR100612410B1 (ko) | 2005-08-01 | 2006-08-16 | 나노메트릭스코리아 주식회사 | 오버레이 키, 이를 이용한 오버레이 측정방법 및 측정장치 |
US7751047B2 (en) * | 2005-08-02 | 2010-07-06 | Asml Netherlands B.V. | Alignment and alignment marks |
US7439001B2 (en) | 2005-08-18 | 2008-10-21 | International Business Machines Corporation | Focus blur measurement and control method |
US7687925B2 (en) * | 2005-09-07 | 2010-03-30 | Infineon Technologies Ag | Alignment marks for polarized light lithography and method for use thereof |
US7474401B2 (en) | 2005-09-13 | 2009-01-06 | International Business Machines Corporation | Multi-layer alignment and overlay target and measurement method |
DE102005046973B4 (de) * | 2005-09-30 | 2014-01-30 | Globalfoundries Inc. | Struktur und Verfahren zum gleichzeitigen Bestimmen einer Überlagerungsgenauigkeit und eines Musteranordnungsfehlers |
US7863763B2 (en) | 2005-11-22 | 2011-01-04 | Asml Netherlands B.V. | Binary sinusoidal sub-wavelength gratings as alignment marks |
US7898662B2 (en) | 2006-06-20 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
US7455939B2 (en) | 2006-07-31 | 2008-11-25 | International Business Machines Corporation | Method of improving grating test pattern for lithography monitoring and controlling |
US7545520B2 (en) * | 2006-11-15 | 2009-06-09 | Asml Netherlands B.V. | System and method for CD determination using an alignment sensor of a lithographic apparatus |
US7473502B1 (en) | 2007-08-03 | 2009-01-06 | International Business Machines Corporation | Imaging tool calibration artifact and method |
US7879515B2 (en) | 2008-01-21 | 2011-02-01 | International Business Machines Corporation | Method to control semiconductor device overlay using post etch image metrology |
NL1036476A1 (nl) * | 2008-02-01 | 2009-08-04 | Asml Netherlands Bv | Alignment mark and a method of aligning a substrate comprising such an alignment mark. |
EP2133746A3 (en) * | 2008-06-10 | 2013-06-12 | Applied Materials Israel Ltd. | Method and system for evaluating an object that has a repetitive pattern |
US9097989B2 (en) | 2009-01-27 | 2015-08-04 | International Business Machines Corporation | Target and method for mask-to-wafer CD, pattern placement and overlay measurement and control |
EP2470960A1 (en) * | 2009-08-24 | 2012-07-04 | ASML Netherlands BV | Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and substrate comprising metrology targets |
US8804137B2 (en) | 2009-08-31 | 2014-08-12 | Kla-Tencor Corporation | Unique mark and method to determine critical dimension uniformity and registration of reticles combined with wafer overlay capability |
US8329360B2 (en) * | 2009-12-04 | 2012-12-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus of providing overlay |
US9927718B2 (en) | 2010-08-03 | 2018-03-27 | Kla-Tencor Corporation | Multi-layer overlay metrology target and complimentary overlay metrology measurement systems |
US10890436B2 (en) | 2011-07-19 | 2021-01-12 | Kla Corporation | Overlay targets with orthogonal underlayer dummyfill |
US11455737B2 (en) | 2012-12-06 | 2022-09-27 | The Boeing Company | Multiple-scale digital image correlation pattern and measurement |
JP6361238B2 (ja) * | 2013-04-23 | 2018-07-25 | 大日本印刷株式会社 | インプリント用モールドおよびインプリント方法 |
JP6326916B2 (ja) * | 2013-04-23 | 2018-05-23 | 大日本印刷株式会社 | インプリント用モールドおよびインプリント方法 |
KR102333504B1 (ko) | 2013-06-27 | 2021-12-01 | 케이엘에이 코포레이션 | 계측 타겟의 편광 측정 및 대응 타겟 설계 |
US10331043B2 (en) | 2014-02-21 | 2019-06-25 | Asml Netherlands B.V. | Optimization of target arrangement and associated target |
KR102311479B1 (ko) * | 2014-04-01 | 2021-10-13 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 임프린트용 몰드 및 임프린트 방법 |
KR101986258B1 (ko) | 2014-08-29 | 2019-06-07 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 메트롤로지 방법, 타겟 및 기판 |
JP2016180783A (ja) * | 2015-03-23 | 2016-10-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法、パターンの重ね合わせ検査方法 |
KR102162234B1 (ko) * | 2015-06-17 | 2020-10-07 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 레시피간 일치도에 기초한 레시피 선택 |
US10062543B2 (en) * | 2015-06-23 | 2018-08-28 | Kla-Tencor Corp. | Determining multi-patterning step overlay error |
KR101564312B1 (ko) * | 2015-07-07 | 2015-10-29 | (주)오로스 테크놀로지 | 오버레이 마크 및 이를 이용한 오버레이 계측방법 및 반도체 디바이스 제조방법 |
US9530199B1 (en) * | 2015-07-13 | 2016-12-27 | Applied Materials Israel Ltd | Technique for measuring overlay between layers of a multilayer structure |
KR102424805B1 (ko) * | 2016-01-11 | 2022-07-22 | 케이엘에이 코포레이션 | 핫 스폿 및 프로세스 창 모니터링 |
US10546790B2 (en) * | 2016-03-01 | 2020-01-28 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus to determine a patterning process parameter |
US10451412B2 (en) | 2016-04-22 | 2019-10-22 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry |
CN109073992B (zh) | 2016-04-22 | 2021-09-28 | Asml荷兰有限公司 | 堆叠差异的确定和使用堆叠差异的校正 |
FR3051591B1 (fr) | 2016-05-17 | 2020-06-19 | Horiba Jobin Yvon Sas | Dispositif et procede de micro-localisation pour instrument imageur et appareil de mesure |
KR101665569B1 (ko) | 2016-05-19 | 2016-10-12 | (주)오로스 테크놀로지 | 오버레이 마크 및 이를 이용한 오버레이 계측방법 및 반도체 디바이스 제조방법 |
WO2018087207A1 (en) * | 2016-11-10 | 2018-05-17 | Asml Netherlands B.V. | Design and correction using stack difference |
WO2018215173A1 (en) * | 2017-05-24 | 2018-11-29 | Asml Holding N.V. | Alignment mark for two-dimensional alignment in an alignment system |
EP3422102A1 (en) * | 2017-06-26 | 2019-01-02 | ASML Netherlands B.V. | Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method |
US10474040B2 (en) * | 2017-12-07 | 2019-11-12 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for device-correlated overlay metrology |
US11085754B2 (en) * | 2017-12-12 | 2021-08-10 | Kla Corporation | Enhancing metrology target information content |
WO2019139685A1 (en) * | 2018-01-12 | 2019-07-18 | Kla-Tencor Corporation | Metrology targets and methods with oblique periodic structures |
CN110034098B (zh) * | 2018-01-12 | 2020-11-27 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体结构及其形成方法 |
US10446367B2 (en) * | 2018-03-07 | 2019-10-15 | Kla-Tencor Corporation | Scan strategies to minimize charging effects and radiation damage of charged particle beam metrology system |
EP3853665B1 (en) * | 2018-10-30 | 2023-12-20 | Kla-Tencor Corporation | Estimation of asymmetric aberrations |
US11809090B2 (en) | 2020-01-30 | 2023-11-07 | Kla Corporation | Composite overlay metrology target |
CN112015061A (zh) * | 2020-08-27 | 2020-12-01 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 一种套刻精度量测标记及其使用方法 |
JP2022117091A (ja) | 2021-01-29 | 2022-08-10 | キヤノン株式会社 | 計測装置、リソグラフィ装置及び物品の製造方法 |
KR102617622B1 (ko) | 2021-04-26 | 2023-12-27 | (주)오로스 테크놀로지 | 오버레이 마크 및 이를 이용한 오버레이 계측방법 및 반도체 디바이스 제조방법 |
KR102675464B1 (ko) | 2021-06-17 | 2024-06-14 | (주) 오로스테크놀로지 | 변위 벡터를 이용한 오버레이 측정 방법 |
KR20230003842A (ko) | 2021-06-30 | 2023-01-06 | (주)오로스 테크놀로지 | 오버레이 마크 및 이를 이용한 오버레이 계측방법 및 반도체 디바이스 제조방법 |
KR20230003843A (ko) | 2021-06-30 | 2023-01-06 | (주)오로스 테크놀로지 | 오버레이 마크 및 이를 이용한 오버레이 계측방법 및 반도체 디바이스 제조방법 |
KR20230003846A (ko) | 2021-06-30 | 2023-01-06 | (주)오로스 테크놀로지 | 오버레이 마크 및 이를 이용한 오버레이 계측방법 및 반도체 디바이스 제조방법 |
KR102440758B1 (ko) * | 2021-08-17 | 2022-09-06 | (주)오로스 테크놀로지 | 오버레이 마크 및 이를 이용한 오버레이 측정방법 및 반도체 소자의 제조방법 |
KR20230032478A (ko) | 2021-08-31 | 2023-03-07 | (주)오로스 테크놀로지 | 모아레 패턴을 형성하는 오버레이 마크 및 이를 이용한 오버레이 측정 방법 |
FR3128779B1 (fr) * | 2021-11-02 | 2024-03-01 | Commissariat Energie Atomique | Structure de metrologie |
KR102566129B1 (ko) | 2022-01-20 | 2023-08-16 | (주) 오로스테크놀로지 | 모아레 패턴을 형성하는 오버레이 마크, 이를 이용한 오버레이 측정방법, 및 반도체 소자의 제조방법 |
KR20230157703A (ko) | 2022-05-10 | 2023-11-17 | (주) 오로스테크놀로지 | 서로 겹치는 구조물들을 구비한 오버레이 마크 이미지의 프로젝션 방법 및 서로 겹치는 구조물들을 구비한 오버레이 마크 |
KR20240008074A (ko) | 2022-07-11 | 2024-01-18 | (주) 오로스테크놀로지 | 모아레 패턴을 형성하는 오버레이 마크, 이를 이용한 오버레이 측정 방법, 및 반도체 소자의 제조방법 |
KR102460132B1 (ko) | 2022-07-19 | 2022-10-31 | (주)오로스 테크놀로지 | 오버레이 마크 및 이를 이용한 오버레이 측정방법 및 반도체 소자의 제조방법 |
CN115145127B (zh) * | 2022-09-05 | 2022-11-25 | 上海传芯半导体有限公司 | 套刻精度的检测结构及其制备方法、套刻精度的检测方法 |
KR102545517B1 (ko) | 2022-10-17 | 2023-06-20 | (주)오로스 테크놀로지 | 모아레 패턴을 형성하는 오버레이 마크, 이를 이용한 오버레이 측정 방법, 오버레이 측정 장치, 및 반도체 소자의 제조 방법 |
KR20240058416A (ko) | 2022-10-26 | 2024-05-03 | (주) 오로스테크놀로지 | 이미지 기반 오버레이 측정용 오버레이 마크, 이를 이용한 오버레이 측정 방법, 오버레이 측정 장치, 및 반도체 소자의 제조방법 |
KR20240084773A (ko) | 2022-12-07 | 2024-06-14 | (주) 오로스테크놀로지 | 업샘플링을 이용한 오버레이 측정 방법 및 장치와, 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
KR20240092801A (ko) | 2022-12-15 | 2024-06-24 | (주) 오로스테크놀로지 | 이미지 기반 오버레이 측정용 오버레이 마크, 이를 이용한 오버레이 측정 방법, 오버레이 측정 장치, 및 반도체 소자의 제조방법 |
KR102580204B1 (ko) | 2023-03-02 | 2023-09-19 | (주)오로스 테크놀로지 | 1차원 오버레이 오차 측정을 위한 오버레이 마크, 이를 이용한 광학 수차 평가 방법, 이를 이용한 오버레이 마크 품질 평가 방법, 오버레이 측정 장치, 오버레이 측정 방법 및 반도체 소자의 제조방법 |
KR102673102B1 (ko) | 2023-08-18 | 2024-06-07 | (주) 오로스테크놀로지 | 신호 형태 인덱스를 이용한 오버레이 마크 이미지 품질 측정 방법 및 장치와, 이를 이용한 오버레이 측정 장치의 측정 옵션들을 최적화하는 방법 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4388386A (en) * | 1982-06-07 | 1983-06-14 | International Business Machines Corporation | Mask set mismatch |
JPS61222128A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-10-02 | Fujitsu Ltd | 投影露光方法 |
DE3530439A1 (de) * | 1985-08-26 | 1987-02-26 | Siemens Ag | Vorrichtung zum justieren einer mit mindestens einer justiermarke versehenen maske bezueglich eines mit mindestens einer gitterstruktur versehenen halbleiterwafers |
US4757207A (en) | 1987-03-03 | 1988-07-12 | International Business Machines Corporation | Measurement of registration of overlaid test patterns by the use of reflected light |
NL8900991A (nl) * | 1989-04-20 | 1990-11-16 | Asm Lithography Bv | Apparaat voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat. |
DE4000785A1 (de) * | 1990-01-12 | 1991-07-18 | Suess Kg Karl | Justiermarken fuer zwei aufeinander einzujustierende objekte |
DE69133624D1 (de) * | 1990-03-27 | 2009-12-03 | Canon Kk | Messverfahren und -vorrichtung |
JP3284641B2 (ja) * | 1992-09-03 | 2002-05-20 | ソニー株式会社 | 重ね合わせ精度測定機の測定条件の最適化方法、並びにアラインメントマーク形状あるいは露光装置におけるアラインメントマーク測定方式の最適化方法 |
JPH0917715A (ja) * | 1995-06-29 | 1997-01-17 | Nec Corp | 半導体装置のパターン合わせノギス |
US5805290A (en) * | 1996-05-02 | 1998-09-08 | International Business Machines Corporation | Method of optical metrology of unresolved pattern arrays |
US6023338A (en) * | 1996-07-12 | 2000-02-08 | Bareket; Noah | Overlay alignment measurement of wafers |
JP3552884B2 (ja) * | 1997-09-04 | 2004-08-11 | 沖電気工業株式会社 | 重ね合わせ精度測定用パターン |
JPH11260714A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-09-24 | Nikon Corp | 位置検出マーク及びマーク位置検出方法 |
JP3287321B2 (ja) * | 1998-12-03 | 2002-06-04 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JPH11325877A (ja) * | 1998-03-31 | 1999-11-26 | Siemens Ag | 測定誤差を減少させるための方法及び装置 |
JP2000133576A (ja) * | 1998-10-28 | 2000-05-12 | Nec Corp | 位置ずれ計測マーク及び位置ずれ計測方法 |
US6037671A (en) * | 1998-11-03 | 2000-03-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Stepper alignment mark structure for maintaining alignment integrity |
US6084679A (en) * | 1999-04-02 | 2000-07-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Universal alignment marks for semiconductor defect capture and analysis |
US6612159B1 (en) * | 1999-08-26 | 2003-09-02 | Schlumberger Technologies, Inc. | Overlay registration error measurement made simultaneously for more than two semiconductor wafer layers |
JP2001267202A (ja) * | 2000-03-15 | 2001-09-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 重ね合わせ測定マーク及びその測定方法と重ね合わせ測定マークを有する半導体装置 |
EP1314198B1 (en) * | 2000-08-30 | 2017-03-08 | KLA-Tencor Corporation | Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements |
-
2001
- 2001-08-28 EP EP01971384.1A patent/EP1314198B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-28 WO PCT/US2001/041932 patent/WO2002019415A1/en active Application Filing
- 2001-08-28 JP JP2002524212A patent/JP5180419B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2012
- 2012-01-19 JP JP2012009434A patent/JP5663504B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2014
- 2014-05-12 JP JP2014098674A patent/JP5945294B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2015
- 2015-11-09 JP JP2015219296A patent/JP6313272B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2015-11-09 JP JP2015219288A patent/JP2016026331A/ja not_active Withdrawn
-
2016
- 2016-11-24 JP JP2016228018A patent/JP2017062492A/ja active Pending
- 2016-11-24 JP JP2016227754A patent/JP2017040941A/ja active Pending
-
2020
- 2020-03-10 JP JP2020040921A patent/JP2020112807A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6313272B2 (ja) | 2018-04-18 |
EP1314198A1 (en) | 2003-05-28 |
JP5945294B2 (ja) | 2016-07-05 |
JP2004508711A (ja) | 2004-03-18 |
JP2020112807A (ja) | 2020-07-27 |
WO2002019415A1 (en) | 2002-03-07 |
JP5180419B2 (ja) | 2013-04-10 |
JP2017062492A (ja) | 2017-03-30 |
JP2012080131A (ja) | 2012-04-19 |
JP2017040941A (ja) | 2017-02-23 |
JP2016026331A (ja) | 2016-02-12 |
JP2014160868A (ja) | 2014-09-04 |
EP1314198B1 (en) | 2017-03-08 |
JP2016026332A (ja) | 2016-02-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6313272B2 (ja) | 重ね合わせマーク、および半導体デバイス | |
JP2016026332A5 (ja) | ||
JP2016026331A5 (ja) | ||
US9702693B2 (en) | Apparatus for measuring overlay errors | |
US7274814B2 (en) | Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements | |
US10481506B2 (en) | Method of measuring a structure, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method | |
US7408642B1 (en) | Registration target design for managing both reticle grid error and wafer overlay | |
US6884552B2 (en) | Focus masking structures, focus patterns and measurements thereof | |
US20070108368A1 (en) | Focus masking structures, focus patterns and measurements thereof | |
KR102388682B1 (ko) | 계측 방법 및 디바이스 | |
US11835864B2 (en) | Multi-function overlay marks for reducing noise and extracting focus and critical dimension information | |
Sugaya et al. | Optical alignment optimizations for reducing wafer-induced shift |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120217 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120217 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131024 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131112 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140212 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140217 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under section 19 (pct) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20140512 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141125 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141208 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5663504 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |