JP5653617B2 - ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT MATERIAL, DISPLAY DEVICE AND LIGHTING DEVICE - Google Patents

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT MATERIAL, DISPLAY DEVICE AND LIGHTING DEVICE Download PDF

Info

Publication number
JP5653617B2
JP5653617B2 JP2009515161A JP2009515161A JP5653617B2 JP 5653617 B2 JP5653617 B2 JP 5653617B2 JP 2009515161 A JP2009515161 A JP 2009515161A JP 2009515161 A JP2009515161 A JP 2009515161A JP 5653617 B2 JP5653617 B2 JP 5653617B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
organic
general formula
layer
partial structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2009515161A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPWO2008143059A1 (en
Inventor
大津　信也
信也 大津
池水　大
大 池水
加藤　栄作
栄作 加藤
押山　智寛
智寛 押山
西関　雅人
雅人 西関
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
Priority to JP2009515161A priority Critical patent/JP5653617B2/en
Publication of JPWO2008143059A1 publication Critical patent/JPWO2008143059A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5653617B2 publication Critical patent/JP5653617B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic System
    • C07F15/0006—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic System compounds of the platinum group
    • C07F15/0033—Iridium compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/151—Copolymers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • C09K2211/1033—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom with oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • C09K2211/1037—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom with sulfur
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1044—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing two nitrogen atoms as heteroatoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1059—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing three nitrogen atoms as heteroatoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1088—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing oxygen as the only heteroatom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1092—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing sulfur as the only heteroatom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/14—Macromolecular compounds
    • C09K2211/1441—Heterocyclic
    • C09K2211/1466—Heterocyclic containing nitrogen as the only heteroatom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/14—Macromolecular compounds
    • C09K2211/1441—Heterocyclic
    • C09K2211/1475—Heterocyclic containing nitrogen and oxygen as heteroatoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/18—Metal complexes
    • C09K2211/185—Metal complexes of the platinum group, i.e. Os, Ir, Pt, Ru, Rh or Pd
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子材料、表示装置及び照明装置に関する。   The present invention relates to an organic electroluminescence element, an organic electroluminescence element material, a display device, and a lighting device.

従来、発光型の電子ディスプレイデバイスとして、エレクトロルミネッセンスディスプレイ（以下、ＥＬＤという）がある。ＥＬＤの構成要素としては、無機エレクトロルミネッセンス素子や有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子ともいう）が挙げられる。   Conventionally, as a light-emitting electronic display device, there is an electroluminescence display (hereinafter referred to as ELD). Examples of the constituent elements of ELD include inorganic electroluminescent elements and organic electroluminescent elements (hereinafter also referred to as organic EL elements).

無機エレクトロルミネッセンス素子は、平面型光源として使用されてきたが、発光素子を駆動させるためには交流の高電圧が必要である。   Inorganic electroluminescent elements have been used as planar light sources, but an alternating high voltage is required to drive the light emitting elements.

一方、有機ＥＬ素子は発光する化合物を含有する発光層を陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及び正孔を注入して、再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・リン光）を利用して発光する素子であり、数Ｖ〜数十Ｖ程度の電圧で発光が可能であり、更に自己発光型であるために視野角に富み、視認性が高く、薄膜型の完全固体素子であるために省スペース、携帯性等の観点から注目されている。   On the other hand, an organic EL device has a structure in which a light-emitting layer containing a light-emitting compound is sandwiched between a cathode and an anode, and excitons (excitons) are generated by injecting electrons and holes into the light-emitting layer and recombining them. The device emits light by utilizing the emission of light (fluorescence / phosphorescence) when the exciton is deactivated, and can emit light at a voltage of several volts to several tens of volts. Therefore, it has a wide viewing angle, high visibility, and since it is a thin-film type completely solid element, it has attracted attention from the viewpoints of space saving and portability.

しかしながら、今後の実用化に向けた有機ＥＬ素子においては、更に低消費電力で効率よく高輝度に発光する有機ＥＬ素子の開発が望まれている。   However, in organic EL elements for practical use in the future, development of organic EL elements that emit light efficiently and with high luminance with lower power consumption is desired.

特許第３０９３７９６号公報では、スチルベン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体またはトリススチリルアリーレン誘導体に微量の蛍光体をドープし、発光輝度の向上、素子の長寿命化を達成している。   In Japanese Patent No. 3093796, a small amount of a phosphor is doped into a stilbene derivative, a distyrylarylene derivative or a tristyrylarylene derivative to achieve an improvement in light emission luminance and a longer device lifetime.

また、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体をホスト化合物として、これに微量の蛍光体をドープした有機発光層を有する素子（例えば、特開昭６３−２６４６９２号公報）、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体をホスト化合物として、これにキナクリドン系色素をドープした有機発光層を有する素子（例えば、特開平３−２５５１９０号公報）等が知られている。   Further, an element having an organic light-emitting layer in which an 8-hydroxyquinoline aluminum complex is used as a host compound and a small amount of phosphor is doped thereto (for example, JP-A 63-264692), and an 8-hydroxyquinoline aluminum complex is used as a host compound. For example, an element having an organic light emitting layer doped with a quinacridone dye (for example, JP-A-3-255190) is known.

以上のように、励起一重項からの発光を用いる場合、一重項励起子と三重項励起子の生成比が１：３であるため発光性励起種の生成確率が２５％であり、光の取り出し効率が約２０％であるため、外部取り出し量子効率（η）の限界は５％とされている。   As described above, when light emission from excited singlet is used, the generation ratio of singlet excitons and triplet excitons is 1: 3, and thus the generation probability of luminescent excited species is 25%. Since the efficiency is about 20%, the limit of the external extraction quantum efficiency (η) is set to 5%.

ところが、プリンストン大より励起三重項からのリン光発光を用いる有機ＥＬ素子の報告（Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏ ｅｔ ａｌ．，Ｎａｔｕｒｅ、３９５巻、１５１〜１５４頁（１９９８年））がされて以来、室温でリン光を示す材料の研究が活発になってきている。   However, since Princeton University reported on an organic EL device using phosphorescence emission from an excited triplet (MA Baldo et al., Nature, 395, 151-154 (1998)), Research on materials that exhibit phosphorescence has become active.

例えば、Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏ ｅｔ ａｌ．，Ｎａｔｕｒｅ、４０３巻、１７号、７５０〜７５３頁（２０００年）、また米国特許第６，０９７，１４７号明細書等にも開示されている。   For example, M.M. A. Baldo et al. , Nature, 403, 17, 750-753 (2000), US Pat. No. 6,097,147, and the like.

励起三重項を使用すると、内部量子効率の上限が１００％となるため励起一重項の場合に比べて原理的に発光効率が４倍となり、冷陰極管とほぼ同等の性能が得られる可能性があることから照明用途としても注目されている。   When the excited triplet is used, the upper limit of the internal quantum efficiency is 100%. In principle, the luminous efficiency is four times that of the excited singlet. Therefore, it is attracting attention as a lighting application.

例えば、Ｓ．Ｌａｍａｎｓｋｙ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２３巻、４３０４頁（２００１年）等においては、多くの化合物がイリジウム錯体系等重金属錯体を中心に合成検討されている。   For example, S.M. Lamansky et al. , J .; Am. Chem. Soc. , 123, 4304 (2001), etc., many compounds are being studied for synthesis centering on heavy metal complexes such as iridium complexes.

また、前述のＭ．Ａ．Ｂａｌｄｏ ｅｔ ａｌ．，Ｎａｔｕｒｅ、４０３巻、１７号、７５０〜７５３頁（２０００年）においては、ドーパントとしてトリス（２−フェニルピリジン）イリジウムを用いた検討がされている。   In addition, the aforementioned M.I. A. Baldo et al. , Nature, 403, 17, 750-753 (2000), studies have been made using tris (2-phenylpyridine) iridium as a dopant.

その他、Ｍ．Ｅ．Ｔｏｍｐｓｏｎ等は、Ｔｈｅ １０ｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｗｏｒｋｓｈｏｐ ｏｎ Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ ａｎｄ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ’００、浜松）において、ドーパントとしてＬ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、例えば、（ｐｐｙ）２Ｉｒ（ａｃａｃ）を、またＭｏｏｎ−Ｊａｅ Ｙｏｕｎ．０ｇ、Ｔｅｔｓｕｏ Ｔｓｕｔｓｕｉ等は、やはりＴｈｅ １０ｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｗｏｒｋｓｈｏｐ ｏｎ Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ ａｎｄ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ’００、浜松）において、ドーパントとしてトリス（２−（ｐ−トリル）ピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｔｐｙ）３），トリス（ベンゾ［ｈ］キノリン）イリジウム（Ｉｒ（ｂｚｑ）３）等を用いた検討を行っている（なおこれらの金属錯体は一般にオルトメタル化イリジウム錯体と呼ばれている。）。In addition, M.M. E. Thompson et al. In The 10th International Works on Inorganic and Organic Electroluminescence (EL'00, Hamamatsu) used L 2 Ir (acac), for example, (ppy) 2 Ir (acac), e 0 g, Tetsuo Tsutsui, etc., again The 10th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence (EL'00, Hamamatsu), the dopant as tris (2-(p-tolyl) pyridine) iridium (Ir (ptpy) 3), tris ( Studies using benzo [h] quinoline) iridium (Ir (bzq) 3 ) and the like are being conducted (note that these metal complexes are generally called ortho-metalated iridium complexes).

また、前記Ｓ．Ｌａｍａｎｓｋｙ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２３巻、４３０４頁（２００１年）や特開２００１−２４７８５９号公報等においても、各種イリジウム錯体を用いて素子化する試みがされている。   In addition, the S. Lamansky et al. , J .; Am. Chem. Soc. , 123, 4304 (2001) and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-247859, etc., attempts have been made to form devices using various iridium complexes.

また、高い発光効率を得るためにＴｈｅ １０ｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｗｏｒｋｓｈｏｐ ｏｎ Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ ａｎｄ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ’００、浜松）では、Ｉｋａｉ等はホール輸送性の化合物をリン光性化合物のホストとして用いている。また、Ｍ．Ｅ．Ｔｏｍｐｓｏｎ等は各種電子輸送性材料をリン光性化合物のホストとして、これらに新規なイリジウム錯体をドープして用いている。   In order to obtain high luminous efficiency, in the 10th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence (EL'00, Hamamatsu), Ikai et al. Uses a hole transporting compound as a host of a phosphorescent compound. In addition, M.M. E. Thompson et al. Use various electron transporting materials as a host of phosphorescent compounds, doped with a novel iridium complex.

中心金属をイリジウムの代わりに白金としたオルトメタル化錯体も注目されている。この種の錯体に関しては、配位子に特徴を持たせた例が多数知られている。   Orthometalated complexes in which the central metal is platinum instead of iridium are also attracting attention. With respect to this type of complex, many examples are known in which ligands are characterized.

いずれの場合も発光素子とした場合の発光輝度や発光効率は、その発光する光がリン光に由来することから従来の素子に比べ大幅に改良されるものであるが、素子の発光寿命については従来の素子よりも低いという問題点があった。   In either case, the light emission brightness and light emission efficiency of the light emitting device are greatly improved compared to conventional devices because the emitted light is derived from phosphorescence. There was a problem that it was lower than the conventional element.

このように、リン光性の高効率の発光材料は、発光波長の短波化と素子の発光寿命の改善が難しく、実用に耐えうる性能を十分に達成できていないのが現状である。   As described above, it is difficult for phosphorescent highly efficient light-emitting materials to shorten the light emission wavelength and improve the light emission lifetime of the device, and the performance that can withstand practical use cannot be sufficiently achieved.

また、波長の短波化に関してはこれまでフェニルピリジンにフッ素原子、トリフルオロメチル基、シアノ基等の電子吸引基を置換基として導入すること、配位子としてピコリン酸やピラザボール系の配位子を導入することが知られている。   In addition, regarding wavelength shortening, introduction of an electron withdrawing group such as a fluorine atom, a trifluoromethyl group, a cyano group or the like into phenylpyridine as a substituent, and picolinic acid or a pyrazabole-based ligand as a ligand. It is known to introduce.

しかしながら、これらの配位子では発光材料の発光波長が短波化して青色を達成し、高効率の素子を達成できる一方、素子の発光寿命は大幅に劣化するため、そのトレードオフの改善が求められていた。   However, with these ligands, the emission wavelength of the light-emitting material is shortened to achieve blue, and a high-efficiency device can be achieved. On the other hand, the light-emitting lifetime of the device is greatly deteriorated, so an improvement in the trade-off is required. It was.

配位子としてフェニルピラゾールを有する金属錯体は発光波長が短波な発光材料であることが開示されている（例えば、特許文献１、２参照。）。さらに、フェニルピラゾールの５員環に６員環が縮合した部分構造を有する配位子から形成される金属錯体が開示されている（例えば、特許文献３、４参照。）。
国際公開第２００４／０８５４５０号パンフレット 特開２００５−５３９１２号公報 特開２００６−２８１０１号公報 米国特許第７１４７９３７号明細書 It is disclosed that a metal complex having phenylpyrazole as a ligand is a light-emitting material having a short emission wavelength (see, for example, Patent Documents 1 and 2). Furthermore, a metal complex formed from a ligand having a partial structure in which a 6-membered ring is condensed to a 5-membered ring of phenylpyrazole is disclosed (for example, see Patent Documents 3 and 4).
International Publication No. 2004/085450 Pamphlet JP 2005-53912 A JP 2006-28101 A US Pat. No. 7,147,937

本発明の目的は、特異的に短波な発光が見られ、高い発光効率を示し、且つ、発光寿命の長い有機ＥＬ素子材料、該素子材料を含有する有機層をウェットプロセスで形成された有機ＥＬ素子、照明装置及び表示装置を提供することである。   An object of the present invention is to provide an organic EL element material that exhibits specific short-wave emission, exhibits high emission efficiency, and has a long emission lifetime, and an organic EL formed by wet process of an organic layer containing the element material It is providing an element, an illuminating device, and a display apparatus.

特に、青色〜青緑色の短波な発光で、高い発光効率を示し、且つ、発光寿命の長い有機ＥＬ素子材料を提供することである。   In particular, it is to provide an organic EL element material that exhibits high luminous efficiency with a short-wave light emission of blue to blue-green, and has a long emission lifetime.

本発明の上記目的は、下記の構成１〜１４により達成された。
具体的に本発明によれば、構成１において、有機層の少なくとも１層が下記一般式（１３）または（１５）で表される部分構造を含む化合物を含有する。
〔一般式（１３）または（１５）中、Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｑは炭素原子、窒素原子、酸素原子または硫黄原子を表し、一般式（１３）のＥ１ｌ〜Ｅ１ｑにより形成される環はピリジン環を表し、一般式（１５）のＥ１ｌ〜Ｅ１ｑにより形成される環は５員の芳香族複素環を表す。Ｒ５１〜Ｒ５５、Ｒ７１〜Ｒ７６、Ｒ１ｇ〜Ｒ１ｉは、水素原子または置換基を表すが、少なくとも一つは一般式（Ａ）または一般式（Ｂ）で表される基である。Ｒ５６は水素原子またはアルキル基を表す。Ｍはイリジウムを表す。〕
〔一般式（Ａ）及び（Ｂ）中、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃは、各々水素原子または置換基を表し、Ｌａ、Ｌｂは、各々２価の連結基（高分子を構成する場合を除く。）を表す。ｐ、ｓは、各々０または１を表す。ｑは０〜７の整数を表す。ｒは０〜８の整数を表す。＊は連結部位を表す。〕 The above object of the present invention has been achieved by the following configurations 1 to 14.
Specifically, according to the present invention, in Configuration 1, at least one of the organic layers contains a compound containing a partial structure represented by the following general formula (13) or (15).
[In General Formula (13) or (15), E1l to E1q represents a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom, and the ring formed by E1l to E1q of General Formula (13) represents a pyridine ring; The ring formed by E1l to E1q of the general formula (15) represents a 5-membered aromatic heterocyclic ring. R51 to R55 , R71 to R76, and R1g to R1i represent a hydrogen atom or a substituent, but at least one is a group represented by the general formula (A) or the general formula (B). R56 represents a hydrogen atom or an alkyl group. M represents iridium . ]
[In the general formulas (A) and (B), Ra, Rb, and Rc each represent a hydrogen atom or a substituent, and La and Lb each represent a divalent linking group (except when constituting a polymer). Represents. p and s each represents 0 or 1; q represents an integer of 0 to 7. r represents an integer of 0 to 8. * Represents a linking site. ]

１．陽極と陰極により挟まれた有機層を有し、該有機層の少なくとも１層が下記一般式（１）または（２）で表される部分構造を含む化合物を含有し、且つ、ウェットプロセスを用いて形成されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。   1. An organic layer sandwiched between an anode and a cathode, wherein at least one of the organic layers contains a compound containing a partial structure represented by the following general formula (1) or (2), and uses a wet process An organic electroluminescence device characterized by being formed.

〔式中、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｑは、各々炭素原子、窒素原子、酸素原子または硫黄原子を表し、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｑで構成される骨格は合計で１８π電子を有する。Ｅ１ａとＥ１ｐは各々異なり、炭素原子または窒素原子を表す。Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉは、各々水素原子または置換基を表す。Ｍは元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。〕
２．陽極と陰極により挟まれた有機層を有し、該有機層の少なくとも１層が下記一般式（３）または（４）で表される部分構造を含む化合物を含有し、且つ、ウェットプロセスを用いて形成されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。[In formula, E1a-E1q represents a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom, or a sulfur atom respectively, and the frame | skeleton comprised by E1a-E1q has a total of 18 (pi) electrons. E1a and E1p are different from each other and represent a carbon atom or a nitrogen atom. R1a to R1i each represents a hydrogen atom or a substituent. M represents a group 8-10 transition metal element in the periodic table. ]
2. An organic layer sandwiched between an anode and a cathode, wherein at least one of the organic layers contains a compound containing a partial structure represented by the following general formula (3) or (4), and uses a wet process An organic electroluminescence device characterized by being formed.

〔式中、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｑは、各々炭素原子、窒素原子、酸素原子または硫黄原子を表し、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｑで構成される骨格は合計で１８π電子を有する。Ｅ１ａとＥ１ｐは各々異なり、炭素原子または窒素原子を表す。Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉは、各々水素原子または置換基を表す。Ｍは元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。〕
３．構成層として、少なくとも１層の発光層を含有することを特徴とする前記１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。[In formula, E1a-E1q represents a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom, or a sulfur atom respectively, and the frame | skeleton comprised by E1a-E1q has a total of 18 (pi) electrons. E1a and E1p are different from each other and represent a carbon atom or a nitrogen atom. R1a to R1i each represents a hydrogen atom or a substituent. M represents a group 8-10 transition metal element in the periodic table. ]
3. 3. The organic electroluminescence device as described in 1 or 2 above, which contains at least one light emitting layer as a constituent layer.

４．前記発光層が、一般式（１）または（２）で表される部分構造を含む化合物または、一般式（３）または（４）で表される部分構造を含む化合物を含有することを特徴とする前記３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   4). The light emitting layer contains a compound including a partial structure represented by the general formula (1) or (2) or a compound including a partial structure represented by the general formula (3) or (4). 4. The organic electroluminescence device according to 3 above.

５．構成層として、第一電荷輸送層を有し、第一電荷輸送層が、発光層より陽極側に設けられていることを特徴とする前記３または４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   5. 5. The organic electroluminescence device as described in 3 or 4 above, wherein the constituent layer has a first charge transport layer, and the first charge transport layer is provided on the anode side from the light emitting layer.

６．前記第一電荷輸送層が、一般式（１）または（２）で表される部分構造を含む化合物を含有することを特徴とする前記５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   6). 6. The organic electroluminescence device as described in 5 above, wherein the first charge transport layer contains a compound containing a partial structure represented by the general formula (1) or (2).

７．構成層として、第二電荷輸送層を有し、第二電荷輸送層が、発光層より陰極側に設けられていることを特徴とする前記３〜６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   7). 7. The organic electroluminescence according to any one of 3 to 6, wherein the constituent layer has a second charge transport layer, and the second charge transport layer is provided on the cathode side from the light emitting layer. element.

８．前記第二電荷輸送層が、一般式（１）または（２）で表される部分構造を含む化合物を含有することを特徴とする前記７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   8). 8. The organic electroluminescence device as described in 7 above, wherein the second charge transport layer contains a compound containing a partial structure represented by the general formula (1) or (2).

９．前記発光層がホスト化合物を含有することを特徴とする前記３〜８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   9. 9. The organic electroluminescence device according to any one of 3 to 8, wherein the light emitting layer contains a host compound.

１０．前記Ｍが白金またはイリジウムであることを特徴とする前記１〜９のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   10. 10. The organic electroluminescence element according to any one of 1 to 9, wherein M is platinum or iridium.

１１．前記一般式（１）または（２）で表される部分構造を含む化合物または、一般式（３）または（４）で表される部分構造を含む化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子材料。   11. An organic electroluminescence comprising a compound containing a partial structure represented by the general formula (1) or (2) or a compound containing a partial structure represented by the general formula (3) or (4) Element material.

１２．前記Ｍが白金またはイリジウムであることを特徴とする前記１１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料。   12 12. The organic electroluminescent element material as described in 11 above, wherein M is platinum or iridium.

１３．前記１〜１０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする表示装置。   13. 11. A display device comprising the organic electroluminescence element according to any one of 1 to 10 above.

１４．前記１〜１０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。   14 11. An illumination device comprising the organic electroluminescence element according to any one of 1 to 10 above.

本発明により、ウェットプロセスを用いて形成された有機ＥＬ素子用に有用な有機ＥＬ素子材料が得られ、該有機ＥＬ素子材料を用いることにより、特異的に短波な発光が見られ、高い発光効率を示し、且つ発光寿命の長い有機ＥＬ素子、及び該素子を用いた照明装置、表示装置を提供することができた。   According to the present invention, an organic EL element material useful for an organic EL element formed by using a wet process is obtained. By using the organic EL element material, specific short-wave emission is observed, and high luminous efficiency is obtained. In addition, an organic EL element having a long emission lifetime, and a lighting device and a display device using the element can be provided.

有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。It is the schematic diagram which showed an example of the display apparatus comprised from an organic EL element. 表示部の模式図である。It is a schematic diagram of a display part. 照明装置の概略図である。It is the schematic of an illuminating device. 照明装置の断面図である。It is sectional drawing of an illuminating device.

符号の説明Explanation of symbols

１ ディスプレイ
３ 画素
５ 走査線
６ データ線
Ａ 表示部
Ｂ 制御部
１０１ 有機ＥＬ素子
１０７ 透明電極付きガラス基板
１０６ 有機ＥＬ層
１０５ 陰極
１０２ ガラスカバー
１０８ 窒素ガス
１０９ 捕水剤DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Display 3 Pixel 5 Scan line 6 Data line A Display part B Control part 101 Organic EL element 107 Glass substrate with a transparent electrode 106 Organic EL layer 105 Cathode 102 Glass cover 108 Nitrogen gas 109 Water catching agent

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子においては、請求の範囲１〜１０のいずれか１項に規定される構成により、高い発光効率を示し、且つ、発光寿命の長い有機エレクトロルミネッセンス素子、該素子を用いた照明装置及び表示装置を提供することができた。   In the organic electroluminescent element of the present invention, an organic electroluminescent element having a high light emission efficiency and having a long emission life is used by the structure defined in any one of claims 1 to 10 and the element. An illumination device and a display device can be provided.

また、本発明者等は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用に有用な有機ＥＬ素子材料を分子設計することに成功した。   In addition, the present inventors succeeded in molecular design of an organic EL element material useful for the organic electroluminescence element of the present invention.

以下、本発明に係る各構成要素の詳細について、順次説明する。   Hereinafter, details of each component according to the present invention will be sequentially described.

本発明者等は、有機ＥＬ素子の発光層に用いる有機ＥＬ素子材料に着目、特に発光ドーパントとして用いる金属錯体化合物について種々検討した。   The present inventors paid attention to the organic EL element material used for the light emitting layer of the organic EL element, and examined various metal complex compounds used as a light emitting dopant.

その中で、従来公知の金属錯体化合物の配位子においては、金属錯体の基本骨格に電子吸引性の置換基を導入して得られた発光材料は、素子の発光寿命が大幅に劣化しやすくなるという問題点があることがわかったが、一方において、発光材料の発光波長が短波化して青色が達成され、且つ、高効率の素子を達成できるという効果が得られることが判ってきた。   Among them, in the ligands of conventionally known metal complex compounds, the light emitting material obtained by introducing an electron-withdrawing substituent into the basic skeleton of the metal complex tends to greatly deteriorate the light emission lifetime of the device. However, on the other hand, it has been found that the emission wavelength of the light emitting material is shortened to achieve blue, and an effect of achieving a highly efficient device can be obtained.

そこで、本発明者らは、金属錯体の基本骨格に置換基を導入することで、波長のコントロールや寿命の改善を図るという、従来公知のアプローチではなく、置換基の導入と同様の効果が期待できる縮合環に着目した。   Therefore, the present inventors are expected to achieve the same effect as the introduction of substituents, rather than a conventionally known approach of introducing a substituent into the basic skeleton of the metal complex to control the wavelength and improve the lifetime. We focused on the fused ring that can be formed.

その結果、幾つかの構造で寿命の改善傾向が見出された。しかしながら、これまで知られているような縮合環を導入した場合には、発光波長のレッドシフトが著しく、緑、赤色発光となってしまっていた。   As a result, the improvement tendency of lifetime was found in several structures. However, when a fused ring as known so far is introduced, the red shift of the emission wavelength is remarkable, resulting in green and red emission.

本発明者等は更に検討を進め、本発明に係る一般式（１）または（２）で表される部分構造を含む化合物（金属錯体）や、一般式（３）または（４）で表される部分構造を含む化合物（金属錯体）に示されているような縮合環を導入した場合、発光材料の発光波長シフトが小さく、且つ、所望の発光波長で、長寿命化を実現した発光ドーパントの開発に成功した。   The present inventors have further studied, and are represented by a compound (metal complex) containing a partial structure represented by the general formula (1) or (2) according to the present invention, or a general formula (3) or (4). When a fused ring as shown in the compound (metal complex) containing a partial structure is introduced, the emission wavelength shift of the light emitting material is small, and the emission dopant that realizes a long lifetime at a desired emission wavelength is obtained. Successfully developed.

さらに、これらの一般式（１）または（２）で表される部分構造を含む化合物（金属錯体）や、一般式（３）または（４）で表される部分構造を含む化合物で示されるフェナンスリジン骨格の置換している原子の大きさと電子効果を組み合わせることにより短波化と長寿命化の両立を共に可能にする効果を見出し、本発明を完結させるに至った。   Furthermore, the compound (metal complex) containing the partial structure represented by these general formulas (1) or (2), or the compound represented by the compound containing the partial structure represented by the general formula (3) or (4). By combining the size of atoms substituted in the nanthridine skeleton and the electronic effect, the inventors have found an effect that makes it possible to achieve both a short wave and a long lifetime, and have completed the present invention.

また、本発明に係る母核を有する配位子であっても、組み合わせる補助配位子や置換基自身が長波なものを置換基として導入することにより、金属錯体の発光波長を所望の領域に制御できる。   Moreover, even if it is a ligand which has a mother nucleus based on this invention, the light emission wavelength of a metal complex is made into a desired area | region by introduce | transducing as a substituent the auxiliary | assistant ligand to combine and a substituent itself long wave. Can be controlled.

従って、金属錯体の発光波長を長波な領域（緑〜赤）に制御する機能を付与するための分子設計は、本発明に係る一般式（１）または（２）で表される部分構造、及び、一般式（３）または（４）で表される部分構造を金属錯体の基本骨格設計の出発点とすることにより可能である。   Therefore, the molecular design for imparting the function of controlling the emission wavelength of the metal complex to a long wave region (green to red) is a partial structure represented by the general formula (1) or (2) according to the present invention, and The partial structure represented by the general formula (3) or (4) can be used as a starting point for the basic skeleton design of the metal complex.

本発明に係る一般式（１）または（２）で表される部分構造を有する化合物（金属錯体）または、一般式（３）または（４）で表される部分構造を有する化合物（金属錯体）は、各々Ｍで表される遷移金属元素の価数により、複数の配位子を有することができるが、前記配位子は全て同一でもよく、また、各々異なる構造を有する配位子を有していてもよい。   The compound (metal complex) having a partial structure represented by the general formula (1) or (2) according to the present invention or the compound (metal complex) having a partial structure represented by the general formula (3) or (4) May have a plurality of ligands depending on the valence of the transition metal element each represented by M. However, all of the ligands may be the same, and each may have a ligand having a different structure. You may do it.

しかしながら、本発明に記載の効果を好ましく得る観点から、錯体中の配位子の種類は、好ましくは１〜２種類から構成されることが好ましく、更に好ましくは１種類である。   However, from the viewpoint of preferably obtaining the effects described in the present invention, the type of ligand in the complex is preferably composed of 1 to 2 types, and more preferably 1 type.

本発明に係る金属錯体としては、一般式（１）または（２）で表される部分構造から遷移金属元素Ｍを除いた部分（配位子）のみから構成された化合物、または、一般式（３）または（４）で表される部分構造から遷移金属元素Ｍを除いた部分（配位子）から構成された化合物が最も好ましく用いられる。   As the metal complex according to the present invention, a compound composed only of a portion (ligand) obtained by removing the transition metal element M from the partial structure represented by the general formula (1) or (2), or a general formula ( A compound composed of a portion (ligand) obtained by removing the transition metal element M from the partial structure represented by 3) or (4) is most preferably used.

ここで、配位子とは、一般式（１）または（２）で表される部分構造から遷移金属元素Ｍを除いた部分、一般式（３）または（４）で表される部分構造から遷移金属元素Ｍを除いた部分が、各々配位子である。また、本発明に係る金属錯体の形成に用いることのできる、従来公知の配位子については、後に詳細に説明する。   Here, the ligand is a part obtained by removing the transition metal element M from the partial structure represented by the general formula (1) or (2), or a partial structure represented by the general formula (3) or (4). Each portion excluding the transition metal element M is a ligand. Further, conventionally known ligands that can be used for forming the metal complex according to the present invention will be described in detail later.

このような金属錯体を有機ＥＬ素子材料として用いることにより、高い発光効率を示し、且つ、発光寿命の長い有機ＥＬ素子、照明装置及び表示装置を提供することができた。   By using such a metal complex as an organic EL element material, it was possible to provide an organic EL element, a lighting device, and a display device that exhibit high luminous efficiency and have a long emission lifetime.

（電荷輸送層）
本発明に係る電荷輸送層について説明する。(Charge transport layer)
The charge transport layer according to the present invention will be described.

更に、本発明に係る前記一般式（１）〜（２）、一般式（３）〜（４）のいずれかひとつで表される部分構造を有する化合物（金属錯体）の含有層としては、電荷を輸送する層（電荷輸送層）であれば特に制限はなく、また、電荷輸送層は、発光層よりも陽極側に設けられる場合（第一電荷輸送層という）、発光層よりも陰極側に設けられている場合（第二電荷輸送層ともいう）のどちらの態様もとりうる。   Furthermore, as a content layer of the compound (metal complex) having a partial structure represented by any one of the general formulas (1) to (2) and the general formulas (3) to (4) according to the present invention, charge The charge transport layer is not particularly limited as long as it is a layer (charge transport layer), and when the charge transport layer is provided on the anode side of the light emitting layer (referred to as the first charge transport layer), it is on the cathode side of the light emitting layer. Either embodiment (also referred to as a second charge transport layer) may be employed.

電荷輸送層が発光層よりも陽極側に設けられる場合（第一電荷輸送層ともいう）は、該電荷輸送層が電子阻止層または発光層であることが好ましく、電荷輸送層が発光層よりも陰極側に設けられる場合（第二電荷輸送層ともいう）は、該電荷輸送層が発光層または正孔阻止層であるが好ましく、より好ましくは、該電荷輸送層が発光層または正孔阻止層である場合であり、特に好ましいのは、発光層である。   When the charge transport layer is provided on the anode side of the light emitting layer (also referred to as a first charge transport layer), the charge transport layer is preferably an electron blocking layer or a light emitting layer, and the charge transport layer is more than the light emitting layer. When provided on the cathode side (also referred to as the second charge transport layer), the charge transport layer is preferably a light emitting layer or a hole blocking layer, and more preferably, the charge transport layer is a light emitting layer or a hole blocking layer. The light emitting layer is particularly preferable.

発光層に含有する場合は、発光層中の発光ドーパントとして用いることにより、本発明の有機ＥＬ素子の外部取り出し量子効率の効率アップ（高輝度化）や発光寿命の長寿命化を達成することができる。   When contained in the light emitting layer, it can be used as a light emitting dopant in the light emitting layer to increase the efficiency of the external extraction quantum efficiency of the organic EL device of the present invention (higher brightness) and increase the light emission lifetime. it can.

尚、本発明の有機ＥＬ素子の構成層については後に詳細に説明する。   The constituent layers of the organic EL element of the present invention will be described in detail later.

（Ｍで表される元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素）
また、本発明に係る、一般式（１）〜（２）のいずれかひとつで表される部分構造を有する金属錯体、一般式（３）〜（４）のいずれかひとつで表される部分構造を有する金属錯体の形成に用いられる金属としては、元素周期表の８〜１０族の遷移金属元素（単に遷移金属ともいう）が用いられるが、中でも、イリジウム、白金が好ましい遷移金属元素として挙げられる。(Group 8-10 transition metal elements in the periodic table represented by M)
Moreover, the metal complex which has the partial structure represented by any one of General formula (1)-(2) based on this invention, The partial structure represented by any one of General formula (3)-(4) As a metal used for forming a metal complex having bismuth, a transition metal element of group 8 to 10 (also simply referred to as a transition metal) in the periodic table of elements is used, and among them, iridium and platinum are preferable transition metal elements. .

以下、本発明に係る金属錯体が有する部分構造について説明する。   Hereinafter, the partial structure which the metal complex which concerns on this invention has is demonstrated.

（一般式（１）または（２）で表される部分構造）
本発明に係る、一般式（１）または（２）で表される部分構造について説明する。(Partial structure represented by general formula (1) or (2))
The partial structure represented by the general formula (1) or (2) according to the present invention will be described.

まずは、合計で１８π電子を有する、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｑで構成される骨格について説明する。   First, a skeleton composed of E1a to E1q having a total of 18π electrons will be described.

一般式（１）または（２）で表される部分構造において、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｅにより形成される環は、５員の芳香族複素環を表し、例えば、オキサゾール環、チアゾール環、オキサジアゾール環、オキサトリアゾール環、イソオキサゾール環、テトラゾール環、チアジアゾール環、チアトリアゾール環、イソチアゾール環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。   In the partial structure represented by the general formula (1) or (2), the ring formed by E1a to E1e represents a 5-membered aromatic heterocycle, such as an oxazole ring, a thiazole ring, an oxadiazole ring, Examples include an oxatriazole ring, an isoxazole ring, a tetrazole ring, a thiadiazole ring, a thiatriazole ring, an isothiazole ring, a thiophene ring, a furan ring, a pyrrole ring, an imidazole ring, a pyrazole ring, and a triazole ring.

上記の中でも、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環が好ましい。これらの各環は各々更に、後述する置換基を有していても良い。   Among these, a pyrazole ring, an imidazole ring, an oxazole ring, and a thiazole ring are preferable. Each of these rings may further have a substituent described later.

一般式（１）または（２）で表される部分構造において、Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｑにより形成される環は、６員の芳香族炭化水素環もしくは５員または６員の芳香族複素環を表す。   In the partial structure represented by the general formula (1) or (2), the ring formed by E1l to E1q represents a 6-membered aromatic hydrocarbon ring or a 5-membered or 6-membered aromatic heterocycle.

Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｑにより形成される６員の芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環が挙げられる。更に、後述する置換基を有していても良い。   Examples of the 6-membered aromatic hydrocarbon ring formed by E1l to E1q include a benzene ring. Furthermore, you may have the substituent mentioned later.

Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｑにより形成される５員または６員の芳香族複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環等が挙げられる。   Examples of the 5- or 6-membered aromatic heterocycle formed by E1l to E1q include a furan ring, a thiophene ring, an oxazole ring, a pyrrole ring, a pyridine ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, a triazine ring, Examples include a diazole ring, a triazole ring, an imidazole ring, a pyrazole ring, and a thiazole ring.

これらの各環は各々更に、後述する置換基を有していても良い。   Each of these rings may further have a substituent described later.

一般式（１）または（２）で表される部分構造において、Ｅ１ｆ〜Ｅ１ｋにより形成される環は、６員の芳香族炭化水素環または６員の芳香族複素環を表す。   In the partial structure represented by the general formula (1) or (2), the ring formed by E1f to E1k represents a 6-membered aromatic hydrocarbon ring or a 6-membered aromatic heterocycle.

一般式（１）または（２）で表される部分構造において、Ｅ１ｆ〜Ｅ１ｋにより形成される６員の芳香族炭化水素環は、ベンゼン環を表す。該ベンゼン環は更に後述する置換基を有していても良い。   In the partial structure represented by the general formula (1) or (2), the 6-membered aromatic hydrocarbon ring formed by E1f to E1k represents a benzene ring. The benzene ring may further have a substituent described later.

一般式（１）または（２）で表される部分構造において、Ｅ１ｆ〜Ｅ１ｋにより形成される６員の芳香族複素環としては、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環等が挙げられる。これらの環は、更に後述する置換基を有していても良い。   In the partial structure represented by the general formula (1) or (2), examples of the 6-membered aromatic heterocycle formed by E1f to E1k include a pyridine ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, and a triazine ring. Can be mentioned. These rings may further have a substituent described later.

一般式（１）または（２）で表される部分構造において、Ｒ１ａからＲ１ｉにより各々表される置換基としてはアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素環基（芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等）、芳香族複素環基（例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基（例えば、１，２，４−トリアゾール−１−イル基、１，２，３−トリアゾール−１−イル基等）、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）等が挙げられる。これらの置換基は上記の置換基によって更に置換されていてもよい。これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。   In the partial structure represented by the general formula (1) or (2), the substituents represented by R1a to R1i are alkyl groups (for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a tert-butyl group). Pentyl group, hexyl group, octyl group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, etc.), cycloalkyl group (for example, cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc.), alkenyl group (for example, vinyl group, allyl group, etc.) , Alkynyl groups (for example, ethynyl group, propargyl group, etc.), aromatic hydrocarbon ring groups (also called aromatic carbocyclic groups, aryl groups, etc.), for example, phenyl group, p-chlorophenyl group, mesityl group, tolyl group, xylyl Group, naphthyl group, anthryl group, azulenyl group, acenaphthenyl group, fluorenyl group, phena Tolyl group, indenyl group, pyrenyl group, biphenylyl group, etc.), aromatic heterocyclic group (for example, pyridyl group, pyrimidinyl group, furyl group, pyrrolyl group, imidazolyl group, benzoimidazolyl group, pyrazolyl group, pyrazinyl group, triazolyl group (for example, , 1,2,4-triazol-1-yl group, 1,2,3-triazol-1-yl group, etc.), oxazolyl group, benzoxazolyl group, thiazolyl group, isoxazolyl group, isothiazolyl group, furazanyl group, Thienyl group, quinolyl group, benzofuryl group, dibenzofuryl group, benzothienyl group, dibenzothienyl group, indolyl group, carbazolyl group, carbolinyl group, diazacarbazolyl group (one of the carbon atoms constituting the carboline ring of the carbolinyl group) One is replaced by a nitrogen atom) Xalinyl group, pyridazinyl group, triazinyl group, quinazolinyl group, phthalazinyl group, etc.), heterocyclic group (eg, pyrrolidyl group, imidazolidyl group, morpholyl group, oxazolidyl group, etc.), alkoxy group (eg, methoxy group, ethoxy group, propyloxy) Group, pentyloxy group, hexyloxy group, octyloxy group, dodecyloxy group, etc.), cycloalkoxy group (eg, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group, etc.), aryloxy group (eg, phenoxy group, naphthyloxy group, etc.) Alkylthio groups (for example, methylthio group, ethylthio group, propylthio group, pentylthio group, hexylthio group, octylthio group, dodecylthio group, etc.), cycloalkylthio groups (for example, cyclopentylthio group, cyclohexylthio group, etc.), A reelthio group (eg, phenylthio group, naphthylthio group, etc.), an alkoxycarbonyl group (eg, methyloxycarbonyl group, ethyloxycarbonyl group, butyloxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group, dodecyloxycarbonyl group, etc.), aryloxycarbonyl group (Eg, phenyloxycarbonyl group, naphthyloxycarbonyl group, etc.), sulfamoyl group (eg, aminosulfonyl group, methylaminosulfonyl group, dimethylaminosulfonyl group, butylaminosulfonyl group, hexylaminosulfonyl group, cyclohexylaminosulfonyl group, octyl) Aminosulfonyl group, dodecylaminosulfonyl group, phenylaminosulfonyl group, naphthylaminosulfonyl group, 2-pyridylaminosulfonyl group, etc.), acyl (For example, acetyl group, ethylcarbonyl group, propylcarbonyl group, pentylcarbonyl group, cyclohexylcarbonyl group, octylcarbonyl group, 2-ethylhexylcarbonyl group, dodecylcarbonyl group, phenylcarbonyl group, naphthylcarbonyl group, pyridylcarbonyl group, etc.), Acyloxy group (for example, acetyloxy group, ethylcarbonyloxy group, butylcarbonyloxy group, octylcarbonyloxy group, dodecylcarbonyloxy group, phenylcarbonyloxy group, etc.), amide group (for example, methylcarbonylamino group, ethylcarbonylamino group) Dimethylcarbonylamino group, propylcarbonylamino group, pentylcarbonylamino group, cyclohexylcarbonylamino group, 2-ethylhexylcarbonylamino Octylcarbonylamino group, dodecylcarbonylamino group, phenylcarbonylamino group, naphthylcarbonylamino group, etc.), carbamoyl group (for example, aminocarbonyl group, methylaminocarbonyl group, dimethylaminocarbonyl group, propylaminocarbonyl group, pentylaminocarbonyl) Group, cyclohexylaminocarbonyl group, octylaminocarbonyl group, 2-ethylhexylaminocarbonyl group, dodecylaminocarbonyl group, phenylaminocarbonyl group, naphthylaminocarbonyl group, 2-pyridylaminocarbonyl group, etc.), ureido group (for example, methylureido group) Ethyl ureido group, pentyl ureido group, cyclohexyl ureido group, octyl ureido group, dodecyl ureido group, phenyl ureido group naphthyl ureido Group, 2-pyridylaminoureido group, etc.), sulfinyl group (for example, methylsulfinyl group, ethylsulfinyl group, butylsulfinyl group, cyclohexylsulfinyl group, 2-ethylhexylsulfinyl group, dodecylsulfinyl group, phenylsulfinyl group, naphthylsulfinyl group, 2-pyridylsulfinyl group etc.), alkylsulfonyl group (eg methylsulfonyl group, ethylsulfonyl group, butylsulfonyl group, cyclohexylsulfonyl group, 2-ethylhexylsulfonyl group, dodecylsulfonyl group etc.), arylsulfonyl group or heteroarylsulfonyl group (For example, phenylsulfonyl group, naphthylsulfonyl group, 2-pyridylsulfonyl group, etc.), amino group (for example, amino group, ethylamino group, dimethylamino) Group, butylamino group, cyclopentylamino group, 2-ethylhexylamino group, dodecylamino group, anilino group, naphthylamino group, 2-pyridylamino group, etc.), halogen atom (for example, fluorine atom, chlorine atom, bromine atom etc.), Fluorinated hydrocarbon group (for example, fluoromethyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, pentafluorophenyl group, etc.), cyano group, nitro group, hydroxy group, mercapto group, silyl group (for example, trimethylsilyl group, trimethyl group) Isopropylsilyl group, triphenylsilyl group, phenyldiethylsilyl group, etc.). These substituents may be further substituted with the above substituents. A plurality of these substituents may be bonded to each other to form a ring.

本発明に係る金属錯体の好ましい態様の一例として、上記一般式（３）または（４）で表される部分構造を含む化合物（金属錯体）が挙げられる。   As an example of a preferable embodiment of the metal complex according to the present invention, a compound (metal complex) including a partial structure represented by the general formula (3) or (4) can be given.

《一般式（３）または（４）で表される部分構造》
本発明に係る一般式（３）または（４）で表される部分構造について説明する。<< Partial structure represented by general formula (3) or (4) >>
The partial structure represented by the general formula (3) or (4) according to the present invention will be described.

まずは、合計で１８π電子を有する、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｑで構成される骨格について説明する。   First, a skeleton composed of E1a to E1q having a total of 18π electrons will be described.

一般式（３）または（４）で表される部分構造において、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｅにより形成される環は、５員の芳香族複素環を表し、一般式（１）または（２）で表される部分構造において、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｅにより形成される５員の芳香族複素環と同義である。   In the partial structure represented by the general formula (3) or (4), the ring formed by E1a to E1e represents a 5-membered aromatic heterocyclic ring, and is represented by the general formula (1) or (2). In the partial structure, it is synonymous with the 5-membered aromatic heterocycle formed by E1a to E1e.

一般式（３）または（４）で表される部分構造において、Ｅ１ｆ〜Ｅ１ｋにより形成される環は、５員の芳香族複素環を表し、これらの環は、一般式（１）または（２）で表される部分構造において、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｅにより形成される環の記載と同義である。   In the partial structure represented by the general formula (3) or (4), the ring formed by E1f to E1k represents a 5-membered aromatic heterocycle, and these rings are represented by the general formula (1) or (2 In the partial structure represented by), it is synonymous with the description of the ring formed by E1a to E1e.

一般式（３）または（４）で表される部分構造において、Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｑにより形成される環は、６員の芳香族炭化水素環もしくは５員または６員の芳香族複素環すが、これらの環は、各々、一般式（１）または（２）で表される部分構造において、Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｑにより形成される、６員の芳香族炭化水素環もしくは５員または６員の芳香族複素環と同義である。   In the partial structure represented by the general formula (3) or (4), the ring formed by E1l to E1q is a 6-membered aromatic hydrocarbon ring or a 5-membered or 6-membered aromatic heterocyclic ring. Are each a 6-membered aromatic hydrocarbon ring or a 5-membered or 6-membered aromatic heterocycle formed by E1l to E1q in the partial structure represented by the general formula (1) or (2) It is synonymous with.

一般式（３）または（４）で表される部分構造において、Ｒ１ａからＲ１ｉにより各々表される置換基は、一般式（１）または（２）で表される部分構造において、Ｒ１ａからＲ１ｉにより各々表される置換基と同義である。   In the partial structure represented by the general formula (3) or (4), the substituents represented by R1a to R1i are represented by R1a to R1i in the partial structure represented by the general formula (1) or (2), respectively. It is synonymous with the substituent represented respectively.

本発明においては、上記一般式（１）〜（４）のいずれかで表される部分構造の中でも、下記一般式（５）〜（８）のいずれかで表される部分構造が好ましい。   In the present invention, among the partial structures represented by any one of the general formulas (1) to (4), the partial structure represented by any one of the following general formulas (5) to (8) is preferable.

《一般式（５）〜（８）のいずれかで表される部分構造》
一般式（５）〜（８）のいずれかで表される部分構造について説明する。<< Partial structure represented by any one of general formulas (5) to (8) >>
The partial structure represented by any one of the general formulas (5) to (8) will be described.

式中、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｑは炭素原子、窒素原子、酸素原子または硫黄原子を表し、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｅにより形成される環は、５員の芳香族複素環を表し、Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｐにより形成される環は、６員の芳香族炭化水素環もしくは５員または６員の芳香族複素環を表す。Ｅ１ａとＥ１ｐは各々異なり、炭素原子または窒素原子を表す。Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉ、Ｒ５１〜Ｒ５４、Ｒ７１〜Ｒ７４は、各々水素原子または置換基を表すが、少なくとも一つは下記一般式（Ａ）または一般式（Ｂ）で表される基である。Ｍは元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３は、各々炭素原子または窒素原子を表す。   In the formula, E1a to E1q represent a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom, the ring formed by E1a to E1e represents a 5-membered aromatic heterocyclic ring, and the ring formed by E1l to E1p is Represents a 6-membered aromatic hydrocarbon ring or a 5-membered or 6-membered aromatic heterocycle. E1a and E1p are different from each other and represent a carbon atom or a nitrogen atom. R1a to R1i, R51 to R54, and R71 to R74 each represent a hydrogen atom or a substituent, at least one of which is a group represented by the following general formula (A) or general formula (B). M represents a group 8-10 transition metal element in the periodic table. X1, X2, and X3 each represent a carbon atom or a nitrogen atom.

一般式（５）〜（８）のいずれかで表される部分構造において、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｅにより形成される５員の芳香族複素環は、一般式（１）〜（４）のいずれかで表される部分構造において、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｅにより形成される５員の芳香族複素環と同義である。   In the partial structure represented by any one of the general formulas (5) to (8), the 5-membered aromatic heterocycle formed by E1a to E1e is represented by any one of the general formulas (1) to (4). In the partial structure, it is synonymous with the 5-membered aromatic heterocycle formed by E1a to E1e.

一般式（５）〜（８）のいずれかで表される部分構造において、Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｐにより形成される６員の芳香族炭化水素環は、一般式（１）〜（４）のいずれかで表される部分構造において、Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｐにより形成される６員の芳香族炭化水素環と同義である。   In the partial structure represented by any one of the general formulas (5) to (8), the 6-membered aromatic hydrocarbon ring formed by E11 to E1p is any one of the general formulas (1) to (4). In the represented partial structure, it is synonymous with the 6-membered aromatic hydrocarbon ring formed by E1l to E1p.

一般式（５）〜（８）のいずれかで表される部分構造において、Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｐにより形成される５員または６員の芳香族複素環は、一般式（１）〜（４）のいずれかで表される部分構造において、Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｐにより形成される５員または６員の芳香族複素環と同義である。   In the partial structure represented by any one of the general formulas (5) to (8), the 5-membered or 6-membered aromatic heterocycle formed by E1l to E1p is any of the general formulas (1) to (4). In the partial structure represented by these, it is synonymous with the 5-membered or 6-membered aromatic heterocyclic ring formed by E1l-E1p.

一般式（５）〜（８）のいずれかで表される部分構造において、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉ、Ｒ５１〜Ｒ５４、Ｒ７１〜Ｒ７４は、各々水素原子または置換基は、一般式（１）〜（４）のいずれかで表される部分構造において、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉで各々表される置換基と同義である。更に好ましい態様としては、該置換基の少なくともひとつが、下記一般式（Ａ）または（Ｂ）で表されることが好ましい。   In the partial structure represented by any one of the general formulas (5) to (8), R1a to R1i, R51 to R54, and R71 to R74 are each a hydrogen atom or a substituent represented by the general formulas (1) to (4). In the partial structure represented by any of these, it is synonymous with the substituent represented by R1a-R1i, respectively. As a more preferred embodiment, it is preferred that at least one of the substituents is represented by the following general formula (A) or (B).

（一般式（Ａ）または（Ｂ）で表される基）   (Group represented by general formula (A) or (B))

式中、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃは、各々水素原子または置換基を表し、Ｌａ、Ｌｂは、各々２価の連結基を表す。ｐ、ｓは、各々０または１を表す。ｑは０〜７の整数を表す。ｒは０〜８の整数を表す。＊は連結部位を表す。   In the formula, Ra, Rb and Rc each represent a hydrogen atom or a substituent, and La and Lb each represent a divalent linking group. p and s each represents 0 or 1; q represents an integer of 0 to 7. r represents an integer of 0 to 8. * Represents a linking site.

また、一般式（５）〜（８）のいずれかで表される部分構造において、前記一般式（Ａ）または（Ｂ）で表される基が、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｅで構成される環に連結される場合、前記一般式（Ａ）または（Ｂ）で表される基が、Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｑで構成される環に連結される場合、前記一般式（Ａ）または（Ｂ）で表される基が、Ｒ５１〜Ｒ５４で各々表される基の少なくとも一つ、Ｒ７１〜Ｒ７４で各々表される基の少なくとも一つ、Ｅ１ｆ〜Ｅ１ｋで構成される環に連結される、または、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３と−Ｃ＝Ｃ−とから形成される環に連結される場合等が好ましい態様として挙げられる。   In the partial structure represented by any one of the general formulas (5) to (8), the group represented by the general formula (A) or (B) is connected to the ring composed of E1a to E1e. In the case where the group represented by the general formula (A) or (B) is connected to a ring composed of E1l to E1q, the group represented by the general formula (A) or (B) is , At least one of the groups represented by R51 to R54, at least one of the groups represented by R71 to R74, linked to a ring composed of E1f to E1k, or X1, X2, X3 and The case where it connects with the ring formed from -C = C-, etc. are mentioned as a preferable aspect.

本発明においては、上記一般式（５）〜（８）のいずれかで表される部分構造の中でも、下記一般式（９）〜（１２）のいずれかで表される部分構造が好ましい。   In the present invention, among the partial structures represented by any of the general formulas (5) to (8), the partial structure represented by any of the following general formulas (9) to (12) is preferable.

《一般式（９）〜（１２）のいずれかで表される部分構造》
一般式（９）〜（１２）のいずれかで表される部分構造について説明する。<< Partial structure represented by any one of general formulas (9) to (12) >>
The partial structure represented by any one of the general formulas (9) to (12) will be described.

式中、Ｅ１ｆ〜Ｅ１ｑは炭素原子、窒素原子、酸素原子または硫黄原子を表し、Ｅ１ｆ〜Ｅ１ｋにより形成される環は５員の芳香族複素環を表し、Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｐにより形成される環は、６員の芳香族炭化水素環もしくは５員または６員の芳香族複素環を表す。Ｒ５１〜Ｒ５６、Ｒ６１〜Ｒ６５、Ｒ７１〜Ｒ７６、Ｒ８１、Ｒ８２、Ｒ１ｃ〜Ｒ１ｈは、水素原子または置換基を表すが、その少なくとも一つは一般式（Ａ）または一般式（Ｂ）で表される基である。Ｍは元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３は、各々未置換または置換基を有する、炭素原子または窒素原子を表す。   In the formula, E1f to E1q represent a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom, the ring formed by E1f to E1k represents a 5-membered aromatic heterocyclic ring, and the ring formed by E1l to E1p is It represents a 6-membered aromatic hydrocarbon ring or a 5-membered or 6-membered aromatic heterocycle. R51 to R56, R61 to R65, R71 to R76, R81, R82, and R1c to R1h each represents a hydrogen atom or a substituent, at least one of which is represented by the general formula (A) or the general formula (B). It is a group. M represents a group 8-10 transition metal element in the periodic table. X1, X2, and X3 each represents a carbon atom or a nitrogen atom that is unsubstituted or has a substituent.

一般式（９）〜（１２）のいずれかで表される部分構造において、Ｅ１ｆ〜Ｅ１ｋにより形成される５員の芳香族複素環は、一般式（１）〜（４）のいずれかで表される部分構造において、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｅにより形成される５員の芳香族複素環と同義である。   In the partial structure represented by any one of the general formulas (9) to (12), the 5-membered aromatic heterocycle formed by E1f to E1k is represented by any one of the general formulas (1) to (4). In the partial structure, it is synonymous with the 5-membered aromatic heterocycle formed by E1a to E1e.

一般式（９）〜（１２）のいずれかで表される部分構造において、Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｐにより形成される６員の芳香族炭化水素環は、一般式（１）〜（４）のいずれかで表される部分構造において、Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｐにより形成される６員の芳香族炭化水素環と同義である。   In the partial structure represented by any one of the general formulas (9) to (12), the 6-membered aromatic hydrocarbon ring formed by E1l to E1p is any one of the general formulas (1) to (4). In the represented partial structure, it is synonymous with the 6-membered aromatic hydrocarbon ring formed by E1l to E1p.

一般式（９）〜（１２）のいずれかで表される部分構造において、Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｐにより形成される５員または６員の芳香族複素環は、一般式（１）〜（４）のいずれかで表される部分構造において、Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｐにより形成される５員または６員の芳香族複素環と同義である。   In the partial structure represented by any one of the general formulas (9) to (12), the 5-membered or 6-membered aromatic heterocycle formed by E11 to E1p is any of the general formulas (1) to (4). In the partial structure represented by these, it is synonymous with the 5-membered or 6-membered aromatic heterocyclic ring formed by E1l-E1p.

一般式（９）〜（１２）のいずれかで表される部分構造において、Ｒ５１〜Ｒ５６、Ｒ６１〜Ｒ６５、Ｒ７１〜Ｒ７６、Ｒ８１、Ｒ８２、Ｒ１ｃ〜Ｒ１ｈで各々表される置換基は、一般式（１）〜（４）のいずれかで表される部分構造において、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉで各々表される置換基と同義である。   In the partial structure represented by any one of the general formulas (9) to (12), the substituents represented by R51 to R56, R61 to R65, R71 to R76, R81, R82, and R1c to R1h each have the general formula In the partial structure represented by any one of (1) to (4), it is synonymous with the substituent represented by each of R1a to R1i.

一般式（９）〜（１２）のいずれかで表される部分構造において、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３で、各々表される炭素原子または窒素原子が有してもよい置換基は、一般式（１）〜（４）のいずれかで表される部分構造において、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉで各々表される置換基と同義である。   In the partial structure represented by any one of the general formulas (9) to (12), the substituent that the carbon atom or the nitrogen atom represented by X1, X2, or X3 may have is represented by the general formula (1). In the partial structure represented by any of (4) to (4), it is synonymous with the substituent represented by each of R1a to R1i.

また、一般式（９）〜（１２）のいずれかで表される部分構造において、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ６４、Ｒ６５、Ｒ７５、Ｒ７６、Ｒ８１、Ｒ８２の少なくともひとつが、前記一般式（Ａ）または（Ｂ）で表される基を表す場合、Ｒ１ｇ、Ｒ１ｈ、Ｒ１ｉ、Ｒ６１、Ｒ６２、Ｒ６３、Ｒ１ｇ、Ｒ１ｈの少なくともひとつが、前記一般式（Ａ）または（Ｂ）で表される基を表す場合、Ｒ５１〜Ｒ５４、Ｒ１ｃ〜Ｒ１ｅ、Ｒ７１〜Ｒ７４の少なくとも一つが、前記一般式（Ａ）または（Ｂ）で表される基を表す場合、Ｘ１〜Ｘ３の少なくとも一つが、一般式（Ａ）または（Ｂ）で表される基を有する場合等が各々好ましい態様として挙げられる。   In the partial structure represented by any one of the general formulas (9) to (12), at least one of R55, R56, R64, R65, R75, R76, R81, and R82 is the above general formula (A) or ( In the case of representing a group represented by B), when at least one of R1g, R1h, R1i, R61, R62, R63, R1g, R1h represents a group represented by the general formula (A) or (B), When at least one of R51 to R54, R1c to R1e, R71 to R74 represents a group represented by the general formula (A) or (B), at least one of X1 to X3 is represented by the general formula (A) or ( The case where it has group represented by B) etc. are each mentioned as a preferable aspect.

また、本発明においては、上記一般式（５）〜（８）のいずれかで表される部分構造の中でも、上記一般式（１３）〜（１６）のいずれかで表される部分構造が好ましい一態様としてあげられる。   In the present invention, among the partial structures represented by any of the general formulas (5) to (8), the partial structure represented by any of the general formulas (13) to (16) is preferable. An example is given.

《一般式（１３）〜（１６）のいずれかで表される部分構造》
一般式（１３）〜（１６）のいずれかで表される部分構造について説明する。<< Partial structure represented by any one of general formulas (13) to (16) >>
The partial structure represented by any one of the general formulas (13) to (16) will be described.

式中、Ｅ１ｆ〜Ｅ１ｑは炭素原子、窒素原子、酸素原子または硫黄原子を表し、Ｅ１ｆ〜Ｅ１ｋにより形成される環は５員の芳香族複素環を表し、Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｐにより形成される環は、６員の芳香族炭化水素環もしくは５員または６員の芳香族複素環を表す。Ｒ５１〜Ｒ５６、Ｒ６１〜Ｒ６５、Ｒ７１〜Ｒ７６、Ｒ８１、Ｒ８２、Ｒ１ｃ〜Ｒ１ｈは、水素原子または置換基を表すが、少なくとも一つは一般式（Ａ）または一般式（Ｂ）で表される基である。Ｍは元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３は、各々未置換または置換基を有する、炭素原子または窒素原子を表す。   In the formula, E1f to E1q represent a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom, the ring formed by E1f to E1k represents a 5-membered aromatic heterocyclic ring, and the ring formed by E1l to E1p is It represents a 6-membered aromatic hydrocarbon ring or a 5-membered or 6-membered aromatic heterocycle. R51 to R56, R61 to R65, R71 to R76, R81, R82, and R1c to R1h each represents a hydrogen atom or a substituent, at least one of which is represented by the general formula (A) or the general formula (B) It is. M represents a group 8-10 transition metal element in the periodic table. X1, X2, and X3 each represents a carbon atom or a nitrogen atom that is unsubstituted or has a substituent.

一般式（１３）〜（１６）のいずれかで表される部分構造において、Ｅ１ｆ〜Ｅ１ｋにより形成される５員の芳香族複素環は、一般式（１）〜（４）のいずれかで表される部分構造において、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｅにより形成される５員の芳香族複素環と同義である。   In the partial structure represented by any one of the general formulas (13) to (16), the 5-membered aromatic heterocycle formed by E1f to E1k is represented by any one of the general formulas (1) to (4). In the partial structure, it is synonymous with the 5-membered aromatic heterocycle formed by E1a to E1e.

一般式（１３）〜（１６）のいずれかで表される部分構造において、Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｐにより形成される６員の芳香族炭化水素環は、一般式（１）〜（４）のいずれかで表される部分構造において、Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｐにより形成される６員の芳香族炭化水素環と同義である。   In the partial structure represented by any one of the general formulas (13) to (16), the 6-membered aromatic hydrocarbon ring formed by E1l to E1p is any one of the general formulas (1) to (4). In the represented partial structure, it is synonymous with the 6-membered aromatic hydrocarbon ring formed by E1l to E1p.

一般式（１３）〜（１６）のいずれかで表される部分構造において、Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｐにより形成される５員または６員の芳香族複素環は、一般式（１）〜（４）のいずれかで表される部分構造において、Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｐにより形成される５員または６員の芳香族複素環と同義である。   In the partial structure represented by any one of the general formulas (13) to (16), the 5-membered or 6-membered aromatic heterocycle formed by E1l to E1p is any of the general formulas (1) to (4). In the partial structure represented by these, it is synonymous with the 5-membered or 6-membered aromatic heterocyclic ring formed by E1l-E1p.

一般式（１３）〜（１６）のいずれかで表される部分構造において、Ｒ５１〜Ｒ５６、Ｒ６１〜Ｒ６５、Ｒ７１〜Ｒ７６、Ｒ８１、Ｒ８２、Ｒ１ｃ〜Ｒ１ｈで各々表される置換基は、一般式（１）〜（４）のいずれかで表される部分構造において、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉで各々表される置換基と同義である。   In the partial structure represented by any of the general formulas (13) to (16), the substituents represented by R51 to R56, R61 to R65, R71 to R76, R81, R82, and R1c to R1h are In the partial structure represented by any one of (1) to (4), it is synonymous with the substituent represented by each of R1a to R1i.

一般式（１３）〜（１６）のいずれかで表される部分構造において、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３で、各々表される炭素原子または窒素原子が有してもよい置換基は、一般式（１）〜（４）のいずれかで表される部分構造において、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉで各々表される置換基と同義である。   In the partial structure represented by any of the general formulas (13) to (16), the substituents that each of the carbon atom or nitrogen atom represented by X1, X2, and X3 may have are represented by the general formula (1). In the partial structure represented by any of (4) to (4), it is synonymous with the substituent represented by each of R1a to R1i.

一般式（１３）〜（１６）のいずれかで表される部分構造において、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ６４、Ｒ６５、Ｒ７５、Ｒ７６、Ｒ８１、Ｒ８２の少なくともひとつが、一般式（Ａ）または（Ｂ）で表される基を表す場合、Ｒ１ｇ、Ｒ１ｈ、Ｒ１ｉ、Ｒ６１、Ｒ６２、Ｒ６３、Ｒ１ｇ、Ｒ１ｈの少なくともひとつが、一般式（Ａ）または（Ｂ）で表される基を表す場合、Ｒ５１〜Ｒ５４、Ｒ１ｃ〜Ｒ１ｅ、Ｒ７１〜Ｒ７４の少なくともひとつが、一般式（Ａ）または（Ｂ）で表される基を表す場合、Ｘ１〜Ｘ３の少なくともひとつが一般式（Ａ）または（Ｂ）で表される基を有する場合等が好ましい態様として挙げられる。   In the partial structure represented by any one of the general formulas (13) to (16), at least one of R55, R56, R64, R65, R75, R76, R81, and R82 is the general formula (A) or (B). In the case of representing the group represented, when at least one of R1g, R1h, R1i, R61, R62, R63, R1g, R1h represents a group represented by the general formula (A) or (B), R51 to R54, When at least one of R1c to R1e and R71 to R74 represents a group represented by the general formula (A) or (B), at least one of X1 to X3 is represented by the general formula (A) or (B). The case where it has a group etc. is mentioned as a preferable aspect.

以下、本発明に係る前記一般式（１）〜（４）のいずれかで表される部分構造、一般式（５）〜（８）のいずれかで表される部分構造、一般式（９）〜（１２）のいずれかで表される部分構造、または、一般式（１３）〜（１６）のいずれかで表される部分構造を含む化合物（金属錯体、金属錯体化合物ともいう）の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。   Hereinafter, the partial structure represented by any one of the general formulas (1) to (4), the partial structure represented by any one of the general formulas (5) to (8), and the general formula (9) according to the present invention. Specific examples of a compound (also referred to as a metal complex or a metal complex compound) containing a partial structure represented by any one of (12) or a partial structure represented by any one of the general formulas (13) to (16) However, the present invention is not limited to these.

これらの金属錯体は、例えば、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｅｔｔｅｒ誌、ｖｏｌ３、Ｎｏ．１６、２５７９〜２５８１頁（２００１）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第３０巻、第８号、１６８５〜１６８７頁（１９９１年）、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２３巻、４３０４頁（２００１年）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４０巻、第７号、１７０４〜１７１１頁（２００１年）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４１巻、第１２号、３０５５〜３０６６頁（２００２年）、Ｎｅｗ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ．，第２６巻、１１７１頁（２００２年）、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｅｔｔｅｒ誌、ｖｏｌ８、Ｎｏ．３、４１５〜４１８頁（２００６）、更にこれらの文献中に記載の参考文献等の方法を適用することにより合成できる。   These metal complexes are described in, for example, Organic Letter, vol. 16, 2579-2581 (2001), Inorganic Chemistry, Vol. 30, No. 8, 1685-1687 (1991), J. Am. Am. Chem. Soc. , 123, 4304 (2001), Inorganic Chemistry, Vol. 40, No. 7, 1704-1711 (2001), Inorganic Chemistry, Vol. 41, No. 12, 3055-3066 (2002) , New Journal of Chemistry. 26, 1171 (2002), Organic Letter, vol. 3, pages 415 to 418 (2006), and further by applying methods such as references described in these documents.

以下に、本発明に係る金属錯体の合成例を示すが、本発明はこれらに限定されない。   Although the synthesis example of the metal complex based on this invention is shown below, this invention is not limited to these.

《合成例１：例示化合物Ａ−８１の合成》   << Synthesis Example 1: Synthesis of Exemplified Compound A-81 >>

工程１：錯体Ａの合成
１００ｍｌ四つ口フラスコに３−メチルイミダゾ［１，２−ｆ］フェナンスリジン０．９ｇ（０．００３８７５モル）、２−エトキシエタノール１３ ｍｌ、水３ｍｌを入れ、窒素吹き込み管、温度計、コンデンサーをつけて油浴スターラー上にセットした。Step 1: Synthesis of Complex A A 100 ml four-necked flask was charged with 0.9 g (0.003875 mol) of 3-methylimidazo [1,2-f] phenanthridine, 13 ml of 2-ethoxyethanol, and 3 ml of water. A blow tube, a thermometer, and a condenser were attached and set on an oil bath stirrer.

これに、０．５５ｇ（０．００１５６０モル）のＩｒＣｌ３・３Ｈ２Ｏ、および０．１６ｇ（０．００１５６０モル）のトリエチルアミンを添加し、内温１００℃付近で６時間煮沸還流して反応終了とした。To this, 0.55 g (0.001560 mol) of IrCl 3 · 3H 2 O and 0.16 g (0.001560 mol) of triethylamine were added, and the mixture was boiled and refluxed at an internal temperature of about 100 ° C. for 6 hours to complete the reaction. It was.

反応終了後、室温まで冷却したのちメタノールを加え、析出した固体を濾取した。得られた個体をメタノールで良く洗浄して乾燥し、錯体Ａを１．０５ｇ（９８．１％）得た。   After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature, methanol was added, and the precipitated solid was collected by filtration. The obtained solid was thoroughly washed with methanol and dried to obtain 1.05 g (98.1%) of complex A.

工程２：錯体Ｂの合成
５０ｍｌ四つ口フラスコに、１．０ｇ（０．０００７２４４モル）の錯体Ａ、０．２９ｇのアセチルアセトン、１．０ｇの炭酸ナトリウム、２−エトキシエタノール２４ｍｌを入れ、窒素吹き込み管、温度計、コンデンサーをつけて油浴スターラー上にセットした。Step 2: Synthesis of complex B In a 50 ml four-necked flask, 1.0 g (0.0007244 mol) of complex A, 0.29 g of acetylacetone, 1.0 g of sodium carbonate, and 24 ml of 2-ethoxyethanol were introduced, and nitrogen was blown into the flask. A tube, a thermometer and a condenser were attached and set on an oil bath stirrer.

窒素気流化内温８０℃付近で１．５時間加熱攪拌した。   The mixture was heated and stirred for 1.5 hours at a nitrogen gas stream inner temperature of around 80 ° C.

反応終了後室温まで冷却し、反応液にメタノールを加え、析出した結晶を濾過した。この結晶を水３０ｍｌ、ＭｅＯＨ１０ｍｌで洗浄して乾燥し、０．７３ｇの錯体Ｂ（６７．０％）を得た。   After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, methanol was added to the reaction solution, and the precipitated crystals were filtered. The crystals were washed with 30 ml of water and 10 ml of MeOH and dried to obtain 0.73 g of complex B (67.0%).

工程３：例示化合物Ａ−８１の合成
５０ｍｌ四つ口フラスコに、０．４ｇ（０．０００５３０６モル）の錯体Ｂ、０．３７ｇの３−メチルイミダゾ［１，２−ｆ］フェナンスリジン、グリセリン２０ｍｌおよびプロピレングリコール２０ｍｌを入れ、窒素吹き込み管、温度計、空冷管をつけて油浴スターラー上にセットした。窒素気流化内温１７０℃から１８０℃付近で２０時間加熱攪拌して反応終了とした。Step 3: Synthesis of Exemplary Compound A-81 In a 50 ml four-necked flask, 0.4 g (0.0005306 mol) of Complex B, 0.37 g of 3-methylimidazo [1,2-f] phenanthridine, glycerin 20 ml of propylene glycol and 20 ml of propylene glycol were added, and a nitrogen blowing tube, a thermometer, and an air cooling tube were attached and set on an oil bath stirrer. The reaction was terminated by heating and stirring for 20 hours at an internal temperature of 170 ° C. to about 180 ° C. under nitrogen flow.

反応終了後、室温まで冷却し、メタノールを加え分散後結晶を濾取し、０．３７ｇの粗結晶が得られた。   After completion of the reaction, the mixture was cooled to room temperature, methanol was added and dispersed, and the crystals were collected by filtration to obtain 0.37 g of crude crystals.

結晶をカラムクロマトグラフィー（展開溶媒ジクロロメタン）で精製後、得られた結晶をテトラヒドロフランおよび酢酸エチルの混合溶媒で加熱懸濁精製し、例示化合物Ａ−８１を０．２ｇ（４２．６％）得た。   The crystals were purified by column chromatography (developing solvent: dichloromethane), and the obtained crystals were purified by suspension with heating in a mixed solvent of tetrahydrofuran and ethyl acetate to obtain 0.2 g (42.6%) of Exemplary Compound A-81. .

得られた例示化合物Ａ−８１の構造は１Ｈ−ＮＭＲ（核磁気共鳴スペクトル）を用いて構造を確認した。尚、測定条件及び得られたスペクトルの各ピークのケミカルシフト、プロトン数等を以下に示す。The structure of the obtained exemplary compound A-81 was confirmed using 1 H-NMR (nuclear magnetic resonance spectrum). Measurement conditions, chemical shift of each peak of the obtained spectrum, proton number, etc. are shown below.

１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２）
測定装置：ＪＥＯＬ ＪＮＭ−ＡＬ４００（４００ＭＨｚ）：日本電子製
スペクトルの帰属（ケミカルシフトδ、プロトン数、ピーク形状）
８．４９（１Ｈ，ｄ），８．２７（１Ｈ，ｄ），７．５７（４Ｈ，ｍ），７．０７（１Ｈ，ｔ）， ６．８０（１Ｈ，ｓ），２．８９（３Ｈ，ｓ）
なお、例示化合物Ａ−８１の溶液における発光波長は４６５ｎｍであった（発光波長は、ジクロロメタン中で測定したものである。）
本発明では、例示化合物の発光波長を以下のように測定した。まず、例示化合物の吸収スペクトルを測定し、３００ｎｍ〜３５０ｎｍの範囲の吸収最大波長を励起光として設定する。 1 H-NMR (400 MHz, CD 2 Cl 2 )
Measuring apparatus: JEOL JNM-AL400 (400 MHz): manufactured by JEOL Ltd. Spectrum attribution (chemical shift δ, proton number, peak shape)
8.49 (1H, d), 8.27 (1H, d), 7.57 (4H, m), 7.07 (1H, t), 6.80 (1H, s), 2.89 (3H) , S)
In addition, the emission wavelength in the solution of exemplary compound A-81 was 465 nm (the emission wavelength was measured in dichloromethane).
In the present invention, the emission wavelength of the exemplified compound was measured as follows. First, an absorption spectrum of the exemplary compound is measured, and an absorption maximum wavelength in the range of 300 nm to 350 nm is set as excitation light.

設定した励起光を用いて、窒素バブリングを行いながら蛍光光度計Ｆ−４５００（日立製作所製）にて発光波長を測定する。   Using the set excitation light, the emission wavelength is measured with a fluorometer F-4500 (manufactured by Hitachi, Ltd.) while performing nitrogen bubbling.

尚、使用できる溶媒に制限はないが、化合物の溶解性の観点から２−メチルテトラヒドロフラン、ジクロロメタン等が好ましく用いられる。   In addition, although there is no restriction | limiting in the solvent which can be used, 2-methyltetrahydrofuran, a dichloromethane, etc. are used preferably from a soluble viewpoint of a compound.

測定時の濃度は充分希釈していることが好ましく、具体的には１０−６ｍｏｌ／ｌから１０−４ｍｏｌ／ｌの範囲で測定することが好ましい。The concentration at the time of measurement is preferably sufficiently diluted, and specifically, it is preferably measured in the range of 10 −6 mol / l to 10 −4 mol / l.

また、測定時の温度としては、特に制限はないが、一般的には室温〜７７Ｋの範囲の温度設定が行われることが好ましい。   Moreover, there is no restriction | limiting in particular as temperature at the time of measurement, However, Generally, it is preferable that temperature setting of the range of room temperature-77K is performed.

《合成例２：例示化合物Ａ−９７の合成》
工程１：錯体Ｃの合成<< Synthesis Example 2: Synthesis of Exemplified Compound A-97 >>
Step 1: Synthesis of complex C

出発原料として、３−メチルイミダゾ［１，２−ｆ］フェナンスリジンのかわりに２−メチルイミダゾ［１，２−ｆ］フェナンスリジンを１．５ｇ用いた以外は合成例１の工程１と同様に反応、および後処理を行い、錯体Ｃを１．３７ｇ（７７．０％）得た。   Step 1 of Synthesis Example 1 except that 1.5 g of 2-methylimidazo [1,2-f] phenanthridine was used instead of 3-methylimidazo [1,2-f] phenanthridine as a starting material. Reaction and post-treatment were performed in the same manner to obtain 1.37 g (77.0%) of Complex C.

工程２：錯体Ｄの合成
錯体Ｃを１．０ｇ（０．０００７２４４モル）用いた以外は、合成例１の工程２と同様に反応、後処理を行い錯体Ｄを０．４２ｇ（３８．５％）得た。Step 2: Synthesis of Complex D Except that 1.0 g (0.0007244 mol) of Complex C was used, the reaction and post-treatment were performed in the same manner as in Step 2 of Synthesis Example 1 to obtain 0.42 g (38.5%) of Complex D. )Obtained.

工程３：例示化合物Ａ−９７の合成
５０ｍｌ四つ口フラスコに、０．３８６ｇ（０．０００５１２０モル）の錯体Ｄ、０．３５７ｇの２−メチルイミダゾ［１，２−ｆ］フェナンスリジン、グリセリン２０ｍｌを入れ、窒素吹き込み管、温度計、空冷管をつけて油浴スターラー上にセットした。窒素気流化内温１５０℃付近で４．５時間加熱攪拌して反応終了とした。Step 3: Synthesis of Exemplified Compound A-97 In a 50 ml four-necked flask, 0.386 g (0.0005120 mol) of Complex D, 0.357 g of 2-methylimidazo [1,2-f] phenanthridine, glycerin 20 ml was added, and a nitrogen blowing tube, a thermometer, and an air cooling tube were attached and set on an oil bath stirrer. The reaction was completed by heating and stirring for 4.5 hours at an internal temperature of 150 ° C. under nitrogen flow.

反応終了後、室温まで冷却し、メタノールを加え分散後結晶を濾取し、０．３８ｇの粗結晶が得られた。   After completion of the reaction, the mixture was cooled to room temperature, methanol was added and dispersed, and the crystals were collected by filtration to obtain 0.38 g of crude crystals.

結晶をカラムクロマトグラフィー（展開溶媒トルエン／酢酸エチル）で精製後、得られた結晶をテトラヒドロフランおよび酢酸エチルの混合溶媒で加熱懸濁精製し、例示化合物Ａ−９７を０．３ｇ（６６．６％）得た。   The crystals were purified by column chromatography (developing solvent: toluene / ethyl acetate), and the obtained crystals were purified by suspension in a mixed solvent of tetrahydrofuran and ethyl acetate, and 0.3 g (66.6%) of Exemplified Compound A-97 was obtained. )Obtained.

得られた例示化合物Ａ−９７の構造は１Ｈ−ＮＭＲ（核磁気共鳴スペクトル）を用いた構造を確認した。尚、測定条件及び得られたスペクトルの各ピークのケミカルシフト、プロトン数等を以下に示す。The structure of the obtained exemplary compound A-97 was confirmed using 1 H-NMR (nuclear magnetic resonance spectrum). Measurement conditions, chemical shift of each peak of the obtained spectrum, proton number, etc. are shown below.

１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，テトラヒドロフラン−ｄ８）
測定装置：ＪＥＯＬ ＪＮＭ−ＡＬ４００（４００ＭＨｚ）：日本電子製
スペクトルの帰属（ケミカルシフトδ、プロトン数、ピーク形状）
８．４８（１Ｈ，ｄ），７．９３（１Ｈ，ｄ），７．７５（１Ｈ，ｓ），７．６４（１Ｈ，ｄ）， ７．５４（１Ｈ，ｔ），７．４６（１Ｈ，ｔ），６．９５（１Ｈ，ｔ），６．８３（１Ｈ，ｄ），１．８５（３Ｈ，ｓ）
なお、例示化合物Ａ−８１の溶液における発光波長は４５５ｎｍであった（発光波長は、２−メチルテトラヒドロフラン中で測定したものである。）
本発明に係る前記一般式（１）〜（４）のいずれかで表される部分構造、一般式（５）〜（８）のいずれかで表される部分構造、一般式（９）〜（１２）のいずれかで表される部分構造、または、一般式（１３）〜（１６）のいずれかで表される部分構造を含む化合物は、各々本発明の有機ＥＬ素子の発光層にリン光ドーパント（発光ドーパントの１種である）として含有されることが好ましい態様であるが、本発明の有機ＥＬ素子の発光層以外の構成層（下記で詳細に説明する）に含まれていてもよい。 1 H-NMR (400 MHz, tetrahydrofuran-d8)
Measuring apparatus: JEOL JNM-AL400 (400 MHz): manufactured by JEOL Ltd. Spectrum attribution (chemical shift δ, proton number, peak shape)
8.48 (1H, d), 7.93 (1H, d), 7.75 (1H, s), 7.64 (1H, d), 7.54 (1H, t), 7.46 (1H) , T), 6.95 (1H, t), 6.83 (1H, d), 1.85 (3H, s)
In addition, the emission wavelength in the solution of exemplary compound A-81 was 455 nm (the emission wavelength was measured in 2-methyltetrahydrofuran).
The partial structure represented by any one of the general formulas (1) to (4), the partial structure represented by any one of the general formulas (5) to (8), and the general formulas (9) to (9) 12) or a compound containing a partial structure represented by any one of the general formulas (13) to (16) is phosphorylated in the light emitting layer of the organic EL device of the present invention. Although it is a preferable aspect that it contains as a dopant (it is 1 type of a light emission dopant), you may contain in structural layers (it demonstrates in detail below) other than the light emitting layer of the organic EL element of this invention. .

ここで、本発明の有機ＥＬ素子の構成層、発光層中に含有される発光ドーパント等について詳細に説明する。   Here, the constituent layers of the organic EL element of the present invention, the light emitting dopant contained in the light emitting layer, and the like will be described in detail.

《有機ＥＬ素子材料》
本発明の有機ＥＬ素子材料について説明する。<< Organic EL element material >>
The organic EL element material of the present invention will be described.

本発明に係る前記一般式（１）〜（４）のいずれかで表される部分構造、一般式（５）〜（８）のいずれかで表される部分構造、一般式（９）〜（１２）のいずれかで表される部分構造、または、一般式（１３）〜（１６）のいずれかで表される部分構造を含む化合物（金属錯体、金属錯体化合物ともいう）は、本発明の有機ＥＬ素子の作製に用いられる本発明の有機ＥＬ素子材料として用いることができる。   The partial structure represented by any one of the general formulas (1) to (4), the partial structure represented by any one of the general formulas (5) to (8), and the general formulas (9) to (9) 12) or a compound containing a partial structure represented by any one of the general formulas (13) to (16) (also referred to as a metal complex or a metal complex compound) It can be used as the organic EL element material of the present invention used for producing an organic EL element.

本発明の有機ＥＬ素子材料は、各々の化合物単独で用いてもよく、また、その他、従来公知の有機ＥＬ素子材料との混合物の状態で用いてもよい。   The organic EL element material of the present invention may be used alone, or may be used in the state of a mixture with a conventionally known organic EL element material.

《有機ＥＬ素子の構成層》
本発明の有機ＥＬ素子の構成層について説明する。本発明において、有機ＥＬ素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。<< Constituent layers of organic EL elements >>
The constituent layers of the organic EL element of the present invention will be described. In this invention, although the preferable specific example of the layer structure of an organic EL element is shown below, this invention is not limited to these.

（ｉ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
（ii）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（iii）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
（iv）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
（ｖ）陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
（vi）陽極／正孔輸送層／電子阻止層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
本発明の有機ＥＬ素子においては、青色発光層の発光極大波長は４３０ｎｍ〜４８０ｎｍにあるものが好ましく、緑色発光層は発光極大波長が５１０ｎｍ〜５５０ｎｍ、赤色発光層は発光極大波長が６００ｎｍ〜６４０ｎｍの範囲にある単色発光層であることが好ましく、これらを用いた表示装置であることが好ましい。また、これらの少なくとも３層の発光層を積層して白色発光層としたものであってもよい。更に、発光層間には非発光性の中間層を有していてもよい。本発明の有機ＥＬ素子としては白色発光層であることが好ましく、これらを用いた照明装置であることが好ましい。(I) Anode / light emitting layer / electron transport layer / cathode (ii) Anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode (iii) Anode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron Transport layer / cathode (iv) Anode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode (v) Anode / anode buffer layer / hole transport layer / light emitting layer / hole Blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode (vi) Anode / hole transport layer / electron block layer / light emitting layer / hole block layer / electron transport layer / cathode In the organic EL device of the present invention, blue light emission The light emission maximum wavelength of the layer is preferably in the range of 430 nm to 480 nm, the green light emission layer is preferably a monochromatic light emitting layer having a light emission maximum wavelength in the range of 510 nm to 550 nm, and the red light emission layer is in the range of the light emission maximum wavelength of 600 nm to 640 nm. This is a display device using these. It is preferred. Alternatively, a white light emitting layer may be formed by laminating at least three light emitting layers. Further, a non-light emitting intermediate layer may be provided between the light emitting layers. The organic EL element of the present invention is preferably a white light emitting layer, and is preferably a lighting device using these.

本発明の有機ＥＬ素子を構成する各層について説明する。   Each layer which comprises the organic EL element of this invention is demonstrated.

《発光層》
本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。<Light emitting layer>
The light emitting layer according to the present invention is a layer that emits light by recombination of electrons and holes injected from the electrode, the electron transport layer, or the hole transport layer, and the light emitting portion is in the layer of the light emitting layer. May be the interface between the light emitting layer and the adjacent layer.

発光層の膜厚の総和は特に制限はないが、膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、かつ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、２ｎｍ〜５μｍの範囲に調整することが好ましく、更に好ましくは２ｎｍ〜２００ｎｍの範囲に調整され、特に好ましくは、１０ｎｍ〜２０ｎｍの範囲である。   The total film thickness of the light emitting layer is not particularly limited, but from the viewpoint of improving the uniformity of the film, preventing unnecessary application of high voltage during light emission, and improving the stability of the emission color with respect to the drive current. It is preferable to adjust in the range of 2 nm to 5 μm, more preferably in the range of 2 nm to 200 nm, and particularly preferably in the range of 10 nm to 20 nm.

発光層の作製には、後述する発光ドーパントやホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等の公知の薄膜化法により成膜して形成することができる。   For the production of the light-emitting layer, a light-emitting dopant or a host compound, which will be described later, is formed by a known thinning method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an LB method, or an ink-jet method. it can.

本発明の有機ＥＬ素子の発光層には、発光ホスト化合物と、発光ドーパント（リン光ドーパント（リン光発光性ドーパントともいう）や蛍光ドーパント等）の少なくとも１種類とを含有することが好ましい。   The light emitting layer of the organic EL device of the present invention preferably contains a light emitting host compound and at least one kind of light emitting dopant (such as a phosphorescent dopant (also referred to as a phosphorescent dopant) or a fluorescent dopant).

（ホスト化合物（発光ホスト等ともいう））
本発明に用いられるホスト化合物について説明する。(Host compound (also called luminescent host))
The host compound used in the present invention will be described.

ここで、本発明においてホスト化合物とは、発光層に含有される化合物の内でその層中での質量比が２０％以上であり、且つ室温（２５℃）においてリン光発光のリン光量子収率が、０．１未満の化合物と定義される。好ましくはリン光量子収率が０．０１未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での質量比が２０％以上であることが好ましい。   Here, the host compound in the present invention is a phosphorescent quantum yield of phosphorescence emission at a room temperature (25 ° C.) having a mass ratio of 20% or more in the compound contained in the light emitting layer. Is defined as a compound of less than 0.1. The phosphorescence quantum yield is preferably less than 0.01. Moreover, it is preferable that the mass ratio in the layer is 20% or more among the compounds contained in a light emitting layer.

ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、または複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子を高効率化することができる。また、後述する発光ドーパントを複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。   As the host compound, known host compounds may be used alone or in combination of two or more. By using a plurality of types of host compounds, it is possible to adjust the movement of charges, and the organic EL element can be made highly efficient. Moreover, it becomes possible to mix different light emission by using multiple types of light emission dopants mentioned later, and, thereby, arbitrary luminescent colors can be obtained.

また、本発明に用いられる発光ホストとしては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（蒸着重合性発光ホスト）でもよく、前記材料Ｃのような化合物を１種または複数種用いても良い。   The light emitting host used in the present invention may be a conventionally known low molecular compound or a high molecular compound having a repeating unit, and a low molecular compound having a polymerizable group such as a vinyl group or an epoxy group (deposition polymerization property). A light emitting host), or one or more compounds such as the material C may be used.

以下に、本発明に好ましく用いられるホスト化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。   Although the specific example of the host compound preferably used for this invention below is shown, this invention is not limited to these.

併用してもよい公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ発光の長波長化を防ぎ、なお且つ高Ｔｇ（ガラス転移温度）である化合物が好ましい。   As a known host compound that may be used in combination, a compound that has a hole transporting ability and an electron transporting ability, prevents the emission of light from being increased in wavelength, and has a high Tg (glass transition temperature) is preferable.

公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。   Specific examples of known host compounds include compounds described in the following documents.

特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等。   JP-A-2001-257076, 2002-308855, 2001-313179, 2002-319491, 2001-357777, 2002-334786, 2002-8860, 2002-334787, 2002-15871, 2002-334788, 2002-43056, 2002-334789, 2002-75645, 2002-338579, 2002-105445 gazette, 2002-343568 gazette, 2002-141173 gazette, 2002-352957 gazette, 2002-203683 gazette, 2002-363227 gazette, 2002-231453 gazette, No. 003-3165, No. 2002-234888, No. 2003-27048, No. 2002-255934, No. 2002-286061, No. 2002-280183, No. 2002-299060, No. 2002. -302516, 2002-305083, 2002-305084, 2002-308837, and the like.

（発光ドーパント）
本発明に係る発光ドーパントについて説明する。(Luminescent dopant)
The luminescent dopant according to the present invention will be described.

本発明に係る発光ドーパントとしては、蛍光ドーパント（蛍光性化合物ともいう）、リン光ドーパント（リン光発光体、リン光性化合物、リン光発光性化合物等ともいう）を用いることができるが、より発光効率の高い有機ＥＬ素子を得る観点からは、本発明の有機ＥＬ素子の発光層や発光ユニットに使用される発光ドーパント（単に、発光材料ということもある）としては、上記のホスト化合物を含有すると同時に、リン光ドーパントを含有することが好ましい。   As the light-emitting dopant according to the present invention, a fluorescent dopant (also referred to as a fluorescent compound) or a phosphorescent dopant (also referred to as a phosphorescent emitter, a phosphorescent compound, a phosphorescent compound, or the like) can be used. From the viewpoint of obtaining an organic EL device with high luminous efficiency, the light emitting dopant used in the light emitting layer or the light emitting unit of the organic EL device of the present invention (sometimes simply referred to as a light emitting material) contains the above host compound. At the same time, it is preferable to contain a phosphorescent dopant.

尚、本発明に係る前記一般式（１）〜（４）のいずれかで表される部分構造、一般式（５）〜（８）のいずれかで表される部分構造、一般式（９）〜（１２）のいずれかで表される部分構造、または、一般式（１３）〜（１６）のいずれかで表される部分構造を含む（有するともいう）化合物（金属錯体、金属錯体化合物ともいう）は、本発明の有機ＥＬ素子の構成層において、特に発光層で用いられることが好ましく、該発光層においては、発光ドーパントとして用いられることが好ましく、更に好ましくは、リン光ドーパントとして用いられることである。   The partial structure represented by any one of the general formulas (1) to (4), the partial structure represented by any one of the general formulas (5) to (8), and the general formula (9) according to the present invention. To (12) or a partial structure represented by any one of the general formulas (13) to (16) (also referred to as having) a compound (metal complex, metal complex compound) Is also preferably used in the light emitting layer in the constituent layers of the organic EL device of the present invention, and is preferably used as a light emitting dopant in the light emitting layer, more preferably used as a phosphorescent dopant. Is to be.

（リン光ドーパント）
本発明に係るリン光ドーパントについて説明する。(Phosphorescent dopant)
The phosphorescent dopant according to the present invention will be described.

本発明に係るリン光ドーパントは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には、室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は０．１以上である。   The phosphorescent dopant according to the present invention is a compound in which light emission from an excited triplet is observed. Specifically, the phosphorescent dopant is a compound that emits phosphorescence at room temperature (25 ° C.) and has a phosphorescence quantum yield of 25. Although it is defined as a compound of 0.01 or more at ° C., a preferable phosphorescence quantum yield is 0.1 or more.

上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光ＩＩの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に係るリン光ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率（０．０１以上）が達成されればよい。   The phosphorescence quantum yield can be measured by the method described in Spectroscopic II, page 398 (1992 edition, Maruzen) of Experimental Chemistry Course 4 of the 4th edition. Although the phosphorescence quantum yield in a solution can be measured using various solvents, the phosphorescence dopant according to the present invention achieves the phosphorescence quantum yield (0.01 or more) in any solvent. That's fine.

リン光ドーパントの発光は原理としては２種挙げられ、ひとつはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光ドーパントに移動させることでリン光ドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型、もうひとつはリン光ドーパントがキャリアトラップとなり、リン光ドーパント上でキャリアの再結合が起こりリン光ドーパントからの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、リン光ドーパントの励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。   There are two types of light emission of the phosphorescent dopant in principle. One is the recombination of the carrier on the host compound to which the carrier is transported to generate an excited state of the host compound, and this energy is transferred to the phosphorescent dopant. Energy transfer type to obtain light emission from phosphorescent dopant, and another one is carrier trap type that phosphorescent dopant becomes carrier trap, carrier recombination occurs on phosphorescent dopant and light emission from phosphorescent dopant is obtained However, in any case, it is a condition that the excited state energy of the phosphorescent dopant is lower than the excited state energy of the host compound.

リン光ドーパントは、有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。   The phosphorescent dopant can be appropriately selected from known materials used for the light emitting layer of the organic EL device.

リン光ドーパントは、好ましくは元素の周期表で８〜１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。   The phosphorescent dopant is preferably a complex compound containing a group 8-10 metal in the periodic table of elements, more preferably an iridium compound, an osmium compound, a platinum compound (platinum complex compound), or a rare earth complex. Of these, iridium compounds are most preferred.

また、本発明に係る前記一般式（１）〜（４）のいずれかで表される部分構造、一般式（５）〜（８）のいずれかで表される部分構造、一般式（９）〜（１２）のいずれかで表される部分構造、または、一般式（１３）〜（１６）のいずれかで表される部分構造を含む金属錯体と併用することができる化合物としては、以下の特許公報に記載されている化合物が挙げられる。   The partial structure represented by any one of the general formulas (1) to (4), the partial structure represented by any one of the general formulas (5) to (8), and the general formula (9) according to the present invention. As a compound that can be used in combination with a partial structure represented by any one of (12) or a metal complex containing a partial structure represented by any of the general formulas (13) to (16), The compound described in the patent gazette is mentioned.

国際公開第００／７０６５５号パンフレット、特開２００２−２８０１７８号公報、特開２００１−１８１６１６号公報、特開２００２−２８０１７９号公報、特開２００１−１８１６１７号公報、特開２００２−２８０１８０号公報、特開２００１−２４７８５９号公報、特開２００２−２９９０６０号公報、特開２００１−３１３１７８号公報、特開２００２−３０２６７１号公報、特開２００１−３４５１８３号公報、特開２００２−３２４６７９号公報、国際公開第０２／１５６４５号パンフレット、特開２００２−３３２２９１号公報、特開２００２−５０４８４号公報、特開２００２−３３２２９２号公報、特開２００２−８３６８４号公報、特表２００２−５４０５７２号公報、特開２００２−１１７９７８号公報、特開２００２−３３８５８８号公報、特開２００２−１７０６８４号公報、特開２００２−３５２９６０号公報、国際公開第０１／９３６４２号パンフレット、特開２００２−５０４８３号公報、特開２００２−１００４７６号公報、特開２００２−１７３６７４号公報、特開２００２−３５９０８２号公報、特開２００２−１７５８８４号公報、特開２００２−３６３５５２号公報、特開２００２−１８４５８２号公報、特開２００３−７４６９号公報、特表２００２−５２５８０８号公報、特開２００３−７４７１号公報、特表２００２−５２５８３３号公報、特開２００３−３１３６６号公報、特開２００２−２２６４９５号公報、特開２００２−２３４８９４号公報、特開２００２−２３５０７６号公報、特開２００２−２４１７５１号公報、特開２００１−３１９７７９号公報、特開２００１−３１９７８０号公報、特開２００２−６２８２４号公報、特開２００２−１００４７４号公報、特開２００２−２０３６７９号公報、特開２００２−３４３５７２号公報、特開２００２−２０３６７８号公報等。   WO 00/70655 pamphlet, JP 2002-280178, JP 2001-181616, JP 2002-280179, JP 2001-181617, JP 2002-280180, JP 2001-247859, JP 2002-299060, JP 2001-313178, JP 2002-302671, JP 2001-345183, JP 2002-324679, International Publication No. 02/15645 pamphlet, JP 2002-332291 A, JP 2002-50484 A, JP 2002-332292 A, JP 2002-83684 A, JP 2002-540572 A, JP 2002-2002 A. No. 117978, JP 20 JP-A-2-338588, JP-A-2002-170684, JP-A-2002-352960, WO01 / 93642, JP-A-2002-50483, JP-A-2002-1000047, JP-A-2002. No. -173744, JP-A No. 2002-359082, JP-A No. 2002-17584, JP-A No. 2002-363552, JP-A No. 2002-184582, JP-A No. 2003-7469, JP-T-2002-525808. Gazette, JP2003-7471, JP2002-525833, JP2003-31366, JP2002-226495, JP2002-234894, JP2002-2335076 JP 2002-241751 A JP 2001-319779, JP 2001-319780, JP 2002-62824, JP 2002-1000047, JP 2002-203679, JP 2002-343572, JP 2002-203678 gazette etc.

以下に、具体例の一部を示す。   Some specific examples are shown below.

（蛍光ドーパント（蛍光性化合物ともいう））
蛍光ドーパント（蛍光性化合物）としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、または希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。(Fluorescent dopant (also called fluorescent compound))
Fluorescent dopants (fluorescent compounds) include coumarin dyes, pyran dyes, cyanine dyes, croconium dyes, squalium dyes, oxobenzanthracene dyes, fluorescein dyes, rhodamine dyes, pyrylium dyes, perylene dyes Examples thereof include dyes, stilbene dyes, polythiophene dyes, and rare earth complex phosphors.

次に、本発明の有機ＥＬ素子の構成層として用いられる電荷輸送層、すなわち、注入層、阻止層、電子輸送層等について説明する。   Next, a charge transport layer used as a constituent layer of the organic EL device of the present invention, that is, an injection layer, a blocking layer, an electron transport layer, and the like will be described.

《注入層：電子注入層、正孔注入層》
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。<< Injection layer: electron injection layer, hole injection layer >>
The injection layer is provided as necessary, and there are an electron injection layer and a hole injection layer, and as described above, it exists between the anode and the light emitting layer or the hole transport layer and between the cathode and the light emitting layer or the electron transport layer. May be.

注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されており、正孔注入層（陽極バッファー層）と電子注入層（陰極バッファー層）とがある。   An injection layer is a layer provided between an electrode and an organic layer in order to reduce drive voltage and improve light emission luminance. “Organic EL element and its forefront of industrialization (issued by NTT Corporation on November 30, 1998) 2), Chapter 2, “Electrode Materials” (pages 123 to 166) in detail, and includes a hole injection layer (anode buffer layer) and an electron injection layer (cathode buffer layer).

陽極バッファー層（正孔注入層）は、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。   The details of the anode buffer layer (hole injection layer) are described in JP-A-9-45479, JP-A-9-260062, JP-A-8-288069 and the like. As a specific example, copper phthalocyanine is used. Examples thereof include a phthalocyanine buffer layer represented by an oxide, an oxide buffer layer represented by vanadium oxide, an amorphous carbon buffer layer, and a polymer buffer layer using a conductive polymer such as polyaniline (emeraldine) or polythiophene.

陰極バッファー層（電子注入層）は、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は０．１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましい。   The details of the cathode buffer layer (electron injection layer) are described in JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586, and the like. Specifically, strontium, aluminum, etc. Metal buffer layer typified by lithium, alkali metal compound buffer layer typified by lithium fluoride, alkaline earth metal compound buffer layer typified by magnesium fluoride, oxide buffer layer typified by aluminum oxide, etc. . The buffer layer (injection layer) is preferably a very thin film, and the film thickness is preferably in the range of 0.1 nm to 5 μm although it depends on the material.

《阻止層：正孔阻止層、電子阻止層》
阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平１１−２０４２５８号公報、同１１−２０４３５９号公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層がある。<Blocking layer: hole blocking layer, electron blocking layer>
The blocking layer is provided as necessary in addition to the basic constituent layer of the organic compound thin film as described above. For example, it is described in JP-A Nos. 11-204258, 11-204359, and “Organic EL elements and their forefront of industrialization” (issued by NTT, Inc. on November 30, 1998). There is a hole blocking (hole blocking) layer.

正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。   The hole blocking layer has a function of an electron transport layer in a broad sense, and is made of a hole blocking material that has a function of transporting electrons and has a remarkably small ability to transport holes. The probability of recombination of electrons and holes can be improved by blocking.

また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係わる正孔阻止層として用いることができる。   Moreover, the structure of the electron carrying layer mentioned later can be used as a hole-blocking layer concerning this invention as needed.

本発明の有機ＥＬ素子の正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。   The hole blocking layer of the organic EL device of the present invention is preferably provided adjacent to the light emitting layer.

正孔阻止層には、前述のホスト化合物として挙げたカルバゾール誘導体、カルボリン誘導体、ジアザカルバゾール誘導体（カルボリン誘導体のカルボリン環を構成する炭素原子のひとつが窒素原子で置き換わったものを示す。）を含有することが好ましい。   The hole blocking layer contains the carbazole derivative, carboline derivative, diazacarbazole derivative (one in which one of the carbon atoms constituting the carboline ring of the carboline derivative is replaced with a nitrogen atom) mentioned as the host compound. It is preferable to do.

また、本発明においては、複数の発光色の異なる複数の発光層を有する場合、その発光極大波長が最も短波にある発光層が、全発光層中、最も陽極に近いことが好ましいが、このような場合、該最短波層と該層の次に陽極に近い発光層との間に正孔阻止層を追加して設けることが好ましい。更には、該位置に設けられる正孔阻止層に含有される化合物の５０質量％以上が、前記最短波発光層のホスト化合物に対しそのイオン化ポテンシャルが０．３ｅＶ以上大きいことが好ましい。   In the present invention, when a plurality of light emitting layers having different light emission colors are provided, the light emitting layer having the shortest wavelength of light emission is preferably closest to the anode among all the light emitting layers. In this case, it is preferable to additionally provide a hole blocking layer between the shortest wave layer and the light emitting layer next to the anode next to the anode. Furthermore, it is preferable that 50% by mass or more of the compound contained in the hole blocking layer provided at the position has an ionization potential of 0.3 eV or more larger than the host compound of the shortest wave emitting layer.

イオン化ポテンシャルは化合物のＨＯＭＯ（最高被占分子軌道）レベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義され、例えば下記に示すような方法により求めることができる。   The ionization potential is defined by the energy required to emit an electron at the HOMO (highest occupied molecular orbital) level of the compound to the vacuum level, and can be obtained by the following method, for example.

（１）米国Ｇａｕｓｓｉａｎ社製の分子軌道計算用ソフトウェアであるＧａｕｓｓｉａｎ９８（Ｇａｕｓｓｉａｎ９８、Ｒｅｖｉｓｉｏｎ Ａ．１１．４，Ｍ．Ｊ．Ｆｒｉｓｃｈ，ｅｔ ａｌ，Ｇａｕｓｓｉａｎ，Ｉｎｃ．，Ｐｉｔｔｓｂｕｒｇｈ ＰＡ，２００２．）を用い、キーワードとしてＢ３ＬＹＰ／６−３１Ｇ＊を用いて構造最適化を行うことにより算出した値（ｅＶ単位換算値）の小数点第２位を四捨五入した値としてイオン化ポテンシャルを求めることができる。この計算値が有効な背景には、この手法で求めた計算値と実験値の相関が高いためである。   (1) Using Gaussian 98 (Gaussian 98, Revision A.11.4, MJ Frisch, et al, Gaussian, Inc., Pittsburgh PA, 2002.), a molecular orbital calculation software manufactured by Gaussian, USA The ionization potential can be obtained as a value obtained by rounding off the second decimal place of the value (eV unit converted value) calculated by performing structural optimization using B3LYP / 6-31G *. This calculation value is effective because the correlation between the calculation value obtained by this method and the experimental value is high.

（２）イオン化ポテンシャルは光電子分光法で直接測定する方法により求めることもできる。例えば、理研計器社製の低エネルギー電子分光装置「Ｍｏｄｅｌ ＡＣ−１」を用いて、あるいは紫外光電子分光として知られている方法を好適に用いることができる。   (2) The ionization potential can also be obtained by a method of directly measuring by photoelectron spectroscopy. For example, a method known as ultraviolet photoelectron spectroscopy can be suitably used by using a low energy electron spectrometer “Model AC-1” manufactured by Riken Keiki Co., Ltd.

尚、本発明に係る前記一般式（１）〜（４）のいずれかで表される部分構造、一般式（５）〜（８）のいずれかで表される部分構造、一般式（９）〜（１２）のいずれかで表される部分構造、または、一般式（１３）〜（１６）のいずれかで表される部分構造を有する化合物を正孔阻止層に含有することも可能である。   The partial structure represented by any one of the general formulas (1) to (4), the partial structure represented by any one of the general formulas (5) to (8), and the general formula (9) according to the present invention. To (12) or a compound having a partial structure represented by any one of the general formulas (13) to (16) may be contained in the hole blocking layer. .

一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。   On the other hand, the electron blocking layer has a function of a hole transport layer in a broad sense, and is made of a material that has a function of transporting holes and has an extremely small ability to transport electrons, and transports electrons while transporting holes. By blocking, the recombination probability of electrons and holes can be improved.

また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層、電子輸送層の膜厚としては、好ましくは３ｎｍ〜１００ｎｍであり、更に好ましくは５ｎｍ〜３０ｎｍである。   Moreover, the structure of the positive hole transport layer mentioned later can be used as an electron blocking layer as needed. The film thickness of the hole blocking layer and the electron transport layer according to the present invention is preferably 3 nm to 100 nm, and more preferably 5 nm to 30 nm.

なお、本発明に係る前記一般式（１）〜（４）のいずれかで表される部分構造、一般式（５）〜（８）のいずれかで表される部分構造、一般式（９）〜（１２）のいずれかで表される部分構造、または、一般式（１３）〜（１６）のいずれかで表される部分構造を有する化合物を電子阻止層に含有することも可能である。   The partial structure represented by any one of the general formulas (1) to (4), the partial structure represented by any one of the general formulas (5) to (8), and the general formula (9) according to the present invention. It is also possible to contain in the electron blocking layer a compound having a partial structure represented by any one of (12) or a partial structure represented by any one of the general formulas (13) to (16).

《正孔輸送層》
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。《Hole transport layer》
The hole transport layer is made of a hole transport material having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer. The hole transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.

正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。   The hole transport material has any one of hole injection or transport and electron barrier properties, and may be either organic or inorganic. For example, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, Examples thereof include stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers, and conductive polymer oligomers, particularly thiophene oligomers.

正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。   The above-mentioned materials can be used as the hole transport material, but it is preferable to use a porphyrin compound, an aromatic tertiary amine compound and a styrylamine compound, particularly an aromatic tertiary amine compound.

芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾール、更には米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。   Representative examples of aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds include N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminophenyl; N, N'-diphenyl-N, N'- Bis (3-methylphenyl)-[1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine (TPD); 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane; 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane; N, N, N ′, N′-tetra-p-tolyl-4,4′-diaminobiphenyl; 1,1-bis (4-di-p-tolyl) Aminophenyl) -4-phenylcyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane; bis (4-di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane; N, N'-diphenyl-N, N ' − (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl; N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether; 4,4'-bis (diphenylamino) quadriphenyl; N, N, N-tri (p-tolyl) amine; 4- (di-p-tolylamino) -4 '-[4- (di-p-tolylamino) styryl] stilbene; 4-N, N-diphenylamino- (2-diphenylvinyl) benzene; 3-methoxy-4′-N, N-diphenylaminostilbenzene; N-phenylcarbazole, and also two of those described in US Pat. No. 5,061,569. Having a condensed aromatic ring in the molecule, for example, 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPD), JP-A-4-3086 4,4 ', 4 "-tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine in which three triphenylamine units described in Japanese Patent No. 8 are linked in a starburst type ( MTDATA) and the like.

更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。   Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used. In addition, inorganic compounds such as p-type-Si and p-type-SiC can also be used as the hole injection material and the hole transport material.

また、特開平１１−２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ ｅｔ．ａｌ．著文献（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ８０（２００２），ｐ．１３９）に記載されているような、所謂ｐ型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることからこれらの材料を用いることが好ましい。   JP-A-11-251067, J. Org. Huang et. al. A so-called p-type hole transport material as described in a book (Applied Physics Letters 80 (2002), p. 139) can also be used. In the present invention, these materials are preferably used because a light-emitting element with higher efficiency can be obtained.

正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。この正孔輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。   The hole transport layer can be formed by thinning the hole transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, or an LB method. it can. Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of a positive hole transport layer, Usually, 5 nm-about 5 micrometers, Preferably it is 5 nm-200 nm. The hole transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.

また、不純物をドープしたｐ性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報の各公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。   Alternatively, a hole transport layer having a high p property doped with impurities can be used. Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-2000-196140, JP-A-2001-102175, J. Pat. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like.

本発明においては、このようなｐ性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。   In the present invention, it is preferable to use a hole transport layer having such a high p property because a device with lower power consumption can be produced.

《電子輸送層》
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。《Electron transport layer》
The electron transport layer is made of a material having a function of transporting electrons. In a broad sense, an electron injection layer and a hole blocking layer are also included in the electron transport layer. The electron transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.

従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。   Conventionally, in the case of a single electron transport layer and a plurality of layers, an electron transport material (also serving as a hole blocking material) used for an electron transport layer adjacent to the light emitting layer on the cathode side is injected from the cathode. As long as it has a function of transferring electrons to the light-emitting layer, any material can be selected and used from among conventionally known compounds. For example, nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives Thiopyrandioxide derivatives, carbodiimides, fluorenylidenemethane derivatives, anthraquinodimethane and anthrone derivatives, oxadiazole derivatives and the like.

更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。   Furthermore, in the above oxadiazole derivative, a thiadiazole derivative in which the oxygen atom of the oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom, and a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron withdrawing group can also be used as an electron transport material. Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.

また、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、ＧａまたはＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。   In addition, metal complexes of 8-quinolinol derivatives such as tris (8-quinolinol) aluminum (Alq), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo-8-quinolinol) aluminum Tris (2-methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (Znq), and the like, and the central metals of these metal complexes are In, Mg, Metal complexes replaced with Cu, Ca, Sn, Ga or Pb can also be used as the electron transport material.

その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。   In addition, metal-free or metal phthalocyanine, or those having terminal ends substituted with an alkyl group or a sulfonic acid group can be preferably used as the electron transporting material. In addition, the distyrylpyrazine derivative exemplified as the material of the light emitting layer can also be used as an electron transport material, and an inorganic semiconductor such as n-type-Si, n-type-SiC, etc. as in the case of the hole injection layer and the hole transport layer. Can also be used as an electron transporting material.

電子輸送層は上記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。電子輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。   The electron transport layer can be formed by thinning the electron transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, or an LB method. Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of an electron carrying layer, Usually, 5 nm-about 5 micrometers, Preferably it is 5 nm-200 nm. The electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.

また、不純物をドープしたｎ性の高い電子輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、同１０−２７０１７２号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。   Further, an electron transport layer having a high n property doped with impurities can also be used. Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-10-270172, JP-A-2000-196140, 2001-102175, J.A. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like.

本発明においては、このようなｎ性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。   In the present invention, it is preferable to use an electron transport layer having such a high n property because an element with lower power consumption can be manufactured.

《陽極》
有機ＥＬ素子における陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。"anode"
As the anode in the organic EL element, an electrode material made of a metal, an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof having a high work function (4 eV or more) is preferably used. Specific examples of such electrode materials include metals such as Au, and conductive transparent materials such as CuI, indium tin oxide (ITO), SnO 2 , and ZnO.

また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。Alternatively, an amorphous material such as IDIXO (In 2 O 3 —ZnO) capable of forming a transparent conductive film may be used. For the anode, these electrode materials may be formed into a thin film by a method such as vapor deposition or sputtering, and a pattern having a desired shape may be formed by a photolithography method, or when pattern accuracy is not so high (about 100 μm or more) A pattern may be formed through a mask having a desired shape at the time of vapor deposition or sputtering of the electrode material.

あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１０００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。   Or when using the substance which can be apply | coated like an organic electroconductivity compound, wet film-forming methods, such as a printing system and a coating system, can also be used. When light emission is extracted from the anode, it is desirable that the transmittance be greater than 10%, and the sheet resistance as the anode is preferably several hundred Ω / □ or less. Further, although the film thickness depends on the material, it is usually selected in the range of 10 nm to 1000 nm, preferably 10 nm to 200 nm.

《陰極》
一方、陰極としては仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。"cathode"
On the other hand, as the cathode, a material having a low work function (4 eV or less) metal (referred to as an electron injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof as an electrode material is used. Specific examples of such electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) Mixtures, indium, lithium / aluminum mixtures, rare earth metals and the like. Among these, from the point of durability against electron injection and oxidation, etc., a mixture of an electron injecting metal and a second metal which is a stable metal having a larger work function than this, for example, a magnesium / silver mixture, Magnesium / aluminum mixtures, magnesium / indium mixtures, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixtures, lithium / aluminum mixtures, aluminum and the like are preferred.

陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。尚、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極または陰極のいずれか一方が透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。   The cathode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering. The sheet resistance as a cathode is preferably several hundred Ω / □ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 5 μm, preferably 50 nm to 200 nm. In order to transmit the emitted light, if either one of the anode or the cathode of the organic EL element is transparent or translucent, the light emission luminance is improved, which is convenient.

また、陰極に上記金属を１ｎｍ〜２０ｎｍの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。   Moreover, after producing the said metal by the film thickness of 1 nm-20 nm to a cathode, the transparent or semi-transparent cathode can be produced by producing the electroconductive transparent material quoted by description of the anode on it, By applying this, an element in which both the anode and the cathode are transmissive can be manufactured.

《支持基板》
本発明の有機ＥＬ素子に用いることのできる支持基板（以下、基体、基板、基材、支持体等とも言う）としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板は、有機ＥＬ素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。《Support substrate》
As a support substrate (hereinafter also referred to as a substrate, substrate, substrate, support, etc.) that can be used in the organic EL device of the present invention, there is no particular limitation on the type of glass, plastic, etc., and it is transparent. May be opaque. When extracting light from the support substrate side, the support substrate is preferably transparent. Examples of the transparent support substrate preferably used include glass, quartz, and a transparent resin film. A particularly preferable support substrate is a resin film capable of giving flexibility to the organic EL element.

樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート（ＴＡＣ）、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）あるいはアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。   Examples of the resin film include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate, cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate (CAP), Cellulose esters such as cellulose acetate phthalate (TAC) and cellulose nitrate or derivatives thereof, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, polyether ketone, polyimide , Polyethersulfone (PES), polyphenylene sulfide, polysulfones Cycloolefin resins such as polyetherimide, polyetherketoneimide, polyamide, fluororesin, nylon, polymethylmethacrylate, acrylic or polyarylate, Arton (trade name, manufactured by JSR) or Appel (trade name, manufactured by Mitsui Chemicals) Can be mentioned.

樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、ＪＩＳ Ｋ ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が０．０１ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には、ＪＩＳ Ｋ ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が、１０−３ｍｌ／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、水蒸気透過度が、１０−５ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。On the surface of the resin film, an inorganic film, an organic film, or a hybrid film of both may be formed. Water vapor permeability (25 ± 0.5 ° C.) measured by a method according to JIS K 7129-1992. , Relative humidity (90 ± 2)% RH) is preferably 0.01 g / (m 2 · 24 h) or less, and further, oxygen measured by a method according to JIS K 7126-1987. A high barrier film having a permeability of 10 −3 ml / (m 2 · 24 h · atm) or less and a water vapor permeability of 10 −5 g / (m 2 · 24 h) or less is preferable.

バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。   As a material for forming the barrier film, any material may be used as long as it has a function of suppressing entry of elements that cause deterioration of elements such as moisture and oxygen. For example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like can be used. Further, in order to improve the brittleness of the film, it is more preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and organic material layers. Although there is no restriction | limiting in particular about the lamination | stacking order of an inorganic layer and an organic layer, It is preferable to laminate | stack both alternately several times.

バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができるが、特開２００４−６８１４３号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。   The method for forming the barrier film is not particularly limited. For example, the vacuum deposition method, sputtering method, reactive sputtering method, molecular beam epitaxy method, cluster ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method, atmospheric pressure plasma weight A combination method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, and the like can be used, but an atmospheric pressure plasma polymerization method as described in JP-A-2004-68143 is particularly preferable.

不透明な支持基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。   Examples of the opaque support substrate include metal plates such as aluminum and stainless steel, films, opaque resin substrates, and ceramic substrates.

本発明の有機ＥＬ素子の発光の室温における外部取り出し効率は、１％以上であることが好ましく、より好ましくは５％以上である。   The external extraction efficiency at room temperature of light emission of the organic EL device of the present invention is preferably 1% or more, more preferably 5% or more.

ここに、外部取り出し量子効率（％）＝有機ＥＬ素子外部に発光した光子数／有機ＥＬ素子に流した電子数×１００である。   Here, the external extraction quantum efficiency (%) = the number of photons emitted to the outside of the organic EL element / the number of electrons sent to the organic EL element × 100.

また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機ＥＬ素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、有機ＥＬ素子の発光のλｍａｘは４８０ｎｍ以下が好ましい。   In addition, a hue improvement filter such as a color filter may be used in combination, or a color conversion filter that converts the emission color from the organic EL element into multiple colors using a phosphor. In the case of using a color conversion filter, the λmax of light emission of the organic EL element is preferably 480 nm or less.

《封止》
本発明に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。<Sealing>
As a sealing means used for this invention, the method of adhere | attaching a sealing member, an electrode, and a support substrate with an adhesive agent can be mentioned, for example.

封止部材としては、有機ＥＬ素子の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも平板状でもよい。また透明性、電気絶縁性は特に問わない。   As a sealing member, it should just be arrange | positioned so that the display area | region of an organic EL element may be covered, and concave plate shape or flat plate shape may be sufficient. Further, transparency and electrical insulation are not particularly limited.

具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金からなるものが挙げられる。   Specific examples include a glass plate, a polymer plate / film, and a metal plate / film. Examples of the glass plate include soda-lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, and quartz. Examples of the polymer plate include polycarbonate, acrylic, polyethylene terephthalate, polyether sulfide, and polysulfone. Examples of the metal plate include those made of one or more metals or alloys selected from the group consisting of stainless steel, iron, copper, aluminum, magnesium, nickel, zinc, chromium, titanium, molybdenum, silicon, germanium, and tantalum.

本発明においては、素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。   In the present invention, a polymer film and a metal film can be preferably used because the element can be thinned.

更には、ポリマーフィルムは、ＪＩＳ Ｋ ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０−３ｍｌ／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、ＪＩＳ Ｋ ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が、１×１０−３ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下のものであることが好ましい。Furthermore, the polymer film has an oxygen permeability of 1 × 10 −3 ml / (m 2 · 24 h · atm) or less measured by a method according to JIS K 7126-1987, and a method according to JIS K 7129-1992. It is preferable that the water vapor permeability (25 ± 0.5 ° C., relative humidity (90 ± 2)% RH) measured in (1) is 1 × 10 −3 g / (m 2 · 24 h) or less.

封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。   For processing the sealing member into a concave shape, sandblasting, chemical etching, or the like is used.

接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、２−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。   Specific examples of the adhesive include photocuring and thermosetting adhesives having reactive vinyl groups such as acrylic acid oligomers and methacrylic acid oligomers, and moisture curing adhesives such as 2-cyanoacrylates. be able to.

また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型（二液混合）を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。   Moreover, heat | fever and chemical curing types (two-component mixing), such as an epoxy type, can be mentioned. Moreover, hot-melt type polyamide, polyester, and polyolefin can be mentioned. Moreover, a cationic curing type ultraviolet curing epoxy resin adhesive can be mentioned.

なお、有機ＥＬ素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から８０℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。   In addition, since an organic EL element may deteriorate by heat processing, what can be adhesive-hardened from room temperature to 80 degreeC is preferable. A desiccant may be dispersed in the adhesive. Application | coating of the adhesive agent to a sealing part may use commercially available dispenser, and may print like screen printing.

また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に該電極と有機層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。   In addition, it is also preferable that the electrode and the organic layer are coated on the outside of the electrode facing the support substrate with the organic layer interposed therebetween, and an inorganic or organic layer is formed in contact with the support substrate to form a sealing film. . In this case, the material for forming the film may be any material that has a function of suppressing intrusion of elements that cause deterioration of elements such as moisture and oxygen. For example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like may be used. it can.

更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。   Further, in order to improve the brittleness of the film, it is preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and layers made of organic materials.

これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。   The method for forming these films is not particularly limited. For example, vacuum deposition, sputtering, reactive sputtering, molecular beam epitaxy, cluster-ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method, atmospheric pressure plasma A polymerization method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used.

封止部材と有機ＥＬ素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。   In the gap between the sealing member and the display area of the organic EL element, an inert gas such as nitrogen or argon, or an inert liquid such as fluorinated hydrocarbon or silicon oil can be injected in the gas phase and liquid phase. preferable. A vacuum is also possible. Moreover, a hygroscopic compound can also be enclosed inside.

吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等）、硫酸塩（例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等）、金属ハロゲン化物（例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等）、過塩素酸類（例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等）等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。   Examples of the hygroscopic compound include metal oxides (for example, sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, barium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide) and sulfates (for example, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, cobalt sulfate). Etc.), metal halides (eg calcium chloride, magnesium chloride, cesium fluoride, tantalum fluoride, cerium bromide, magnesium bromide, barium iodide, magnesium iodide etc.), perchloric acids (eg perchloric acid) Barium, magnesium perchlorate, and the like), and anhydrous salts are preferably used in sulfates, metal halides, and perchloric acids.

《保護膜、保護板》
有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜、あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けてもよい。特に封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量且つ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。《Protective film, protective plate》
In order to increase the mechanical strength of the element, a protective film or a protective plate may be provided on the outer side of the sealing film on the side facing the support substrate with the organic layer interposed therebetween or on the sealing film. In particular, when the sealing is performed by the sealing film, the mechanical strength is not necessarily high, and thus it is preferable to provide such a protective film and a protective plate. As a material that can be used for this, the same glass plate, polymer plate / film, metal plate / film, and the like used for the sealing can be used, but the polymer film is light and thin. Is preferably used.

《光取り出し》
有機ＥＬ素子は空気よりも屈折率の高い（屈折率が１．７〜２．１程度）層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち１５％から２０％程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面（透明基板と空気との界面）に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として光が素子側面方向に逃げるためである。《Light extraction》
The organic EL element emits light inside a layer having a refractive index higher than that of air (refractive index is about 1.7 to 2.1) and can extract only about 15% to 20% of the light generated in the light emitting layer. It is generally said. This is because light incident on the interface (interface between the transparent substrate and air) at an angle θ greater than the critical angle causes total reflection and cannot be taken out of the device, or between the transparent electrode or light emitting layer and the transparent substrate. This is because the light is totally reflected between the light and the light is guided through the transparent electrode or the light emitting layer, and as a result, the light escapes in the direction of the element side surface.

この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法（米国特許第４，７７４，４３５号明細書）、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法（特開昭６３−３１４７９５号公報）、素子の側面等に反射面を形成する方法（特開平１−２２０３９４号公報）、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法（特開昭６２−１７２６９１号公報）、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法（特開２００１−２０２８２７号公報）、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法（特開平１１−２８３７５１号公報）等がある。   As a method for improving the light extraction efficiency, for example, a method of forming irregularities on the surface of the transparent substrate to prevent total reflection at the interface between the transparent substrate and the air (US Pat. No. 4,774,435), A method of improving efficiency by providing a light collecting property to a substrate (Japanese Patent Laid-Open No. 63-314795), a method of forming a reflective surface on a side surface of an element (Japanese Patent Laid-Open No. 1-220394), and light emission from a substrate A method of forming an antireflection film by introducing a flat layer having an intermediate refractive index between the bodies (Japanese Patent Laid-Open No. 62-172691), a flat having a lower refractive index between the substrate and the light emitter than the substrate A method of introducing a layer (Japanese Patent Laid-Open No. 2001-202827), a method of forming a diffraction grating between any one of a substrate, a transparent electrode layer and a light emitting layer (including between the substrate and the outside) (Japanese Patent Laid-Open No. 11-283951) Gazette).

本発明においては、これらの方法を本発明の有機ＥＬ素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、あるいは基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。   In the present invention, these methods can be used in combination with the organic EL device of the present invention. However, a method of introducing a flat layer having a lower refractive index than the substrate between the substrate and the light emitter, or a substrate, transparent A method of forming a diffraction grating between any layers of the electrode layer and the light emitting layer (including between the substrate and the outside) can be suitably used.

本発明はこれらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度あるいは耐久性に優れた素子を得ることができる。   In the present invention, by combining these means, it is possible to obtain an element having higher luminance or durability.

透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚みで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど外部への取り出し効率が高くなる。   When a medium having a low refractive index is formed between the transparent electrode and the transparent substrate with a thickness longer than the wavelength of light, the light extracted from the transparent electrode has a higher extraction efficiency to the outside as the refractive index of the medium is lower.

低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は一般に１．５〜１．７程度であるので、低屈折率層は屈折率がおよそ１．５以下であることが好ましい。また、更に１．３５以下であることが好ましい。   Examples of the low refractive index layer include aerogel, porous silica, magnesium fluoride, and a fluorine-based polymer. Since the refractive index of the transparent substrate is generally about 1.5 to 1.7, the low refractive index layer preferably has a refractive index of about 1.5 or less. Further, it is preferably 1.35 or less.

また、低屈折率媒質の厚みは媒質中の波長の２倍以上となるのが望ましい。これは低屈折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。   The thickness of the low refractive index medium is preferably at least twice the wavelength in the medium. This is because the effect of the low refractive index layer is diminished when the thickness of the low refractive index medium is about the wavelength of light and the electromagnetic wave that has exuded by evanescent enters the substrate.

全反射を起こす界面もしくはいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。   The method of introducing a diffraction grating into an interface or any medium that causes total reflection is characterized by a high effect of improving light extraction efficiency.

この方法は回折格子が１次の回折や２次の回折といった所謂ブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち層間での全反射等により外に出ることができない光を、いずれかの層間もしくは、媒質中（透明基板内や透明電極内）に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。   This method uses the property that the diffraction grating can change the direction of light to a specific direction different from refraction by so-called Bragg diffraction such as first-order diffraction and second-order diffraction. Light that cannot be emitted due to total internal reflection between layers is diffracted by introducing a diffraction grating in any layer or medium (in a transparent substrate or transparent electrode), and the light is removed. I want to take it out.

導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な１次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。   The introduced diffraction grating desirably has a two-dimensional periodic refractive index. This is because light emitted from the light-emitting layer is randomly generated in all directions, so in a general one-dimensional diffraction grating having a periodic refractive index distribution only in a certain direction, only light traveling in a specific direction is diffracted. Therefore, the light extraction efficiency does not increase so much.

しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。   However, by making the refractive index distribution a two-dimensional distribution, light traveling in all directions is diffracted, and light extraction efficiency is increased.

回折格子を導入する位置としては前述の通り、いずれかの層間もしくは媒質中（透明基板内や透明電極内）でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。   As described above, the position where the diffraction grating is introduced may be in any of the layers or in the medium (in the transparent substrate or in the transparent electrode), but is preferably in the vicinity of the organic light emitting layer where light is generated.

このとき、回折格子の周期は媒質中の光の波長の約１／２〜３倍程度が好ましい。   At this time, the period of the diffraction grating is preferably about 1/2 to 3 times the wavelength of light in the medium.

回折格子の配列は正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、２次元的に配列が繰り返されることが好ましい。   The arrangement of the diffraction grating is preferably two-dimensionally repeated, such as a square lattice, a triangular lattice, or a honeycomb lattice.

《集光シート》
本発明の有機ＥＬ素子は基板の光取り出し側に、例えば、マイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工したり、あるいは所謂集光シートと組み合わせることにより、特定方向、例えば、素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。<Condenser sheet>
The organic EL device of the present invention is processed on the light extraction side of the substrate so as to provide, for example, a microlens array structure, or combined with a so-called condensing sheet, for example, with respect to a specific direction, for example, the device light emitting surface. By condensing in the front direction, the luminance in a specific direction can be increased.

マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が３０μｍでその頂角が９０度となるような四角錐を２次元に配列する。一辺は１０μｍ〜１００μｍが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚みが厚くなり好ましくない。   As an example of the microlens array, quadrangular pyramids having a side of 30 μm and an apex angle of 90 degrees are two-dimensionally arranged on the light extraction side of the substrate. One side is preferably 10 μm to 100 μm. If it becomes smaller than this, the effect of diffraction will generate | occur | produce and color, and if too large, thickness will become thick and is not preferable.

集光シートとしては、例えば、液晶表示装置のＬＥＤバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして、例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム（ＢＥＦ）等を用いることができる。プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角９０度、ピッチ５０μｍの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。   As the condensing sheet, for example, a sheet that is put into practical use in an LED backlight of a liquid crystal display device can be used. As such a sheet, for example, a brightness enhancement film (BEF) manufactured by Sumitomo 3M Limited can be used. As the shape of the prism sheet, for example, the base material may be formed by forming a △ -shaped stripe having a vertex angle of 90 degrees and a pitch of 50 μm, or the vertex angle is rounded and the pitch is changed randomly. Other shapes may be used.

また、発光素子からの光放射角を制御するために、光拡散板・フィルムを集光シートと併用してもよい。例えば、（株）きもと製拡散フィルム（ライトアップ）等を用いることができる。   Moreover, in order to control the light emission angle from a light emitting element, you may use together a light diffusing plate and a film with a condensing sheet. For example, a diffusion film (light-up) manufactured by Kimoto Co., Ltd. can be used.

《有機ＥＬ素子の作製方法》
本発明の有機ＥＬ素子の作製方法の一例として、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極からなる有機ＥＬ素子の作製法を説明する。<< Method for producing organic EL element >>
As an example of the method for producing the organic EL device of the present invention, a method for producing an organic EL device comprising an anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode will be described.

まず適当な基体上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ陽極を作製する。   First, a desired electrode material, for example, a thin film made of an anode material is formed on a suitable substrate so as to have a film thickness of 1 μm or less, preferably 10 nm to 200 nm, to form an anode.

次に、この上に有機ＥＬ素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層等の有機化合物薄膜を形成させる。   Next, organic compound thin films such as a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, and an electron transport layer, which are organic EL element materials, are formed thereon.

これら各層の形成方法としては、前記の如く蒸着法、ウェットプロセス（スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法）等があるが、均質な膜が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、本発明においてはスピンコート法、インクジェット法、印刷法等の塗布法による成膜が好ましい。   As a method for forming each of these layers, there are a vapor deposition method, a wet process (spin coating method, casting method, ink jet method, printing method) and the like as described above, but it is easy to obtain a homogeneous film and it is difficult to generate pinholes. In view of the above, film formation by a coating method such as a spin coating method, an ink jet method, or a printing method is preferable in the present invention.

有機ＥＬ材料を溶解または分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ等の有機溶媒を用いることができる。また分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。   Examples of the liquid medium for dissolving or dispersing the organic EL material include ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone, fatty acid esters such as ethyl acetate, halogenated hydrocarbons such as dichlorobenzene, toluene, xylene, mesitylene, cyclohexylbenzene and the like. Aromatic hydrocarbons, aliphatic hydrocarbons such as cyclohexane, decalin, and dodecane, and organic solvents such as DMF and DMSO can be used. Moreover, as a dispersion method, it can disperse | distribute by dispersion methods, such as an ultrasonic wave, high shear force dispersion | distribution, and media dispersion | distribution.

これらの層を形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは、５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、例えば、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより所望の有機ＥＬ素子が得られる。   After these layers are formed, a thin film made of a cathode material is formed thereon by 1 μm or less, preferably by a method such as vapor deposition or sputtering so that the film thickness is in the range of 50 nm to 200 nm. By providing, a desired organic EL element can be obtained.

また、作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。このようにして得られた多色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には陽極を＋、陰極を−の極性として電圧２Ｖ〜４０Ｖ程度を印加すると発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。尚、印加する交流の波形は任意でよい。   In addition, it is also possible to reverse the production order and produce the cathode, the electron injection layer, the electron transport layer, the light emitting layer, the hole transport layer, the hole injection layer, and the anode in this order. When a DC voltage is applied to the multicolor display device thus obtained, light emission can be observed by applying a voltage of about 2 V to 40 V with the anode as + and the cathode as-. An alternating voltage may be applied. The alternating current waveform to be applied may be arbitrary.

《用途》
本発明の有機ＥＬ素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。発光光源として、例えば、照明装置（家庭用照明、車内照明）、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。<Application>
The organic EL element of the present invention can be used as a display device, a display, and various light emission sources. For example, lighting devices (home lighting, interior lighting), clock and liquid crystal backlights, billboard advertisements, traffic lights, light sources of optical storage media, light sources of electrophotographic copying machines, light sources of optical communication processors, light Although the light source of a sensor etc. are mentioned, It is not limited to this, Especially, it can use effectively for the use as a backlight of a liquid crystal display device, and a light source for illumination.

本発明の有機ＥＬ素子においては、必要に応じ成膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と発光層をパターニングしてもよいし、素子全層をパターニングしてもよく、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。   In the organic EL element of the present invention, patterning may be performed by a metal mask, an ink jet printing method, or the like as needed during film formation. In the case of patterning, only the electrode may be patterned, the electrode and the light emitting layer may be patterned, or the entire layer of the element may be patterned. In the fabrication of the element, a conventionally known method is used. Can do.

本発明の有機ＥＬ素子や本発明に係る化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」（日本色彩学会編、東京大学出版会、１９８５）の１０８頁の図４．１６において、分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング社製）で測定した結果をＣＩＥ色度座標に当てはめたときの色で決定される。   The light emission color of the organic EL device of the present invention and the compound according to the present invention is shown in FIG. 4.16 on page 108 of “New Color Science Handbook” (edited by the Japan Color Society, University of Tokyo Press, 1985). It is determined by the color when the result measured with the total CS-1000 (manufactured by Konica Minolta Sensing) is applied to the CIE chromaticity coordinates.

また、本発明の有機ＥＬ素子が白色素子の場合には、白色とは、２度視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、１０００Ｃｄ／ｍ２でのＣＩＥ１９３１表色系における色度がＸ＝０．３３±０．０７、Ｙ＝０．３３±０．１の領域内にあることを言う。Further, when the organic EL device of the present invention is a white device, white means that the chromaticity in the CIE1931 color system at 1000 Cd / m 2 is X when the 2 ° viewing angle front luminance is measured by the above method. = 0.33 ± 0.07 and Y = 0.33 ± 0.1.

以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。また、以下の実施例において用いられる化合物の構造を下記に示す。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention in detail, this invention is not limited to these. The structures of the compounds used in the following examples are shown below.

実施例１
《有機ＥＬ素子１−１の作製》
陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ成膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ−４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。Example 1
<< Production of Organic EL Element 1-1 >>
After patterning on a substrate (NH-Techno Glass NA-45) formed by depositing 100 nm of ITO (indium tin oxide) on a 100 mm × 100 mm × 1.1 mm glass substrate as an anode, this ITO transparent electrode was provided. The transparent support substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes.

この透明支持基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製、Ｂａｙｔｒｏｎ Ｐ Ａｌ ４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を３０００ｒｐｍ、３０秒でスピンコート法により成膜した後、２００℃にて１時間乾燥し、膜厚３０ｎｍの第１正孔輸送層を設けた。   On this transparent support substrate, a solution obtained by diluting poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS, Bayer, Baytron P Al 4083) to 70% with pure water at 3000 rpm for 30 seconds. Then, the film was formed by spin coating and then dried at 200 ° C. for 1 hour to provide a first hole transport layer having a thickness of 30 nm.

この基板を窒素雰囲気下に移し、第１正孔輸送層上に、５０ｍｇの化合物Ａを１０ｍｌのトルエンに溶解した溶液を１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により成膜した。１８０秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行った後、６０℃で１時間真空乾燥し第２正孔輸送層とした。   This substrate was transferred to a nitrogen atmosphere, and a solution of 50 mg of compound A dissolved in 10 ml of toluene was formed on the first hole transport layer by spin coating at 1000 rpm for 30 seconds. After irradiating with ultraviolet light for 180 seconds to carry out photopolymerization / crosslinking, vacuum drying was performed at 60 ° C. for 1 hour to form a second hole transport layer.

次に、Ｈ−１（６０ｍｇ）、例示化合物（１）（６．０ｍｇ）をトルエン６ｍｌに溶解した溶液を用い、１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により成膜し、発光層を形成した。   Next, using a solution of H-1 (60 mg) and exemplary compound (1) (6.0 mg) dissolved in 6 ml of toluene, a film is formed by spin coating at 1000 rpm for 30 seconds to form a light emitting layer did.

続いて、この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、モリブデン製抵抗加熱ボートにＢＡｌｑを２００ｍｇ入れ、真空蒸着装置に取り付けた。   Subsequently, this substrate was fixed to a substrate holder of a vacuum deposition apparatus, 200 mg of BAlq was put into a molybdenum resistance heating boat, and attached to the vacuum deposition apparatus.

真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、ＢＡｌｑの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で発光層の上に蒸着して、更に膜厚４０ｎｍの電子輸送層を設けた。After depressurizing the vacuum chamber to 4 × 10 −4 Pa, it was heated by energizing the heating boat containing BAlq, deposited on the light emitting layer at a deposition rate of 0.1 nm / second, and further having a film thickness of 40 nm. An electron transport layer was provided.

なお、蒸着時の基板温度は室温であった。   In addition, the substrate temperature at the time of vapor deposition was room temperature.

引き続き、フッ化リチウム０．５ｎｍ及びアルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子１−１を作製した。   Then, 0.5 nm of lithium fluoride and 110 nm of aluminum were vapor-deposited, the cathode was formed, and the organic EL element 1-1 was produced.

作製後の各有機ＥＬ素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚み３００μｍのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを上記陰極上に重ねて前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化させて、封止して、図３、図４に示すような照明装置を形成して評価した。   The non-light-emitting surface of each organic EL element after fabrication is covered with a glass case, a 300 μm thick glass substrate is used as a sealing substrate, and an epoxy photo-curing adhesive (LUX Track LC0629B) is applied, stacked on the cathode and brought into close contact with the transparent support substrate, irradiated with UV light from the glass substrate side, cured and sealed, as shown in FIGS. Such a lighting device was formed and evaluated.

図３は、照明装置の概略図を示し、有機ＥＬ素子１０１は、ガラスカバー１０２で覆われている（尚、ガラスカバーでの封止作業は、有機ＥＬ素子１０１を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス（純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスの雰囲気下）で行った）。   FIG. 3 shows a schematic diagram of the lighting device, in which the organic EL element 101 is covered with a glass cover 102 (note that the sealing operation with the glass cover is performed without bringing the organic EL element 101 into contact with the atmosphere. (It was performed in a glove box under an atmosphere (under an atmosphere of high-purity nitrogen gas having a purity of 99.999% or more)).

図４は、照明装置の断面図を示し、図２において、１０５は陰極、１０６は有機ＥＬ層、１０７は透明電極付きガラス基板を示す。尚、ガラスカバー１０２内には窒素ガス１０８が充填され、捕水剤１０９が設けられている。   4 shows a cross-sectional view of the lighting device. In FIG. 2, 105 denotes a cathode, 106 denotes an organic EL layer, and 107 denotes a glass substrate with a transparent electrode. The glass cover 102 is filled with nitrogen gas 108 and a water catching agent 109 is provided.

《有機ＥＬ素子１−２〜１−４８の作製》
有機ＥＬ素子１−１の作製において、表１に記載のように発光ホスト、発光ドーパント材料を変更した以外は同様にして、有機ＥＬ素子１−２〜１−４８を作製した。<< Production of Organic EL Elements 1-2 to 1-48 >>
In the production of the organic EL element 1-1, the organic EL elements 1-2 to 1-48 were produced in the same manner except that the light emitting host and the light emitting dopant material were changed as shown in Table 1.

《有機ＥＬ素子１−１〜１−４８の評価》
以下のようにして作製した有機ＥＬ素子１−１〜１−４８の評価を行い、その結果を表１に示す。<< Evaluation of Organic EL Elements 1-1 to 1-48 >>
Evaluation of the organic EL devices 1-1 to 1-48 produced as follows was performed, and the results are shown in Table 1.

（外部取りだし量子効率）
作製した有機ＥＬ素子について、２３℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で２．５ｍＡ／ｃｍ２定電流を印加した時の外部取り出し量子効率（％）を測定した。なお測定には同様に分光放射輝度計ＣＳ−１０００（ミノルタ製）を用いた。(External extraction quantum efficiency)
About the produced organic EL element, external extraction quantum efficiency (%) when 2.5 mA / cm 2 constant current was applied in a dry nitrogen gas atmosphere at 23 ° C. was measured. For the measurement, a spectral radiance meter CS-1000 (manufactured by Minolta) was used in the same manner.

表１の外部取りだし量子効率の測定結果は、有機ＥＬ素子１−４３の測定値を１００とした時の相対値で表した。   The measurement results of the external extraction quantum efficiency in Table 1 are expressed as relative values when the measured value of the organic EL element 1-43 is 100.

（寿命）
２．５ｍＡ／ｃｍ２の一定電流で駆動したときに、輝度が発光開始直後の輝度（初期輝度）の半分に低下するのに要した時間を測定し、これを半減寿命時間（τ０．５）として寿命の指標とした。測定には分光放射輝度計ＣＳ−１０００（ミノルタ製）を用いた。(lifespan)
When driving at a constant current of 2.5 mA / cm 2 , the time required for the luminance to drop to half of the luminance immediately after the start of light emission (initial luminance) was measured, and this was calculated as the half-life time (τ 0.5 ) As an index of life. A spectral radiance meter CS-1000 (manufactured by Minolta) was used for the measurement.

（発光色）
有機ＥＬ素子を室温下、２．５ｍＡ／ｃｍ２の定電流条件下による連続点灯を行った際の発光色を目視で評価した。(Luminescent color)
The organic EL device was visually evaluated for the luminescent color when the organic EL device was continuously lit under a constant current condition of 2.5 mA / cm 2 at room temperature.

得られた結果を表１に示す。尚、表１の寿命の測定結果は、有機ＥＬ素子１−４３を１００とした時の相対値で表した。   The obtained results are shown in Table 1. In addition, the measurement result of the lifetime of Table 1 was represented with the relative value when the organic EL element 1-43 is set to 100.

表１から、比較の素子に比べて、本発明の有機ＥＬ素子は、外部取り出し量子効率が高く、且つ、寿命も長いことが明らかである。加えて、本発明の有機ＥＬ素子は、比較の有機ＥＬ素子に比較し２．５ｍＡ／ｃｍ２の一定電流で駆動したときの駆動電圧が概ね１０％程度も低いことがわかった。From Table 1, it is clear that the organic EL device of the present invention has a high external extraction quantum efficiency and a long lifetime as compared with the comparative device. In addition, the organic EL device of the present invention was found to have a driving voltage of about 10% lower when driven at a constant current of 2.5 mA / cm 2 than the comparative organic EL device.

参考例２
《有機ＥＬ素子２−１の作製》：参考例
陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ成膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ−４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。 Reference example 2
<< Preparation of Organic EL Element 2-1 >>: As a reference example, a substrate (NA-45 manufactured by NH Techno Glass Co., Ltd.) having a film of ITO (indium tin oxide) 100 nm formed on a glass substrate of 100 mm × 100 mm × 1.1 mm as an anode After patterning, the transparent support substrate provided with the ITO transparent electrode was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes.

この透明支持基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製、Ｂａｙｔｒｏｎ Ｐ Ａｌ ４０８３）を純水で７０質量％に希釈した溶液を３０００ｒｐｍ、３０秒でスピンコート法により製膜後、２００℃にて１時間乾燥し、膜厚３０ｎｍの正孔注入・輸送層を設けた。   On this transparent support substrate, a solution obtained by diluting poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -polystyrenesulfonate (PEDOT / PSS, Baytron, Baytron P Al 4083) to 70% by mass with pure water at 3000 rpm, 30 After forming a film by spin coating in seconds, the film was dried at 200 ° C. for 1 hour to provide a hole injection / transport layer having a thickness of 30 nm.

この正孔注入・輸送層上に、例示化合物（５９）３０ｍｇをトルエン３ｍｌに溶解した溶液を、１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により製膜し、６０℃で１時間真空乾燥し、膜厚８０ｎｍの発光層とした。   On this hole injection / transport layer, a solution prepared by dissolving 30 mg of the exemplified compound (59) in 3 ml of toluene was formed into a film by spin coating under conditions of 1000 rpm and 30 seconds, and dried in a vacuum at 60 ° C. for 1 hour. A light emitting layer having a thickness of 80 nm was formed.

これを真空蒸着装置に取付け、次いで、真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧し、陰極バッファー層としてカルシウム１０ｎｍ及び陰極としてアルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子２−１を作製した。This is attached to a vacuum deposition apparatus, and then the vacuum chamber is decompressed to 4 × 10 −4 Pa, 10 nm of calcium is deposited as the cathode buffer layer and 110 nm of aluminum is deposited as the cathode to form the cathode, and the organic EL element 2-1 is formed. Produced.

《有機Ｅｌ素子２−２〜２−１７の作製》：参考例
有機ＥＬ素子５−１の作製において、発光層の作製に用いた例示化合物５９を、例示化合物（６０）、Ｐ−２０２、Ｐ−２０４、Ｐ−２０６、Ｐ−２１２、Ｐ−２１３、Ｐ−２２１、Ｐ−２２４、Ｐ−２２７、Ｐ−２３６、Ｐ−３０２、Ｐ−３０３、Ｐ−３０９、Ｐ−３１６、Ｐ−３２６、Ｐ−３２６、Ｐ−３３５に各々変更した以外は全く同様にして、有機ＥＬ素子２−２〜２−１７を各々作製した。 << Preparation of Organic El Elements 2-2 to 2-17 >>: Reference Example In the preparation of the organic EL element 5-1, the exemplified compound 59 used for the production of the light-emitting layer was replaced with the exemplified compound (60), P-202, P -204, P-206, P-212, P-213, P-221, P-224, P-227, P-236, P-302, P-303, P-309, P-316, P-326 Organic EL elements 2-2 to 2-17 were produced in exactly the same manner except that each was changed to P-326 and P-335.

《有機ＥＬ素子２−１８の作製》：比較例
有機ＥＬ素子５−１の作製において、３ｍｌの例示化合物１の溶液を以下［Ａ］に記載する溶液に置き換えた以外は全く同様にして、有機ＥＬ素子２−１８を作製した。<< Preparation of Organic EL Element 2-18 >>: Comparative Example Organic EL element 5-1 was prepared in the same manner as in the preparation of organic EL element 5-1, except that 3 ml of the solution of Exemplary Compound 1 was replaced with the solution described in [A] below. EL element 2-18 was produced.

［Ａ］：ポリビニルカルバゾール３０ｍｇとＩｒ−１３（青発光性オルトメタル化錯体）１．５ｍｇとをトルエン３ｍｌに溶解した溶液
《有機ＥＬ素子２−１〜２−１８の評価》
得られた有機ＥＬ素子２−１〜２−１８を評価するに際しては、作製後の各有機ＥＬ素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚み３００μｍのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを上記陰極上に重ねて前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化させて、封止して、図５、図６に示すような照明装置を形成して評価した。[A]: A solution in which 30 mg of polyvinylcarbazole and 1.5 mg of Ir-13 (blue light-emitting orthometalated complex) are dissolved in 3 ml of toluene << Evaluation of Organic EL Elements 2-1 to 2-18 >>
When evaluating the obtained organic EL elements 2-1 to 2-18, the non-light-emitting surface of each organic EL element after production was covered with a glass case, and a glass substrate having a thickness of 300 μm was used as a sealing substrate. An epoxy-based photo-curing adhesive (Lux Track LC0629B manufactured by Toagosei Co., Ltd.) is applied as a sealing material in the periphery, and this is placed on the cathode to be in close contact with the transparent support substrate and irradiated with UV light from the glass substrate side. Then, it was cured and sealed, and an illumination device as shown in FIGS. 5 and 6 was formed and evaluated.

次いで、下記のようにして外部取り出し量子効率および発光寿命を測定した。   Next, external extraction quantum efficiency and emission lifetime were measured as follows.

《外部取りだし量子効率》
有機ＥＬ素子について、２３℃、乾燥窒素ガス雰囲気下、２．５ｍＡ／ｃｍ２定電流を印加した時の外部取り出し量子効率（％）を測定した。尚、測定には分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタ（株）製）を用いた。《External extraction quantum efficiency》
The organic EL device was measured for external extraction quantum efficiency (%) when a constant current of 2.5 mA / cm 2 was applied at 23 ° C. in a dry nitrogen gas atmosphere. For the measurement, a spectral radiance meter CS-1000 (manufactured by Konica Minolta Co., Ltd.) was used.

《発光寿命》
２３℃、乾燥窒素ガス雰囲気下、２．５ｍＡ／ｃｍ２の一定電流で駆動したときに、輝度が発光開始直後の輝度（初期輝度）の半分に低下するのに要した時間を測定し、これを半減寿命時間（τ１／２）として寿命の指標とした。<Luminescent life>
When driving at a constant current of 2.5 mA / cm 2 in a dry nitrogen gas atmosphere at 23 ° C., the time required for the luminance to drop to half of the luminance immediately after the start of light emission (initial luminance) was measured. It was used as an index of the half-life period (τ 1/2) as a lifetime.

尚、測定には同様に、分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング（株）製）を用いた。   In addition, the spectral radiance meter CS-1000 (Konica Minolta Sensing Co., Ltd. product) was similarly used for the measurement.

有機ＥＬ素子２−１〜２−１８の外部取り出し量子効率、発光寿命の測定結果は、有機ＥＬ素子２−１８を１００とした時の相対評価を行った。   The measurement results of the external extraction quantum efficiency and the light emission lifetime of the organic EL elements 2-1 to 2-18 were evaluated relative to the organic EL element 2-18 as 100.

得られた結果を下記の表２に示す。   The obtained results are shown in Table 2 below.

表２から、参考例の高分子化合物を発光層に用いることで、外部取り出し量子効率が大幅に向上し、消費電力が抑制されることがわかった。また発光寿命も改善されることも併せてわかった。 From Table 2, it was found that by using the polymer compound of Reference Example for the light emitting layer, the external extraction quantum efficiency was significantly improved and the power consumption was suppressed. It was also found that the light emission life was improved.

参考例３
《フルカラー表示装置３−１および３−２の作製》
（青色発光素子の作製）
実施例１の有機ＥＬ素子１−２０を青色発光素子として用いた。 Reference example 3
<< Production of Full Color Display Devices 3-1 and 3-2 >>
(Production of blue light emitting element)
The organic EL device 1-20 of Example 1 was used as a blue light emitting device.

（緑色発光素子の作製）
実施例１の有機ＥＬ素子１−１において、（１）をＩｒ−１に変更した以外は同様にして、緑色発光素子を作製し、これを緑色発光素子として用いた。(Production of green light emitting element)
In the organic EL element 1-1 of Example 1, a green light emitting element was produced in the same manner except that (1) was changed to Ir-1, and this was used as a green light emitting element.

（赤色発光素子の作製）
実施例１の有機ＥＬ素子１−１において、（１）をＩｒ−９に変更した以外は同様にして、赤色発光素子を作製し、これを赤色発光素子として用いた。(Production of red light emitting element)
In the organic EL device 1-1 of Example 1, a red light emitting device was produced in the same manner except that (1) was changed to Ir-9, and this was used as a red light emitting device.

上記で作製した赤色、緑色、青色発光有機ＥＬ素子を同一基板上に並置し、図１に記載のような形態を有するアクティブマトリクス方式フルカラー表示装置を作製した。図２には、作製した前記表示装置の表示部Ａの模式図のみを示した。   The red, green, and blue light-emitting organic EL elements produced above were juxtaposed on the same substrate to produce an active matrix type full-color display device having a configuration as shown in FIG. In FIG. 2, only the schematic diagram of the display part A of the produced display device is shown.

即ち、同一基板上に複数の走査線５及びデータ線６を含む配線部と並置した複数の画素３（発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素等）とを有し、配線部の走査線５及び複数のデータ線６はそれぞれ導電材料からなり、走査線５とデータ線６は格子状に直交して、直交する位置で画素３に接続している（詳細は図示せず）。   That is, a plurality of pixels 3 (light emission color is a red region pixel, a green region pixel, a blue region pixel, etc.) juxtaposed with a wiring portion including a plurality of scanning lines 5 and data lines 6 on the same substrate. The scanning lines 5 and the plurality of data lines 6 in the wiring portion are each made of a conductive material, and the scanning lines 5 and the data lines 6 are orthogonal to each other in a lattice shape and are connected to the pixels 3 at the orthogonal positions (for details, see FIG. Not shown).

前記複数画素３は、それぞれの発光色に対応した有機ＥＬ素子、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタと駆動トランジスタそれぞれが設けられたアクティブマトリクス方式で駆動されており、走査線５から走査信号が印加されるとデータ線６から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。このように赤、緑、青の画素を適宜、並置することによって、フルカラー表示装置３−１を作製した。   The plurality of pixels 3 are driven by an active matrix system provided with an organic EL element corresponding to each emission color, a switching transistor as an active element, and a driving transistor, and a scanning signal is applied from a scanning line 5. The image data signal is received from the data line 6 and light is emitted according to the received image data. In this way, a full color display device 3-1 was fabricated by appropriately juxtaposing red, green, and blue pixels.

同様に、青色発光素子として、実施例１の有機ＥＬ素子１−２０のかわりに参考例２の有機ＥＬ素子２−１０を用いた以外は上記と同様の方法を用いてフルカラー表示装置３−２を作製した。 Similarly, a full-color display device 3-2 using a method similar to the above except that the organic EL element 2-10 of Reference Example 2 was used instead of the organic EL element 1-20 of Example 1 as the blue light emitting element. Was made.

これらのフルカラー表示装置は駆動することにより、輝度が高く、高耐久性を有し、且つ鮮明なフルカラー動画表示が得られることが分かった。   It has been found that when these full color display devices are driven, high brightness, high durability, and clear full color moving image display can be obtained.

参考例４
《白色発光素子及び白色照明装置４−１の作製》
陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ成膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ−４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。 Reference example 4
<< Production of White Light Emitting Element and White Lighting Device 4-1 >>
After patterning on a substrate (NH-Techno Glass NA-45) formed by depositing 100 nm of ITO (indium tin oxide) on a 100 mm × 100 mm × 1.1 mm glass substrate as an anode, this ITO transparent electrode was provided. The transparent support substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes.

この透明支持基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製、Ｂａｙｔｒｏｎ Ｐ Ａｌ ４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を３０００ｒｐｍ、３０秒でスピンコート法により成膜した後、２００℃にて１時間乾燥し、膜厚３０ｎｍの第１正孔輸送層を設けた。   On this transparent support substrate, a solution obtained by diluting poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS, Bayer, Baytron P Al 4083) to 70% with pure water at 3000 rpm for 30 seconds. Then, the film was formed by spin coating and then dried at 200 ° C. for 1 hour to provide a first hole transport layer having a thickness of 30 nm.

この基板を窒素雰囲気下に移し、第１正孔輸送層上に、５０ｍｇの化合物Ａを１０ｍｌのトルエンに溶解した溶液を１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により成膜した。１８０秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行った後、６０℃で１時間真空乾燥し第２正孔輸送層とした。   This substrate was transferred to a nitrogen atmosphere, and a solution of 50 mg of compound A dissolved in 10 ml of toluene was formed on the first hole transport layer by spin coating at 1000 rpm for 30 seconds. After irradiating with ultraviolet light for 180 seconds to carry out photopolymerization / crosslinking, vacuum drying was performed at 60 ° C. for 1 hour to form a second hole transport layer.

次に、Ｈ−５（６０ｍｇ）、例示化合物（３）（３．０ｍｇ）、Ｉｒ−９（３．０ｍｇ）をトルエン６ｍｌに溶解した溶液を用い、１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により成膜し、発光層を形成した。   Next, using a solution of H-5 (60 mg), exemplary compound (3) (3.0 mg), and Ir-9 (3.0 mg) dissolved in 6 ml of toluene, the spin coating method was performed at 1000 rpm for 30 seconds. To form a light emitting layer.

続いて、この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、モリブデン製抵抗加熱ボートにＢＡｌｑを２００ｍｇ入れ、真空蒸着装置に取り付けた。   Subsequently, this substrate was fixed to a substrate holder of a vacuum deposition apparatus, 200 mg of BAlq was put into a molybdenum resistance heating boat, and attached to the vacuum deposition apparatus.

真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、ＢＡｌｑの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で前記電子輸送層の上に蒸着して、更に膜厚４０ｎｍの電子輸送層を設けた。After depressurizing the vacuum chamber to 4 × 10 −4 Pa, heating is performed by energizing the heating boat containing BAlq, and vapor deposition is performed on the electron transport layer at a deposition rate of 0.1 nm / second. A 40 nm electron transport layer was provided.

なお、蒸着時の基板温度は室温であった。   In addition, the substrate temperature at the time of vapor deposition was room temperature.

引き続き、フッ化リチウム０．５ｎｍ及びアルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し、白色発光有機ＥＬ素子４−１を作製した。   Then, 0.5 nm of lithium fluoride and 110 nm of aluminum were vapor-deposited, the cathode was formed, and the white light emitting organic EL element 4-1 was produced.

この素子に通電したところほぼ白色の光が得られ、照明装置として使用出来ることが判った。   When this element was energized, almost white light was obtained, and it was found that it could be used as a lighting device.

《有機ＥＬ素子４−２〜４−６の作製》
有機ＥＬ素子４−１の作製において、発光ドーパント材料を例示化合物（３）からＡ−２９、Ａ−６１、Ｂ−７２、Ｃ−８、Ｃ−１９８に変更した以外は同様にして、有機ＥＬ素子４−２〜４−６を作製した。<< Production of Organic EL Elements 4-2 to 4-6 >>
In the production of the organic EL element 4-1, the organic EL element was similarly manufactured except that the luminescent dopant material was changed from the exemplary compound (3) to A-29, A-61, B-72, C-8, C-198. Elements 4-2 to 4-6 were produced.

これらの素子に通電したところ、有機ＥＬ素子４−１と同様にほぼ白色の光が得られ、照明装置として使用出来ることが判った。   When these elements were energized, it was found that substantially white light was obtained in the same manner as the organic EL element 4-1, and that it could be used as a lighting device.

参考例５
《白色発光素子及び白色照明装置の作製−２》
陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ製膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ−４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。 Reference Example 5
<< Production of White Light Emitting Element and White Lighting Device-2 >>
After patterning on a substrate (NA-45 manufactured by NH Techno Glass Co., Ltd.) formed by depositing 100 nm of ITO (indium tin oxide) on a 100 mm × 100 mm × 1.1 mm glass substrate as an anode, this ITO transparent electrode was provided. The transparent support substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes.

この透明支持基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製、Ｂａｙｔｒｏｎ Ｐ Ａｌ ４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を３０００ｒｐｍ、３０秒でスピンコート法により製膜した後、２００℃にて１時間乾燥し、膜厚３０ｎｍの第１正孔輸送層を設けた。   On this transparent support substrate, a solution obtained by diluting poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS, Bayer, Baytron P Al 4083) to 70% with pure water at 3000 rpm for 30 seconds. After the film formation by spin coating, the film was dried at 200 ° C. for 1 hour to provide a first hole transport layer having a thickness of 30 nm.

この基板を窒素雰囲気下に移し、第１正孔輸送層上に、５０ｍｇの化合物Ａを１０ｍｌのトルエンに溶解した溶液を１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により製膜した。１８０秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行った後、６０℃で１時間真空乾燥し第２正孔輸送層とした。   This substrate was transferred to a nitrogen atmosphere, and a solution of 50 mg of compound A dissolved in 10 ml of toluene was formed on the first hole transport layer by spin coating at 1000 rpm for 30 seconds. After irradiating with ultraviolet light for 180 seconds to carry out photopolymerization / crosslinking, vacuum drying was performed at 60 ° C. for 1 hour to form a second hole transport layer.

次に、化合物Ｂ（６０ｍｇ）、Ｉｒ−１４（３．０ｍｇ）、例示化合物Ａ−１０５（３．０ｍｇ）をトルエン６ｍｌに溶解した溶液を用い、１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により製膜した。１５秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行わせ、さらに真空中１５０℃で１時間加熱を行い、発光層とした。   Next, a solution obtained by dissolving Compound B (60 mg), Ir-14 (3.0 mg), and Exemplified Compound A-105 (3.0 mg) in 6 ml of toluene was spin-coated under a condition of 1000 rpm and 30 seconds. A film was formed. Irradiated with ultraviolet light for 15 seconds to cause photopolymerization / crosslinking, and further heated in vacuum at 150 ° C. for 1 hour to obtain a light emitting layer.

更に、化合物Ｃ（２０ｍｇ）をトルエン６ｍｌに溶解した溶液を用い、１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により製膜した。１５秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行わせ、さらに真空中８０℃で１時間加熱を行い、正孔阻止層とした。   Further, a solution of compound C (20 mg) dissolved in 6 ml of toluene was used to form a film by spin coating under conditions of 1000 rpm and 30 seconds. Ultraviolet light was irradiated for 15 seconds, photopolymerization / crosslinking was performed, and further heating was performed in vacuum at 80 ° C. for 1 hour to form a hole blocking layer.

続いて、この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、モリブデン製抵抗加熱ボートにＡｌｑ３を２００ｍｇ入れ、真空蒸着装置に取り付けた。真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、Ａｌｑ３の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で前記電子輸送層の上に蒸着して、更に膜厚４０ｎｍの電子輸送層を設けた。Subsequently, this substrate was fixed to a substrate holder of a vacuum vapor deposition apparatus, and 200 mg of Alq 3 was put into a molybdenum resistance heating boat and attached to the vacuum vapor deposition apparatus. After reducing the pressure of the vacuum chamber to 4 × 10 −4 Pa, the heating boat containing Alq 3 was energized and heated, and deposited on the electron transport layer at a deposition rate of 0.1 nm / second to further form a film. An electron transport layer having a thickness of 40 nm was provided.

なお、蒸着時の基板温度は室温であった。   In addition, the substrate temperature at the time of vapor deposition was room temperature.

引き続き、フッ化リチウム０．５ｎｍ及びアルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し、白色発光有機ＥＬ素子を作製した。   Then, 0.5 nm of lithium fluoride and 110 nm of aluminum were vapor-deposited, the cathode was formed, and the white light emitting organic EL element was produced.

この素子に通電したところほぼ白色の光が得られ、照明装置として使用出来ることが判った。   When this element was energized, almost white light was obtained, and it was found that it could be used as a lighting device.

尚、例示化合物Ａ−１０５（３．０ｍｇ）のかわりに化合物Ｂ−６０、およびＩｒ−１５を用いた場合も同様の白色光が得られ、照明装置として使用出来ることが判った。   Similar white light was obtained when Compound B-60 and Ir-15 were used instead of Exemplary Compound A-105 (3.0 mg), and it was found that the compound could be used as a lighting device.

Claims (12)

陽極と陰極により挟まれた有機層を有し、該有機層の少なくとも１層が下記一般式（１３）または（１５）で表される部分構造を含む化合物を含有し、且つ、ウェットプロセスを用いて形成されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
〔一般式（１３）または（１５）中、Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｑは炭素原子、窒素原子、酸素原子または硫黄原子を表し、一般式（１３）のＥ１ｌ〜Ｅ１ｑにより形成される環はピリジン環を表し、一般式（１５）のＥ１ｌ〜Ｅ１ｑにより形成される環は５員の芳香族複素環を表す。Ｒ５１〜Ｒ５５、Ｒ７１〜Ｒ７６、Ｒ１ｇ〜Ｒ１ｉは、水素原子または置換基を表すが、少なくとも一つは一般式（Ａ）または一般式（Ｂ）で表される基である。Ｒ５６は水素原子またはアルキル基を表す。Ｍはイリジウムを表す。〕
〔一般式（Ａ）及び（Ｂ）中、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃは、各々水素原子または置換基を表し、Ｌａ、Ｌｂは、各々２価の連結基（高分子を構成する場合を除く。）を表す。ｐ、ｓは、各々０または１を表す。ｑは０〜７の整数を表す。ｒは０〜８の整数を表す。＊は連結部位を表す。〕 An organic layer sandwiched between an anode and a cathode, wherein at least one of the organic layers contains a compound containing a partial structure represented by the following general formula (13) or (15), and uses a wet process An organic electroluminescence device characterized by being formed.
[In General Formula (13) or (15), E1l to E1q represents a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom, and the ring formed by E1l to E1q of General Formula (13) represents a pyridine ring; The ring formed by E1l to E1q of the general formula (15) represents a 5-membered aromatic heterocyclic ring. R51 to R55 , R71 to R76, and R1g to R1i represent a hydrogen atom or a substituent, but at least one is a group represented by the general formula (A) or the general formula (B). R56 represents a hydrogen atom or an alkyl group. M represents iridium . ]
[In the general formulas (A) and (B), Ra, Rb, and Rc each represent a hydrogen atom or a substituent, and La and Lb each represent a divalent linking group (except when constituting a polymer). Represents. p and s each represents 0 or 1; q represents an integer of 0 to 7. r represents an integer of 0 to 8. * Represents a linking site. ] 陽極と陰極により挟まれた有機層を有し、該有機層の少なくとも１層が下記一般式（１４）または（１６）で表される部分構造を含む化合物を含有し、且つ、ウェットプロセスを用いて形成されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
〔一般式（１４）または一般式（１６）中、Ｅ１ｆ〜Ｅ１ｑは炭素原子、窒素原子、酸素原子または硫黄原子を表し、Ｅ１ｆ〜Ｅ１ｋにより形成される環は５員の芳香族複素環を表し、Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｑにより形成される環は、５員の芳香族複素環を表す。Ｒ６１〜Ｒ６５、Ｒ８１、Ｒ８２、Ｒ１ｃ〜Ｒ１ｈは、水素原子または置換基を表すが、少なくとも一つは一般式（Ａ）または一般式（Ｂ）で表される基である。Ｍはイリジウムを表す。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３は、各々未置換または置換基を有する、炭素原子または窒素原子を表す。〕
〔一般式（Ａ）及び（Ｂ）中、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃは、各々水素原子または置換基を表し、Ｌａ、Ｌｂは、各々２価の連結基（高分子を構成する場合を除く。）を表す。ｐ、ｓは、各々０または１を表す。ｑは０〜７の整数を表す。ｒは０〜８の整数を表す。＊は連結部位を表す。〕 An organic layer sandwiched between an anode and a cathode, wherein at least one of the organic layers contains a compound containing a partial structure represented by the following general formula (14) or (16), and a wet process is used An organic electroluminescence device characterized by being formed.
[In General Formula (14) or General Formula (16), E1f to E1q represent a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom, or a sulfur atom, and the ring formed by E1f to E1k represents a 5-membered aromatic heterocyclic ring. , E1l to E1q represent a 5-membered aromatic heterocyclic ring. R61 to R65, R81, R82, and R1c to R1h each represent a hydrogen atom or a substituent, but at least one is a group represented by the general formula (A) or the general formula (B). M represents iridium . X1, X2, and X3 each represents a carbon atom or a nitrogen atom that is unsubstituted or has a substituent. ]
[In the general formulas (A) and (B), Ra, Rb, and Rc each represent a hydrogen atom or a substituent, and La and Lb each represent a divalent linking group (except when constituting a polymer). Represents. p and s each represents 0 or 1; q represents an integer of 0 to 7. r represents an integer of 0 to 8. * Represents a linking site. ] 構成層として、少なくとも１層の発光層を含有することを特徴とする請求の範囲第１項または請求の範囲第２項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic electroluminescent element according to claim 1 or claim 2, wherein the constituent layer contains at least one light emitting layer. 前記発光層が、一般式（１３）または（１５）で表される部分構造を含む化合物または、一般式（１４）または（１６）で表される部分構造を含む化合物を含有することを特徴とする請求の範囲第３項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The light emitting layer contains a compound including a partial structure represented by the general formula (13) or (15) or a compound including a partial structure represented by the general formula (14) or (16). The organic electroluminescent device according to claim 3. 構成層として、第一電荷輸送層を有し、第一電荷輸送層が、発光層より陽極側に設けられていることを特徴とする請求の範囲第３項または請求の範囲第４項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The constituent layer has a first charge transporting layer, and the first charge transporting layer is provided on the anode side with respect to the light emitting layer. Organic electroluminescence element. 前記第一電荷輸送層が、一般式（１３）または（１５）で表される部分構造を含む化合物を含有することを特徴とする請求の範囲第５項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   6. The organic electroluminescence device according to claim 5, wherein the first charge transport layer contains a compound including a partial structure represented by the general formula (13) or (15). 構成層として、第二電荷輸送層を有し、第二電荷輸送層が、発光層より陰極側に設けられていることを特徴とする請求の範囲第３項〜請求の範囲第６項のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   A constituent layer has a 2nd electric charge transport layer, and the 2nd electric charge transport layer is provided in the cathode side rather than a light emitting layer. Any of Claim 3-Claim 6 characterized by the above-mentioned. 2. The organic electroluminescence device according to item 1. 前記第二電荷輸送層が、一般式（１３）または（１５）で表される部分構造を含む化合物を含有することを特徴とする請求の範囲第７項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic electroluminescence device according to claim 7, wherein the second charge transport layer contains a compound including a partial structure represented by the general formula (13) or (15). 前記発光層がホスト化合物を含有することを特徴とする請求の範囲第３項〜請求の範囲第８項のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic light-emitting device according to any one of claims 3 to 8, wherein the light-emitting layer contains a host compound. 請求の範囲第１項〜請求の範囲第９項のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子に使用される有機エレクトロルミネッセンス素子材料であって、前記一般式（１３）または（１５）で表される部分構造を含む化合物または、前記一般式（１４）または（１６）で表される部分構造を含む化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子材料。 It is an organic electroluminescent element material used for the organic electroluminescent element of any one of Claim 1-Claim 9, Comprising: It represents with the said General formula (13) or (15). The organic electroluminescent element material characterized by containing the compound containing the partial structure formed, or the compound containing the partial structure represented by the said General formula (14) or (16). 請求の範囲第１項〜請求の範囲第９項のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする表示装置。 A display device comprising the organic electroluminescence element according to any one of claims 1 to 9 . 請求の範囲第１項〜請求の範囲第９項のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。 An illuminating device comprising the organic electroluminescence element according to any one of claims 1 to 9 .
JP2009515161A 2007-05-16 2008-05-13 ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT MATERIAL, DISPLAY DEVICE AND LIGHTING DEVICE Active JP5653617B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009515161A JP5653617B2 (en) 2007-05-16 2008-05-13 ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT MATERIAL, DISPLAY DEVICE AND LIGHTING DEVICE

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007130329 2007-05-16
JP2007130329 2007-05-16
JP2007283241 2007-10-31
JP2007283241 2007-10-31
JP2009515161A JP5653617B2 (en) 2007-05-16 2008-05-13 ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT MATERIAL, DISPLAY DEVICE AND LIGHTING DEVICE
PCT/JP2008/058769 WO2008143059A1 (en) 2007-05-16 2008-05-13 Organic electroluminescence element, organic electroluminescence element material, display device and illuminating device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2008143059A1 JPWO2008143059A1 (en) 2010-08-05
JP5653617B2 true JP5653617B2 (en) 2015-01-14

Family

ID=40031768

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009515161A Active JP5653617B2 (en) 2007-05-16 2008-05-13 ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT MATERIAL, DISPLAY DEVICE AND LIGHTING DEVICE

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP5653617B2 (en)
WO (1) WO2008143059A1 (en)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5067114B2 (en) * 2007-10-24 2012-11-07 コニカミノルタホールディングス株式会社 ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT MATERIAL, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, DISPLAY DEVICE AND LIGHTING DEVICE
JP5699603B2 (en) * 2008-07-07 2015-04-15 コニカミノルタ株式会社 Organic electroluminescence element, display device and lighting device
WO2010032663A1 (en) * 2008-09-17 2010-03-25 コニカミノルタホールディングス株式会社 Organic electroluminescent element, display device, lighting device, and organic electroluminescent element material
JP5522053B2 (en) * 2008-12-03 2014-06-18 コニカミノルタ株式会社 ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT MATERIAL, DISPLAY DEVICE AND LIGHTING DEVICE
US8815415B2 (en) * 2008-12-12 2014-08-26 Universal Display Corporation Blue emitter with high efficiency based on imidazo[1,2-f] phenanthridine iridium complexes
WO2010071030A1 (en) * 2008-12-19 2010-06-24 コニカミノルタホールディングス株式会社 Organic electroluminescent element, organic electroluminescent element material, display device, and lighting device
WO2010079678A1 (en) * 2009-01-09 2010-07-15 コニカミノルタホールディングス株式会社 Organic electroluminescent element, display device, and lighting device
JP5556017B2 (en) * 2009-01-14 2014-07-23 コニカミノルタ株式会社 ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, DISPLAY DEVICE, LIGHTING DEVICE, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT MATERIAL
DE102009007038A1 (en) * 2009-02-02 2010-08-05 Merck Patent Gmbh metal complexes
JP5600884B2 (en) * 2009-03-17 2014-10-08 コニカミノルタ株式会社 ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT MATERIAL, DISPLAY DEVICE AND LIGHTING DEVICE
JP5531446B2 (en) * 2009-04-20 2014-06-25 コニカミノルタ株式会社 ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT MATERIAL, DISPLAY DEVICE AND LIGHTING DEVICE
JP5600891B2 (en) * 2009-05-15 2014-10-08 コニカミノルタ株式会社 Organic electroluminescence element, display device and lighting device
JP5629980B2 (en) * 2009-05-22 2014-11-26 コニカミノルタ株式会社 Organic electroluminescence element, display device and lighting device
JP5568889B2 (en) * 2009-05-22 2014-08-13 コニカミノルタ株式会社 ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, DISPLAY DEVICE, LIGHTING DEVICE, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT MATERIAL
JP5499519B2 (en) * 2009-05-27 2014-05-21 コニカミノルタ株式会社 Organic electroluminescence element, display device and lighting device
JP4523992B1 (en) * 2009-07-31 2010-08-11 富士フイルム株式会社 Organic electroluminescence device
JP5577650B2 (en) * 2009-08-24 2014-08-27 コニカミノルタ株式会社 ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT MATERIAL, DISPLAY DEVICE AND LIGHTING DEVICE
JP5779318B2 (en) * 2009-08-31 2015-09-16 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド Organic electroluminescence device
JP2010185068A (en) * 2009-08-31 2010-08-26 Fujifilm Corp Organic electroluminescent device
JP4551480B1 (en) * 2009-08-31 2010-09-29 富士フイルム株式会社 Organic electroluminescence device
JP4474492B1 (en) * 2009-08-31 2010-06-02 富士フイルム株式会社 Material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device
JP4564585B1 (en) * 2009-08-31 2010-10-20 富士フイルム株式会社 Organic electroluminescence device
JP5627896B2 (en) * 2009-09-30 2014-11-19 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド Organic electroluminescence device
JP5926785B2 (en) * 2009-09-30 2016-05-25 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド Organic electroluminescence device
JP5463897B2 (en) * 2009-12-18 2014-04-09 コニカミノルタ株式会社 ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT MATERIAL, DISPLAY DEVICE AND LIGHTING DEVICE
DE102010027317A1 (en) * 2010-07-16 2012-01-19 Merck Patent Gmbh metal complexes
JP6319322B2 (en) * 2013-12-09 2018-05-09 コニカミノルタ株式会社 Organic electroluminescence element, lighting device and display device
US11127905B2 (en) 2015-07-29 2021-09-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
JP6804465B2 (en) * 2015-12-07 2020-12-23 住友化学株式会社 Composition and light emitting device using it
US11605791B2 (en) 2017-09-01 2023-03-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004131463A (en) * 2002-08-14 2004-04-30 Mitsubishi Chemicals Corp Organometallic complex, luminescent coloring matter, organic electroluminescent element material and organic electroluminescent element
JP2005255992A (en) * 2004-02-13 2005-09-22 Kochi Univ Ruthenium complex and its application
JP2006290988A (en) * 2005-04-08 2006-10-26 Takasago Internatl Corp Iridium complex having excellent solubility and organic el device
JP2007091718A (en) * 2005-08-31 2007-04-12 National Institute Of Advanced Industrial & Technology Method for producing ortho-metallized iridium complex and light-emitting material consisting of produced iridium complex
US20070190359A1 (en) * 2006-02-10 2007-08-16 Knowles David B Metal complexes of cyclometallated imidazo[1,2-ƒ]phenanthridine and diimidazo[1,2-a:1',2'-c]quinazoline ligands and isoelectronic and benzannulated analogs thereof
WO2008072538A1 (en) * 2006-12-08 2008-06-19 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004131463A (en) * 2002-08-14 2004-04-30 Mitsubishi Chemicals Corp Organometallic complex, luminescent coloring matter, organic electroluminescent element material and organic electroluminescent element
JP2005255992A (en) * 2004-02-13 2005-09-22 Kochi Univ Ruthenium complex and its application
JP2006290988A (en) * 2005-04-08 2006-10-26 Takasago Internatl Corp Iridium complex having excellent solubility and organic el device
JP2007091718A (en) * 2005-08-31 2007-04-12 National Institute Of Advanced Industrial & Technology Method for producing ortho-metallized iridium complex and light-emitting material consisting of produced iridium complex
US20070190359A1 (en) * 2006-02-10 2007-08-16 Knowles David B Metal complexes of cyclometallated imidazo[1,2-ƒ]phenanthridine and diimidazo[1,2-a:1',2'-c]quinazoline ligands and isoelectronic and benzannulated analogs thereof
WO2008072538A1 (en) * 2006-12-08 2008-06-19 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent device

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2008143059A1 (en) 2010-08-05
WO2008143059A1 (en) 2008-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5653617B2 (en) ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT MATERIAL, DISPLAY DEVICE AND LIGHTING DEVICE
JP5482201B2 (en) Organic electroluminescence element, display device and lighting device
JP5564942B2 (en) Organic electroluminescence element, display device and lighting device
JP5522046B2 (en) ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, DISPLAY DEVICE, LIGHTING DEVICE, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT MATERIAL
JP5531446B2 (en) ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT MATERIAL, DISPLAY DEVICE AND LIGHTING DEVICE
JP5621187B2 (en) Organic electroluminescence element, display device, lighting device
JP5724204B2 (en) Organic electroluminescence element, display device, and lighting device
JP5765380B2 (en) ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT MATERIAL, DISPLAY DEVICE AND LIGHTING DEVICE
JP5577650B2 (en) ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT MATERIAL, DISPLAY DEVICE AND LIGHTING DEVICE
WO2010095564A1 (en) Organic electroluminescent element, and illuminating device and display device each comprising the element
JP2008311607A (en) Organic electroluminescence element, organic electroluminescence element material, display device, and illuminating device
JP5278314B2 (en) ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, DISPLAY DEVICE, LIGHTING DEVICE, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT MATERIAL
JP2010267847A (en) Organic electroluminescence element, display device and lighting device
JP2010270245A (en) Organic electroluminescent element, display, lighting system and organic electroluminescent element material
JP5652083B2 (en) Organic electroluminescence element, display device and lighting device
JP5629970B2 (en) Organic electroluminescence element, display device and lighting device
WO2011052250A1 (en) Organic electroluminescent element, organic electroluminescent element material, display device, and lighting device
JP5463897B2 (en) ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT MATERIAL, DISPLAY DEVICE AND LIGHTING DEVICE
JP5482313B2 (en) Organic electroluminescence element, display device, and lighting device
JP5600884B2 (en) ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT MATERIAL, DISPLAY DEVICE AND LIGHTING DEVICE
JP5488053B2 (en) ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, DISPLAY DEVICE, LIGHTING DEVICE, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT MATERIAL
JP5515283B2 (en) Organic electroluminescence element, display device and lighting device
JP5272608B2 (en) Organic electroluminescence element, display device, and lighting device
JP5359088B2 (en) Organic electroluminescence element, display device and lighting device
JP5320881B2 (en) ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, DISPLAY DEVICE, LIGHTING DEVICE, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT MATERIAL

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20101116

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20110818

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130212

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130415

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20131203

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140228

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20140310

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20140516

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20141023

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20141119

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5653617

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250