JP5649648B2 - 熱硬化型光電変換素子用シール剤を用いた光電変換素子 - Google Patents

熱硬化型光電変換素子用シール剤を用いた光電変換素子 Download PDF

Info

Publication number
JP5649648B2
JP5649648B2 JP2012515874A JP2012515874A JP5649648B2 JP 5649648 B2 JP5649648 B2 JP 5649648B2 JP 2012515874 A JP2012515874 A JP 2012515874A JP 2012515874 A JP2012515874 A JP 2012515874A JP 5649648 B2 JP5649648 B2 JP 5649648B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photoelectric conversion
conversion element
thermosetting
agent
sealant
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2012515874A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2011145551A1 (ja
Inventor
正充 佐竹
正充 佐竹
尚志 星
尚志 星
濱田 雅裕
雅裕 濱田
今泉 雅裕
雅裕 今泉
晃一郎 柴垣
晃一郎 柴垣
井上 照久
照久 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Kayaku Co Ltd
Original Assignee
Nippon Kayaku Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Kayaku Co Ltd filed Critical Nippon Kayaku Co Ltd
Priority to JP2012515874A priority Critical patent/JP5649648B2/ja
Publication of JPWO2011145551A1 publication Critical patent/JPWO2011145551A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5649648B2 publication Critical patent/JP5649648B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048Encapsulation of modules
    • H01L31/0481Encapsulation of modules characterised by the composition of the encapsulation material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/4007Curing agents not provided for by the groups C08G59/42 - C08G59/66
    • C08G59/4014Nitrogen containing compounds
    • C08G59/4035Hydrazines; Hydrazides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/20Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
    • C08G59/32Epoxy compounds containing three or more epoxy groups
    • C08G59/38Epoxy compounds containing three or more epoxy groups together with di-epoxy compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20Light-sensitive devices
    • H01G9/2068Panels or arrays of photoelectrochemical cells, e.g. photovoltaic modules based on photoelectrochemical cells
    • H01G9/2077Sealing arrangements, e.g. to prevent the leakage of the electrolyte
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01MPROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M14/00Electrochemical current or voltage generators not provided for in groups H01M6/00 - H01M12/00; Manufacture thereof
    • H01M14/005Photoelectrochemical storage cells
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30Coordination compounds
    • H10K85/341Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/344Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising ruthenium
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/542Dye sensitized solar cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Hybrid Cells (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)

Description

本発明は、エポキシ樹脂と特定の硬化剤を含有する熱硬化型光電変換素子用シール剤を用いた光電変換素子に関する。より詳しくは高温高湿環境下においても優れた接着性及び耐湿信頼性を有する、高信頼性の光電変換素子に関する。
クリーンなエネルギー源として注目されている太陽電池は、近年、一般住宅用に利用されるようになってきたが、未だ充分に普及するには至っていない。その理由としては、太陽電池そのものの性能が充分優れているとは言い難く、モジュールを大きくせざるを得ないことや、モジュール製造における生産性が低いこと等が挙げられ、その結果、コスト高になってしまうことなどが挙げられる。
太陽電池に用いられる光電変換素子は、一般にシリコン、ガリウム−砒素、銅−インジウム−セレンなどの光電変換素材を上部透明保護材と下部基板保護材とで保護し、光電変換素材と保護材とをシール剤で固定し、パッケージ化したものである。このため光電変換素子の製造に用いられるシール剤としては、上下の保護材との接着性が良好であること、柔軟性、耐久性に優れる等が重要な性能として要求される。
例えば、現在、太陽電池モジュールにおける光電変換素子用シール剤としては、柔軟性や透明性等の観点から、酢酸ビニルの含有割合の高いエチレン−酢酸ビニル共重合体が使用されている。しかしながら、該共重合体は耐熱性や接着性が不十分であることから、共重合反応をより促進させる目的で有機過酸化物などを使用する必要がある。この場合、これらの有機過酸化物を配合したエチレン−酢酸ビニル共重合体のシートをまず作製し、次いで、このシートを用いて光電変換素材をシールするという2段階の工程を採用する必要がある。そして、シートの製造段階では、有機過酸化物が分解しないような低温での成形が必要なため、押出成形速度を大きくすることができず、他方、光電変換素材をシールする(硬化接着)段階では、ラミネーターにより数分間乃至十数分間かけて仮接着する工程と、オーブン内において有機過酸化物が分解する高温度で数十分間ないし1時間かけて本接着する工程とからなる2段階の工程を経る必要がある。そのため光電変換素子の製造に手間と時間がかかり、その上、接着性、耐湿信頼性が十分でないという問題点を有している。このような光電変換素子を使用した太陽電池モジュール及び太陽電池はおのずと高価になり且つその性能に満足できないという結果になる。
また、前記共重合体と融点が低いアイオノマーを併用した場合には、耐熱性が充分でなく、光電変換素子用のシール剤として用いた場合、太陽電池としての使用時における温度上昇により変形する恐れがあり、また光電変換素子を加熱圧着法で製造する際に、これらのシール剤料が必要以上に流れ出してバリを生じる場合があるので好ましくない。さらに、近年の光電変換素子の大型化に伴って、加工プロセス時においてシール部にかかる応力は従来に比し格段に大きくなり、シール線長も長くなってきている。これらのことから、耐湿信頼性に優れ、シールの線幅の狭小化を可能にし、導電性支持体間の間隔を均一にでき、更に密着性、可撓性に優れた塗布型のシール剤の開発が求められている。
一方、太陽電池の普及に伴い、その製造工程や廃棄時において環境負荷の少ない太陽電池や、低コストで意匠性に優れた太陽電池といった今までに無い特性要求も出てきており、これら特長を合わせ持つ色素増感太陽電池が近年注目されている。この色素増感太陽電池は、増感色素を担持させた酸化物半導体、電荷移動層、導電性基板等から構成される太陽電池であり、比較的高い変換効率と、使用する増感色素によって色調を選択することが出来るため高い意匠性を有している。しかしながら、電荷移動層に電解液等液体を用いることから、そのシール性能として高温高湿環境下における優れた接着性、耐膨潤性、耐吸湿性等の耐湿信頼性が求められ、耐湿信頼性は太陽電池の耐久性及び信頼性に大きく影響を及ぼすことから、耐湿信頼性に優れたシール剤を開発することは極めて重要とされている。
太陽電池の耐久性向上についての取り組みとして、熱硬化性エポキシ樹脂をシール剤として利用する方法が検討されている(特許文献1)。この場合、シール剤をディスペンサー、スクリーン印刷等の方法より導電性支持体に塗布した後、加熱又は加熱無しでレベリングを行った後に、アライメントマークを用いて上下の導電性支持体を貼り合わせ、シール剤をプレスするというプロセスでセルの作製が行われている。ここで使用する熱硬化性エポキシ樹脂の硬化剤としては、フェノールノボラック類が使用されているが、このような光電変換素子用シール剤は、高温高湿環境下における長期封止性については接着性性能が劣り、電解液が漏洩するという問題点を有している。この問題点を解決する方法として特許文献2では水添ビスフェノール型エポキシ樹脂を用いる樹脂組成物が開示されているが、この場合、高温高湿環境下における長期封止性は付与できず、電解液が漏洩する事象が示されている。また、特許文献3では光熱併用硬化型シール剤として、ビスフェノールS型エポキシ樹脂を用いる樹脂組成物が開示されており、セル耐久性に優れることが開示されている。しかしながら、耐久性試験として開示している条件は、25℃一定温度での経時評価のみとなっており、実際の太陽電池の使用環境下での耐久性を述べる上で不十分であると考えられる。よって、この高温高湿環境下での耐久性試験をクリアできるシール剤及びシール剤を用いた太陽電池に関する報告はなされていない。
特開2002−368236号公報 特開2007−087684号公報 国際公開特許WO2007−007671号公報 日本国特許第3731752号公報 特開2002−512729号公報 国際公開特許WO2002−011213号公報 国際公開特許WO2006−126538号公報 国際公開特許WO2007−046499号公報
C.J.Barbe,F Arendse,P Compt and M.Graetzel J.Am.Ceram.Soc.,80,12,3157−71(1997)
本発明の光電変換素子に用いられる熱硬化型光電変換素子用シール剤は、光電変換素子の製造工程における電荷移動層に対する汚染性が極めて低く、基板への塗布作業性、貼り合わせ性、接着強度、室温での使用可能時間(ポットライフ)、低温硬化性に優れる。このようなシール剤を用いて得られた本発明の光電変換素子は、電荷移動層の汚染による作動不良が無く、接着性、耐湿信頼性に優れ、高い耐久性及び信頼性を有したものである。
本発明者らは前記した課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、特定の組成を有する樹脂組成物が前記課題を解決するものであることを見出し、本発明を完成させるに至った。
即ち本発明は、
(1)半導体含有層を有する第一の導電性支持体、該半導体含有層と対向電極とが所定の間隔で対向する位置に設けられた対向電極を有する第二の導電性支持体、第一及び第二の導電性支持体の間隙に挟持された電荷移動層、並びに電荷移動層をシールするために第一及び第二の導電性支持体の周辺部に設けられたシール剤を有する光電変換素子であって、該シール剤がエポキシ樹脂(a)と、芳香族ヒドラジド類及び炭素数6以上の脂肪族ヒドラジド類からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む熱硬化剤(b)とを含有する熱硬化型光電子変換素子用シール剤である光電変換素子、
(2)エポキシ樹脂(a)中のエポキシ基1当量に対する熱硬化剤(b)中の活性水素が0.8〜3.0当量である前項(1)に記載の光電子変換素子、
(3)熱硬化剤(b)に含まれる芳香族ヒドラジド類及び炭素数6以上の脂肪族ヒドラジド類の少なくとも一種は、分子中に2個以上のヒドラジド基を有する前項1又は2に記載の光電子変換素子、
(4)熱硬化剤(b)が芳香族ヒドラジド類を含む前項(1)乃至(3)のいずれか一項に記載の光電変換素子、
(5)熱硬化剤(b)がフェノールノボラック樹脂を更に含む前項(1)乃至(4)のいずれか一項に記載の光電子変換素子、
(6)熱硬化型光電変換素子用シール剤が、充填剤(c)を更に含有する前項(1)乃至(5)のいずれか一項に記載の光電変換素子、
(7)充填剤(c)が、含水硅酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、結晶シリカ及び溶融シリカからなる群から選ばれる1種又は2種以上からなり、且つ充填剤(c)の平均粒径が15μm以下である前項(6)に記載の光電変換素子、
(8)熱硬化型光電変換素子用シール剤が、シランカップリング剤(d)を更に含有する前項(1)乃至(7)のいずれか一項に記載の光電変換素子、
(9)シランカップリング剤(d)が、グリシジルエトキシシラン類又はグリシジルメトキシシラン類である前項(8)に記載の光電変換素子
(10)シランカップリング剤(d)が、グリシジルメトキシシラン類である前項(9)に記載の光電変換素子、
(11)前項(1)乃至(10)のいずれか一項に記載の光電変換素子を有してなる太陽電池、
に関する。
本発明の光電変換素子に用いられる熱硬化型光電変換素子用シール剤は、光電変換素子の製造工程における電荷移動層に対する汚染性が極めて低く、基板への塗布作業性、貼り合わせ性、接着強度、室温での使用可能時間(ポットライフ)、低温硬化性に優れる。このようなシール剤を用いて得られた本発明の光電変換素子は、電荷移動層の汚染による作動不良が無く、接着性、耐湿信頼性に優れ、高い耐久性及び信頼性を有したものである。
本発明の色素増感光電変換素子の構造を説明する要部断面模式図
本発明の光電変換素子に用いられる熱硬化型光電変換素子用シール剤(以下、単に「シール剤」ということもある)は、エポキシ樹脂(a)と芳香族ヒドラジド類及び炭素数6以上の脂肪族ヒドラジド類からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む熱硬化剤(b)とを含有することを特徴とする光電子変換素子用硬化性樹脂組成物であって、半導体含有層を有する第一の導電性支持体と対向電極を有する第二の導電性支持体を、該半導体含有層と対向電極とが向き合うように所定の間隔で対向配置し、該両支持体の間隙に、電荷移動層の周辺部に設けられたシールを介して電荷移動層を挟持してなる光電変換素子において、該シールとして使用される。
本発明で用いられるエポキシ樹脂(a)としては、一分子中に少なくとも2個以上のエポキシ基を持つエポキシ樹脂が用いられる。このようなエポキシ樹脂としては、例えばノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂などが挙げられる。更に具体的には、トリスフェノールメタンノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、フルオレンビスフェノール、テルペンジフェノール、4,4’−ビフェノール、2,2’−ビフェノール、3,3’,5,5’−テトラメチル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジオール、ハイドロキノン、レゾルシン、ナフタレンジオール、トリス−(4−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1,2,2−テトラキス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、フェノール類(フェノール、アルキル置換フェノール、ナフトール、アルキル置換ナフトール、ジヒドロキシベンゼン、ジヒドロキシナフタレン等)とホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、p−ヒドロキシベンズアルデヒド、o−ヒドロキシベンズアルデヒド、p−ヒドロキシアセトフェノン、o−ヒドロキシアセトフェノン、ジシクロペンタジエン、フルフラール、4,4’−ビス(クロルメチル)−1,1’−ビフェニル、4,4’−ビス(メトキシメチル)−1,1’−ビフェニル、1,4−ビス(クロロメチル)ベンゼン、1,4−ビス(メトキシメチル)ベンゼン等との重縮合物及びこれらの変性物、テトラブロモビスフェノールA等のハロゲン化ビスフェノール類、アルコール類から誘導されるグリシジルエーテル化物、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルアミン系エポキシ樹脂、グリシジルエステル系エポキシ樹脂等の固形又は液状エポキシ樹脂が挙げられ、ノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、トリス−(4−ヒドロキシフェニル)メタン、テトラブロモビスフェノールA等のハロゲン化ビスフェノール類、アルコール類から誘導されるグリシジルエーテル化物、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルアミン系エポキシ樹脂、グリシジルエステル系エポキシ樹脂等の固形又は液状エポキシ樹脂等であることが好ましく、トリスフェノールメタンノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂であることが更に好ましい。また、これらは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。これらのエポキシ樹脂を選択すると、本発明の光電変換素子に用いられる熱硬化型光電変換素子用シール剤の粘度を下げるのに有益で、常温での貼り合わせ作業を可能とし、且つギャップ形成を容易にする。
本発明の光電変換素子に用いられるシール剤は、電荷移動層に対するシール剤による汚染を出来るだけ小さくするために、シール剤中に含有される加水分解性塩素が可能な限り少ない方が好ましい。したがって、エポキシ樹脂(a)についても、これに含まれる加水分解性塩素量が600ppm以下のものが好ましく、より好ましくは300ppm以下のものである。加水分解性塩素量は、例えば、約0.5gのエポキシ樹脂を20mlのジオキサンに溶解し、1NのKOH/エタノール溶液5mlで30分間還流した後、0.01N硝酸銀溶液で滴定すること等により定量することができる。
本発明の光電変換素子に用いられるシール剤中におけるエポキシ樹脂(a)の含有量は、通常5〜80質量%、好ましくは10〜70質量%、より好ましくは20〜60質量%である。
本発明の光電変換素子に用いられるシール剤は、熱硬化剤(b)として、芳香族ヒドラジド類及び/又は炭素数6以上の脂肪族ヒドラジド類を含有する。これらヒドラジド類としては分子中に2個以上のヒドラジド基を有する多官能ヒドラジド類が好ましく使用される。分子中に2個以上のヒドラジド基を有する多官能ヒドラジド類の具体例としては、アジピン酸ジヒドラジド、ピメリン酸ジヒドラジド、スベリン酸ジヒドラジド、アゼライン酸ジヒドラジド、セバシン酸ジヒドラジド、ドデカン二酸ジヒドラジド、ヘキサデカン酸ジヒドラジド等の脂肪酸骨格からなる二塩基酸ジヒドラジド類、等の炭素数6以上の脂肪族ジヒドラジド類、イソフタル酸ジヒドラジド、テレフタル酸ジヒドラジド、2,6−ナフトエ酸ジヒドラジド、4,4−ビスベンゼンジヒドラジド、1,4−ナフトエ酸ジヒドラジド、2,6−ピリジンジヒドラジド、1,2,4−ベンゼントリヒドラジド、ピロメリット酸テトラヒドラジド、1,4,5,8−ナフトエ酸テトラヒドラジド、フタル酸ジヒドラジド、メチルフタル酸ジヒドラジド、エチルフタル酸ジヒドラジド、メトキシフタル酸ジヒドラジド、エトキシフタル酸ジヒドラジド、フェノキシフタル酸ジヒドラジド、ヒドロキシイソフタル酸ジヒドラジド、アミノフタル酸ジヒドラジド、フランジカルボン酸ジヒドラジド、キノリン酸ジヒドラジドベンゼンスルホン酸ジヒドラジド、ナフタレンジスルホン酸ジヒドラジド、等の芳香族ジヒドラジド類及び芳香族ポリヒドラジド類、1,3−ビス(ヒドラジノカルボノエチル)−5−イソプロピルヒダントイン等のバリンヒダントイン骨格を有するジヒドラジド類等が挙げられる。炭素数が6より少ない脂肪族ヒドラジドを用いた場合、硬化物の吸水性が高くなってしまい、耐湿信頼性が低下する。これら芳香族ヒドラジド類及び/又は炭素数6以上の脂肪族ヒドラジド類は単独又は、2種以上を併用して用いてもよい。
これらのヒドラジド類は、潜在性硬化剤として作用するように、粒径を細かくしてエポキシ樹脂(a)中に均一に分散させて用いるのが好ましい。多官能ヒドラジド類の平均粒径が光電変換素子のセルギャップ(第一の導電性支持体と第二の導電性支持体との間隔)に比べて大きすぎる場合、光電変換素子の2枚の基板(導電性支持体)を貼り合わせる際のギャップ形成がうまくできない等の不良要因となる場合があることから、その平均粒径は通常セルギャップ以下であり、3μm以下とするのが好ましく、2μm以下とするのがより好ましい。これらヒドラジド類の粒径は、例えばレーザー回折・散乱式粒度分布測定器(乾式)(LMS−30、(株)セイシン企業製)により測定することが可能である。
本発明の光電変換素子に用いられるシール剤が含有する熱硬化剤(b)として、芳香族ヒドラジド類及び/又は炭素数6以上の脂肪族ヒドラジド類に加えて、アミン類やグアナミン類、イミダゾール類等を併用してもよい。併用し得るアミン類としては、エポキシ樹脂の硬化剤として知られているアミン類であれば特に限定されず、例えば、ジアミノジフェニルメタン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ジアミノジフェニルスルホン、イソホロンジアミン、リノレン酸の2量体とエチレンジアミンより合成されるポリアミド樹脂等が挙げられる。また、併用し得るグアナミン類としては、特に限定されず、例えば、ジシアンジアミド、o−トルイルビグアニド、アセトグアナミン、ベンゾグアナミン、フェニルアセトグアナミン等が挙げられる。
併用し得るイミダゾール類としては、特に限定されず、例えば、2−エチルイミダゾール、2−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、2,4−ジシアノ−6(2’−メチルイミダゾール(1’))エチル−s−トリアジン、2,4−ジシアノ−6(2’−ウンデシルイミダゾール(1’))エチル−s−トリアジン等が挙げられる。
また、その他の併用し得る熱硬化剤としては、例えば、フェノール−ホルムアルデヒド重縮合物、クレゾール−ホルムアルデヒド重縮合物、ヒドロキシベンズアルデヒド−フェノール重縮合物、クレゾール−ナフトール−ホルムアルデヒド重縮合物、レゾルシン−ホルムアルデヒド重縮合物、フルフラール−フェノール重縮合物、フェノールノボラック樹脂、α−ヒドロキシフェニル−ω−ヒドロポリ(ビフェニルジメチレン−ヒドロキシフェニレン)等の多官能ノボラック類、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、チオジフェノール、4,4’−ビフェニルフェノール、ジヒドロキシナフタレン、フルオレンビスフェノール、テルペンジフェノール、2,2’−ビフェノール、3,3’,5,5’−テトラメチル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジオール、ハイドロキノン、レゾルシン、ナフタレンジオール、トリス−(4−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1,2,2−テトラキス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、フェノール類(フェノール、アルキル置換フェノール、ナフトール、アルキル置換ナフトール、ジヒドロキシベンゼン等)とホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、p−ヒドロキシベンズアルデヒド、o−ヒドロキシベンズアルデヒド、p−ヒドロキシアセトフェノン、o−ヒドロキシアセトフェノン、ジシクロペンタジエン、フルフラール、4,4’−ビス(クロロメチル)−1,1’−ビフェニル、4,4’−ビス(メトキシメチル)−1,1’−ビフェニル、1,4’−ビス(クロロメチル)ベンゼン、1,4’−ビス(メトキシメチル)ベンゼン等との重縮合物及びこれらの変性物、テトラブロモビスフェノールA等のハロゲン化ビスフェノール類、テルペンとフェノール類の縮合物等の多価フェノール系硬化剤、或は無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、無水マレイン酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸 、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸等の酸無水物系硬化剤、炭素数5以下の脂肪族ヒドラジド類等が挙げられる。これら併用し得る熱硬化剤は、単独又は2種以上を併用してもよい。
これら併用し得る熱硬化剤の使用量は、本発明の光電変換素子に用いられるシール剤中の熱硬化剤(b)の総量に対して通常50質量%以下、30質量%以下が好ましい。また、シール剤総量中における熱硬化剤(b)の含有率は、重量比で通常0.1%〜30%であり、1%〜20%であることが好ましく、5%〜14%であることが更に好ましく、10%〜13%であることが特に好ましい。
本発明の光電変換素子に用いられるシール剤に使用される熱硬化剤(b)の含有量は、シール剤に用いられるエポキシ樹脂(a)中のエポキシ基1当量に対して熱硬化剤(b)中の活性水素が0.8〜3.0当量が好ましく、0.9〜2.0当量がより好ましい。エポキシ基1当量に対する熱硬化剤(b)中の活性水素の量が0.8当量より少ないと熱硬化反応が不十分となり、導電性支持体との接着力やシール剤の硬化物のガラス転移温度が低くなる恐れがある。一方、活性水素の量が3.0当量より多いと、硬化後のシール剤に未反応の熱硬化剤が残留して導電性支持体との接着力が低下したり、シール剤のポットライフが悪化する懸念がある。尚、ここでいう活性水素とは、エポキシ樹脂の有するエポキシ基と反応し得る熱硬化剤のヘテロ原子と、結合を有する水素原子を意味する。
熱硬化剤(b)としては、芳香族ヒドラジドの単独又は2種以上の併用、又は芳香族ヒドラジドとフェノールノボラック樹脂の併用が好ましい。芳香族ヒドラジドとフェノールノボラック樹脂を併用することで、耐湿信頼性に優れたシール剤を得ることが可能となり、このシール剤を用いた場合、耐久性及び信頼性に優れた光電変換素子を得ることが可能となる。併用の際に用いられる芳香族ヒドラジドとしてはイソフタル酸ジヒドラジド、テレフタル酸ジヒドラジド、2,6−ナフトエ酸ジヒドラジド、4,4−ビスベンゼンジヒドラジド、1,4−ナフトエ酸ジヒドラジド、2,6−ピリジンジヒドラジド、1,2,4−ベンゼントリヒドラジド、ピロメリット酸テトラヒドラジド、1,4,5,8−ナフトエ酸テトラヒドラジドであることが好ましく、イソフタル酸ジヒドラジドであることが特に好ましい
本発明の光電変換素子に用いられるシール剤には、必要により充填剤(c)を用いることができる。用い得る充填剤(c)の具体例としては、溶融シリカ、結晶シリカ、シリコンカーバイド、窒化珪素、窒化ホウ素、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、マイカ、タルク、クレー、アルミナ(酸化アルミニウム)、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、含水硅酸マグネシウム、珪酸カルシウム、珪酸アルミニウム、珪酸リチウムアルミニウム、珪酸ジルコニウム、チタン酸バリウム、ガラス繊維、炭素繊維、二硫化モリブデン、アスベスト等が挙げられる。これらのうち、好ましいものとしては含水硅酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、結晶シリカ及び溶融シリカ等が挙げられる。これらの充填剤は1種を用いてもよく、また2種以上を混合して用いてもよい。本発明の光電変換素子に用いられるシール剤が含有し得る充填剤(c)は、平均粒径が15μm以下のものが好ましい。平均粒径が15μmより大きいと、光電変換素子製造時における上下基板貼り合わせ時に、適切なギャップ形成ができなくなる場合がある。
充填剤(c)を用いる場合の含有量は、本発明の光電変換素子に用いられるシール剤中に通常60質量%以下であり、5〜60質量%が好ましく、15〜50質量%がより好ましい。充填剤の含有量が60質量%を超えてしまうと、光電変換素子の作製時、電荷移動層を保持するための適切なセルギャップが形成できなくなる場合がある。
本発明の光電変換素子に用いられるシール剤には接着強度を向上させるために、シランカップリング剤(d)を用いることができる。シランカップリング剤(d)としては、シール剤と導電性支持体との接着強度を向上させ得るものであれば何れも使用できる。使用できるシランカップリング剤の具体例としては、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−(2−アミノエチル)3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−(2−アミノエチル)3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン等のメトキシシラン類、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、N−(2−(ビニルベンジルアミノ)エチル)3−アミノプロピルトリエトキシシラン塩酸塩 、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3−クロロプロピルメチルジエトキシシラン、3−クロロプロピルトリエトキシシラン等のエトキシシラン類等が挙げられるが、グリシジルエトキシシラン類又はグリシジルメトキシシラン類が好ましく、グリシジルメトキシシラン類であることが更に好ましく、3−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシランであることが特に好ましい。また、良好な接着強度を得る上でアミノ基を有するシランカップリング剤を用いることも好ましい。上記アミノ基を有するシランカップリング剤のうちより好ましいものとしては、N−(2−アミノエチル)3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−(2−アミノエチル)3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−(2−(ビニルベンジルアミノ)エチル)3−アミノプロピルトリエトキシシラン塩酸塩等が挙げられる。これらのシランカップリング剤は1種を用いてもよく、また2種以上を混合して用いてもよい。本発明において、シランカップリング剤を用いる場合、その含有量は本発明の光電変換素子に用いられるシール剤中通常2質量%以下、好ましくは0.1〜2質量%、より好ましくは0.2〜1.5質量%である。
更に、本発明の光電変換素子に用いられるシール剤には必要に応じて、有機溶媒、有機充填剤、応力緩和剤、更には顔料、レベリング剤、消泡剤などの添加剤を配合することができる。配合し得る添加剤は特に限定されるものではなく、その添加量も目的に応じて適宣選択すればよいが、電荷移動層の漏洩を防ぐ効果を有するものや、電荷移動層に対する汚染性を低くする効果のあるものを添加することが好ましい。
本発明の光電変換素子に用いられるシール剤は、前記エポキシ樹脂(a)、熱硬化剤(b)、必要により、前記充填剤(c)、シランカップリング剤(d)及び各種添加剤を、任意の順序で前記各含有量になるように必要により撹拌下に混合し、次いで、例えば3本ロール、サンドミル、ボールミル等の混合装置により均一に混合することにより製造することができる。必要により、混合が終わったあと夾雑物を除く為に、濾過処理を施してもよい。
本発明の光電変換素子に用いられるシール剤は、該シール剤を使用して、2枚の基板(導電性支持体)を貼り合わせ後に注入口から電荷移動層を注入する光電変換素子の作製法に適しており、2枚の基板に挟まれたシール剤の堰を加熱硬化させることにより、電荷移動層のシールを行うことが出来る。シール剤を基板に塗布する方法としては、バーコーター法、ディップコーティング法、スピンコート法、スプレー法、スクリーン印刷法、ドクターブレード法、ディスペンス法、インクジェット印刷法等の塗布法が挙げられ、基板の種類、形態により適宜選択あるいは併用することが可能であるが、生産性の観点から、スプレー法、スクリーン印刷法、ディスペンス法、インクジェット印刷法を用いることが好ましい。本発明の光電変換素子に用いられるシール剤が適用出来る光電変換素子としては、一般的に光エネルギーを電気エネルギーに変換する素子のすべてが挙げられる。光電変換素子から発生した電流を取り出せるようにリード線を配し、閉回路としたものを太陽電池とする。本発明の光電変換素子に用いられるシール剤は、特に、色素増感型光電変換素子及び該光電変換素子を有してなる太陽電池の製造に最適である。
本発明の光電変換素子に用いられるシール剤は、熱硬化後のシール幅が0.01mm乃至1cm、好ましくは0.01mm乃至5mm、更に好ましくは0.1mm乃至5mm、特に好ましくは1mm乃至3mmになるように使用することで電解液の漏洩防止性を向上させ、太陽電池の耐久性を向上させることができる。シール剤は、太陽電池の周囲のシールに用いるのみならず、後述する電荷移動層の注入口の封止に用いることも可能である。また、太陽電池が内部直列構造等、電気的に接続された複数のセルを有している場合、それぞれのセル間の堰として用いることも可能である。また、本発明の光電変換素子に用いられるシール剤を太陽電池の周囲のシールに用いる場合、2重以上に配置することも可能である。
以下本発明の色素増感型光電変換素子及び色素増感太陽電池について詳細に説明する。色素増感型光電変換素子は、色素で増感された半導体含有層を表面に有する第一の導電性支持体(酸化物半導体電極)、対向電極としての第二の導電性支持体、及び電荷移動層を主要な構成要素として構成され、本発明の光電変換素子に用いられる熱硬化型光電変換素子用シール剤は、該第一と第二の導電性支持体を接着し、かつ両支持体間に電荷移動層を保持する目的で用いられる。導電性支持体としては、例えばFTO(フッ素ドープ酸化スズ)、ATO(アンチモンドープ酸化スズ)、ITO(インジウムドープ酸化スズ)に代表される導電性物質を、ガラス、プラスチック、ポリマーフィルム、石英、シリコン等の基板の表面に薄膜化させたものが用いられる。基板の厚みは、通常0.01〜10mmであり、その形状はフィルム状から板状まで様々な態様を取り得るが、2枚の基板のうち少なくとも一方には光透過性のある基板が用いられる。導電性支持体の導電性は通常1000Ω/cm以下、好ましくは100Ω/cm以下である。
半導体含有層の調製に用いられる酸化物半導体としては、金属カルケニドの微粒子が好ましく、その具体例としてはTi、Zn、Sn、Nb、W、In、Zr、Y、La、Ta等の遷移金属の酸化物、Alの酸化物、Siの酸化物、StTiO、CaTiO、BaTiO等のペロブスカイト型酸化物が挙げられる。これらの中でTiO、ZnO、SnOが特に好ましい。また、これらは混合して用いてもよく、SnO−ZnO混合系が好ましい例として挙げられる。混合系の場合は微粒子の状態で混合したり、以下に述べるスラリーもしくはペースト状態で混合したり、各成分を層状に重ねて用いてもよい。ここで用いる酸化物半導体の一次粒径は通常1〜200nm、好ましくは1〜50nmである。また、上記酸化物半導体として、例えば国際公開特許WO2006/080384号公報記載の様に、チタンに、マグネシウム、ジルコニウム、ストロンチウム等の非チタン金属等を混合して作製した複合酸化物半導体を用いることも可能であり、色素増感型光電変換素子の開放電圧向上、変換効率向上、耐久性向上といった目的で適宜使用可能である。
半導体含有層の調製方法は、酸化物半導体からなる薄膜を蒸着により直接基板上に作製する方法、スラリー又はペーストを基板上に塗布またはコートした後、圧力を加えることで作製する方法、基板を電極として電気的に析出させる方法、スラリー又はペーストを基板上に塗布またはコートした後、乾燥し、硬化もしくは焼成する方法等がある。塗布またはコート法としては、バーコーター法、ディップコーティング法、スピンコート法、スプレー法、スクリーン印刷法、ドクターブレード法、ディスペンス法、インクジェット印刷法等が挙げられ、基板の種類、形態により適宜選択あるいは併用することが可能である。酸化物半導体電極の性能上、スラリー又はペーストを用いる方法が好ましい。スラリーは2次凝集している酸化物半導体の微粒子を、分散剤を用いて分散媒中に平均1次粒子径が通常1〜200nmになるように分散させたり、ゾルゲル法にて酸化物半導体の前駆体であるアルコキサイド等を加水分解することにより得られる。また、粒径の異なる酸化物半導体の微粒子を混合して用いてもよい。
スラリーを分散させる分散媒としては、酸化物半導体の微粒子を分散させ得るものであれば特に限定されず、水、エタノール、ターピネオール等のアルコール、アセトン、アセチルアセトン等のケトン、ヘキサン等の炭化水素等の有機溶媒が用いられ、これらは混合して用いてもよく、水を用いることはスラリーの粘度変化を少なくするという点で好ましい。
安定した一次微粒子を得る目的で、スラリーに分散安定剤等を加えてもよい。用い得る分散安定剤の具体例としては、ポリエチレングリコール等の多価アルコール、フェノール、オクチルアルコール等の1価アルコール等の自己またはこれら相互間の共縮合物;ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース等のセルロース誘導体;ポリアクリルアマイド;アクリルアマイド、(メタ)アクリル酸若しくはその塩、(メタ)アクリル酸エステル((メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル等)等の自己または相互間の共縮合物;アクリルアマイド、(メタ)アクリル酸若しくはその塩、(メタ)アクリル酸エステル等とスチレン、エチレン、プロピレン等の疎水性モノマーとの共重合体で水溶性であるポリアクリル酸系誘導体;メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物の塩;ナフタリンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物の塩;高分子量のリグニンスルホン酸塩;塩酸、硝酸、酢酸等の酸等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、これら分散安定剤は単独又は2種以上を併用してもよい。
これらの中で、ポリエチレングリコール等の多価アルコール、フェノール、オクチルアルコール等の自己又はこれら相互間の共縮合物、ポリ(メタ)アクリル酸、ポリ(メタ)アクリル酸ナトリウム、ポリ(メタ)アクリル酸カリウム、ポリ(メタ)アクリル酸リチウム、カルボキシメチルセルロース、塩酸、硝酸、酢酸等が好ましい。
スラリー中の酸化物半導体の濃度は通常1〜90質量%、好ましくは5〜80質量%である。
導電性支持体上に塗布したスラリーを乾燥した後、導電性支持体に用いた基板の融点(又は軟化点)以下の温度で焼成処理を行う。焼成温度は、通常100〜900℃、好ましくは100〜600℃である。また、焼成時間は特に限定はないが、概ね4時間以内である。導電性支持体上に設けられる半導体含有層の膜厚は、用いる増感色素や電荷移動層等により異なるが、おおむね通常1〜50μmであり、好ましくは1〜40μmであり、更に好ましくは3〜30μmである。
表面平滑性を向上させる目的で、半導体含有層に2次処理を施してもよい(非特許文献1参照)。例えば半導体含有層の調製に用いたのと同一の金属のアルコキサイドもしくは塩化物、硝化物、硫化物等の溶液に、前記の手法で調製された半導体含有層の薄膜が設けられた導電性支持体を直接浸漬して乾燥又は前記と同様に焼成(再焼成)することにより、半導体含有層の平滑性を高めることが出来る。ここで金属アルコキサイドとしてはチタンエトキサイド、チタンイソプロポキサイド、チタンt−ブトキサイド、n−ジブチル−ジアセチルスズ等が挙げられ、そのアルコール溶液が用いられる。塩化物の場合には例えば四塩化チタン、四塩化スズ、塩化亜鉛等が挙げられ、その水溶液が用いられる。この様にして得られる酸化物半導体微粒子から成る半導体含有層の比表面積は、通常1〜1000m/g、好ましくは10〜500m/gである。
次に、半導体含有層に増感色素を担持する工程について説明する。増感色素としては、半導体含有層を構成する半導体微粒子と相まって光吸収を増感させる作用を有するものであれば特に限定はなく、ルテニウム等の金属元素を含んだ金属錯体色素や金属を含まない有機色素を単独で用いてもよく、また数種類を任意の割合で混合して用いてもよい。混合して用いる場合は金属錯体色素同士、有機色素同士及び金属錯体色素と有機色素との組み合わせのいずれであってもよいが、吸収波長領域の異なる色素同士を混合することにより、幅広い吸収波長を用いることが出来、変換効率の高い太陽電池が得られる。
担持し得る金属錯体色素に特に制限は無いが、前記特許文献4及び前記特許文献5記載のルテニウム錯体色素、フタロシアニン、ポルフィリンなどが好ましく、ルテニウム錯体であることがより好ましい。また、担持し得る有機色素としては、例えば無金属のフタロシアニン、ポルフィリンやシアニン、メロシアニン、オキソノール、トリフェニルメタン系、前記特許文献6に記載のアクリル酸系色素、前記特許文献7に記載のピラゾロン系メチン色素などのメチン系色素や、キサンテン系、アゾ系、アンスラキノン系、ペリレン系等の色素が挙げられ、国際公開WO2002−001667号公報、特許文献7、国際公開WO2002−071530号公報、特開2002−334729号公報、特開2003−007358号公報、特開2003−017146号公報、特開2003−059547号公報、特開2003−086257号公報、特開2003−115333号公報、特開2003−132965号公報、特開2003−142172号公報、特開2003−151649号公報、特開2003−157915号公報、特開2003−282165号公報、特開2004−014175号公報、特開2004−022222号公報、特開2004−022387号公報、特開2004−227825号公報、特開2005−005026号公報、特開2005−019130公報、特開2005−135656号公報、特開2006−079898号公報、特開2006−134649号公報、国際公開WO2006−082061号公報、特開2008−021496号公報、国際公開WO2009/020098号公報、特開2010−146864号公報、国際公開WO2010/021378号公報、国際公開WO2007/100033号公報等に記載の色素であることが好ましく、メロシアニンや上記アクリル酸系等のメチン系色素等であることがさらに好ましい。色素を混合して用いる場合の各色素の比率には特に限定は無いが、一般的にはそれぞれの色素を少なくとも10モル%程度以上使用することが好ましい。2種以上の色素を溶解もしくは分散した溶液を用いて半導体含有層に色素を担持させる場合、溶液中の色素合計の濃度は1種類のみ担持させる場合と同様でよい。色素を混合して使用する場合の溶媒としては後記するような溶媒が使用可能であり、使用する各色素用の溶媒は同一でも異なっていてもよい。
増感色素を担持させる方法としては、色素を溶媒に溶解した溶液又は色素を溶媒に分散した分散液に、上記半導体含有層の設けられた導電性支持体を浸漬する方法が挙げられる。溶液又は分散液中における色素の濃度は、色素の種類や溶解度によって適宜決めればよい。浸漬温度は概ね常温から溶媒の沸点迄であり、また浸漬時間は1時間から72時間程度である。増感色素を溶解させるのに使用し得る溶媒の具体例としては、メタノール、エタノール、アセトニトリル、アセトン、ジメチルスルホキサイド、ジメチルホルムアミド、n−プロパノール、t−ブタノール、テトラヒドロフラン等が挙げられ、これらは単独又は2種以上を任意の割合で混合して用いてもよい。溶液中の増感色素の濃度は通常1×10−6M〜1M、好ましくは1×10−5M〜1×10−1Mである。この様に増感色素を半導体含有層の設けられた導電性支持体を浸漬させることにより、色素で増感された半導体含有層を有する導電性支持体が得られる。
半導体含有層に色素を担持する際、色素同士の会合を防ぐために、包接化合物の共存下で色素を担持することが効果的である。ここで用いる包接化合物としてはコール酸類等のステロイド系化合物、クラウンエーテル、シクロデキストリン、カリックスアレン、ポリエチレンオキサイドなどが挙げられるが、コール酸類を用いることが好ましく、コール酸類の中でもコール酸、デオキシコール酸、ケノデオキシコール酸、コール酸メチルエステル、コール酸ナトリウム、ウルソデオキシコール酸、リトコール酸等を用いることが好ましく、デオキシコール酸、ケノデオキシコール酸、ウルソデオキシコール酸、リトコール酸を用いることが更に好ましい。これら包摂化合物の使用形態としては、色素溶液に添加してもよく、予め包摂化合物を溶媒に溶解させた後に色素を溶解又は分散させてもよい。これら包摂化合物は2種類以上を組み合わせて用いることも可能であり、その割合は任意に選択することも可能である。また、色素を担持させた後、4−t−ブチルピリジン、ピリジン、4-メチルピリジン、トリエチルアミン等のアミン化合物や、ギ酸、酢酸、プロピオン酸等の酸で半導体含有層を処理してもよい。処理の方法は、例えばアミン化合物又は酸を添加したエタノール溶液に増感色素を担持した半導体含有層の設けられた導電性支持体を浸す方法や、増感色素を担持した半導体含有層の設けられた導電性支持体に直接アミン化合物や酸を添加接触させ、一定時間後に有機溶媒又は水等で洗浄及び乾燥する方法等が採られる。
対向電極には、FTO導電性ガラス等の導電性支持体の表面に、酸化還元系電解質の還元反応に触媒的に作用する白金、カーボン、ロジウム、ルテニウム等を蒸着したり、導電性微粒子前駆体を塗布、焼成したものが用いられる。
次に、前記のようにして得られた色素で増感された半導体含有層を有した導電性支持体(酸化物半導体電極)及び対向電極を有する導電性支持体を、熱硬化型光電変換素子用シール剤を用いて張り合わせる方法について説明する。まず、スペーサー(間隙制御材)を添加したシール剤を、いずれか一方の導電性支持体の導電面の周辺部に、電荷移動層の注入口を残してディスペンサー、スクリーン印刷機、インクジェット印刷機等により堰状に塗布した後、該シール剤が溶剤を含有する場合には、例えば90℃で18分間加熱して溶剤を蒸発させ、ついで第一と第二の導電性支持体の導電面が対面するように他方の導電性支持体を重ね合わせ、加熱してシール剤を硬化させる。ここで用いるスペーサーとしては、例えばグラスファイバー、シリカビーズ、ポリマービーズ等、さらには金パール、銀パール等の金属コーティングした微粒子等が用いられる。その直径は、目的に応じて異なるが、通常1〜100μm、好ましくは10〜40μmである。その使用量は、シール剤100質量部に対し通常0.1〜10質量部、好ましくは0.5〜5質量部、更に、好ましくは1〜2.5質量部である。シール剤の加熱硬化の条件は、通常90〜180℃で1〜3時間である。尚、加熱硬化の方法としては、熱盤を2枚有する熱プレス機でサンドイッチ状に挟んで行う方法、冶具で固定した後オーブン中で行なう方法等が採用出来る。第一と第二の導電性支持体の間隙は通常1〜100μm、好ましくは4〜50μmである。
本発明の色素増感光電変換素子は、上記のようにして貼り合わせた一対の導電性支持体の間隙に電荷移動層を注入して完成される。電荷移動層としては、酸化還元系電解質対や正孔輸送材料等を溶媒や常温溶融塩(イオン性液体)中に溶解させた溶液が用いられる。用い得る酸化還元系電解質としては、ハロゲンイオンを対イオンとするハロゲン化合物及びハロゲン分子からなるハロゲン酸化還元系電解質、フェロシアン酸塩−フェリシアン酸塩やフェロセン−フェリシニウムイオン、コバルト錯体などの金属錯体等の金属酸化還元系電解質、アルキルチオール−アルキルジスルフィド、ビオロゲン色素、ヒドロキノン−キノン等の有機酸化還元系電解質などをあげることができるが、ハロゲン酸化還元系電解質が好ましい。ハロゲン酸化還元系電解質におけるハロゲン分子としては、例えばヨウ素分子や臭素分子等があげられ、ヨウ素分子が好ましい。また、ハロゲン化合物としては、例えばLiI、NaI、KI、CsI、CaI、CuI等のハロゲン化金属塩あるいはテトラアルキルアンモニウムヨーダイド、イミダゾリウムヨーダイド、1−メチル−3−プロピルイミダゾリウムヨーダイド、1−メチル−3−エチルイミダゾリウムヨーダイド、1−メチル−3−ブチルイミダゾリウムヨーダイド、1−メチル−3−ヘキシルイミダゾリウムヨーダイド等の1−メチル−3−アルキルイミダゾリウムヨーダイド類、1,2−ジメチル−3−プロピルイミダゾリウムヨーダイド、1,2−ジメチル−3−ブチルイミダゾリウムヨーダイド、1,2−ジメチル−3−ヘキシルイミダゾリウムヨーダイド等の、1,2−ジメチル−3−アルキルイミダゾリウムヨーダイド類、N,N−ジメチルピロリジニウムヨーダイド、N,N−ジブチルピロリジニウムヨーダイド等のN,N−ジアルキルピロリジニウムヨーダイド類、ピリジニウムヨーダイドなどのハロゲンの有機4級アンモニウム塩等があげられるが、ヨウ素イオンを対イオンとする塩類が好ましい。ヨウ素イオンを対イオンとする塩類化合物の好ましい例としては、ヨウ化リチウム、ヨウ化ナトリウム、ヨウ化トリメチルアンモニウム塩、ヨウ化テトラブチルアンモニウム、N,N−イミダゾリウムヨーダイド等が挙げられる。
また、電荷移動層が酸化還元系電解質を含む溶液の形で構成されている場合、その溶媒としては電気化学的に不活性なものが用いられる。用いうる溶媒の例としては、例えばアセトニトリル、バレロニトリル、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、3−メトキシプロピオニトリル、3−ブトキシプロピオニトリル、メトキシアセトニトリル、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ジメトキシエタン、ジエチルカーボネート、ジエチルエーテル、ジエチルカーボネート、ジメチルカーボネート、1、2−ジメトキシエタン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキサイド、1、3−ジオキソラン、メチルフォルメート、2−メチルテトラヒドロフラン、3−メトキシオキサジリジン−2−オン、γ−ブチロラクトン、スルフォラン、テトラヒドロフラン、水等が挙げられ、これらの中で、アセトニトリル、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、3−メトキシプロピオニトリル、メトキシアセトニトリル、エチレングリコール、ジエチレングリコール、3−メチルオキサゾリジン−2−オン、γ−ブチロラクトン等が好ましい例として挙げられる。これらは単独又は2種以上を併用してもよい。電荷移動層中の酸化還元系電解質の濃度は通常0.01M〜10M、好ましくは0.1M〜5M、更に好ましくは0.5M〜3Mである。
また、電荷移動層が酸化還元系電解質を含む組成物の形で構成されている場合、溶媒として揮発性の低い常温溶融塩(イオン性液体)を用いることも電荷移動層の漏洩を防ぎ、太陽電池の耐久性及び信頼性を向上させる観点から好ましい。用い得る常温溶融塩の具体例としては、1−メチル−3−アルキルイミダゾリウムヨーダイド、ビニルイミダゾリウムテトラフルオライド、1−エチルイミダゾールスルフォネート、アルキルイミダゾリウムトリフルオロメチルスルホニルイミド、1−メチルピロリンジニウムヨーダイド等が挙げられる。また、太陽電池の耐久性向上の目的で電荷移動層に低分子ゲル化剤を溶解させて増粘させたり、反応性成分を併用した電荷移動層を注入後に反応させてゲル化させたり、あらかじめ高分子化したゲルに電荷移動層をしみこませる方法、酸化チタン等無機微粒子と混合して用いる方法等により、ゲル又はゲル状電解質とすることが可能である。
また、この電荷移動層には、色素増感型光電変換素子及び色素増感太陽電池の変換効率、開放電圧、短絡電流、フィルファクター、耐湿信頼性及び耐久性等電池性能を向上させるため、添加剤を加えることも好ましい。添加剤としては例えば、t−ブチルピリジン、1−メチルベンズイミダゾール、1−メチルイミダゾリウム等のアミン類、酢酸、プロピオン酸、リン酸等酸類、等が挙げられる。これらは単独又は2種以上を併用し添加してもよい。
また、電荷移動層を固体化する場合は、酸化還元系電解質の代わりに正孔輸送材料やP型半導体を用いることもできる。用い得る正孔輸送材料としてはアミン誘導体やポリアセチレン、ポリアニリン、ポリチオフェンなどの導電性高分子などが挙げられ、また、P型半導体としてはCuI、CuSCN等が挙げられ、ヨウ素を用いない色素増感太陽電池を作製する場合にはこれらヨウ素フリー電荷移動層を用いることが可能である。
一対の導電性支持体の間隙に電荷移動層を注入した後、電荷移動層の注入口を封止することにより光電変換素子を得ることができる。電荷移動層の注入口を封止する封止剤(封口剤)としてはイソブチレン樹脂、エポキシ樹脂、UV硬化性のアクリル樹脂等が使用でき、電荷移動層が注入口から漏洩するのを防ぐ効果を持つものであれば前述に限らず用いることが可能である。封止剤としては、市販の封止剤を用いることが可能であり、UV硬化性アクリル系樹脂であることが好ましい。
一方、光電変換素子の別の作製法として、特許文献8に記載のように、いずれか一方の導電性支持体の導電面の周辺部に、電荷移動層注入口を設けることなくシール剤の堰を設け、次いで前記同様の電荷移動層をシール剤の堰の内側に配し、減圧下において第一と第二の導電性支持体の導電面が対面するように他方の導電性支持体を載置し貼り合わせると同時にギャップ形成を行い、その後シール剤を硬化させることにより光電変換素子を得るという方法も採用出来る。
図1は本発明の色素増感光電変換素子の構造を説明する要部断面模式図であって、1は内側が導電性を有する導電性支持体、2は色素によって増感された半導体含有層、1と2を併せて酸化物半導体電極という。3は導電性支持体の内側の導電面の上に白金等を配した対向電極、4は一対の導電性支持体の間隙に配されている電荷移動層、5は本発明の光電変換素子に用いられるシール剤、6はガラス基板である。
このようにして得られた光電変換素子の正極と負極にリード線を配し、その間に抵抗成分を挿入する事により本発明の太陽電池を得ることが出来る。
本発明の光電変換素子に用いられるシール剤は、平面的に配置された複数の色素増感太陽電池が、電気的に直列に接続された大面積の色素増感太陽電池モジュールの作製にも適用できる。大面積化した色素増感太陽電池のモジュール構造はいくつかの種類が知られているが、本発明の光電変換素子に用いられるシール剤はいずれの種類の構造にも使用可能で有り、例えば国際公開WO2009/057704等に記載の直列接続構造を有する色素増感太陽電池モジュールにも好ましく使用することができる。
本発明の光電変換素子に用いられるシール剤は、光電変換素子、殊に色素増感型光電変換素子の電荷移動層の漏洩を防ぐことによって耐久性を向上させることが可能であり、また製造工程における電荷移動層に対する汚染性が極めて低く、基板への塗布作業性、貼り合わせ性、接着強度、室温での使用可能時間(ポットライフ)、低温硬化性に優れる。従って、該シール剤を用いて得られた本発明の光電変換素子は、電荷移動層の汚染による作動不良が無く、接着性、耐湿信頼性に優れたものであり、該光電変換素子を用いて調製される太陽電池は、効率的製造が可能で、その耐久性及び信頼性にも優れていることが特長である。
以下に実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
シール剤作製例1
エポキシ樹脂(a)としてRE−310S(商品名、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、日本化薬(株)製、エポキシ当量185g/eq.、加水分解性塩素量30ppm)を70質量部、EPPN−501H(商品名、トリスフェノールメタンノボラック型エポキシ樹脂、日本化薬(株)製、エポキシ当量165g/eq.、加水分解性塩素量390ppm)を20質量部及びビスフェノールA型固形エポキシ樹脂(エポキシ当量630g/eq.、加水分解性塩素550ppm)を10質量部;熱硬化剤(b)としてPN−152(商品名、フェノールノボラック樹脂、日本化薬(株)製、活性水素当量100g/eq.、軟化点50℃)を7.5質量部;シランカップリング剤(d)としてエポキシシランカップリング剤(γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン)を1質量部を、溶剤としてのエチレングリコールジブチルエーテル30質量部に加熱溶解させた。この溶解液を室温まで冷却後、さらに、熱硬化剤(b)としてイソフタル酸ジヒドラジドのジェットミルで微粉砕したもの(融点224℃、活性水素当量48.5g/eq.、平均粒径1.7μm、最大粒径7μm)を19質量部、充填剤(c)として平均粒径が0.5μm以下のアルミナを90質量部及びフュームドシリカを3.5質量部を、添加して3本ロールにより混合分散し、ここに硬化促進剤として平均粒径が3μm以下の2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物の5質量部を添加して熱硬化型光電変換素子用シール剤(1)を得た。このシール剤(1)の25℃における粘度は50Pa・sであった(粘度はE型粘度計で測定した。)。
シール剤作製例2
エポキシ樹脂(a)としてRE−310Sを70質量部、EPPN−501Hを20質量部及びビスフェノールA型固形エポキシ樹脂(エポキシ当量630g/eq.、加水分解性塩素550ppm)を10質量部;熱硬化剤(b)としてPN−152を7.5質量部;シランカップリング剤(d)としてエポキシシランカップリング剤(γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン)を1質量部を、溶剤としてのエチレングリコールジブチルエーテル30質量部に加熱溶解させた。この溶解液を室温まで冷却後、さらに熱硬化剤(b)としてセバチン酸ジヒドラジドのジェットミルで微粉砕したもの(融点185℃、活性水素当量57.6g/eq.、平均粒径1.7μm、最大粒径7μm)を22.5質量部、充填剤(c)として平均粒径が0.5μm以下のアルミナを90質量部及びフュームドシリカ3.5質量部を添加して3本ロールにより混合分散し、ここに硬化促進剤として平均粒径が3μm以下の2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物の5質量部を添加して熱硬化型光電変換素子用シール剤(2)を得た。このシール剤(2)の25℃における粘度は40Pa・sであった(粘度はE型粘度計で測定した。)。
シール剤作製例3
エポキシ樹脂(a)としてRE−310Sを70質量部、EPPN−501Hを20質量部及びビスフェノールA型固形エポキシ樹脂(エポキシ当量630g/eq.、加水分解性塩素550ppm)を10質量部;熱硬化剤(b)としてPN−152を7.5質量部;シランカップリング剤(d)としてエポキシシランカップリング剤(γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン)を1質量部を、溶剤としてのエチレングリコールジブチルエーテル30質量部に加熱溶解させた。この溶解液を室温まで冷却後、さらに熱硬化剤(b)としてイソフタル酸ジヒドラジドのジェットミルで微粉砕したもの(融点224℃、活性水素当量48.5g/eq、平均粒径1.7μm、最大粒径7μm)を19質量部、充填剤(c)として平均粒径が0.8μm以下のシリカを90質量部及びフュームドシリカを3.5質量部を添加して3本ロールにより混合分散し、ここに硬化促進剤として平均粒径が3μm以下の2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物の5質量部を添加して熱硬化型光電変換素子用シール剤(3)を得た。このシール剤(3)の25℃における粘度は65Pa・sであった(粘度はE型粘度計で測定した。)。
シール剤作製例4
エポキシ樹脂(a)としてRE−310Sを70質量部、EPPN−501Hを20質量部及びビスフェノールA型固形エポキシ樹脂(エポキシ当量630g/eq.、加水分解性塩素550ppm)を10質量部;熱硬化剤(b)としてPN−152を35.7質量部;シランカップリング剤(d)としてエポキシシランカップリング剤(γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン)を1質量部を溶剤としてのエチレングリコールジブチルエーテル30質量部に加熱溶解させた。この溶解液を室温まで冷却後、さらに充填剤(c)として平均粒径が0.5μm以下のアルミナを90質量部及びフュームドシリカを3.5質量部を添加して3本ロールにより混合分散し、ここに硬化促進剤として平均粒径が3μm以下の4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物の5質量部を添加して熱硬化型光電変換素子用シール剤(4)を得た。このシール剤(4)の25℃における粘度は43Pa・sであった(粘度はE型粘度計で測定した。)。
シール剤作製例5
エポキシ樹脂(a)としてRE−310Sを70質量部、EPPN−501Hを20質量部及びビスフェノールA型固形エポキシ樹脂(エポキシ当量630g/eq.、加水分解性塩素550ppm)を10質量部、熱硬化剤(b)としてPN−152を7.5質量部、シランカップリング剤(d)としてエポキシシランカップリング剤(γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン)を1質量部を溶剤としてのエチレングリコールジブチルエーテル30質量部に加熱溶解させた。この溶解液を室温まで冷却後、さらに熱硬化剤(b)としてコハク酸ジヒドラジドのジェットミルで微粉砕したもの(融点147℃、活性水素当量36.5g/eq、平均粒径1.7μm、最大粒径7μm)を14.3質量部、充填剤(c)として平均粒径が0.8μm以下のシリカを90質量部及びフュームドシリカを3.5質量部を、添加して3本ロールにより混合分散し、ここに硬化促進剤として平均粒径が3μm以下の2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物の5質量部を添加して熱硬化型光電変換素子用シール剤(5)を得た。このシール剤(5)の25℃における粘度は60Pa・sであった(粘度はE型粘度計で測定した。)。
評価試験1
次に、シール剤作製例1乃至5で得られた各シール剤(シール剤(1)乃至(5))について、接着強度、プレッシャークッカー(PCT)試験後の接着強度、膨潤率、吸湿率を測定した。結果を表1に示した。
Figure 0005649648
表1から明らかなように、シール剤(1)乃至(3)は、膨潤率においてシール剤(4)より優れていたことがわかった。また、シール剤(1)乃至(3)は、接着強度、PCT試験後の接着強度及び吸湿率(低吸湿性)においてシール剤(5)より優れた性能を有している。すなわち、本発明の光電変換素子に用いられるシール剤は、従来のシール剤より優れた耐湿信頼性を有していた事がわかる。なお、各テストは下記の方法で実施した。
接着強度
各シール剤100質量部にスペーサーとして直径20μmのグラスファイバー1質量部を添加して混合撹拌を行った。このシール剤を50mm×50mmの導電性支持体(FTOガラス基板)上にディスペンサーで塗布し、ホットプレートによる加熱で溶剤を揮発させた後、導電性支持体上のシール剤上に2mm×2mmのガラス片を貼り合わせ150℃、1時間の条件で硬化させ、得られた試験片のせん断接着強度を測定した。
PCT試験後の接着強度
接着強度の測定に用いたのと同じ方法で作製した試験片について、121℃、2気圧、湿度100%の条件で12時間プレシャークッカーテスト(PCT)を行い、せん断接着強度を測定した。
膨潤率
各シール剤を、ポリイミドフィルム上に、アプリケータを用いて塗布し、乾燥機中で溶剤を乾燥した後、ホットプレート上で150℃、1時間の条件で硬化させ、ポリイミドフィルムを剥離することで各シール剤のフィルム状サンプルを得た。このフィルムを3cm×3cmの大きさに切り出し、85℃の3−ブトキシプロピオニトリルに2時間浸漬させた。浸漬前後の質量から次式に基づき膨潤率を算出した。
膨潤率[%]=(浸漬後の質量−浸漬前の質量)/浸漬前の質量×100
吸湿率
膨潤性の測定に用いたのと同じ方法で作製したフィルム状サンプルを3cm×3cmの大きさに切り出し、65℃、90%RHの恒温恒湿槽中で12時間保持し、吸湿させた。吸湿前後の質量の増分から次式に基づき吸湿率を算出した。
吸湿率[%]=(吸湿後の質量−吸湿前の質量)/吸湿前の質量×100
実施例1
光電変換素子の例(図1)に示すように、導電性支持体であるFTO導電性ガラス支持体の導電面上に、TiO微粒子(平均粒子径20nm)をターピネオールでペースト状にしたものをスクリーン印刷機で塗布して、450℃で30分間焼成し、半導体含有層(膜厚10μm 短軸幅5mm)を有する導電性支持体を形成した。式(1)で示される色素を、アセトニトリルとt−ブチルアルコールの1:1混合溶媒に3.2×10−4Mの濃度で溶解し、この色素溶液に前記で得られた半導体含有層の設けられた導電性支持体を室温で48時間浸漬して酸化物半導体電極を作製した。つぎに、同じくFTO導電性ガラス支持体の導電面上にPtを50Å蒸着させて対向電極を作製した。
Figure 0005649648
次に、シール剤作製例1で得られたシール剤(1)にスペーサーとして金パール(パール径20μm)を2.5質量%添加し、混合撹拌した。このシール剤を対向電極の周縁に、電荷移動層の注入口を残すようにスクリーン印刷機を用いて塗布した後、温風乾燥機で90℃、18分間加熱し、溶剤を除去した。その後、酸化物半導体電極を、対向電極の導電面と半導体含有層とが対面するようにシール剤上に重ね合わせ、熱プレス機を用いで2.5kg/cmの圧力で、150℃で60分間硬化させることにより両導電性支持体を貼り合わせたセルを得た。
次に、ヨウ素系の電荷移動層(ヨウ素/ヨウ化リチウム/1−メチル−3−プロピルイミダゾリウムヨーダイド/1−メチルベンズイミダゾールをそれぞれ0.1M/0.1M/1.2M/0.5Mとなるように3−ブトキシプロキオニトリルに溶解)を前記で得られたセルの注入口からセル内に充填した後、注入口をUV硬化性アクリル系樹脂で封止することにより本発明の光電変換素子(素子1)を得た。
実施例2
実施例1において、シール剤(1)をシール剤作製例2のシール剤(2)に変更したこと以外は実施例1と同様にして本発明の光電変換素子(素子2)を得た。
実施例3
実施例1において、シール剤(1)をシール剤作製例3のシール剤(3)に変更したこと以外は実施例1と同様にして本発明の光電変換素子(素子3)を得た。
比較例1
実施例1において、シール剤(1)をシール剤作製例4のシール剤(4)に変更したこと以外は実施例1と同様にして比較用の光電変換素子(素子4)を得た。
評価試験2
光電変換効率測定
実施例1乃至3及び比較例1で得られた各光電変換素子について、両極にリード線を接続し、電圧計、電流計を配置し本発明の太陽電池を得た。各太陽電池につき、光電変換能の測定を行った。光源は1kWキセノンランプ(WACOM製)を用いて、AM1.5フィルターを通して100mW/cmとした。短絡電流、解放電圧、変換効率をソーラシミュレータ(WXS−155S−10、WACOM製)を用いて測定した。結果は表2に示した。
Figure 0005649648
表2から明らかなように、実施例1乃至3で得られた光電変換素子(素子1乃至3)は、従来のシール剤を用いて得られた光電変換素子(素子4)と同等以上の光電変換効率を発現しており、本発明のシール剤が光電変換素子の構成部材としても優れていることが判る。
評価試験3
光電変換素子の耐湿信頼性試験
シール剤作製例1乃至4で得られた各シール剤に、スペーサーとして金パール(パール径20μm)を2.5質量%添加し、混合撹拌した。厚さ1.1mmのガラス基板の周縁に、これらシール剤を光電変換素子と同様の形状で、電荷移動層用の注入口を残すようにスクリーン印刷機を用いてそれぞれ塗布した後、温風乾燥機で90℃18分間加熱し、溶剤を除去した。その後、別のガラス基板をシール剤上に重ね合わせ、熱プレス機を用いて2.5kg/cmの圧力で、150℃で60分間硬化させることにより、光電変換素子と同様の形状を有する模擬光電変換素子のセルを作製した。
次に、ヨウ素系の電荷移動層(ヨウ素/ヨウ化リチウム/1,2−ジメチル−3−プロピルイミダゾリウムヨーダイド/1−メチルベンズイミダゾールをそれぞれ0.1M/0.1M/1.2M/0.5Mとなるように3−ブトキシプロキオニトリルに溶解)を前記で得られた模擬光電変換素子のセルの注入口からセル内に充填した後、注入口をUV硬化性アクリル系樹脂で封止することにより、耐湿信頼性試験用の模擬光電変換素子をそれぞれ得た。
これら電荷移動層を封入した模擬光電変換素子と実施例1乃至3及び比較例1の素子1乃至4のサンプルを2つずつ作製し、1つは、85℃85%RHの恒温恒湿槽中で保持し、もう1つは120℃、2気圧、湿度100%の条件下(PCT)で保持し、電荷移動層の漏れ具合を観察することで素子の耐湿信頼性を評価した。模擬光電変換素子での結果を表3に、光電変換素子での結果を表4に示した。
Figure 0005649648
Figure 0005649648
表3及び表4から明らかなように、本発明の模擬光電変換素子及び素子1乃至3は、比較用の模擬光電変換素子及び素子4よりも耐湿信頼性において優れていることがわかった。すなわち、本発明の光電変換素子は、従来のシール剤を用いた光電変換素子と同等以上の光電変換特性を維持したまま、耐湿信頼性に優れる事がわかった。
評価試験4
光電変換素子の耐湿信頼性試験2
表5に本発明の光電変換素子(素子2及び素子3)と比較用の光電変換素子(素子4)の温度85℃湿度85%耐湿信頼性試験結果(変換効率維持率の経時変化)を示す。
なお、素子2、素子3及び素子4に用いたシール剤のシール幅は、いずれも熱硬化後1.2mmになるよう配置した。表5中の値は、試験開始時の変換効率を1とした場合の各時間における変換効率を表わす。
Figure 0005649648
表5から明らかなように、温度85℃湿度85%条件下では、比較用の光電変換素子(素子4)が、192時間経過により、変換効率維持率が0.15(変換効率で、0hを100%とした場合、15%を維持)であったのに対し、本発明の素子2では300時間経過しても変換効率維持率は0.348であり、本発明の素子3においては312時間経過しても変換効率維持率は0.97であった。すなわち、本発明の素子2及び素子3は比較用の素子4と比較して変換効率維持率が高く、優れた耐久性及び信頼性を有することが明らかとなった。また、300時間以上経過時の素子2と素子3の変換効率維持率を比較した場合、素子3は素子2の2.78倍以上の変換効率維持率を示していることから、素子3に用いている熱硬化型光電変換素子用シール剤(3)が、熱硬化剤(b)として、芳香族ヒドラジド及びフェノールノボラック樹脂を用いることでシール剤及び光電変換素子に高い電解液漏洩防止性が付与されたためと考えられる。
本発明の光電変換素子に用いられる熱硬化型光電変換素子用シール剤は、光電変換素子の製造工程における電荷移動層に対する汚染性が極めて低く、基板への塗布作業性、貼り合わせ性、接着強度、室温での使用可能時間(ポットライフ)、低温硬化性に優れる。このようなシール剤を用いて得られた本発明の光電変換素子は、電荷移動層の汚染による作動不良が無く、接着性、耐湿信頼性に優れ、高い耐久性及び信頼性を有したものである。
1 導電性支持体
2 色素によって増感された半導体含有層
3 対向電極
4 電荷移動層
5 シール剤
6 ガラス基板

Claims (10)

  1. 半導体含有層を有する第一の導電性支持体、該半導体含有層と対向電極とが所定の間隔で対向する位置に設けられた対向電極を有する第二の導電性支持体、第一及び第二の導電性支持体の間隙に挟持された電荷移動層、並びに電荷移動層をシールするために第一及び第二の導電性支持体の周辺部に設けられたシール剤を有する光電変換素子であって、
    該シール剤がエポキシ樹脂(a)と、芳香族ヒドラジド類及び炭素数6以上の脂肪族ヒドラジド類からなる群から選ばれる少なくとも一種、並びにフェノールノボラック樹脂を含む熱硬化剤(b)とを含有する熱硬化型光電子変換素子用シール剤である光電変換素子。
  2. エポキシ樹脂(a)中のエポキシ基1当量に対する熱硬化剤(b)中の活性水素が0.8〜3.0当量である請求項1に記載の光電子変換素子。
  3. 熱硬化剤(b)に含まれる芳香族ヒドラジド類及び炭素数6以上の脂肪族ヒドラジド類の少なくとも一種は、分子中に2個以上のヒドラジド基を有する請求項1又は2に記載の光電子変換素子。
  4. 熱硬化剤(b)が芳香族ヒドラジド類を含む請求項1乃至3のいずれか一項に記載の光電変換素子。
  5. 熱硬化型光電変換素子用シール剤が、充填剤(c)を更に含有する請求項1乃至のいずれか一項に記載の光電変換素子。
  6. 充填剤(c)が、含水硅酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、結晶シリカ及び溶融シリカからなる群から選ばれる1種又は2種以上からなり、且つ充填剤(c)の平均粒径が15μm以下である請求項に記載の光電変換素子。
  7. 熱硬化型光電変換素子用シール剤が、シランカップリング剤(d)を更に含有する請求項1乃至のいずれか一項に記載の光電変換素子。
  8. シランカップリング剤(d)が、グリシジルエトキシシラン類又はグリシジルメトキシシラン類である請求項に記載の光電変換素子。
  9. シランカップリング剤(d)が、グリシジルメトキシシラン類である請求項に記載の光電変換素子。
  10. 請求項1乃至のいずれか一項に記載の光電変換素子を有してなる太陽電池。
JP2012515874A 2010-05-17 2011-05-16 熱硬化型光電変換素子用シール剤を用いた光電変換素子 Active JP5649648B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012515874A JP5649648B2 (ja) 2010-05-17 2011-05-16 熱硬化型光電変換素子用シール剤を用いた光電変換素子

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010112958 2010-05-17
JP2010112958 2010-05-17
PCT/JP2011/061166 WO2011145551A1 (ja) 2010-05-17 2011-05-16 熱硬化型光電変換素子用シール剤を用いた光電変換素子
JP2012515874A JP5649648B2 (ja) 2010-05-17 2011-05-16 熱硬化型光電変換素子用シール剤を用いた光電変換素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2011145551A1 JPWO2011145551A1 (ja) 2013-07-22
JP5649648B2 true JP5649648B2 (ja) 2015-01-07

Family

ID=44991654

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012515874A Active JP5649648B2 (ja) 2010-05-17 2011-05-16 熱硬化型光電変換素子用シール剤を用いた光電変換素子

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20130061925A1 (ja)
EP (1) EP2573862A4 (ja)
JP (1) JP5649648B2 (ja)
KR (1) KR20130086934A (ja)
CN (1) CN102906934A (ja)
AU (1) AU2011256052A1 (ja)
TW (1) TW201213378A (ja)
WO (1) WO2011145551A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7063505B2 (ja) 2020-05-29 2022-05-09 株式会社日新 移動用コンテナ構造

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150090895A (ko) 2012-11-30 2015-08-06 닛뽄 가야쿠 가부시키가이샤 색소 증감 태양 전지
EP3147332A4 (en) * 2014-05-20 2018-01-10 Adeka Corporation Loading method, loaded body and photoelectric conversion element
TWI527259B (zh) 2014-08-13 2016-03-21 國立清華大學 鈣鈦礦太陽能電池的製造方法
AU2015377198B2 (en) * 2015-01-16 2018-05-10 Halliburton Energy Services, Inc. Hydrazide-based curing agents for use in subterranean operations
JP6837743B2 (ja) * 2015-11-17 2021-03-03 国立大学法人東海国立大学機構 光電変換装置
US20170141007A1 (en) * 2015-11-17 2017-05-18 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Filler compositions and underfill compositions and molding compounds including the same for preparing semiconductor packages
US10396225B2 (en) * 2016-06-14 2019-08-27 Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co., Ltd. Photovoltaic module with improved moisture protection layer
CN107819055A (zh) * 2017-11-02 2018-03-20 保定风华应用科技有限公司 一种太阳能电池背膜及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007007671A1 (ja) * 2005-07-07 2007-01-18 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha 光電変換素子用シール剤及びそれを用いた光電変換素子
WO2007046499A1 (ja) * 2005-10-21 2007-04-26 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha 色素増感型光電変換素子及びその製造法

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9217811D0 (en) 1992-08-21 1992-10-07 Graetzel Michael Organic compounds
WO1998050393A1 (en) 1997-05-07 1998-11-12 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne Metal complex photosensitizer and photovoltaic cell
KR100635710B1 (ko) * 1997-08-01 2007-06-12 니폰 가야꾸 가부시끼가이샤 흑색 액정시일제 및 액정 셀
US6323263B1 (en) * 1999-11-11 2001-11-27 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Semiconductor sealing liquid epoxy resin compositions
JPWO2002001667A1 (ja) 2000-06-29 2004-01-08 日本化薬株式会社 色素増感光電変換素子
JP5054269B2 (ja) 2000-07-27 2012-10-24 日本化薬株式会社 色素増感光電変換素子
TW541330B (en) 2001-03-07 2003-07-11 Nippon Kayaku Kk Photo-electric conversion device and oxide semiconductor fine particle
JP2002334729A (ja) 2001-03-09 2002-11-22 Nippon Kayaku Co Ltd 色素増感光電変換素子
JP2002368236A (ja) 2001-06-04 2002-12-20 Nippon Kayaku Co Ltd シール剤
JP2003007358A (ja) 2001-06-20 2003-01-10 Nippon Kayaku Co Ltd 色素増感光電変換素子
JP2003017146A (ja) 2001-06-29 2003-01-17 Nippon Kayaku Co Ltd 色素増感光電変換素子
JP5051810B2 (ja) 2001-08-17 2012-10-17 日本化薬株式会社 色素増感光電変換素子
JP4278023B2 (ja) 2001-07-06 2009-06-10 日本化薬株式会社 色素増感光電変換素子
JP4005330B2 (ja) 2001-10-04 2007-11-07 日本化薬株式会社 色素増感光電変換素子
JP4334185B2 (ja) 2001-07-10 2009-09-30 日本化薬株式会社 色素増感光電変換素子
JP4230182B2 (ja) 2001-08-23 2009-02-25 日本化薬株式会社 色素増感光電変換素子及びこれを用いた太陽電池
JP4230185B2 (ja) 2001-09-04 2009-02-25 日本化薬株式会社 色素増感光電変換素子
JP4822383B2 (ja) 2001-09-07 2011-11-24 日本化薬株式会社 色素増感光電変換素子
JP4230228B2 (ja) 2002-01-16 2009-02-25 日本化薬株式会社 色素増感光電変換素子
JP4266573B2 (ja) 2002-06-04 2009-05-20 日本化薬株式会社 色素増感光電変換素子
JP4274306B2 (ja) 2002-06-13 2009-06-03 日本化薬株式会社 色素増感光電変換素子
JP2004022387A (ja) 2002-06-18 2004-01-22 Nippon Kayaku Co Ltd 色素増感光電変換素子
JP4338981B2 (ja) 2003-01-21 2009-10-07 日本化薬株式会社 色素増感光電変換素子
TWI340763B (en) * 2003-02-20 2011-04-21 Nippon Kayaku Kk Seal agent for photoelectric conversion elements and photoelectric conversion elements using such seal agent
JP4450573B2 (ja) 2003-06-10 2010-04-14 日本化薬株式会社 色素増感光電変換素子
JP2005019130A (ja) 2003-06-25 2005-01-20 Nippon Kayaku Co Ltd 色素増感光電変換素子
JP2005135656A (ja) 2003-10-28 2005-05-26 Shozo Yanagida 光電変換素子
ATE409960T1 (de) * 2004-10-13 2008-10-15 Sumitomo Bakelite Co Lichtempfangseinrichtung
JP2006134649A (ja) 2004-11-04 2006-05-25 Nippon Kayaku Co Ltd 光電変換素子
US20080110497A1 (en) 2005-01-27 2008-05-15 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha Modified Titanium Oxide Microparticle and Photoelectric Transducer Making Use of the Same
DE202005001780U1 (de) 2005-02-03 2006-06-08 Kuka Schweissanlagen Gmbh Fertigungseinrichtung für Bauteile
US7977570B2 (en) 2005-05-24 2011-07-12 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha Dye-sensitized photoelectric conversion device
JP4918975B2 (ja) * 2005-09-21 2012-04-18 株式会社スリーボンド 色素増感型太陽電池用シール剤
JP2008021496A (ja) 2006-07-12 2008-01-31 Nippon Kayaku Co Ltd 色素増感光電変換素子
KR101031151B1 (ko) * 2006-10-06 2011-04-27 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 전자 부품 밀봉용 액상 수지 조성물 및 이것을 이용한 전자 부품 장치
WO2009020098A1 (ja) 2007-08-08 2009-02-12 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha パイ電子共役系を拡張した色素増感型太陽電池用増感色素
CN101842934B (zh) 2007-11-02 2013-03-20 日本化药株式会社 染料敏化太阳能电池模块
CN102160233B (zh) 2008-08-22 2013-12-04 日本化药株式会社 染料敏化的光电转换器件
JP5300454B2 (ja) 2008-12-19 2013-09-25 日本化薬株式会社 色素増感光電変換素子

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007007671A1 (ja) * 2005-07-07 2007-01-18 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha 光電変換素子用シール剤及びそれを用いた光電変換素子
WO2007046499A1 (ja) * 2005-10-21 2007-04-26 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha 色素増感型光電変換素子及びその製造法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7063505B2 (ja) 2020-05-29 2022-05-09 株式会社日新 移動用コンテナ構造

Also Published As

Publication number Publication date
AU2011256052A1 (en) 2012-12-13
EP2573862A4 (en) 2015-03-04
TW201213378A (en) 2012-04-01
WO2011145551A1 (ja) 2011-11-24
KR20130086934A (ko) 2013-08-05
US20130061925A1 (en) 2013-03-14
EP2573862A1 (en) 2013-03-27
JPWO2011145551A1 (ja) 2013-07-22
CN102906934A (zh) 2013-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5649648B2 (ja) 熱硬化型光電変換素子用シール剤を用いた光電変換素子
JP5091681B2 (ja) 色素増感型光電変換素子及びその製造法
JP5007227B2 (ja) 光電変換素子用シール剤及びそれを用いた光電変換素子
KR101183550B1 (ko) 광전변환소자용 밀봉제 및 이를 이용한 광전변환소자
JP6802802B2 (ja) シール剤
WO2013061958A1 (ja) 色素増感太陽電池
JP2014120431A (ja) 色素増感型太陽電池用シール剤及びそれを用いた色素増感太陽電池

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20131203

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140930

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20141009

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20141105

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20141111

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5649648

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250