JP5645252B2 - るつぼとサスセプタとの間のガスを排気するための方法及び装置 - Google Patents
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- 石英るつぼをサスセプタ内に入れ、前記るつぼの外面及び前記サスセプタの内面の少なくとも一方には、複数の排気口が形成されており、
シリコンチャージを前記るつぼに投入し、
前記るつぼの外面からガスが放出されるまで、前記サスセプタ、前記るつぼ及び前記チャージを炉内で加熱し、及び
前記放出されたガスが、前記炉内へ流出するまで、前記排気口内で上方へ排気すること、
を含み、
前記排気口が形成される領域は、前記溶融したシリコンチャージの表面によって画定される溶融物面の下にあり、
前記溶融物面の下にある、前記るつぼの前記外面が前記サスセプタの前記内面と接触する領域は、最も近い前記排気口から25mm以内にあり、
前記排気口は、互いに交差して複数の格子を形成するようにした、チョクラルスキー法によって単結晶を引き上げるためのシリコン溶融物を作製する方法を用いてシリコンチャージを溶融するためのるつぼであって、
概ねボウル形の構造と、
前記構造の外面に形成される複数の溝であって、前記るつぼ内の溶融したシリコンチャージの表面によって画定される溶融物面の下に延びる閉鎖端、並びに前記るつぼがサスセプタ内に受け入れられて加熱されるときに前記溶融物面の下の前記るつぼの外面から放出されるガスを排気するための前記溶融物面の上方へ延びる開放端を有する複数の溝と、
を含むるつぼ。 - 前記放出されたガスを前記炉から排出することをさらに含む請求項1に記載のるつぼ。
- 前記るつぼの外面からガスが放出されるまで前記サスセプタ、前記るつぼ及び前記チャージを炉内で加熱することは、前記炉を少なくとも摂氏1580度の温度まで加熱することを含む請求項1に記載のるつぼ。
- 前記溝が前記溶融物面の上方の上端で終端する請求項1に記載のるつぼ。
- 前記溝が前記るつぼの上部の下にある前記溝の上端で終端する請求項4に記載のるつぼ。
- 前記溝は互いに交差して複数の格子を形成する請求項1に記載のるつぼ。
- 前記溶融物面の下に形成される前記複数の溝を有する前記るつぼの前記外面が、最も近い前記溝から25mm以内である請求項6に記載のるつぼ。
- 前記溶融物面の下に形成される前記複数の溝を有する前記るつぼの前記外面が、最も近い前記溝から25mm以内である請求項1に記載のるつぼ。
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