JP5633224B2 - 光半導体装置及びその駆動方法 - Google Patents
光半導体装置及びその駆動方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5633224B2 JP5633224B2 JP2010165167A JP2010165167A JP5633224B2 JP 5633224 B2 JP5633224 B2 JP 5633224B2 JP 2010165167 A JP2010165167 A JP 2010165167A JP 2010165167 A JP2010165167 A JP 2010165167A JP 5633224 B2 JP5633224 B2 JP 5633224B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- impurity region
- impurity
- optical waveguide
- semiconductor layer
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Description
第1実施形態による光半導体装置及びその製造方法並びにその駆動方法を図1乃至図13を用いて説明する。
まず、本実施形態による光半導体装置について図1乃至図3を用いて説明する。図1は、本実施形態による光半導体装置を示す断面図である。図2は、本実施形態による光半導体装置を示す平面図である。図3は、本実施形態による光半導体装置の一部を拡大して示した平面図である。図4は、本実施形態による光半導体装置を示す斜視図である。図1は、図2及び図3のA−A′線断面に対応している。
次に、本実施形態による光半導体装置の動作(その1)について説明する。
次に、本実施形態による光半導体装置の動作(その2)について図5を用いて説明する。図5は、本実施形態による光半導体装置を示す斜視図(その2)である。
次に、本実施形態による光半導体装置の製造方法について図6乃至図13を用いて説明する。図6乃至図13は、本実施形態による光半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
第2実施形態による光半導体装置及びその製造方法について図14乃至図16を用いて説明する。図1乃至図13に示す第1実施形態による光半導体装置等と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
まず、本実施形態による光半導体装置について図14を用いて説明する。図14は、本実施形態による光半導体装置を示す断面図である。
次に、本実施形態による光半導体装置の製造方法について図15及び図16を用いて説明する。図15及び図16は、本実施形態による光半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
次に、本実施形態による光半導体装置の変形例について図17を用いて説明する。図17は、本変形例による光半導体装置を示す断面図である。
上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
基板上に形成された真性半導体の半導体層と、
前記半導体層の一部である第1の光導波路と、
前記半導体層の他の一部であり、前記第1の光導波路の第1の側に、前記第1の光導波路と並行するように形成された第2の光導波路と、
前記第1の光導波路の前記第1の側の反対の第2の側における前記半導体層に形成され、第1導電型の不純物が導入された第1の不純物領域と、
前記第1の光導波路の前記第1の側における前記半導体層に形成され、第1導電型と反対の第2導電型の不純物が導入された第2の不純物領域と、
前記第2の光導波路の前記第2の側における前記半導体層に形成され、第1導電型の不純物が導入され、前記第2の不純物領域に接続された第3の不純物領域と、
前記第2の光導波路の前記第1の側における前記半導体層に形成され、第2導電型の不純物が導入された第4の不純物領域と、
前記第2の不純物領域の一部である第1の下部電極と、少なくとも前記第1の下部電極上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成された第1の上部電極とを有する第1のキャパシタと、
前記第1の上部電極の下方領域の一部における前記半導体層に形成され、第2導電型の不純物が導入された第5の不純物領域と、
前記第4の不純物領域の一部である第2の下部電極と、少なくとも前記第2の下部電極上に形成された第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に形成された第2の上部電極とを有する第2のキャパシタと、
前記第2の上部電極の下方領域の一部における前記半導体層に形成され、第1導電型の不純物が導入された第6の不純物領域と
を有することを特徴とする光半導体装置。
基板上に形成された真性半導体の半導体層と、
前記半導体層の一部である第1の光導波路と、
前記半導体層の他の一部であり、前記第1の光導波路の第1の側に、前記第1の光導波路と並行するように形成された第2の光導波路と、
前記第1の光導波路の前記第1の側の反対の第2の側における前記半導体層に形成され、第1導電型の不純物が導入された第1の不純物領域と、
前記第1の光導波路の前記第1の側における前記半導体層に形成され、第1導電型と反対の第2導電型の不純物が導入された第2の不純物領域と、
前記第2の光導波路の前記第2の側における前記半導体層に形成され、第1導電型の不純物が導入され、前記第2の不純物領域に接続された第3の不純物領域と、
前記第2の光導波路の前記第1の側における前記半導体層に形成され、第2導電型の不純物が導入された第4の不純物領域と、
前記第1の不純物領域の一部である第1の下部電極と、少なくとも前記第1の下部電極上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成された第1の上部電極とを有する第1のキャパシタと、
前記第1の下部電極の前記第2の側における前記半導体層に形成され、前記第1の不純物領域より低い不純物濃度で第1導電型の不純物が導入された第5の不純物領域と、
前記第4の不純物領域の一部である第2の下部電極と、少なくとも前記第2の下部電極上に形成された第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に形成された第2の上部電極とを有する第2のキャパシタと、
前記第2の下部電極の前記第1の側における前記半導体層に形成され、前記第4の不純物領域より低い不純物濃度で第2導電型の不純物が導入された第6の不純物領域と
を有することを特徴とする光半導体装置。
請求項1又は2記載の光半導体装置において、
前記第1の上部電極、前記第2の上部電極、前記第5の不純物領域及び前記第6の不純物領域は、前記第1の光導波路及び前記第2の光導波路と並行するように形成されている
ことを特徴とする光半導体装置。
請求項1乃至3のいずれかに記載の光半導体装置において、
前記半導体層は、シリコン層又はゲルマニウム層である
ことを特徴とする光半導体装置。
基板上に形成された真性半導体の半導体層と;前記半導体層の一部である第1の光導波路と;前記半導体層の他の一部であり、前記第1の光導波路の第1の側に、前記第1の光導波路と並行するように形成された第2の光導波路と;前記第1の光導波路の前記第1の側の反対の第2の側における前記半導体層に形成され、第1導電型の不純物が導入された第1の不純物領域と;前記第1の光導波路の前記第1の側における前記半導体層に形成され、第1導電型と反対の第2導電型の不純物が導入された第2の不純物領域と;前記第2の光導波路の前記第2の側における前記半導体層に形成され、第1導電型の不純物が導入され、前記第2の不純物領域に接続された第3の不純物領域と;前記第2の光導波路の前記第1の側における前記半導体層に形成され、第2導電型の不純物が導入された第4の不純物領域と;前記第2の不純物領域の一部である第1の下部電極と、少なくとも前記第1の下部電極上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成された第1の上部電極とを有する第1のキャパシタと;前記第1の上部電極の下方領域の一部における前記半導体層に形成され、第2導電型の不純物が導入された第5の不純物領域と;前記第4の不純物領域の一部である第2の下部電極と、少なくとも前記第2の下部電極上に形成された第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に形成された第2の上部電極とを有する第2のキャパシタと;前記第2の上部電極の下方領域の一部における前記半導体層に形成され、第1導電型の不純物が導入された第6の不純物領域と、前記第5の不純物領域の前記第2の側における前記第1の不純物領域に接続された第1の電極と、前記第2の不純物領域及び前記第3の不純物領域に接続された第2の電極と、前記第6の不純物領域の前記第1の側における前記第4の不純物領域に接続された第3の電極とを有する光半導体装置の駆動方法であって、
前記第1の電極を第1の電位に接続し、前記第3の電極を前記第1の電位より低い第2の電位に接続し、前記第1の上部電極を前記第1の電位より低く、前記第2の電位より高い第3の電位に接続し、前記第2の上部電極を前記第3の電位より低く、前記第2の電位より高い第4の電位に接続し、前記第3の電位以下、前記第4の電位以上の範囲内において変化する入力信号を前記第2の電極に印加する
ことを特徴とする光半導体装置の駆動方法。
基板上に形成された真性半導体の半導体層と、前記半導体層の一部である第1の光導波路と、前記半導体層の他の一部であり、前記第1の光導波路の第1の側に、前記第1の光導波路と並行するように形成された第2の光導波路と、前記第1の光導波路の前記第1の側の反対の第2の側における前記半導体層に形成され、第1導電型の不純物が導入された第1の不純物領域と、前記第1の光導波路の前記第1の側における前記半導体層に形成され、第1導電型と反対の第2導電型の不純物が導入された第2の不純物領域と、前記第2の光導波路の前記第2の側における前記半導体層に形成され、第1導電型の不純物が導入され、前記第2の不純物領域に接続された第3の不純物領域と、前記第2の光導波路の前記第1の側における前記半導体層に形成され、第2導電型の不純物が導入された第4の不純物領域と、前記第1の不純物領域の一部である第1の下部電極と、少なくとも前記第1の下部電極上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成された第1の上部電極とを有する第1のキャパシタと、前記第1の下部電極の前記第2の側における前記半導体層に形成され、前記第1の不純物領域より低い不純物濃度で第1導電型の不純物が導入された第5の不純物領域と、前記第4の不純物領域の一部である第2の下部電極と、少なくとも前記第2の下部電極上に形成された第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に形成された第2の上部電極とを有する第2のキャパシタと、前記第2の下部電極の前記第1の側における前記半導体層に形成され、前記第4の不純物領域より低い不純物濃度で第2導電型の不純物が導入された第6の不純物領域とを有する光半導体装置の駆動方法であって、
前記第1の電極を第1の電位に接続し、前記第3の電極を前記第1の電位より低い第2の電位に接続し、前記第1の上部電極を第3の電位に接続し、前記第2の上部電極を第4の電位に接続し、前記第1の電位以下、前記第2の電位以上の範囲内において変化する入力信号を前記第2の電極に印加する
ことを特徴とする光半導体装置の駆動方法。
基板上に形成された真性半導体の半導体層をエッチングすることにより、前記半導体層の一部に第1の光導波路を形成し、前記第1の光導波路の第1の側における前記半導体層の他の一部に、前記第1の光導波路と並行するように第2の光導波路を形成する工程と、
前記第1の光導波路の前記第1の側の反対の第2の側における前記半導体層のうちの、第1の所定領域を除く領域に、第1導電型の不純物を導入することにより、第1の不純物領域を形成し、前記第2の光導波路の前記第2の側における前記半導体層に、第1導電型の不純物を導入することにより、第2の不純物領域を形成する工程と、
前記第1の光導波路の前記第1の側における前記半導体層に、第2導電型の不純物を導入することにより、第3の不純物領域を形成し、前記第2の光導波路の前記第1の側における前記半導体層のうちの、第2の所定領域を除く領域に、第2導電型の不純物を導入することにより、第4の不純物領域を形成する工程と、
前記第1の所定領域における前記半導体層に第2導電型の不純物を導入することにより、第5の不純物領域を形成する工程と、
前記第2の所定領域における前記半導体層に第1導電型の不純物を導入することにより、第6の不純物領域を形成する工程と、
前記第1の不純物領域及び前記第5の不純物領域上に第1の絶縁膜を介して第1の上部電極を形成することにより、前記第1の不純物領域の一部である第1の下部電極と、前記第1の絶縁膜と、前記第1の上部電極とを有する第1のキャパシタを形成し、前記第4の不純物領域及び前記第6の不純物領域上に第2の絶縁膜を介して第2の上部電極を形成することにより、前記第4の不純物領域の一部である第2の下部電極と、前記第2の絶縁膜と、前記第2の上部電極とを有する第2のキャパシタを形成する工程と
を有することを特徴とする光半導体装置の製造方法。
基板上に形成された真性半導体の半導体層をエッチングすることにより、前記半導体層の一部に第1の光導波路を形成し、前記第1の光導波路の第1の側における前記半導体層の他の一部に、前記第1の光導波路と並行するように第2の光導波路を形成する工程と、
前記第1の光導波路の前記第1の側の反対の第2の側における前記半導体層のうちの、第1の所定領域を除く領域に、第1導電型の不純物を導入することにより、第1の不純物領域を形成し、前記第2の光導波路の前記第2の側における前記半導体層に、第1導電型の不純物を導入することにより、第2の不純物領域を形成する工程と、
前記第1の光導波路の前記第1の側における前記半導体層に、第2導電型の不純物を導入することにより、第3の不純物領域を形成し、前記第2の光導波路の前記第1の側における前記半導体層のうちの、第2の所定領域を除く領域に、第2導電型の不純物を導入することにより、第4の不純物領域を形成する工程と、
前記第1の所定領域における前記半導体層に第1導電型の不純物を導入することにより、前記第1の不純物領域より不純物濃度が低い第5の不純物領域を形成する工程と、
前記第2の所定領域における前記半導体層に第2導電型の不純物を導入することにより、前記第4の不純物領域より不純物濃度が低い第6の不純物領域を形成する工程と、
前記第5の不純物領域の前記第1の側の前記第1の不純物領域上に第1の絶縁膜を介して第1の上部電極を形成することにより、前記第1の不純物領域の一部である第1の下部電極と、前記第1の絶縁膜と、前記第1の上部電極とを有する第1のキャパシタを形成し、前記第6の不純物領域の前記第2の側の前記第4の不純物領域上に第2の絶縁膜を介して第2の上部電極を形成することにより、前記第4の不純物領域の一部である第2の下部電極と、前記第2の絶縁膜と、前記第2の上部電極とを有する第2のキャパシタを形成する工程と
を有することを特徴とする光半導体装置の製造方法。
請求項7又は8記載の光半導体装置の製造方法において、
前記第5の不純物領域を形成する工程では、前記第5の不純物領域を前記第1の光導波路と並行するように形成し、
前記第6の不純物領域を形成する工程では、前記第6の不純物領域を前記第2の光導波路と並行するように形成し、
前記第1のキャパシタ及び前記第2のキャパシタを形成する工程では、前記第1の上部電極を前記第1の光導波路と並行するように形成し、前記第2の上部電極を前記第2の光導波路と並行するように形成する
ことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
請求項7乃至9のいずれかに記載の光半導体装置の製造方法において、
前記半導体層は、シリコン層又はゲルマニウム層である
ことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
12…絶縁膜、埋め込み絶縁膜
14…半導体層、シリコン層
14a、14b…I型半導体
15…SOI基板
16a、16b…PIN構造、PINダイオード
18a〜18f…光導波路
19…P型不純物領域
20…P型不純物領域
21…N型不純物領域
22…P型不純物領域
23…N型不純物領域
24…N型不純物領域
25…N型不純物領域
25a…P型不純物領域
26…P型不純物領域
26a…N型不純物領域
28…絶縁膜
30…ポリシリコン膜
30a…P型のポリシリコン膜、上部電極
30b…N型のポリシリコン膜、上部電極
32a、30b…キャパシタ
34…層間絶縁膜
36a〜36e…開口部
38…シリサイド膜
40…密着層
42a〜42e…配線層、電極
44…フォトレジスト膜
46…フォトレジスト膜
48a〜48c…開口部
50…フォトレジスト膜
52a〜52c…開口部
54…フォトレジスト膜
55…開口部
56…フォトレジスト膜
57…開口部
58…フォトレジスト膜
60…開口部
62…フォトレジスト膜
64…開口部
66…フォトレジスト膜
Claims (6)
- 基板上に形成された真性半導体の半導体層と、
前記半導体層の一部である第1の光導波路と、
前記半導体層の他の一部であり、前記第1の光導波路の第1の側に、前記第1の光導波路と並行するように形成された第2の光導波路と、
前記第1の光導波路の前記第1の側の反対の第2の側における前記半導体層に形成され、第1導電型の不純物が導入された第1の不純物領域と、
前記第1の光導波路の前記第1の側における前記半導体層に形成され、第1導電型と反対の第2導電型の不純物が導入された第2の不純物領域と、
前記第2の光導波路の前記第2の側における前記半導体層に形成され、第1導電型の不純物が導入され、前記第2の不純物領域に接続された第3の不純物領域と、
前記第2の光導波路の前記第1の側における前記半導体層に形成され、第2導電型の不純物が導入された第4の不純物領域と、
前記第1の不純物領域の一部である第1の下部電極と、少なくとも前記第1の下部電極上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成された第1の上部電極とを有する第1のキャパシタと、
前記第1の上部電極の下方領域の一部における前記半導体層に形成され、第2導電型の不純物が導入された第5の不純物領域と、
前記第4の不純物領域の一部である第2の下部電極と、少なくとも前記第2の下部電極上に形成された第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に形成された第2の上部電極とを有する第2のキャパシタと、
前記第2の上部電極の下方領域の一部における前記半導体層に形成され、第1導電型の不純物が導入された第6の不純物領域と、
前記第5の不純物領域の前記第2の側における前記第1の不純物領域に接続された第1の電極と、
前記第2の不純物領域及び前記第3の不純物領域に接続された第2の電極と、
前記第6の不純物領域の前記第1の側における前記第4の不純物領域に接続された第3の電極と
を有することを特徴とする光半導体装置。 - 基板上に形成された真性半導体の半導体層と、
前記半導体層の一部である第1の光導波路と、
前記半導体層の他の一部であり、前記第1の光導波路の第1の側に、前記第1の光導波路と並行するように形成された第2の光導波路と、
前記第1の光導波路の前記第1の側の反対の第2の側における前記半導体層に形成され、第1導電型の不純物が導入された第1の不純物領域と、
前記第1の光導波路の前記第1の側における前記半導体層に形成され、第1導電型と反対の第2導電型の不純物が導入された第2の不純物領域と、
前記第2の光導波路の前記第2の側における前記半導体層に形成され、第1導電型の不純物が導入され、前記第2の不純物領域に接続された第3の不純物領域と、
前記第2の光導波路の前記第1の側における前記半導体層に形成され、第2導電型の不純物が導入された第4の不純物領域と、
前記第1の不純物領域の一部である第1の下部電極と、少なくとも前記第1の下部電極上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成された第1の上部電極とを有する第1のキャパシタと、
前記第1の下部電極の前記第2の側における前記半導体層に形成され、前記第1の不純物領域より低い不純物濃度で第1導電型の不純物が導入された第5の不純物領域と、
前記第4の不純物領域の一部である第2の下部電極と、少なくとも前記第2の下部電極上に形成された第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に形成された第2の上部電極とを有する第2のキャパシタと、
前記第2の下部電極の前記第1の側における前記半導体層に形成され、前記第4の不純物領域より低い不純物濃度で第2導電型の不純物が導入された第6の不純物領域と、
前記第5の不純物領域の前記第2の側における前記第1の不純物領域に接続された第1の電極と、
前記第2の不純物領域及び前記第3の不純物領域に接続された第2の電極と、
前記第6の不純物領域の前記第1の側における前記第4の不純物領域に接続された第3の電極と
を有することを特徴とする光半導体装置。 - 請求項1又は2記載の光半導体装置において、
前記第1の上部電極、前記第2の上部電極、前記第5の不純物領域及び前記第6の不純物領域は、前記第1の光導波路及び前記第2の光導波路と並行するように形成されている
ことを特徴とする光半導体装置。 - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光半導体装置において、
前記半導体層は、シリコン層又はゲルマニウム層である
ことを特徴とする光半導体装置。 - 基板上に形成された真性半導体の半導体層と;前記半導体層の一部である第1の光導波路と;前記半導体層の他の一部であり、前記第1の光導波路の第1の側に、前記第1の光導波路と並行するように形成された第2の光導波路と;前記第1の光導波路の前記第1の側の反対の第2の側における前記半導体層に形成され、第1導電型の不純物が導入された第1の不純物領域と;前記第1の光導波路の前記第1の側における前記半導体層に形成され、第1導電型と反対の第2導電型の不純物が導入された第2の不純物領域と;前記第2の光導波路の前記第2の側における前記半導体層に形成され、第1導電型の不純物が導入され、前記第2の不純物領域に接続された第3の不純物領域と;前記第2の光導波路の前記第1の側における前記半導体層に形成され、第2導電型の不純物が導入された第4の不純物領域と;前記第1の不純物領域の一部である第1の下部電極と、少なくとも前記第1の下部電極上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成された第1の上部電極とを有する第1のキャパシタと;前記第1の上部電極の下方領域の一部における前記半導体層に形成され、第2導電型の不純物が導入された第5の不純物領域と;前記第4の不純物領域の一部である第2の下部電極と、少なくとも前記第2の下部電極上に形成された第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に形成された第2の上部電極とを有する第2のキャパシタと;前記第2の上部電極の下方領域の一部における前記半導体層に形成され、第1導電型の不純物が導入された第6の不純物領域と、前記第5の不純物領域の前記第2の側における前記第1の不純物領域に接続された第1の電極と、前記第2の不純物領域及び前記第3の不純物領域に接続された第2の電極と、前記第6の不純物領域の前記第1の側における前記第4の不純物領域に接続された第3の電極とを有する光半導体装置の駆動方法であって、
前記第1の電極を第1の電位に接続し、前記第3の電極を前記第1の電位より低い第2の電位に接続し、前記第1の上部電極を前記第1の電位より低く、前記第2の電位より高い第3の電位に接続し、前記第2の上部電極を前記第3の電位より低く、前記第2の電位より高い第4の電位に接続し、入力信号を前記第2の電極に印加する
ことを特徴とする光半導体装置の駆動方法。 - 基板上に形成された真性半導体の半導体層と、前記半導体層の一部である第1の光導波路と、前記半導体層の他の一部であり、前記第1の光導波路の第1の側に、前記第1の光導波路と並行するように形成された第2の光導波路と、前記第1の光導波路の前記第1の側の反対の第2の側における前記半導体層に形成され、第1導電型の不純物が導入された第1の不純物領域と、前記第1の光導波路の前記第1の側における前記半導体層に形成され、第1導電型と反対の第2導電型の不純物が導入された第2の不純物領域と、前記第2の光導波路の前記第2の側における前記半導体層に形成され、第1導電型の不純物が導入され、前記第2の不純物領域に接続された第3の不純物領域と、前記第2の光導波路の前記第1の側における前記半導体層に形成され、第2導電型の不純物が導入された第4の不純物領域と、前記第1の不純物領域の一部である第1の下部電極と、少なくとも前記第1の下部電極上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成された第1の上部電極とを有する第1のキャパシタと、前記第1の下部電極の前記第2の側における前記半導体層に形成され、前記第1の不純物領域より低い不純物濃度で第1導電型の不純物が導入された第5の不純物領域と、前記第4の不純物領域の一部である第2の下部電極と、少なくとも前記第2の下部電極上に形成された第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に形成された第2の上部電極とを有する第2のキャパシタと、前記第2の下部電極の前記第1の側における前記半導体層に形成され、前記第4の不純物領域より低い不純物濃度で第2導電型の不純物が導入された第6の不純物領域と、前記第5の不純物領域の前記第2の側における前記第1の不純物領域に接続された第1の電極と、前記第2の不純物領域及び前記第3の不純物領域に接続された第2の電極と、前記第6の不純物領域の前記第1の側における前記第4の不純物領域に接続された第3の電極とを有する光半導体装置の駆動方法であって、
前記第1の電極を第1の電位に接続し、前記第3の電極を前記第1の電位より低い第2の電位に接続し、前記第1の上部電極を第3の電位に接続し、前記第2の上部電極を第4の電位に接続し、入力信号を前記第2の電極に印加する
ことを特徴とする光半導体装置の駆動方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010165167A JP5633224B2 (ja) | 2010-07-22 | 2010-07-22 | 光半導体装置及びその駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010165167A JP5633224B2 (ja) | 2010-07-22 | 2010-07-22 | 光半導体装置及びその駆動方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012027199A JP2012027199A (ja) | 2012-02-09 |
JP5633224B2 true JP5633224B2 (ja) | 2014-12-03 |
Family
ID=45780200
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010165167A Expired - Fee Related JP5633224B2 (ja) | 2010-07-22 | 2010-07-22 | 光半導体装置及びその駆動方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5633224B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5747004B2 (ja) | 2012-08-22 | 2015-07-08 | 株式会社フジクラ | 光導波路素子 |
JP5702756B2 (ja) * | 2012-08-22 | 2015-04-15 | 株式会社フジクラ | 光導波路素子 |
JP5702757B2 (ja) * | 2012-08-22 | 2015-04-15 | 株式会社フジクラ | 光導波路素子 |
JP2014174306A (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光導波路構造 |
JP6478907B2 (ja) * | 2013-03-25 | 2019-03-06 | 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所 | 端面光結合型シリコン光集積回路 |
JP6295115B2 (ja) * | 2014-03-19 | 2018-03-14 | 富士通株式会社 | 光半導体装置及びその製造方法 |
JP6701830B2 (ja) * | 2016-03-11 | 2020-05-27 | 富士通株式会社 | 変調器およびマッハツェンダ型変調器 |
CN108780236B (zh) * | 2016-03-18 | 2021-07-23 | 日本电信电话株式会社 | 光调制器 |
JP6781618B2 (ja) * | 2016-12-09 | 2020-11-04 | 日本電信電話株式会社 | 光変調器 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2323450A (en) * | 1997-03-20 | 1998-09-23 | Secr Defence | Optical modulator |
FR2868171B1 (fr) * | 2004-03-29 | 2006-09-15 | Univ Paris Sud | Modulateur optoelectronique haute frequence integre sur silicium |
US20110176762A1 (en) * | 2008-11-13 | 2011-07-21 | Junichi Fujikata | Optical modulator and optical modulator fabrication method |
-
2010
- 2010-07-22 JP JP2010165167A patent/JP5633224B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012027199A (ja) | 2012-02-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5633224B2 (ja) | 光半導体装置及びその駆動方法 | |
JP5577909B2 (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
US9893219B2 (en) | Graphene photodetector and graphene optical modulator | |
US11886056B2 (en) | Electro-optical modulator using waveguides with overlapping ridges | |
JP5300807B2 (ja) | 光変調素子 | |
US9513498B2 (en) | Detector remodulator | |
US9703125B2 (en) | Silicon-based electro-optic modulator | |
US9239506B2 (en) | Dual static electro-optical phase shifter having two control terminals | |
US10996539B2 (en) | Electro-optic modulator | |
JP6413296B2 (ja) | 光変調用素子および光変調器 | |
WO2016125772A1 (ja) | 光変調器及びその製造方法 | |
CN110824729A (zh) | 具有透明导电和低折射率栅极的mos电容式光学调制器 | |
WO2016157687A1 (ja) | 電気光学装置 | |
JP2019008163A (ja) | 電界吸収型光変調器 | |
JP2016537691A (ja) | 電気光学変調器装置 | |
US20190285916A1 (en) | Electroabsorption optical modulator | |
JP6084909B2 (ja) | リング光変調器 | |
US20170082877A1 (en) | Optical modulator and method for manufacturing same | |
US9618776B2 (en) | Electro-absorption optical modulation device and method of fabricating the same | |
JP6409299B2 (ja) | 光変調用素子および光変調器 | |
US11822164B2 (en) | Electro-optical phase modulator | |
US10416382B2 (en) | Semiconductor device | |
JP6823619B2 (ja) | 光変調器 | |
WO2014156480A1 (ja) | 光変調器 | |
TWI838953B (zh) | 具有行波電極之三五族/矽混合金屬氧化物半導體光學調變器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130507 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20131028 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140115 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140121 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140324 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140916 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140929 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |