JP5627387B2 - 円筒状基体の洗浄方法及びそれを用いた電子写真感光体の製造方法 - Google Patents
円筒状基体の洗浄方法及びそれを用いた電子写真感光体の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5627387B2 JP5627387B2 JP2010232778A JP2010232778A JP5627387B2 JP 5627387 B2 JP5627387 B2 JP 5627387B2 JP 2010232778 A JP2010232778 A JP 2010232778A JP 2010232778 A JP2010232778 A JP 2010232778A JP 5627387 B2 JP5627387 B2 JP 5627387B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- degreasing
- cleaning
- cylindrical substrate
- chemical
- tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 522
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 342
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 161
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 5
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 claims description 418
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 225
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 122
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 79
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 52
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims description 34
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 11
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 4
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 claims description 4
- 239000003814 drug Substances 0.000 claims description 3
- 229940079593 drug Drugs 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 146
- 239000010730 cutting oil Substances 0.000 description 81
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 44
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 36
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 29
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 27
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 25
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 17
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 17
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 13
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 11
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 10
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 5
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 4
- -1 swarf Substances 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 3
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 3
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 2
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 230000026683 transduction Effects 0.000 description 2
- 238000010361 transduction Methods 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 239000004111 Potassium silicate Substances 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002280 amphoteric surfactant Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 150000001642 boronic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005237 degreasing agent Methods 0.000 description 1
- 239000013527 degreasing agent Substances 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000007602 hot air drying Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N potassium silicate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Si]([O-])=O NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052913 potassium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
Description
このような電子写真感光体用の基体は、電子写真感光体の帯電特性等の均一性向上を目的として、感光層の形成前に旋盤等により切削加工が施されている。そのため、切削加工された表面には、切削油、切り粉、ダスト等が付着しており、そのままの状態では基体の上に良好な感光層の形成ができない。したがって、基体の表面を洗浄することによりそれらを除去し、その後、基体の上に無機系感光層や有機系感光層を形成して電子写真感光体の作製が行われてきた。
しかし、このような界面活性剤を用いた脱脂洗浄工程後の基体の上に作製したa−Si電子写真感光体(以下「a−Si感光体」とも表記する。)を電子写真装置に設置し画像を出力すると、出力された画像上に画像欠陥が発生する場合があった。
異常成長部の発生原因の1つとして、脱脂洗浄による基体の上の切削油、切り粉、ダスト等の汚染物の除去が不十分であったり、これら汚染物が洗浄中に基体に再付着したりすることで、脱脂洗浄後の基体の上にこれらの汚染物が残留することが挙げられる。この汚染物上に堆積膜を形成して電子写真感光体を作製すると、この汚染物が起点となって堆積膜が異常成長し、その結果、電子写真感光体に異常成長部が形成される。そのため、従来から異常成長部の低減に関する技術が提案されている。
しかし、近年、電子写真プロセスにおいては、環境に配慮しつつ、高速化、高画質化、長寿命化が更に求められている。
これを実現するためには、画像品質の低下に繋がる画像欠陥の低減が不可欠である。そのためには、画像欠陥の原因であるa−Si感光体の感光層に形成される異常成長部を従来以上に低減していくことが必要である。
しかしながら、円筒状基体を脱脂洗浄する場合、基体から除去された切削油が円筒状基体の直上の液面に残留する場合があった。この理由を以下に示す。
また、円筒状基体の直上の液面に残留する切削油をオーバーフローにより脱脂洗浄槽の外に排出し易くするために円筒状基体の内面側の流速が速くなるように薬液を供給すると、脱脂洗浄槽の底面に配置された超音波発振子が故障しやすくなる場合があった。これは、円筒状基体の内面側の流速を速くしたことで、脱脂洗浄槽に浸漬させた円筒状基体と超音波発振子との間に乱流が発生し、その結果、超音波が脱脂洗浄槽内に導入されにくくなるためだと思われる。
そこで、本発明の目的としては、円筒状基体の脱脂洗浄において、除去された切削油の再付着を従来以上に抑制し、切削油に起因した異常成長部を低減することにより、画像欠陥を低減し、良好な画質を出力可能なa−Si感光体を提供することにある。
前記第1の脱脂洗浄工程及び前記第2の脱脂洗浄工程を行うための脱脂洗浄槽内に、界面活性剤を含有する薬液を供給し、
前記脱脂洗浄槽内に供給される前記薬液に超音波を導入し、
前記脱脂洗浄槽内の下部から上部に向かって前記薬液が流れるように前記薬液を前記脱脂洗浄槽内に供給しながら、前記脱脂洗浄槽の上面より前記薬液をオーバーフローさせ、
前記脱脂洗浄槽内の前記薬液への前記円筒状基体の浸漬時には、前記薬液の流速が前記円筒状基体の内面側よりも外面側の方が速くなるように前記脱脂洗浄槽内に前記薬液を供給し、
前記脱脂洗浄槽内の前記薬液に前記円筒状基体を浸漬させてから所定の時間が経過した後、前記円筒状基体の下面を前記脱脂洗浄槽内の前記薬液の液面よりも高い位置まで引き上げて、前記第1の脱脂洗浄工程を終了し、
前記円筒状基体が前記液面よりも高い位置で保持されている間に、前記オーバーフローによって前記円筒状基体から除去された油を前記薬液とともに前記脱脂洗浄槽の外に排出するために、前記薬液の流速が前記円筒状基体の外面相当位置よりも内面相当位置の方が速くなるように前記脱脂洗浄槽内に前記薬液を供給し、
前記円筒状基体を前記脱脂洗浄槽内の前記薬液に再度浸漬させて第2の脱脂洗浄工程を少なくとも1回行う
ことを特徴とする。
また、電子写真感光体の製造方法において、前記円筒状基体の洗浄方法により、円筒状基体を洗浄する工程と、
洗浄された前記円筒状基体の上にケイ素原子を含む非晶質材料で構成された光導電層を形成する工程と
を有することを特徴とする。
図1は、本発明に関わる円筒状基体の洗浄方法に用いることができる洗浄装置の模式的な概略断面図である。図1に示す洗浄装置は、切削加工処理の後の円筒状基体1010を置くための洗浄前ストッカー1004と、洗浄液が貯留された3つの洗浄槽と、洗浄後の円筒状基体1010を置くための洗浄後ストッカー1005より構成されている。上記洗浄槽は、脱脂洗浄槽1001と、リンス槽1002と、乾燥槽1003とから構成されている。脱脂洗浄槽1001では、切削時に円筒状基体の表面に付着する切削油を除去する脱脂洗浄工程を行う。リンス槽1002では、リンス工程を行う。乾燥槽1003では、リンス工程後に円筒状基体の表面から水を除去し乾燥させる乾燥工程を行う。
切削加工処理の後の円筒状基体1010は、図1に示す投入台1054の上に置かれた後、搬送機構1061により脱脂洗浄槽1001に搬送される。図2は、円筒状基体の脱脂洗浄工程を説明するための脱脂洗浄装置の模式的な概略説明図である。脱脂洗浄槽2001及び貯槽2002には、純水で希釈された界面活性剤を含む薬液が貯留されている。
円筒状基体を載置した後、受け台2053が下降することにより円筒状基体2010を薬液中に浸漬させ、槽内循環ポンプ2061を停止して槽内循環を止める。円筒状基体2010が脱脂洗浄槽2001の所定の位置に設置された後、超音波発振子(超音波導入手段)2021から薬液中へと超音波を導入し、円筒状基体の表面に付着した切削油の除去を行う。所定の時間が経過した後、薬液への超音波の導入を停止し、受け台2053を上昇させることにより脱脂洗浄槽2001から円筒状基体2010を取り出して、第1の脱脂洗浄工程を終了する。
円筒状基体を載置した後、受け台1052を下降させることで円筒状基体1010を所定の温度及び所定の導電率に制御された純水中に浸漬させ、円筒状基体1010をリンス槽1002の所定の位置に設置する。そして、所定の時間が経過した後、受け台1052を上昇させることで純水から円筒状基体を取り出して、リンス工程を終了する。受け台1052に載置された円筒状基体1010を搬送機構1063により乾燥槽1003に搬送する。
なお、本発明において、第1の脱脂洗浄工程とは、切削後の円筒状基体を脱脂洗浄槽へ導入する基体導入工程から1回目の脱脂洗浄処理をおこない、円筒状基体を脱脂洗浄槽より引上げる引上げ工程までを指す。また、第2の脱脂洗浄工程とは、第1の脱脂洗浄工程終了後の円筒状基体を脱脂洗浄槽の液面より高い位置で保持する保持工程から脂洗浄槽へ再度導入する基体導入工程、脱脂洗浄処理、円筒状基体を引上げる引上げ工程までを指す。
以下に、円筒状基体に上述した脱脂洗浄を行うことの作用について、より詳細に説明する。
本発明において、第2の脱脂洗浄工程を少なくとも1回行った後、円筒状基体の表面に皮膜を形成するための皮膜形成工程を行い、皮膜形成された円筒状基体を純水で処理するリンス工程を行うことが好ましい。
図4(a)は、第1の脱脂洗浄工程と第2の脱脂洗浄工程を1回ずつ行った後、リンス工程を行うときの脱脂洗浄工程フローである。また、図4(a)では、第2の脱脂洗浄工程における基体導入工程以降に関して、第1の脱脂洗浄工程と同じ条件で行った場合の例である。
また、皮膜形成工程を行う場合においても、F2をF1より多くすることにより、脱脂洗浄工程後の円筒状基体の表面に付着した切削油を低減することが可能となる。そのため、更にピット起因の異常成長部が低減し、画像欠陥がより少ない良好な電子写真感光体の作製が可能となる。
1回の脱脂洗浄処理で脱脂洗浄槽に円筒状基体を浸漬させる時間に関して、図4(a)を用いて説明する。本発明において円筒状基体を浸漬させる時間とは以下のように定義する。まず、円筒状基体が載置された受け台を下降させて円筒状基体を脱脂洗浄槽内に浸漬させ、円筒状基体が脱脂洗浄槽内の所定の位置に設置された時点(A)を開始時点とする。また、受け台を上昇させることにより脱脂洗浄槽から円筒状基体を排出し始める時点(B)を終了時点とする。そして、その開始時点(A)と終了時点(B)の間を円筒状基体を浸漬させる時間と定義する。
更に、薬液の供給量をF1からF2に変更する時点をCとすると、脱脂洗浄処理時間において、脱脂洗浄槽にF1の流量が供給されている時間t1はAからCまでの時間である。また、脱脂洗浄槽にF2の流量が供給されている時間t2はCからBまでの時間であり、t2には、薬液の供給量をF1からF2へ変化させる時間も含んでいる。
本発明において、F1とF2の関係はF1よりもF2を多くすれば異常成長部の低減に効果が得られるが、F1/F2を0.3以上0.7以下の範囲とすることがより好ましい。
図4(b)に示すA、B、C、t1およびt2は、図4(a)に示すA、B、C、t1およびt2と同意である。
第2の例において、F2とF3の関係はF2よりもF3を多くすれば異常成長部の低減に効果が得られる。特にF2/F3を0.2以上0.8以下の範囲とすることがより好ましい。
脱脂洗浄槽への薬液の供給量を低減することにより、脱脂洗浄槽の液面を安定化させることが可能となる。このような液面が安定した状態で円筒状基体を脱脂洗浄槽から引き上げることで、薬液の表面張力により円筒状基体の表面への薬液の残留を抑制することが可能となる。
また、皮膜形成工程を行う場合においても、F4をF2より少なくすることにより、脱脂洗浄工程後の円筒状基体の表面の付着物が更に低減するため、更にピット起因の異常成長部が低減し、画像欠陥がより良好な電子写真感光体の作製が可能となる。
第3の例において、F2とF4の関係はF2よりもF4を少なくすれば円筒状基体への薬液の固着低減に効果が得られるが、F4をF1以下とすることがより好ましい。
図2には、貯槽2002から脱脂洗浄槽2001へ供給される薬液の供給量を制御するために、薬液供給経路2030の内部に第1バイパス経路2131、第2バイパス経路2132、第3バイパス経路2133、第4バイパス経路2134が具備されている。
例えば、脱脂洗浄槽2001に供給する薬液の供給量をF1とするには、第1バイパス経路2131の開閉バルブを閉め、第2、第3及び第4バイパス経路(2132、2133、2134)の開閉バルブを開けることで薬液を供給する。
そして、F4にするには、第1、第2、第3及び第4バイパス経路(2131、2132、2133、2134)の開閉バルブを開けることでF1よりも供給量を減少させる。
脱脂洗浄槽へ供給される薬液の供給量を複数回変化させる場合、このようなバイパス経路を用いることで各々の脱脂洗浄槽へ供給される薬液の供給量を調整することが容易である。
この理由を以下に示す。薬液中に超音波を導入することにより、円筒状基体に付着した切削油を効率よく除去することが可能である。これは、薬液中に超音波を導入することで薬液中にキャビティ−が発生し、このキャビティーの生成−消滅のサイクルにおける膨張と収縮の速度差により円筒状基体に付着した切削油が円筒状基体の表面から除去されるためである。
このような荒れてしまった部分に堆積膜が形成されると、異常成長部が形成される場合がある。
但し、脱脂洗浄槽に供給される薬液の液温を35℃以上50℃以下に制御した場合、第2の脱脂洗浄工程の回数は1回以上3回以下にすることが好ましい。脱脂洗浄槽に供給される薬液の液温を高くすると、薬液に含有される界面活性剤の脱脂洗浄能力が向上するため、薬液の液温を15℃以上にすることが好ましく、35℃以上にすることが特に好ましい。しかしながら、脱脂洗浄槽に供給される薬液の液温を高くすると、脱脂洗浄槽に浸漬させた円筒状基体の温度も高くなっていく。更に、脱脂洗浄工程の回数を増加すると、円筒状基体の温度は更に上昇し、脱脂洗浄槽の薬液の液温に近づいていく。円筒状基体の温度が高くなると、円筒状基体の表面に薬液の滴が付着した場合、薬液の乾燥が速くなり薬液の固着が発生しやすくなるため、薬液の液温を50℃以下にすることが好ましい。
本発明において、第1の脱脂洗浄工程、第2の脱脂洗浄工程で超音波を薬液中に導入する場合、脱脂洗浄槽に円筒状基体を浸漬させた後に超音波を薬液中に導入し、薬液への超音波の導入を停止した後に脱脂洗浄槽から円筒状基体を引き上げることが好ましい。
<脱脂洗浄工程>
脱脂洗浄工程で用いられる薬液に溶解させる界面活性剤は、陰イオン性界面活性剤、陽イオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、両性界面活性剤、またはそれらの混合したもの等、特に制限はない。そのなかでも、カルボン酸塩、スルホン酸塩、硫酸エステル塩、燐酸エステル塩等の陰イオン性界面活性剤、または脂肪酸エステル等の非イオン性界面活性剤を用いることが好ましい。
脱脂洗浄工程で薬液中に導入する超音波の周波数範囲は、円筒状基体に付着した切削油を効率よく除去するために10kHz以上100kHz以下とすることが好ましい。また、使用する超音波の出力の範囲は、同様の理由により0.1W/L以上1kW/L以下にすること好ましい。
脱脂洗浄槽での脱脂洗浄工程後、円筒状基体の表面から洗剤を除去するためにリンス槽により円筒状基体の表面の清浄化を行うリンス工程を有することが好ましい。
リンス方法に関しては、円筒状基体の表面を適切に清浄化できればいずれの形式でも可能であるが、ディップ形式とシャワー形式を組み合わせて使用することが好ましい。シャワー形式でアルミニウム基体の表面に水を吹き付ける場合には、水の圧力は、2kg・f/cm2以上、300kg・f/cm2以下が好ましい。
リンス工程後は、円筒状基体の表面及び内面を乾燥させるための乾燥工程を設けることが好ましい。乾燥工程は、温風乾燥、真空乾燥、温水乾燥等いずれの乾燥方法も有効であるが、円筒状基体の表面へのリンス槽内又は乾燥槽内の洗浄水の付着を低減するためには、温水による引き上げ乾燥が好ましい。
温水乾燥における水の温度は、乾燥性の点から、30℃以上90℃以下が好ましい。引き上げ乾燥する際の引き上げ速度は、100mm/分以上2000mm/分以下の範囲にすることが好ましい。
円筒状基体の材料として、純度の低いアルミニウムを使用する場合には、アルミニウム表面に部分的に露出したSi、Fe、Cu原子が多い部分が、その周囲にある通常のアルミニウムの部分と局所的な電池を形成して、特に純水等では腐食が促進される。したがって、インヒビターを添加して基体の表面に皮膜を形成し、アルミニウム基体が純水等に接触する前に皮膜を形成することが好ましい。
皮膜形成槽に供給される洗浄水に含まれるケイ酸塩の濃度は、高すぎるとケイ酸塩の液滴が乾燥して固着しやく、低すぎると皮膜形成効果が小さくなってしまう。よって、ケイ酸塩の濃度は0.05%以上2%以下にすることが好ましい。
図7は、本発明に関わる電子写真感光体の好適な層構成の一例を示した模式的構成図である。電子写真感光体は、円筒状のアルミニウム基体7001の上に光受容層7000が設けられており、光受容層7000は、基体側から順に、電荷注入阻止層7002、光導電層7003、表面層7004から構成されている。光導電層7003はケイ素原子を含む非晶質材料で構成されていることが好ましい。
図3は、電源周波数としてRF帯を用いた高周波プラズマCVD法による感光体製造装置の一例を、模式的に示した構成図である。この装置は、大別すると、堆積装置3100、原料ガス供給装置3200、反応容器3110の中を減圧するための排気装置(図示せず)から構成されている。堆積装置3100は、碍子3121、カソード電極3111から構成され、高周波マッチングボックス3115を介して高周波電源3120がカソード電極3111に接続されている。また、反応容器3110の中には円筒状基体3112を載置する載置台3123、基体加熱用ヒーター3113、原料ガス導入管3114が設置されている。反応容器3110は排気バルブ3118を介して排気装置(図示せず)に接続され、真空排気可能となっている。原料ガス供給装置3200は、原料ガスのボンベ3221〜3225とバルブ3231〜3235、3241〜3245、3251〜3255、圧力調整器3261〜3265及び、マスフローコントローラ3211〜3215から構成される。各原料ガスのボンベはバルブ3260を介して反応容器3110の中の原料ガス導入管3114に接続されている。
まず、反応容器3110の中に円筒状基体3112を設置し、例えば真空ポンプの如き排気装置(図示せず)により反応容器3110の中を排気する。続いて、基体加熱用ヒーター3113により円筒状基体3112の温度を200℃乃至350℃の所定の温度に制御する。
次に、堆積層形成用の原料ガスを、原料ガス供給装置3200により流量制御し、反応容器3110の中に導入する。そして、真空計3119の表示を見ながら排気バルブ3118を操作し所定の圧力に設定する。
圧力が安定したところで、高周波電源3120を所望の電力に設定して、高周波マッチングボックス3115を通じてカソード電極3111に高周波電力を供給し高周波グロー放電を生起させる。
この放電エネルギーによって反応容器3110の中に導入された各原料ガスが分解され、円筒状基体3112の上に所定のケイ素原子を主成分とする堆積層が形成される。所望の層厚の形成が行われた後、高周波電力の供給を止め、ガス供給装置の各バルブを閉じて反応容器3110への各原料ガスの流入を止め、堆積層の形成を終える。
また、堆積層形成の均一化を図るために、堆積層形成を行っている間は、円筒状基体3112を駆動装置(不図示)によって所定の速度で回転させることも有効である。
すべての堆積層形成が終わった後、リークバルブ3117を開き、反応容器3110の中を大気圧として、円筒状基体3112を取り出す。
<切削工程1>
外径84.00mm、長さ381mm、肉厚3mmの円筒状のアルミニウム基体(神戸製鋼製 アルミニウム純度:4N)に対して以下の手順により表面加工を行った。
表面加工は、精密切削用のエアダンパー付旋盤(PNEUMO PRECISION INC.製)を用いて行った。エアダンパー付旋盤に、ダイヤモンドバイト(商品名:ミラクルバイト、東京ダイヤモンド工具製作所製)を、アルミニウム基体の中心線に対して5°のすくい角を得るようにセットした。次に、この旋盤の回転フランジに、アルミニウム基体を真空チャックし、付設したノズルから切削油を円筒状基体に噴霧しながら、同じく付設した真空ノズルから切り粉の吸引を併用しつつ、外径が83.92〜83.98mmとなるように鏡面切削を施した。切削油として炭化水素系合成油ポリブデン(商品名;日石ポリブデンLV−7)を用いた。周速1000m/分、送り速度0.01mm/回転Rの条件で行った。
まず、図2に示す脱脂洗浄装置において、円筒状基体が脱脂洗浄槽に浸漬されている時及び円筒状基体が浸漬されていない時、それぞれの円筒状基体の外面位置と内面位置での脱脂洗浄槽の薬液の流速を後述する流速測定法にて測定した。このとき、薬液供給手段により脱脂洗浄槽に供給される薬液の供給量は10L/分となるように、薬液供給制御手段により調整した。
次に、図1に示す洗浄装置及び図2に示す脱脂洗浄装置により、表1に示す洗浄条件及び表2に示す脱脂洗浄条件にて切削工程1で表面加工された円筒状基体を洗浄した。なお、表2は表1の※を含む。
また、表2に記載の保持工程、導入工程、脱脂洗浄処理及び引上げ工程に関しては、図4(c)と同様の脱脂洗浄工程フローで行った。すなわち、導入工程はGからAの間、脱脂洗浄処理はAからBの間、引上げ工程はBからDの間、保持工程はDからGの間を指している。そして、脱脂洗浄槽への薬液の供給量は、第1の脱脂洗浄工程及び第2の脱脂洗浄工程における保持工程、導入工程、脱脂洗浄処理及び引上げ工程のいずれにおいても、10L/分の一定量とした。
脱脂洗浄槽1001に供給される薬液は、界面活性剤としてアルミ用侵食低起泡性液状脱脂剤(ヘンケルジャパン(株)社、商品名;almeco CT−29)を純水で30倍に希釈したものを用い、脱脂洗浄槽1001に供給される供給量は10L/分とした。また、リンス槽1002には純水を供給し、リンス槽1002に供給される供給量は12L/分とした。乾燥槽1003にも純水を供給し、乾燥槽に供給される供給量は5L/分とした。
乾燥槽1003では、円筒状基体を純水中に浸漬させた後、500mm/分の速度でゆっくり引き上げながら温水引き上げ乾燥を行った。
脱脂洗浄槽内の流速の測定は、図10(a)に示す流速計を用いて行った。図10(b)に示すように、脱脂洗浄槽10001に円筒状基体10002を所定の位置に浸漬させた後、流速計10006,10007を円筒状基体の上端面より80mm沈めた位置に設置した。流速計10006は脱脂洗浄槽の断面における中心位置に設置し、流速計10007は中心位置から120mm離れた位置に設置した。脱脂洗浄槽10001の中に薬液を10L/分で供給し、そのときの流速計10006の回転数と流速計10007の回転数を測定した。なお、脱脂洗浄槽の断面における中心位置を円筒状基体の内面側、中心位置から120mm離れた位置を円筒状基体の外面側と記載する。
そして、円筒状基体浸漬時及び円筒状基体引き上げ時の円筒状基体の内面側に設置した流速計の回転数と外面側に設置した流速計の回転数の比が1.0:3.0及び3.0:1.0となるように薬液供給経路10004から供給する薬液供給量の分布を調整した。
図5に示す脱脂洗浄装置を用いた以外は、洗浄条件1と同様に切削加工が終了した円筒状基体を洗浄した。図5に示す脱脂洗浄槽に供給される薬液は、第1の薬液供給経路5030及び第2の薬液供給経路5040の2つの供給経路により供給され、各々の供給経路で脱脂洗浄槽に供給される薬液の供給量を調整することが可能となっている。但し、脱脂洗浄槽におけるVO1、VI1、VO2及びVI2は、表3に示すように調整した。
調整方法を以下に示す。図9は、図5に示す脱脂洗浄槽の上視図である。
洗浄条件2と同様に切削加工が終了した円筒状基体を洗浄した。
但し、洗浄条件3でのVO1、VI1、VO2、VI2を表3に示す。詳細には、洗浄条件3におけるVO1を洗浄条件2−1におけるVI1、洗浄条件3におけるVI1を洗浄条件2−1におけるVO1となるように、第1薬液供給経路及び第2薬液供給経路のバイパス経路及び薬液供給孔の角度を調整した。同様に、洗浄条件3におけるVO2を洗浄条件2−1におけるVI2、洗浄条件3におけるVI2を洗浄条件2−1におけるVO2となるように調整した。
洗浄条件2−1と同様に切削加工が終了した円筒状基体を洗浄した。
但し、洗浄条件4でのVO1、VI1、VO2、VI2を表3に示す。詳細には、洗浄条件4におけるVO1、VI1は洗浄条件2−1と、洗浄条件4におけるVO2、VI2は洗浄条件3と同じになるように調整した。
洗浄条件2−1と同様に切削加工が終了した円筒状基体を洗浄した。
但し、洗浄条件5でのVO1、VI1、VO2、VI2を表3に示す。詳細には、洗浄条件5におけるVO1、VI1は洗浄条件3と、洗浄条件5におけるVO2、VI2は洗浄条件2−1と同じになるように調整した。
洗浄条件2−1と同様に切削加工が終了した円筒状基体を洗浄した。
但し、洗浄条件6でのVO1、VI1、VO2、VI2を表3に示す。詳細には、洗浄条件6においては、脱脂洗浄工程を表4に示す脱脂洗浄条件を用いて行った。なお、表4は表1の※を含む。また、洗浄条件6においては、第1の脱脂洗浄工程のみを行い、第2の脱脂洗浄工程は行っていない。
洗浄条件3と同様に切削加工が終了した円筒状基体を洗浄した。
但し、洗浄条件7でのVO1、VI1、VO2、VI2を表3に示す。詳細には、洗浄条件7においては、洗浄条件6と同様に、脱脂洗浄工程を表4に示す脱脂洗浄条件を用いて行った。なお、表4は表1の※を含む。また、洗浄条件7においても、第1の脱脂洗浄工程のみを行い、第2の脱脂洗浄工程は行っていない。
洗浄条件1の条件で洗浄された円筒状基体及び洗浄条件2の条件で洗浄された円筒状基体を用いて、図3に示すRF帯の高周波電源を用いたプラズマ処理装置により表5に示す条件でa−Si電子写真感光体を各々3本ずつ作製した。但し、洗浄条件1の条件で洗浄された円筒状基体を用いて作製されたa−Si電子写真感光体を電子写真感光体No.1とした。また、洗浄条件2−1の条件で洗浄された円筒状基体を用いて作製されたa−Si電子写真感光体を電子写真感光体No.2−1とした。他の洗浄条件で洗浄された円筒状基体を用いて作製されたa−Si電子写真感光体にも同様に洗浄条件No.と対応した電子写真感光体No.をつけた。
洗浄条件を洗浄条件3、洗浄条件4、洗浄条件5、洗浄条件6、又は洗浄条件7に変える以外は実施例1と同様にしてa−Si電子写真感光体を各洗浄条件で3本ずつ作製した。但し、洗浄条件3の条件で洗浄された円筒状基体を用いて作製されたa−Si電子写真感光体を電子写真感光体No.3とした。他の洗浄条件で洗浄された円筒状基体を用いて作製されたa−Si電子写真感光体にも同様に洗浄条件No.に対応させて電子写真感光体No.をつけた。
比較例1で作製されたa−Si電子写真感光体の異常成長部の数を実施例1と同様に評価した。これら評価結果を表6に示す。
異常成長部の数の測定は、作製されたa−Si電子写真感光体をラインセンサCCD(竹中システム機器株式会社製、TL−7400CL)を用いて、電子写真感光体の表面全域をスキャンし、長径10μm以上の異常成長部の数を測定した。同様に合計3本の電子写真感光体を測定して得られた異常成長部の数の平均値をその条件における異常成長部の数とした。そして、比較例1の電子写真感光体No.4の異常成長部の数に対する各a−Si電子写真感光体の異常成長部の数の比率(%)を求め、異常成長部の数を評価した。
実施例1及び比較例1の評価結果を表6に示す。なお、表中では、円筒状基体を脱脂洗浄槽の所定の位置に設置している状態を浸漬状態と表記し、また、円筒状基体を脱脂洗浄槽より引き上げた状態を引上げ状態と表記する。
洗浄条件1と同様に切削加工が終了した円筒状基体を洗浄した。
但し、洗浄条件8においては、図6に示す洗浄装置及び図2に示す脱脂洗浄装置を用い、表7に示す洗浄条件及び表2に示す脱脂洗浄条件を用いた。なお、表2は表7の※を含む。
外径84.00mm、長さ381mm、肉厚3mmの円筒状のアルミニウム基体(神戸製鋼製 アルミニウム純度:3N)を用い、切削工程1と同様に表面加工を施した。
洗浄条件8と同様に切削加工が終了した円筒状基体を洗浄した。
但し、洗浄条件9においては、切削工程2で表面加工された円筒状基体を用いた。
洗浄条件9と同様に切削加工が終了した円筒状基体を洗浄した。
但し、洗浄条件10においては、表7に示す洗浄条件及び表8に示す脱脂洗浄条件を用いた。なお、表8は表7の※を含む。表8に示す脱脂洗浄工程では、第1の脱脂洗浄工程を行った後、第2の脱脂洗浄工程の1回目、2回目を順次行うものである。そのため、脱脂洗浄槽への円筒状基体の浸漬回数は合計で3回となる。
洗浄条件9と同様に切削加工が終了した円筒状基体を洗浄した。
但し、洗浄条件11においては、表7に示す洗浄条件及び表9に示す脱脂洗浄条件を用いた。なお、表9は表7の※を含む。表9に示す脱脂洗浄工程では、第1の脱脂洗浄工程を行った後、第2の脱脂洗浄工程の1回目、2回目、3回目を順次行うものである。そのため、脱脂洗浄槽への円筒状基体の浸漬回数は合計で4回となる。
洗浄条件9と同様に切削加工が終了した円筒状基体を洗浄した。
但し、洗浄条件12においては、表7に示す洗浄条件及び表10に示す脱脂洗浄条件を用いた。なお、表10は表7の※を含む。
洗浄条件を洗浄条件8、9、10、11、12に変えた以外は実施例1と同様にしてa−Si電子写真感光体を各洗浄条件で3本ずつ作製した。洗浄条件8の条件で洗浄された円筒状基体を用いて作製されたa−Si電子写真感光体を電子写真感光体No.8とした。他の洗浄条件で洗浄された円筒状基体を用いて作製されたa−Si電子写真感光体にも同様に洗浄条件No.と対応した電子写真感光体No.をつけた。
実施例2で作製されたa−Si電子写真感光体の異常成長部の数を実施例1と同様に評価した。これら評価結果を表11に示す。
更に、第2の脱脂洗浄工程の回数を増やしても異常成長部の数は良好な値を維持することが確認できた。
そして、脱脂工程において、超音波を常時ONにしても、脱脂洗浄処理中のみONにした場合と比べ、異常成長部の数には変化が見られず、良好な値を維持することが確認できた。しかしながら、超音波を常時ONしていると、円筒状基体の導入時及び引上げ時に脱脂洗浄槽での乱流に起因した異常音の発生が確認でき、装置の安定性に問題があることが確認できた。
洗浄条件9と同様に切削加工が終了した円筒状基体を洗浄した。
但し、洗浄条件13においては、表7に示す洗浄条件及び表12及び表13に示す脱脂洗浄条件を用いた。なお、表12は表7の※を含む。
洗浄条件を洗浄条件13−1、13−2、13−3、13−4に変えた以外は実施例1と同様にしてa−Si電子写真感光体を各洗浄条件で3本ずつ作製した。洗浄条件13−1の条件で洗浄された円筒状基体を用いて作製されたa−Si電子写真感光体を電子写真感光体No.13とした。同様に、洗浄条件13−2、13−3、13−4の条件で洗浄された円筒状基体を用いて作製されたa−Si電子写真感光体を各々電子写真感光体No.14、15、16とした。
実施例3で作製されたa−Si電子写真感光体の異常成長部の数を実施例1と同様に評価した。これら評価結果を表14に示す。
かかる表14の結果から、脱脂洗浄工程において、脱脂洗浄槽に供給される薬液の供給量を脱脂洗浄処理途中に増加させることにより、即ち、F2>F1とすることにより、異常成長部の数が更に低減することが確認できた。
また、電子写真感光体No.15の異常成長部数は、電子写真感光体No.13の異常成長部数よりも更に少ない。かかる結果から、脱脂洗浄槽に供給される薬液の供給量の増加を1回の脱脂洗浄工程の後半以降で行うことにより、即ち、t1>t2とすることにより、異常成長部の数がより一層低減することが確認できた。
洗浄条件9と同様に切削加工が終了した円筒状基体を洗浄した。
但し、洗浄条件14においては、表7に示す洗浄条件並びに、表15及び表16に示す脱脂洗浄条件を用いた。なお、表15は表7の※を含む。
洗浄条件を洗浄条件14−1、14−2、14−3、14−4に変えた以外は実施例1と同様にしてa−Si電子写真感光体を各洗浄条件で3本ずつ作製した。洗浄条件14−1の条件で洗浄された円筒状基体を用いて作製されたa−Si電子写真感光体を電子写真感光体No.17とした。同様に、洗浄条件14−2、14−3、14−4の条件で洗浄された円筒状基体を用いて作製されたa−Si電子写真感光体を各々電子写真感光体No.18、19、20とした。
実施例4で作製されたa−Si電子写真感光体の異常成長部の数を実施例1と同様に評価した。これら評価結果を表17に示す。
また、表17に示すように、電子写真感光体No.18の異常成長部数は、電子写真感光体No.17と同程度である。かかる結果より、F1<F2とし、かつF2>F4とすることによって、電子写真感光体No.17と同程度、異常成長部の数が低減することが確認された。
なお、F3は、円筒状基体の下面を脱脂洗浄槽の液面よりも高い位置まで引き上げた後の脱脂洗浄槽に供給される薬液の供給量を示す。
また、F4は、引上げ工程中に脱脂洗浄槽に供給される薬液の供給量、つまり、円筒状基体の表面の一部が脱脂洗浄槽の液面を通過している際の薬液の供給量を示す。
第2の脱脂洗浄工程において脱脂洗浄処理中は超音波の導入をOFFにする以外は、洗浄条件14−4と同様に円筒状基体の洗浄を行った。
洗浄条件9と同様に切削加工が終了した円筒状基体を洗浄した。
但し、洗浄条件16においては、表7に示す洗浄条件及び表18に示す脱脂洗浄条件を用いた。なお、表18は表7の※を含む。
洗浄条件9と同様に切削加工が終了した円筒状基体を洗浄した。
但し、洗浄条件17においては、表7に示す洗浄条件及び表19に示す脱脂洗浄条件を用いた。なお、表19は表7の※を含む。
洗浄条件を洗浄条件15、16、17に変えた以外は実施例1と同様にしてa−Si電子写真感光体を各洗浄条件で3本ずつ作製した。洗浄条件15の条件で洗浄された円筒状基体を用いて作製されたa−Si電子写真感光体を電子写真感光体No.21とした。同様に、洗浄条件16の条件で洗浄された円筒状基体を用いたa−Si電子写真感光体を電子写真感光体No.22、洗浄条件17の条件で洗浄された円筒状基体を用いたa−Si電子写真感光体を電子写真感光体No.23とした。
実施例5で作製されたa−Si電子写真感光体の異常成長部の数を実施例1と同様に評価した。これら評価結果を表20に示す。
また、第2の脱脂洗浄工程の回数を増加させても、上記効果が同様に得られることも確認できた。
洗浄条件16と同様に切削加工が終了した円筒状基体を洗浄した。
但し、洗浄条件18においては、脱脂洗浄槽に供給される薬液の液温を35℃に制御した。
洗浄条件17と同様に切削加工が終了した円筒状基体を洗浄した。
但し、洗浄条件19においては、脱脂洗浄槽に供給される薬液の液温を35℃に制御した。
洗浄条件16と同様に切削加工が終了した円筒状基体を洗浄した。
但し、洗浄条件20においては、脱脂洗浄槽に供給される薬液の液温を50℃に制御した。
洗浄条件17と同様に切削加工が終了した円筒状基体を洗浄した。
但し、洗浄条件21においては、脱脂洗浄槽に供給される薬液の液温を50℃に制御した。
洗浄条件を洗浄条件18、19、20、21に変えた以外は実施例1と同様にしてa−Si電子写真感光体を各洗浄条件で3本ずつ作製した。洗浄条件18の条件で洗浄された円筒状基体を用いて作製されたa−Si電子写真感光体を電子写真感光体No.24とした。同様に、洗浄条件19の条件で洗浄された円筒状基体を用いたa−Si電子写真感光体を電子写真感光体No.25、洗浄条件20の条件で洗浄された円筒状基体を用いたa−Si電子写真感光体を電子写真感光体No.26とした。更に、洗浄条件21の条件で洗浄された円筒状基体を用いたa−Si電子写真感光体を電子写真感光体No.27とした。
実施例6で作製されたa−Si電子写真感光体の異常成長部の数を実施例1と同様に評価した。これら評価結果を、表21に示す。
1002、6002 ‥ リンス槽
1003、6003 ‥ 乾燥槽
1004、6004 ‥ 洗浄前ストッカー
1005、6005 ‥ 洗浄後ストッカー
1010、2010、5010、6010、8010、9010、10010 ‥ 円筒状基体
1021、2021、5021、6021、8005 ‥ 超音波振動子
1022、2022、5022、6022 ‥ 超音波発振器
1041、6041 ‥ 処理部
1042、6042 ‥ 基体搬送機構
1051、6051 ‥ 投入台
1052、2050、5050、6052 ‥ 搬送機構
1053、2053、5053、6053 ‥ 受け台
1054、6054 ‥ シャッター
2002、5002 ‥ 貯槽
2030、8001 ‥ 薬液供給経路
2031 ‥ 薬液供給経路のバイパス経路
2032 ‥ 薬液供給経路の循環ポンプ
2033、5033 ‥ ヒーター
2034、5034 ‥ 冷却機構
2035、5035 ‥ 槽の冷却機構
2036、5036 ‥ チラー
2037、2062、5037、5062 ‥ フィルター
2038 ‥ 薬液供給経路のバイパス経路の開閉バルブ
2039 ‥ 薬液供給経路のバイパス経路の手動バルブ
2060、5060 ‥ 槽内循環経路
2061、5061 ‥ 槽内循環ポンプ
2063、5063 ‥ 液面調整機構
2064、5064 ‥ 油水分離機
2051、5051 ‥ 搬送レール
2052、5052 ‥ 搬送アーム
2053、5053 ‥ 移動機構
2054、5054 ‥ エアーシリンダー
2055、5055 ‥ チャッキング機構
3100 ‥ 堆積装置
3110 ‥ 反応容器
3111 ‥ カソード電極
3112 ‥ 円筒状基体
3113 ‥ 基体加熱用ヒーター
3114 ‥ ガス導入管
3115 ‥ 高周波マッチングボックス
3116 ‥ ガス配管
3117 ‥ リークバルブ
3118 ‥ メインバルブ
3119 ‥ 真空計
3120 ‥ 高周波電源
3121 ‥ 絶縁材料
3123 ‥ 受け台
3200 ‥ ガス供給装置
3211〜3215 ‥ マスフローコントローラ
3221〜3225 ‥ ボンベ
3231〜3235 ‥ バルブ
3241〜3245 ‥ 流入バルブ
3251〜3255 ‥ 流出バルブ
3260 ‥ 補助バルブ
3261〜3265 ‥ 圧力調整器
5030、9001 ‥ 第1の薬液供給経路
5031 ‥ 第1の薬液供給経路のバイパス経路
5032 ‥ 第1の薬液供給経路の循環ポンプ
5038 ‥ 第1の薬液供給経路のバイパス経路の開閉バルブ
5039 ‥ 第1の薬液供給経路のバイパス経路の手動バルブ
5040、9006 ‥ 第2の薬液供給経路
5041 ‥ 第2の薬液供給経路のバイパス経路
5042 ‥ 第2の薬液供給経路の循環ポンプ
5048 ‥ 第2の薬液供給経路のバイパス経路の開閉バルブ
5049 ‥ 第2の薬液供給経路のバイパス経路の手動バルブ
6006 ‥ 皮膜形成槽
7000 ‥ 光受容層
7001 ‥ 基体
7002 ‥ 下部阻止層電荷注入阻止層
7003 ‥ 光導電層
7004 ‥ 表面層
8002、9002 ‥ 第1の薬液供給経路の薬液供給孔
9007 ‥ 第2の薬液供給経路の薬液供給孔
Claims (10)
- 円筒状基体の脱脂洗浄を行うための第1の脱脂洗浄工程及び第2の脱脂洗浄工程を有する円筒状基体の洗浄方法であって、
前記第1の脱脂洗浄工程及び前記第2の脱脂洗浄工程を行うための脱脂洗浄槽内に、界面活性剤を含有する薬液を供給し、
前記脱脂洗浄槽内に供給される前記薬液に超音波を導入し、
前記脱脂洗浄槽内の下部から上部に向かって前記薬液が流れるように前記薬液を前記脱脂洗浄槽内に供給しながら、前記脱脂洗浄槽の上面より前記薬液をオーバーフローさせ、
前記脱脂洗浄槽内の前記薬液への前記円筒状基体の浸漬時には、前記薬液の流速が前記円筒状基体の内面側よりも外面側の方が速くなるように前記脱脂洗浄槽内に前記薬液を供給し、
前記脱脂洗浄槽内の前記薬液に前記円筒状基体を浸漬させてから所定の時間が経過した後、前記円筒状基体の下面を前記脱脂洗浄槽内の前記薬液の液面よりも高い位置まで引き上げて、前記第1の脱脂洗浄工程を終了し、
前記円筒状基体が前記液面よりも高い位置で保持されている間に、前記オーバーフローによって前記円筒状基体から除去された油を前記薬液とともに前記脱脂洗浄槽の外に排出するために、前記薬液の流速が前記円筒状基体の外面相当位置よりも内面相当位置の方が速くなるように前記脱脂洗浄槽内に前記薬液を供給し、
前記円筒状基体を前記脱脂洗浄槽内の前記薬液に再度浸漬させて第2の脱脂洗浄工程を少なくとも1回行う
ことを特徴とする円筒状基体の洗浄方法。 - 前記第2の脱脂洗浄工程を少なくとも1回行った後、前記円筒状基体の表面に皮膜を形成する皮膜形成工程、及び、表面に皮膜が形成された前記円筒状基体を純水で処理するリンス工程を行う請求項1に記載の円筒状基体の洗浄方法。
- 前記第1の脱脂洗浄工程において、前記脱脂洗浄槽内の前記薬液に前記円筒状基体を浸漬したときの前記脱脂洗浄槽内に供給される前記薬液の供給量をF1とし、前記脱脂洗浄槽内の前記薬液に前記円筒状基体を浸漬させてから前記所定の時間が経過した後の前記脱脂洗浄槽内に供給される前記薬液の供給量をF2としたとき、F1<F2となるように前記脱脂洗浄槽内に供給される前記薬液の供給量を制御する請求項1又は2に記載の円筒状基体の洗浄方法。
- 前記脱脂洗浄槽内の前記薬液に前記円筒状基体を浸漬させる時間の半分以上が経過した後に、前記脱脂洗浄槽への前記薬液の供給量を前記F1から前記F2に増加させる請求項3に記載の円筒状基体の洗浄方法。
- 前記円筒状基体の下面を前記脱脂洗浄槽内の前記薬液の液面よりも高い位置まで引き上げた後の前記脱脂洗浄槽内に供給される前記薬液の供給量をF3としたとき、F2<F3とする請求項3又は4に記載の円筒状基体の洗浄方法。
- 前記円筒状基体の下面が前記脱脂洗浄槽内の前記薬液の液面よりも高い位置になるまで前記円筒状基体を前記脱脂洗浄槽から引き上げているときであって、前記円筒状基体の表面の一部が前記脱脂洗浄槽内の前記薬液の液面を通過している際の前記脱脂洗浄槽内に供給される前記薬液の供給量をF4としたとき、F2>F4とする請求項3〜5のいずれか1項に記載の円筒状基体の洗浄方法。
- 前記第2の脱脂洗浄工程においては、前記脱脂洗浄槽内の前記薬液に超音波を導入しない請求項1〜6のいずれか1項に記載の円筒状基体の洗浄方法。
- 前記脱脂洗浄槽に供給された前記薬液の液温を35℃以上50℃以下に制御し、前記第2の脱脂洗浄工程の回数を1回以上3回以下にする請求項1〜7のいずれか1項に記載の円筒状基体の洗浄方法。
- 前記脱脂洗浄槽内に供給された前記薬液への超音波の導入を停止した状態で前記脱脂洗浄槽から前記円筒状基体を引き上げる請求項1〜8のいずれか1項に記載の円筒状基体の洗浄方法。
- 請求項1〜9のいずれか1項に記載の円筒状基体の洗浄方法により、円筒状基体を洗浄する工程と、
洗浄された前記円筒状基体の上にケイ素原子を含む非晶質材料で構成された光導電層を形成する工程と
を有することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010232778A JP5627387B2 (ja) | 2010-10-15 | 2010-10-15 | 円筒状基体の洗浄方法及びそれを用いた電子写真感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010232778A JP5627387B2 (ja) | 2010-10-15 | 2010-10-15 | 円筒状基体の洗浄方法及びそれを用いた電子写真感光体の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012087331A JP2012087331A (ja) | 2012-05-10 |
JP2012087331A5 JP2012087331A5 (ja) | 2013-11-28 |
JP5627387B2 true JP5627387B2 (ja) | 2014-11-19 |
Family
ID=46259287
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010232778A Active JP5627387B2 (ja) | 2010-10-15 | 2010-10-15 | 円筒状基体の洗浄方法及びそれを用いた電子写真感光体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5627387B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3658257B2 (ja) * | 1998-12-24 | 2005-06-08 | キヤノン株式会社 | 洗浄方法及び洗浄装置及び電子写真感光体及び電子写真感光体の製造方法 |
JP2004295062A (ja) * | 2002-05-10 | 2004-10-21 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体用基体の洗浄方法及び洗浄装置 |
JP2004061823A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Canon Inc | 電子写真用感光体および電子写真用感光体の製造方法 |
JP5153317B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2013-02-27 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体の製造方法 |
-
2010
- 2010-10-15 JP JP2010232778A patent/JP5627387B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012087331A (ja) | 2012-05-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101184880B1 (ko) | 종형 열처리 장치의 석영 부재에 부착된 금속 오염 물질의 제거 방법 및 시스템 | |
WO2007007782A1 (ja) | 多層構造体及びその洗浄方法 | |
US7040330B2 (en) | Method and apparatus for megasonic cleaning of patterned substrates | |
JP2010168275A (ja) | 多結晶シリコンの洗浄方法及び洗浄装置並びに多結晶シリコンの製造方法 | |
JP4890919B2 (ja) | 基板洗浄方法、基板洗浄装置、プログラム、および記録媒体 | |
JP5153317B2 (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
JP3192610B2 (ja) | 多孔質表面の洗浄方法、半導体表面の洗浄方法および半導体基体の製造方法 | |
JP5627387B2 (ja) | 円筒状基体の洗浄方法及びそれを用いた電子写真感光体の製造方法 | |
JP5330793B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2002009033A (ja) | 半導体ウエハ用洗浄装置 | |
JP4914107B2 (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
JP2003290724A (ja) | 円筒状基材の洗浄方法、洗浄装置及び円筒状基材並びに電子写真感光体の製造方法 | |
JPWO2008050832A1 (ja) | 基板洗浄装置、基板洗浄方法、プログラム、および記録媒体 | |
JPH09266194A (ja) | 半導体ウエーハのエッチング方法 | |
JP5147638B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
EP1057546A1 (en) | Megasonic cleaner | |
JP2006269960A (ja) | 半導体基板の洗浄方法、および半導体基板の製造方法 | |
JP5353433B2 (ja) | フォトマスク基板の洗浄方法及び洗浄装置 | |
JP2020098843A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2007072175A (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
JPH07283194A (ja) | 洗浄・乾燥方法と洗浄装置 | |
JP7333724B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
KR101574645B1 (ko) | 연속 세정 장치 | |
JPH01303724A (ja) | 湿式洗浄方法及び洗浄装置 | |
JP5643556B2 (ja) | 電子写真感光体用の円筒状基体のすすぎ洗浄方法および電子写真感光体の製造方法。 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131009 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131009 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140902 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140930 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5627387 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03 |